JPH02210826A

JPH02210826A - プラズマエッチング方法及び装置

Info

Publication number: JPH02210826A
Application number: JP2981489A
Authority: JP
Inventors: Ryoji Fukuyama; 良次福山; Makoto Nawata; 誠縄田; Hitoaki Sato; 佐藤　仁昭; Keiji Ueyama; 植山　啓治
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1989-02-10
Filing date: 1989-02-10
Publication date: 1990-08-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、プラズマエツチング装置及び装置に係り、特
に銅を０．５〜５％含有し被エツチング面にレジストを
有するアルミニウム（Ｍ）合金のエツチング処理に好適
なプラズマエツチング方法及び装置に関するものである
。

〔従来の技術〕

例えば、半導体集積回路技術・第３３回シンポジウム講
演会論文集、第１１５頁〜第１２０頁に、銅を４チ含有
し被エツチング面にレジストを有スるＭ合金膜を塩素系
ガスプラズマを利用してエツチング処理する技術が記載
されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

ＭまたはＭ合金膜が集積回路の配線膜として多用されて
も（る。近年・、集積回路の烏密度化が進み配線幅は従
来の２〜３μｍが１μｍ前後と細くなりつつある。この
ため、従来に比較して配線に流れる電流密度が増加する
傾向にあり、高電流密度下での配線寿命を確保するため
に最近は配線膜の材料として２〜４％の銅を含有するＭ
合金膜がしだいに多く使われるようになってきた。配線
のパターン二ングはパターンニングの容易さより光露光
方式が多用され、有機物レジストにより形成されること
が多い・一方、エツチング装置についてみれば、エツチング試料
の大口径化に対応するため一枚ごとにエツチング処理を
行う枚葉式の装置への移行しりつある。枚葉式装置では
スループットを確保するため一度に多数枚処理するバッ
チ式装置に較べ高速エツチング処理が要求される。しか
も、集積度のさらなる向上でより高精度なエツチング処
理が要求されている。

枝葉式装置では速いエツチング速度を得るためにＣＩ！
２と８　ｓ　Ｃ／　３　ｅ　ＢＣＩ！４等のＣＩ！系混
合ガスがエツチングガスとして多曵用いられているが銅
の塩化物が極めて褌発性に乏しいためＭ合金銅のエツチ
ング時にエツチングしきれずエツチング残渣として残る
現象がしばしば発生する。

銅を主成分とするエツチング残渣は素子内の短絡等集積
回路に悪影響を与えるため極力避けなければならない。

上記従来技術では、プラズマ中のイオンエネルギを増加
させて銅成分をスパダタリングし、これにより、上１Ｉ
ｅ１１４残漬の除去が可能である。

しかしながら、上記従来技術では１選択比（Ｍ合金／レ
ジスト）の点に関し考慮されておらず。

このため、レジストを有するＭ合金な銅残漬なく、かつ
、高い選択比でエツチングするのには、未だ解決すべき
問題を有している。

本発明の主な目的は、銅を０．５〜５％含有し被エツチ
ング面にレジストを有するＭ合金を銅浅漬なζ、かつ、
高い選択比でエツチング処理できるプラズマエッチング
方法及び装置を提供することにある・ＣＨＩＡを解決するための手段〕上記目的は、プラズマエツチング方法を、減圧下で塩素
系ガスをプラズマ化する工程と、銅を０゜５〜５チ含有
し被エツチング面にレジストを有するＭ合金を前記プラ
ズマを利用してエツチング処理する工程と、前記合金の
エツチング処理温度を１６０−２３０℃に保つ工程とを
有する方法とし、また、プラズマエツチング装置を、処
理室と、該処理室内に塩素系ガスを導入する手段と、前
記処理室内を減圧排気する手段と、前記塩素系ガスをプ
ラズマ化する手段と、銅を０．５〜５％含有し被エツチ
ング面にレジストを有するＭ合金が設置面に設置され該
設置面外縁部に開放したガス溝が前記設置面に形成され
た試料台と、該試料台を冷却する手段と、前記設置面と
Ｍ合金の裏面との間に熱伝導性の良好なガスを供給する
手段とを具備したものとする二とにより、達成される。

