NL8204437A - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8204437A NL8204437A NL8204437A NL8204437A NL8204437A NL 8204437 A NL8204437 A NL 8204437A NL 8204437 A NL8204437 A NL 8204437A NL 8204437 A NL8204437 A NL 8204437A NL 8204437 A NL8204437 A NL 8204437A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- reactor
- gas
- fluorine
- silicon nitride
- added
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 41
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 17
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- -1 bromine compound Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 19
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical group F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
i- ,1'· « f PHN ίθ.498 1 N.N. Philips' Gloeilampenfabrieken te Eindhoven.
"Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen".
De uitvinding heeft betrekking qp een werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een qp een substraat aanwezige laag siliciumnitride wordt geëtst door de laag in kontakt te brengen net nagenoeg alleen ongeladen bestanddelen van een plasma dat 5 wordt gevormd in een reaktor waaraan een nagenoeg zuurs tof vrij gas of gasmengsel wordt toegevoerd dat fluor of een fluorverbinding bevat.
Een dergelijke werkwijze is in het bijzonder geschikt cm een qp een siliciumoxidelaag aanwezige laag siliciumnitride in patroon te etsen.
Het aldus verkregen siliciumnitride patroon kan vervolgens als oxidatie-10 of als inplantatiemasker worden gebruikt. Beschadiging van de dan bij het etsen vrijgemaakte laag siliciumoxide is tegengegaan cmdat nagenoeg, alleen ongeladen bestanddelen van het plasma warden gebruikt, zoals bijvoorbeeld het geval is in gebruikelijke tunnelreaktoren.
Uit de Efederlandse octrooiaanvrage nr. 78.11.183 is een werkwijze 15 van de in de aanhaf genoende sport bekend, waarbij het gas dat aan de reaktor wordt tqegavoerd siliciumfluoride is. Siliciumnitride wordt door de bestanddelen van het plasma dat wordt gevormd in dit nagenoeg zuurstof-vrije gas snol geëtst terwijl siliciumoxide niet wordt aangetast.
Een bezwaar van de bekende beschreven werkwijze is dat in de 20 praktijk de ^ervoor geschetste grote etsselektiviteit - de verhouding van de snelheden waarmee siliciumnitride en -oxide geëtst worden - niet wordt bereikten .dat deze bovendien tijdens het etsen in grootte kan verlopen.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd een werkwijze te ver-25 schaffen die het mogelijk maakt siliciumnitridelagen te etsen met een grote selektivitsit ten opzichte van siliciumoxidelagen, waarbij de ets-selektivitqi^.het etsen nagenoeg niet verloopt. De in de aanhef genoemde werfeij^p heeft daartoe, volgens de uitvinding als kenmerk, dat aan het gas qf gaÉmahgsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd 0,1 a 25 30 vol % van een van fluor verschillend halogeen of van een gas vormige verbinding die een van fluor verschillend halogeen bevat wordt toegevoegd.
De uitvinding berust qp het inzicht dat in de praktijk altijd wat zuurstof in het plasma aanwezig is waardoor de etsselektiviteit van 8204437 t « PHN 10.498 2 siliciumnitride ten opzichte van siliciumoxide in sterke mate wordt beïnvloed. Zoals ook uit de genoemde Nederlandse octrooiaanvrage blijkt neemt deze seléktiviteit snel af bij toevoeging van slechts enkele volu-me-procenten zuurstof aan het gas waarin het plasma wordt gevormd. Via 5 kleine lekken kan lucht in de op onderdruk bedreven reaktor binnendringen. Ook zullen reaktordelen tijdens bedrijf zuurstof kunnen af geven.
