JPS61189643A - アルミニウム／銅合金膜のエツチング法 - Google Patents

アルミニウム／銅合金膜のエツチング法

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JPS61189643A
JPS61189643A JP61022826A JP2282686A JPS61189643A JP S61189643 A JPS61189643 A JP S61189643A JP 61022826 A JP61022826 A JP 61022826A JP 2282686 A JP2282686 A JP 2282686A JP S61189643 A JPS61189643 A JP S61189643A
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etching
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wafer
plasma
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ヘンリー・エイ・マジユースキー
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    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は金属フィルム、すなわち金属膜全相互接続層と
して有する集積回路ディバイス及び他のノリツドステー
ツ半導体ディバイスの製造、史に詳しくはそれら金属膜
の改良されたエツチング法に関する。
発明の背景 一般に集積回路ディバイス（ＩＣディバイス）は、典型
的には円形で、「ウェファ−」又は「チック”」と呼ば
れるシリコン基板又はサファイヤ基板の上に形成される
。実際上、どのＩＣ加工法も（１）導電性金属、例えば
アルミニウム又はアルミニウム合金の少なくとも１層の
換金基板上に個別の層として形成する金属化（ｍ１ｔａ
ｌｌｉｚａｔｉｏｎ　）ステップ、すなわち被覆ステッ
プ、及び（２）１つ又はそれ以上のパターン全その個別
金属層に所定の画像に従って創出するエツチングステッ
プｋＷむ。
エツチングされた各金属膜は基板上の幾つかの、又は全
てのディバイスについて相互接続層として作用する。こ
の金属層にはエツチングマスクとして役立つように加工
された感光性レジストヲ使用して画像が形成される。ア
メリカ特許第４．３１４，８７４号にはアルミニウム膜
及びアルミニウム合金膜をエツチングする際に用いられ
る別のマスキング法が開示されているが、この方法の場
合アルミニウム膜又はアルミニウム合金膜の選択された
区域に酸素イオンビームを照射して酸素イオンの移入領
域を形成している。移入領域はマスクとして役立ち、そ
れ（（よってアルミニウム膜の非移入区域がそのアルミ
ニウム膜を四塩化炭素のガス雰囲気中での、又は池のエ
ツチングガス、／′Ｉ 例えば臭素二塩化物（ＢｒＣｌ□）又はトリクロロエチ
レン（ｃ２ａｃ１．）　ｋ含有する雰囲気中でのプラズ
マエツチングに付すことよってエツチングされる。金属
膜層はウェットエツチング剤又はドライエツチング剤の
いずれによっても、例えば膜の露出部を液体エツチング
剤の溶液で被覆することによって、また反応性イオンに
よるエツチングによって、あるいはプラズマエツチング
によってエツチングすることができる。
近年のＩＣ製造技術においては、プラズマと反応性イオ
ンによるエツチングが湿式エツチングに急速に取って代
ってきている。ＩＣの製造用に色々な種類のプラズマ及
び反応性イオンのエツチング系がアメリカ特許第４，２
５５，２３０号、同第４．２６１，７６２号、同第４，
３５３，７７７号、同第４３５７１９５号、同第４，３
７６，６７２号、同第４．４０５，４０６号文び同第４
，４２２，８９７号に説明されるように知られている。