De zuurstof die onbedoeld in de reaktor aanwezig is wordt in het plasma omgezet in geaktiveerde zuurstof, waardoor siliciumnitride althans gedeeltelijk wordt omgezet in siliciumoxide. Deze omzetting 10 schrijdt tijdens het etsen voort. Ook is het waarschijnlijk, dat geaktiveerde zuurstof aanleiding geeft tot grotere snelheden bij het etsen van siliciumoxide. Het gevolg van een en ander kan zijn, dat de etsselektivi-teit van siliciumnitride ten opzichte van siliciumoxide relatief klein is en afneemt tijdens het etsen. Vermoed wordt echter dat voordat de geakti-15 veerde atomaire zuurstof het substraat bereikt deze reageert met - door de toevoeging volgens de uitvinding - in het plasma aanwezig van fluor verschillend halogeen en daarbij omgezet wordt in veel minder aktieve moleculaire zuurstof. Hierdoor zouden de genoemde nadelige effekten onderdrukt worden, zoals blijkt in de praktijk inderdaad het geval te zijn. 20 Bij voorkeur heeft de werkwijze volgens de uitvinding als ken merk, dat aan het gas of gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd, broom of een brocmverbinding wordt toegevoegd.
Door deze toevoeging wordt een grote, tijdens het etsen nagenoeg niet veranderende, etsselektiviteit van siliciumnitride ten opzichte van 25 siliciumoxide verkregen,
Siliciumnitride wordt behalve erg selektief ten opzichte van siliciumoxide ook erg snel geëtst als het gas of gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd NF^ bevat.
De uitvinding wordt in het navolgende, bij wijze van voorbeeld, 30 nader toegelicht aan de hand van de tekening en aan de hand van enige voorbeelden. In de tekening tonen
Fig. 1 en 2 verschillende stadia van vervaardiging van een halfgeleiderinrichting net behulp van de werkwijze volgens de uitvinding, Fig. 3 schematisch een inrichting voor het uitvoeren van de 35 werkwijze volgens de uitvinding,
Fig. 4 en 5 snelheden waarin de siliciumnitride- en silicium-oxidelagen respectievelijk seléktiviteiten waarmee deze lagen ten opzichte van elkaar worden geëtst als funktie van de hoeveelheid van de 8204437 t ' Γ ^ * PHN 10.496 3 gasvonnige verbinding die een van fluor verschillend halogeen bevat en die wordt to^gevoegd aan een fluor bevattend gas dat aan de reaktor wordt toegevoerd.
Fig. 1 en 2 tonen verschillende stadia van vervaardiging van 5 een half geleider inrichting 1 iet behulp van een werkwijze waarbij een op een substraat 2 sarasezige laai siliEiumnitride 3 wordt geëtst. De laag siliciumnitride 3 is in dit voorbeeld gescheiden van het substraat 2 door een laag siliciumcodde 4. Op de laag siliciumnitride 3 wordt op gebruikelijke wijze §en masker 5 van bijvoorbeeld fotolak aangebracht, waarna het 10 dan niet bedijkte deed van de siliciumnitride laag 3 wordt weggeëtst. Het aldus verkregen Siliciimnitridepatroon kan vervolgens gebruikt worden als oxidatie- of als implantatiemasker.
De laag siliciumnitride 3 wordt cm te etsen in kontakt gebracht met nagenoeg alleen ongeladen bestanddelen van een plasma dat wordt ge-15 vannd in de in fig. 3 getoonde reaktor 10. De reaktor 10 cmvat een reak-torvat 11 vah kwsartsglas waarbinnen een aluminiumtunnel 12 is qpgesteld. Met behulp vsn een elektrodestelsel 13 en een hoogfrequent zender 14 wordt in de reaktor 10 een piasna opgewekt in de ruimte 15 die gelegen is tussen het reaktorvat 11 en de tunnel 12. De tunnel 12 is voorzien van qpe-20 ningen 16 waardoor nagenoeg alleen ongeladen bestanddelen van het plasma in de ruimte 17 binnen de tunnel 12 kunnen doordringen. In de ruimte 17 staan qp een houder 18 een aantal substraten 1 qpgesteld.
Aan de reaktor 10 wordt uit een houder 19 een nagenoeg zuurstof-vrij gas of gasmengsel toegevoerd dat fluor of een fluorverbinding bevat.
25 Hieraan wordt, volgens de uitvinding, uit een houder 20, 0,1 a 25 Vol % van een van fluor verschillend halogeen of van een gasvormige verbinding die een van fluor verschillend halogeen bevat toegevoegd. Met behulp van een pomp 21 wordt de ruimte binnen de reaktor 10 qp een lage druk gehouden.