アルミニウム及びその合金のエツチングはシリコンのエ
ツチングはどには分っていない。アルミニウムのプラズ
マ及び反応性イオンによるエツチングはＣｌ２、Ｂｒ２
−　ＨＣｌ−ＨＢｒ　、　ＣＣｌ４及びＢＣｌ３’ｉ宮
めて様々のガス物質にエリ行うことができる。
しかし、アルミニウム膜は、弗化アルミニウムガス（エ
ツチングの反応生成物）の蒸気圧が比較的低く、プラズ
マ及び反応性イオンエツチング系からのその除去が複雑
であるために弗素ベースのガスによってはエツチングす
ることができない。アルミニウムの反応性イオンエツチ
ング又はプラズマエツチングの定めに塩素に基づくガス
類を用いる場合、ガス状の塩化アルミニウム（ＡｌＣｌ
３）が揮発性のエツチング反応生成物として生成する。
塩化アルミニウムガスは蒸気圧が比較的高く、そのため
エツチング系からのその除去が容易である。
従って、アルミニウムのプラズマ及び反応性イオンによ
るエツチングには塩素に基づくガスがほとんど用いられ
る。シリコンＩＣディバイス上ノアルミニウム膜をエツ
チングする最も一般的なプラズマエツチング技術は、通
常は不活性ガス、例えばアルゴン又はヘリウムの存在下
でＣＣｌ４ガスとＣｌ２ガスの混合物を用いるものであ
る。
従来法はアルミニウム及びアルミニウム／銅合金をプラ
ズマエツチングするには相当のイオン衝撃、すなわちイ
オンボンバード（ｉｏｎｂｏｍｂａｒｄｍｅｎｔ　）を
必要とすることを示しているように思われる。
この相当に強いイオン衝撃はアルミニウム／塩素の反応
を活性化し、または表面のアルミニウム酸化物の被覆金
除去するように作用すると推測されている。アルミニウ
ムと銅との合金類はＣＣｌ４及びＣｌ□を用いてプラズ
マエツチングされてきたが、いずれにしてもアルミニウ
ム及びアルミニウム／ノリコンは銅を含有するアルミニ
ウム合金よりエツチングが容易である。
アルミニウム／銅合金のプラズマエツチングにおいて、
エツチング反応生成物の１つは塩化鋼（ＣｕＣｌ及び／
父はＣｕＣｌ２）である。塩化鋼は揮発性が低いので、
銅含有アルミニウム合金のエツチングの過程でウエフ゛
アーを約２００℃に加熱するのが一般的なやり方である
。しかしながら、アルミニウム／銅合金のエツチングは
意図的なウェファ−の加熱をしないでも達成されている
。また、アルミニウム／銅合金のエツチングは銅残渣を
除く後処理で改良し得ることも提案されている。
更を、アルミニウム・銅・シリコンの金属化ウェファ−
上の（エツチング後の）残渣全硝酸、湿潤剤及び脱イオ
ン水中で洗浄して除去することが提案された。四塩化炭
素−ヘリウム７ラズマエツチング法を現場酸素プラズマ
清浄１去と併用して行う他の提案もある。
現在、カセット−ツーカセット・シングル・ウェファ−
・エツチング機（ｃａｓｓｅｔｔｅ　−ｔｏ　−ｃａｓ
ｓｅｔｔｅ　ｓｉｎｇｌｅ　ｗａｆｅｒ　ｅｔｃｈｉｎ
ｇ　ｍａｃｈｉｎθ）全用いてシリコンウェーファー上
のアルミニウム又はアルミニウム合金の膜をエツチング
するのが半導体工業における傾向になっている。シング
ル・ウェファ−機は単一のウェファ−全バキュームチャ
ンバー内で一度でプラズマエツチングするグラズマエッ
チング機で、これには自動的に（イ）複数のウェファ−
を一度に１個供給カセットからバキュームチャンバーに
供給し、（ロ）ウエファーヲ一度に１個バキュームチャ
ンバーから取り出し、ウェファ−を押出カセットに輸送
ｊる各手段がある。シングル・ウェファ−・プラズマ・
エツチング機はバキュームチャンバー内に垂直に離間配
置され、相互に対向する２本の電極全有し、その電極は
ＲＦ電力供給装櫨に接続されている。下部の電極が接地
され、またこのエツチング機は典型的にはウェファ−が
エツチングを受けている時間の間にウェファ−を接地電
極にクランプする手段を含む。
シングル・ウェファ−機が与える利点は、全エツチング
操作が自動化されており、オペレーターの介在なしで行
えることである。しかし、アルミるウェファ−のエツチ
ングで可能な生産速度に匹敵する生産速度を達成するよ
うにアルミニウム／銅合金膜を自動制御され之シングル
・ウェファ−・プラズマ・エツチング機で満足できろよ
うにエツチングするのは実際上不可能であった。従って
、これに代えて、半導体工業では、おおよそ５〜３Ｃｌ
固のウェファ−を一度にエツチングするバッチ式のエツ
チング法が用いられてきた。
発明の目的 本発明の主目的はフーラズマエッチング技術を用いてア
ルミニウム／銅合金［ｋエツチングする改良された方法
を提供ｊることである。
本発明の更に特定の目的は従来のフーラズマエソチッグ
技術より速い、半導体ウェファ−上のアルミニウム／銅
合金膜のエツチング法を提供することである。
本発明のこれらの及び他の目的はエツチングチャンバー
中で比峻的高圧で、ρ・つ比較的低温でアルミニウム／
銅合金をプラズマエツチングすることによって達成され
る。エツチングはアルミニラれる。
本発明の更に他の特徴、及び利点の多くは添附図面を参
照して考察されるべき次の本発明の詳細な説明に述べら
れている。
本発明で意図するところは、本発明を様々な半導体製作
法におけるアルミニウム／銅合金のエツチングを容易に
丁べく使用することである。第１Ａ〜ＩＦ図は半導体工
業で用いられろ典型的なアルミニウム金属化及びエツチ
ングのｊｌｌＩ序の幾つかのステップを説明するもので
、この典型的な方法は本発明の方法によりエツチングす
ることによって改良することができる。
第１Ａ図を参照して説明すると、シリコン基板又はチッ
プ２は５ｉｎ２　の島４で被覆され７’ｉｎ１つの表面
の複数の部分を有し、そして順々にＳｉＯ□Ｏ島４の複
数の部分はガラス６で被覆される。第１Ｂ図において、
ガラス表面及びシリコン露出表面を覆ってアルミニウム
の、１−８が付着されている。
第１Ｃ図において、ホトレジスト１０がアルミニウムＩ
ｆｉを覆って付着されている。第１Ｄ図において、ホト
レジストには画像が形成、現像されており、その結果レ
ジストの若干の部分が除去され、他のレジスト部分１．
ＯＡが残る。
第１Ｅ図において、アルミニウムの露出部分はエツチン
グで取り除かれている。第１Ｆ図においては、ホトレジ
ストが除去されて２つ、その結果ガラス層６及びアルミ
ニウム噛８の画部分が露出される。
前記塩素含有ガスを用いてアルミニウム／銅合金をプラ
ズマエツチングするときの通例の反応生成物はＣｕｒｌ
とＣｕＣｌ２　である。これら反応生成物は両方共蒸気
圧が非常に低く、反応チャンバーからのそれらの除去を
複雑にする。これら反応生成物の除去の問題はエツチン
グチャンバーで低圧と高温を用いる功妙な手段で対処さ
れてきている。
典形的には、四塩化炭素と塩素を用いるアルミニウム／
銅合金のエツチングは７０〜１００℃の温度及び１〜２
０ミリトルの圧力で行われていた。
しかし、このような条件下でもアルミニウム／銅合金の
エツチングは比較的遅い。従って、上記のようを、この
半導体工業では自動化シングル・ウェファ−・プラズマ
・エツチング機を用いて行うよりはバッチ式でのエツチ
ングの万が好まれてい本発明者は、塩素含有ガスを用い
て行うアルミニウム／銅合金膜のプラズマエツチングは
、（イ）バキュームチャンバー内の圧力を実質的に２０
ミリトル以上の水準まで上げ、（ロ）温度全実質的に７
０℃以下の水準に下げることによってより速い速度で達
成することができろことを発見したー更に特定的に述べ
ると、本発明者は、バキュームチャンバー内の圧力を３
００〜１５００ミリトル、好ましくは約５００〜約９０
０ミリトルに保ち、カッバキュームチャンバー内の（す
なわち、基板上金属膜の表面における）温度を一３０〜
＋１５℃、好ましくは約−５〜約＋１５℃の温度に保っ
てアルミニウム／銅合金膜を四塩化炭素と塩素の混合物
を用いてエツチングするならば、改良されたエツチング
速度が達成され得ることを発見した。上記条件は銅を４
％まで含有する（残りはアルミニウム）アルミニウム／
銅合金膜をエツチングするのに適している。従来技術か
ら隔たる更に別の点としては、このエツチング法は１．