30 Met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding kan, zoals uit de nog volgende voorbeelden zal blijken, siliciumnitride met een grote selektiviteit ten opzichte van siliciumoxide geëtst worden, waarbij de etsselektiviteit tijdaas het etsen nagenoeg niet verandert. Vermoed wordt, dat geactiveerde Zuurstof- die in het plasma uit eventueel 35 ingelekte en door rêaktardelen afgegeven zuurstof wordt gevormd - voordat deze de substraten 1 bereikt met het toegevoegde halogeen reageert en wordt omgezet in miljder aktLgye moleculaire zuurstof. Door geaktiveerde zuurstof zou de gememdé etsselektiviteit nadelig beïnvloed worden.
8204437 EHN 10.498 4
Bij voorkeur wordt aan het gas of gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd broati of een brocmverbinding toegevoegd. Zoals uit de volgende voorbeelden zal blijken, kan een grote, tijdens het etsen nagenoeg niet veranderende, etsselektiviteit van siliciumnitride ten opzichte 5 van siliciumoxide worden verkregen. Een bijzondere geschikte broomver-binding is CF^Br.
Bij de in het navolgende te beschrijven voorbeelden werden siliciumschij ven 2 met een diameter van circa 75 mm bedekt met een circa 20 nm dikke siliciumoxidelaag 4 en een circa 125 nm dikke siliciumnitride-10 laag 3 geëtst in een plasma opgewekt in een reaktor van het type zoals hiervoor beschreven. Het plasma werd opgewekt met behulp van een hoogfrequent veld met de frequentie van 13,56 MHz.
Voorbeeld 1
Fig. 4 toont snelheden R waarmee siliciumnitride en silicium-15 oxide worden geëtst en Fig. 5 toont de verhouding van deze snelheden (de etsselektiviteit S) als funk tie van de hoeveelheid van een gas vormige verbinding die een van fluor verschillend halogeen bevat en die aan het aan de reaktor toegevoerde gas wordt toegevoegd. In dit voorbeeld is de bedoelde gas vormige verbinding CF^Br of CF2C12. Deze wordt toegevoegd 20 aan een mengsel van helium en fluor waarin fluor met circa 5 vol % voorkomt. De gasstroom bedroeg steeds circa 200 see per min., het toegevoer-de hoogfrequent vermogen bedroeg circa 150 W. De temperaturen van de substraten was circa 100°C en de druk in het reaktorvat was circa 1500 itiTorr.
25 Door toevoeging van CF^Br of CF2C12 wordt bereikt, dat de ets selektiviteit toeneemt. Uit onderstaande tabel blijkt tevens, dat deze selektiviteit tijdens het etsen ook niet verandert, in tegenstelling tot het geval waar geen extra halogeen is toegevoegd.
Selektiviteit SiJSL / SiO„ on I···...... 1 ......... I — **-é- -......... .......................
1 Vol % CF^Br 1,5 Col % CF2C12 geen toevoeging na 1 min. 19 9,5 4 na 3 min. 19 9,5 3 na 7 min. 19 9,5 3 35 Het blijkt dat een bijzonder gunstige, tijdens het etsen niet veranderende, etsselektiviteit wordt verkregen als het gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd bestaat uit helium en 2 a 10 vol % fluor, waaraan 0,5 a 2 vol % CF^Br is toegevoegd.
8204437 "" ................. " '« : * :· PHN 10.498 - 5
In plaats van helium kunnen andere edelgassen of stifstof worden gebruikt/ hoewel in die gevallen plasma's worden gevormd die wat minder uniform zijn»
Voorbeeld 2 5 In dit voorbeeld bestaat het gas of gasmengsel dat aan de reak tor wordt toegevoérd uit NF^. De gasstrocm bedroeg in dit voorbeeld 5 scc per min., de druk was 185 m Törr, het toegevoerde elektrische vermogen 100 W, en de substraattenperatuur circa 100°C. Zonder toevoeging van een extra halogeen was de etsselektiviteit van siliciumnitride ten opzichte 10 van siliciumaxide circa 8. Door toevoeging aan het aan de reaktor toegevoerde gas van 5 vol % CFw^rd deze selektiviteit circa 10, door toevoeging van ίό vol % CF-jBr circa 12. De toepassing van NF^ heeft als zij-zonder voerdeel dat siliciumnitride snel kan worden geëtst; onder de gegeven etsemstandigheden bedroeg deze etssnelheid circa 80 nm per min.