５〜３．５ワット／、−Ｊの範囲の最大電力密度を用い
て行うのが好ましいことである。しかし、生歯速度を最
大にすることが重要でない場合は電力密度を約１．０７
ツ）／ｄまで下げて用いてもよい。これに対して、従来
公知の方法は最大電力密度として１ワツ）　／　ｃａ　
ｆ提案していた。
エツチングガス混合物の組成は様々に変えることができ
る。好ましくは、ＣＣｌ４対Ｃｌ□の比は容量で３：１
〜１０：１の範囲であり、またこれらガス対不活性希釈
剤（通常ヘリウム）の比は容量で約１：１〜約５：１の
範囲である。典型的なカセット−ツーカセット・シング
ル・ウェファ−・エツチング機においては、活性ガス、
すなわちＣＣｌ４とＣｌ□の混合物は反応チャンバーに
約１０〜５　Ｑ　ＢＣＣＭ　（標準立方センチメーター
）、好ましくは約２５〜３５　ＳＯＣＭの流速で導入さ
れ、また不活性希釈剤ガス、例えばヘリウムの流入は約
５０〜５００ＳＣＣＭに維持される。
下記は本発明の好ましい実施方法を例証する特定の実施
例である。この実施例において、エツチング法はリヒテ
ンシュタイン（Ｌｉｅｃｈｔｅｎｓｔｅｉｎ　）、フド
ソｙ　（Ｈｕａｓｏｎ　）のバルツアース（Ｂａ１ｚｅ
ｒｓ　）、ＮＨＯ３０５１のバルツアースＡＧ　（Ｂａ
１ｚｅｒｓ　ＡＧ　）が製造、販売するバルツアース・
モア”　ｋ　５ＷＫ６５４・カセット−ツーカセット・
シングル・ウェファ−・エツチング機で実施している。
実施例 銅を約４％含有するアルミニウム／銅合金の厚さ１ミク
ロンの膜で被覆された複数のシリコンウェファ−全バル
ツアーズＳＷＥ　６５４シングル・ウェファ−・プラズ
マ・エツチング機における給送チャンバー内の給送カセ
ットに入れ、そこに約０．５〜約１．５トルの圧力下、
ヘリウム雰囲気中で保持した。続いて、各ウェファ−ｔ
　＋＋ｉ番に給送カセットから取り出し、反応バキュー
ムチャンバーに輸送し、そこで後記の条件下でプラズマ
エツチングを行い、次いでウェファ−を反応チャンバー
反応チャンバーに導入したとき、各ウェファ−を下部′
成極にフランツ゛で止め、そこにエツチング操作中保持
した。反応チャンバーはエツチング操作中約７５０ミリ
トルの圧力に維持した。加えて、熱交換流体を下部電極
のまがつくねった通路を通して連続循環させ、装置が運
転下にある限り下部電極を約＋５℃の温度に保った。ウ
ェファ−を下部電極に載置しｔも、電極を横断して連結
された１　３．５６　ＭＨｚのＲＦ電電力供給装置付付
勢て両電極間にＲＦ場を生じさせ、同時にヘリウム、Ｃ
Ｃｌ４及びＣｌ□の混合物を反応チャンバーに上部電極
金倉して、ヘリウムについては１２５　ＳＣＣ！Ｍ　、
　ＣＣｌ４については２５０ＣＭ、、Ｃｌ２については
５　ＣＣＭの流速で供給した。２つの電極全７〜１４腸
の範囲の距離離間配置し、電力供給装置を約１００〜２
５０ワットの駐カレペルで作動させた。その電力レベル
はウェファ−ｃｒｌ当り約２．８〜３．０ワットの電力
密度をもたらした。反応チャンバーへの電力供給及びガ
ス流を約１２０秒後に止め、その後ウェファ−を下部電
力から外し、受容チャンバーに輸送した。受容チャンバ
ーでウェファ−は受容カセットにより受容された。次の
ウェファ−が反応チャンバーが導入され、下部′電極に
クランクで止められてから再び電力供給及びガス流の導
入を始めた。各ウェファ−は同じ条件下で、かつ同じ１
２０秒の時間の間エツチングを受けた。受容カセットは
ヘリウム雰囲気中に約０．５〜約１．５トルの圧力下で
保持した。
受容チャンバー内のウェファ−を続いて検査すると、ウ
ェファ−上のアルミニウム／銅合金膜は完全にエツチン
グされていることが明らかになった。前記操作条件を用
いると、時間当り最低３０個のウェファ−が満足にエツ
チングされるようにエツチング機を運転することが可能
であった。
色々な実験ヲ行って、もし操作条件を前記範囲内で変え
るならば、またエツチング用ガスの組成を前記範囲内で
変えるならば、本発明の方法は十分に等しく機能するこ