15 Door toevoeging van andere gassen - edelgassen, stikstof, langzaam etsende gassen zoals - kan deze snelheid indien voor praktische toepassingen gewenst maf: b^öud van de grote etsselektiviteit worden verminderd.
Voorbeeld 3
In dit voorbeeld bestond het gas of gasmengsel dat aan de reak-20 tor toegevoerd werd uit CF^ waaraan als van fluor verschillend halogeen 5 vol % Bf.2 werd toegevoegd. De gasstrocm bedroeg in dit voorbeeld 200 scc per min., de druk was 500 m Torr, het toegevoerde elektrische vermogen 500 Watt. Siliciumnitride werd onder deze omstandigheden geëtst met een snelheid van circa 20 nm per minuut. De etsselektiviteit ten opzichte van 25 siliciumaxide was daarbij groter dan 100, terwijl deze circa 5 was zonder toevoeging van het extra halogeen.
Voorbeeld 4
Hier werd als gas of gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd SFg gebruikt. Ms extra halogeenverbinding werd hieraan 5 vol % 30 CF^Br toegevoegd. De gasstrocm bedroeg 100 scc per min., de druk 500 irfPorr, het toegevoerde elektrische vermogen 200 Watt, en de substraattemperatuur 125°C. Siliciumnitride werd onder deze omstandigheden met 5 nm per min. geëtst. De etsselektiviteit ten opzichte van siliciumoxide was groter dan 10 terwijl deze zonder extra halogeentoevoeging circa 4 bedroeg.
' 35 Het zal duidelijk zijn dat de uitvinding niet beperkt is tot de gegeven voorbeeldn maar dat binnen het kader van de uitvinding variaties mogelijk zijn. Zo kan bijvoorbeeld ook een van fluor verschillend halogeen of een halogeenverbinding met een van fluor verschillend halogeen 8204437 PHN 10.498 6 * 5 aan het aan de reaktor toegevoerde gas worden toegevoegd door in de reak-tor een bij lage druk langzaam verdampende stof aan te brengen zoals bijvoorbeeld een broom bevattend polymeer.
10 15 20 25 30 35 8204437
Claims (4)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting waarbij een φ βφ substraat aanwezige laag siliciumnitride wordt geëtst door de laag in kdntakt te brengen met nagenoeg alleen ongeladen bestanddelen van een plasma dat wordt gevormd in een reaktor waaraan een nage-5 noeg zuurstofvrij gas of gasmengsel wordt toegevoerd dat fluor of een fluorverbinding bèvat, met hei: kenmerk/ dat aan het gas of gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd 0/1 a 25 vol % van een van fluor verschillend halogeen of van een gasvormige verbinding die een van fluor - " . ¢..-.. -s';·'. ·· · · - -if-. verschillend halogeen bevat wtedt toegevoegd.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk/ dat aan het gas of gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd broom of een brocmver-binding wordt toegevoegd.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk/ dat de broomver- binding CF^Bt is, ~ ' 4. iferkwijap volgens conclusie 3, met het kenmerk/ dat het gasmeng sel dat aan φ reaktor wordt toegevoerd bestaat uit helium en 2 a 10 vol % fluor waaraan Q/5 è 2 vol % CF^Br is toegevoegd.
5. Werkwijze volgens een der conclusies 1,2 of 3, met het kenmerk, dat het gas of gasmengsel dat aan de reaktor wordt toegevoerd uit NF^ 20 bestaat. 25 ' ' 30 ' 35 820 4 43 7
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8204437A NL8204437A (nl) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen. |
| US06/547,178 US4717447A (en) | 1982-11-16 | 1983-10-31 | Method of manufacturing a semiconductor device by means of plasma etching |
| CA000440705A CA1208810A (en) | 1982-11-16 | 1983-11-08 | Method of manufacturing a semiconductor device by means of plasma etching |
| DE8383201609T DE3369600D1 (en) | 1982-11-16 | 1983-11-10 | Method of manufacturing a semiconductor device by means of plasma etching |
| EP83201609A EP0109706B1 (en) | 1982-11-16 | 1983-11-10 | Method of manufacturing a semiconductor device by means of plasma etching |
| JP58211730A JPS59100539A (ja) | 1982-11-16 | 1983-11-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8204437A NL8204437A (nl) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen. |
| NL8204437 | 1982-11-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8204437A true NL8204437A (nl) | 1984-06-18 |
Family
ID=19840600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8204437A NL8204437A (nl) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4717447A (nl) |
| EP (1) | EP0109706B1 (nl) |
| JP (1) | JPS59100539A (nl) |
| CA (1) | CA1208810A (nl) |
| DE (1) | DE3369600D1 (nl) |
| NL (1) | NL8204437A (nl) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5180466A (en) * | 1984-12-29 | 1993-01-19 | Fujitsu Limited | Process for dry etching a silicon nitride layer |
| JPS61158143A (ja) * | 1984-12-29 | 1986-07-17 | Fujitsu Ltd | 窒化シリコン膜のエッチング方法 |
| JPS6399533A (ja) * | 1986-05-31 | 1988-04-30 | Toshiba Corp | シリコン窒化膜のドライエツチング方法及びドライエツチング装置 |
| US4778583A (en) * | 1987-05-11 | 1988-10-18 | Eastman Kodak Company | Semiconductor etching process which produces oriented sloped walls |
| EP0297898B1 (en) * | 1987-07-02 | 1995-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of dry etching |
| US4844773A (en) * | 1987-07-16 | 1989-07-04 | Texas Instruments Incorporated | Process for etching silicon nitride film |
| KR930005440B1 (ko) * | 1989-10-02 | 1993-06-21 | 다이닛뽕 스쿠린 세이소오 가부시키가이샤 | 절연막의 선택적 제거방법 |
| US5188704A (en) * | 1989-10-20 | 1993-02-23 | International Business Machines Corporation | Selective silicon nitride plasma etching |
| EP0424299A3 (en) * | 1989-10-20 | 1991-08-28 | International Business Machines Corporation | Selective silicon nitride plasma etching |
| JPH04302426A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Sony Corp | デジタル・エッチング方法 |
| DE4232475C2 (de) * | 1992-09-28 | 1998-07-02 | Siemens Ag | Verfahren zum plasmachemischen Trockenätzen von Si¶3¶N¶4¶-Schichten hochselektiv zu SiO¶2¶-Schichten |
| US5338395A (en) * | 1993-03-10 | 1994-08-16 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for enhancing etch uniformity useful in etching submicron nitride features |
| DE4315435C2 (de) * | 1993-05-08 | 1995-03-09 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum selektiven Ätzen von auf einem Halbleitersubstrat angeordneten Isolier- und Pufferschichten |
| US6253704B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-07-03 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
| US6794301B2 (en) | 1995-10-13 | 2004-09-21 | Mattson Technology, Inc. | Pulsed plasma processing of semiconductor substrates |
| US5983828A (en) * | 1995-10-13 | 1999-11-16 | Mattson Technology, Inc. | Apparatus and method for pulsed plasma processing of a semiconductor substrate |
| US5877090A (en) * | 1997-06-03 | 1999-03-02 | Applied Materials, Inc. | Selective plasma etching of silicon nitride in presence of silicon or silicon oxides using mixture of NH3 or SF6 and HBR and N2 |
| US6165375A (en) | 1997-09-23 | 2000-12-26 | Cypress Semiconductor Corporation | Plasma etching method |
| US6294102B1 (en) * | 1999-05-05 | 2001-09-25 | International Business Machines Corporation | Selective dry etch of a dielectric film |
| US6372634B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Plasma etch chemistry and method of improving etch control |