とを確認した。更を、例えば、エツチング用ガスはＣｌ
２’（ｉ７．はとんど又は全く言まなくてもよく、また
前記種類の臭素含有ガス又は三塩化エチレン（Ｃ２ＨＣ
ｌ３）　ｋ含んでいてもよい。もちろん、キャリアー又
は希釈剤として機能するヘリウムガスは加えなくてもよ
いし、また他の過当な非反応性ガス、例えばアルゴンに
代えることもできる。
本発明の利点は、半導体基板上のアルミニウム／銅合金
膜のプラズマエツチングを従来可能であったよりも速い
速度で正確を、かつ制御下で実施することかでき、その
定め半導体工業で所望される通り、コンピューター制御
のシングル・ウェファ−・エツチング機の使用が容易に
なるということである。
本発明は、アルミニウム／銅合金の組成２変えても、ま
友合金中の銅の割合を前記実施例で用い九合金の４ｗｔ
％エリ実質的に低くしても十分に等しく機能することも
理解すべきである。かくして、本発明は銅を２％含むア
ルミニウム／銅合金をエツチングするのにも用いること
ができる。
以上、本発明をアルミニウム／銅合金膜のエツチング法
として説明したが、本発明はアルミニウム、あるいはア
ルミニウムの他の合金、例えばアルミニウム／シリコン
／銅合金、アルミニウム／マンガン合金等のエツチング
にも等しく適用可能であることも理Ｍ丁べきである。い
ずれにしても、本発明はアルミニウム合金膜のパターン
化されたプラズマエツチング又は反応性イオンエツチン
グが必要となる種々の半導体ディバイスの製造に用いる
ことができる。
【図面の簡単な説明】
第１Ａ図乃至第１Ｆ図は常法におけるエツチングの順序
を概略図示するものである。 ２・・・シリコン基板又はチップ　４・・・５ｉｎ２の
島６・・・ガラス　８・・・アルミニウム層１０・・・
ホトレジスト　ＩＯＡ・・・レジスト単ｌＡ図 阜ｌＢ図 ネ／Ｃ図 募／Ｄ圀 纂／Ｅ　１２１

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）次の （ｉ）アルミニウム／銅合金膜を有する半導体ウエフア
    ーを一対の電極間のプラズマエッチングチャンバーに置
    き、そして （ｉｉ）該チャンバー内の該ウエフアーを塩素含有ガス
    のプラズマに３００ミリトル乃至１５００ミリトルの圧
    力及び−３０℃乃至＋１５℃の温度で該ウエフアー上の
    アルミニウム／銅合金膜を所望の深さまでエッチングす
    るのに十分な時間暴露するステップから成ることを特徴
    とする半導体ウエフアー上のアルミニウム／銅合金膜の
    エッチング法。
  2. （２）ガスのプラズマを、ＣＣｌ＿４とＣｌ＿２の混合
    物を電気エネルギーの場に注入することによつて形成す
    る特許請求の範囲第（１）項記載の方法。
  3. （３）アルミニウム／銅合金が銅を４重量％まで含有し
    ている特許請求の範囲第（１）項記載の方法。
  4. （４）電気エネルギーが平方センチメーター当り１．５
    ワット乃至３．５ワットの割合で供給されるＲＦ電力で
    ある特許請求の範囲第（１）項記載の方法。
  5. （５）混合物が不活性なキャリヤーガスを含んでいる特
    許請求の範囲第（２）項記載の方法。
  6. （６）キャリヤーガスがヘリウムである特許請求の範囲
    第（１）項記載の方法。
  7. （７）反応チャンバー内の圧力を約５００ミリトル乃至
    ９００ミリトルに、また該チャンバー内の温度を約−５
    ℃乃至＋１０℃に維持する特許請求の範囲第（１）項記
    載の方法。
  8. （８）ＣＣｌ＿４と塩素を反応チャンバーに１０ＳＣＣ
    Ｍ乃至５０ＳＣＣＭの範囲の合計流速で供給する特許請
    求の範囲第（１）項記載の方法。
  9. （９）ＣＣｌ＿４を約２５ＳＣＣＭの流速で反応チャン
    バーに供給する特許請求の範囲第（８）項記載の方法。
  10. （１０）Ｃｌ＿２を約５ＳＣＣＭの流速で反応チャンバ
    ーに供給する特許請求の範囲第（８）項記載の方法。
  11. （１１）ヘリウムをＣＣｌ＿４及びＣｌ＿２と混合して
    反応チャンバーに供給する特許請求の範囲第（１）項記
    載の方法。
JP61022826A 1985-02-19 1986-02-04 アルミニウム／銅合金膜のエツチング法 Pending JPS61189643A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02210826A (ja) * 1989-02-10 1990-08-22 Hitachi Ltd プラズマエッチング方法及び装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5354416A (en) * 1986-09-05 1994-10-11 Sadayuki Okudaira Dry etching method
DE3752140T2 (de) * 1986-09-05 1998-03-05 Hitachi Ltd Trockenes Ätzverfahren
JPS63238288A (ja) * 1987-03-27 1988-10-04 Fujitsu Ltd ドライエツチング方法
US5779926A (en) * 1994-09-16 1998-07-14 Applied Materials, Inc. Plasma process for etching multicomponent alloys
US6780762B2 (en) 2002-08-29 2004-08-24 Micron Technology, Inc. Self-aligned, integrated circuit contact and formation method

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4226665A (en) * 1978-07-31 1980-10-07 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Device fabrication by plasma etching
DE3140675A1 (de) * 1980-10-14 1982-06-16 Branson International Plasma Corp., 94544 Hayward, Calif. Verfahren und gasgemisch zum aetzen von aluminium
JPS57170534A (en) * 1981-04-15 1982-10-20 Hitachi Ltd Dry etching method for aluminum and aluminum alloy
US4468284A (en) * 1983-07-06 1984-08-28 Psi Star, Inc. Process for etching an aluminum-copper alloy

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02210826A (ja) * 1989-02-10 1990-08-22 Hitachi Ltd プラズマエッチング方法及び装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2171360A (en) 1986-08-28
NL8600393A (nl) 1986-09-16
IT1190491B (it) 1988-02-16
IT8647642A0 (it) 1986-02-11
GB8601485D0 (en) 1986-02-26
FR2588279A1 (fr) 1987-04-10
DE3603341A1 (de) 1986-08-21

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