| US6322716B1 (en) | 1999-08-30 | 2001-11-27 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for conditioning a plasma etch chamber |
| US7803639B2 (en) * | 2007-01-04 | 2010-09-28 | International Business Machines Corporation | Method of forming vertical contacts in integrated circuits |
| US8008095B2 (en) * | 2007-10-03 | 2011-08-30 | International Business Machines Corporation | Methods for fabricating contacts to pillar structures in integrated circuits |
| US8563225B2 (en) | 2008-05-23 | 2013-10-22 | International Business Machines Corporation | Forming a self-aligned hard mask for contact to a tunnel junction |
| JP5537324B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| JP7261159B2 (ja) | 2017-06-08 | 2023-04-19 | 株式会社レゾナック | エッチング方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4226665A (en) * | 1978-07-31 | 1980-10-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device fabrication by plasma etching |
| US4211601A (en) * | 1978-07-31 | 1980-07-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device fabrication by plasma etching |
| US4208241A (en) * | 1978-07-31 | 1980-06-17 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Device fabrication by plasma etching |
| NL8004005A (nl) * | 1980-07-11 | 1982-02-01 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. |
| US4450042A (en) * | 1982-07-06 | 1984-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon |
-
1982
- 1982-11-16 NL NL8204437A patent/NL8204437A/nl not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-10-31 US US06/547,178 patent/US4717447A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-11-08 CA CA000440705A patent/CA1208810A/en not_active Expired
- 1983-11-10 DE DE8383201609T patent/DE3369600D1/de not_active Expired
- 1983-11-10 EP EP83201609A patent/EP0109706B1/en not_active Expired
- 1983-11-12 JP JP58211730A patent/JPS59100539A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4717447A (en) | 1988-01-05 |
| JPS59100539A (ja) | 1984-06-09 |
| DE3369600D1 (en) | 1987-03-05 |
| CA1208810A (en) | 1986-07-29 |
| EP0109706A1 (en) | 1984-05-30 |
| JPH0527245B2 (nl) | 1993-04-20 |
| EP0109706B1 (en) | 1987-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8204437A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met behulp van plasma-etsen. | |
| US4028155A (en) | Process and material for manufacturing thin film integrated circuits | |
| US6015760A (en) | Method for enhancing oxide to nitride selectivity through the use of independent heat control | |
| US6624082B2 (en) | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate | |
| CA1169587A (en) | Gas etching method of manufacturing of semiconductor device | |
| US5286344A (en) | Process for selectively etching a layer of silicon dioxide on an underlying stop layer of silicon nitride | |
| US4431477A (en) | Plasma etching with nitrous oxide and fluoro compound gas mixture | |
| US5399237A (en) | Etching titanium nitride using carbon-fluoride and carbon-oxide gas | |
| TW200409224A (en) | Pattern forming method | |
| EP0004285A1 (en) | A method of plasma etching silica at a faster rate than silicon in an article comprising both | |
| KR100385638B1 (ko) | 폴리카보네이트 에칭 마스크를 이용하는 플라즈마 에칭 방법 | |
| KR100500908B1 (ko) | 건식 산화물 에칭용 자외선/할로겐 처리 | |
| EP0507183A2 (en) | Process for selective deposition of a polymer coating | |
| JP3006048B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| EP0964438B1 (en) | Dry etching method | |
| JPH07169754A (ja) | 半導体装置のエッチング損傷を減少させるための方法 | |
| JPS60115232A (ja) | ドライエッチング用ガス | |
| US3951843A (en) | Fluorocarbon composition for use in plasma removal of photoresist material from semiconductor devices | |
| CA1278767C (en) | Downstream etching of substrates separated from plasma | |
| US5180466A (en) | Process for dry etching a silicon nitride layer | |
| US20010009177A1 (en) | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate | |
| US6554952B1 (en) | Method and apparatus for etching a gold metal layer using a titanium hardmask | |
| TWI749422B (zh) | 鹵氟化物之蝕刻方法、半導體之製造方法 | |
| JPS61189643A (ja) | アルミニウム／銅合金膜のエツチング法 | |
| JPH04208528A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
| BV | The patent application has lapsed |