〔作　　用〕

処理室は、減圧排気手段によりその内部を減圧排気され
る１、処理室内には、ガス導入手段により塩素系ガス、
例えば、Ｃ／２とＳｉ　ＣＩ！３　、　Ｂ　Ｃ／　ａ　
ｅＣＣ１！４との塩素系混合ガスが導入される。処理室
内に導入された塩素系ガスは、その一部を減圧排気手段
により処理室外へ排気され、これにより、処理室内は、
所定のエツチング処理圧力に調節される。一方、銅を０
．５〜５チ含有し被エツチング面にレジストを有するＭ
合金が試料台の設置面に股ｌされる。試料台の設置面へ
の上記Ｍ合金の設置後、処理室内にある塩素系ガスは、
プラズマ化手段によりプラズマ化される。プラズマ化手
段としては、グロー放電、例えば、高周波グロー放電を
発生して塩素系ガスをプラズマ化する手段や、例えば、
マグネトロン放電のような磁界と電界の作用により放電
を発生して塩素系ガスをプラズマ化する手段や、マイク
ロ波放電を発生して塩素系ガスをプラズマ化する手段や
、有磁場マイクロ波放電を発生して塩素系ガスをプラズ
マ化する手段が用いられる。試料台の設置面に設置され
た上記Ｍ合金の被エツチング面でレジストがない部分は
、上記プラズマを利用してエツチング処理される。

二のようにエツチング処理される上記Ｍ合金の温度は、
１６０〜２３０℃に保たれる。つまり、上記Ｍ合金のエ
ツチングについて詳細に検討したところ、上記Ｍ合金の
温度を１６０〜２３０℃に保つことで、高速、高精度に
残渣なく上記Ｍ合金をエツチング処理できるといった知
見を本発明者は得た。なお、上記Ｍ合金のエツチング処
理温度１６０℃以下ではエツチング残渣が生じ、２３０
℃以上ではレジストの熱損傷が生じて高精度なパターン
が形成できなかった。また、上記Ｍ合金のエツチング処
理温度１６０〜２３０℃では、上記Ｍ合金のＭ合金とレ
ジストとの選択比（Ｍ合金／レジスト）は２という従来
に比べ高い値が得られた。

二のような上記Ｍ合金のエツチング処理温度は、設置面
に上記Ｍ合金が設置された試料台を冷却手段により冷却
し、該冷却された試料台の設置面に形成されたガス溝に
熱伝導性の良好なガス、例えば、ヘリウムガスを該ガス
供給手段により供給し、該供給された熱伝導性の良好な
ガスを上記ガス溝を通って処理室内に流出させることで
、良好に、かつ、安定して保たれる。

〔実　施　例〕

以下、本発明の一実施例を１！１図〜第６図により説明
する。

第１図で、容器１０は、七〇頂壁に開口１１を有してい
る。容器１０は、例えば、ステンレス鋼で形成される。

放電管囚の形状は、この場合、略半球形状である。放電
管加は、例えば、石英等の電気的絶縁材で形成されてい
る。開口１１と放電管田の−Ｍ端との内径は、この場合
、路間−である。放電管美は、その開放端を容器ｌＯの
頂壁に対応させ開口１１と略同心として容器１０に気密
に構設されている。放電管加の外側には、該放電管加を
内部に有して導波管Ｘが配設されている。導波管（至）
とマイクロ波発生手段であるマグネトロン荀とは、導波
管３１で連結されている。磁界発生手段としては、この
場合、ソレノイドコイル父が用いられる。ソレノイドコ
イル父は、導波管加の外側に積装されている。容Ｈ１０
の頂壁には、処理ガス導入路ωが形成されている。処理
ガス導入路ωの一端は、容器１０並びに放電管加で形成
された空間７０に開口させられている。処理ガス導入ｌ
ｌｌｌ６ｏの他端は、処理ガス導入管（図示省略）の−
喝に連結されている。

処理ガス導入管の他端は、処理ガス源（図示省略）に連
結されている。処理ガス導入管には、開閉弁（図示省略
）、ガス流産制御器（図示省略）が設けられている。容
器ｌＯの底壁には、排気ノズル（資）が形成されている
。排気ノズル関には、排気管８１の一端が連結されてい
る。排気管８１の他−は、減圧排気装［８２の吸気口に
連結されている。排気管８１には、ｔＨＪ閉弁（図示省
略）、排気抵抗可変弁（図示省略）が峡けられている。

試料台（資）は、投置面を放電９Ｉ２０の頂部内面に向
けて、この場合、略水平に空間７０に配置されている。

試料台頭は、この場合、開口１１を通過可能な大きさ、
形状でみろ。

試料台支持軸１００は、その上部を空間穎に突出し、ま
た、その下部を容器１０外に突出させ放電管列の軸心を
略軸心として容器１０の底壁に設けられている。試料台
頭は、試料台支持軸１０Ｇの上端に設けられている。容
器１０と試料支持軸１００つまり試料台頭とは、電気絶
縁材１１０により電気的に絶縁されている。試料台支持
軸１００の下端部は、この場合、バイアス電源である高
周波電源１２０に電気的に接続されている。容器ｌＯお
よび高周波電源１２Ｇは、それぞれ接地されている。空
間７０で試料押え１３０が配置されている。この場合、
試料押え１３Ｇは、試料台頭の設置面に載置された試料
１４０の外周縁部を自重により試料台頭の設置面に押圧
することで、試料１４０を試料台頭の設置面に設置する
機能を有している。試料台頭の設置面には、この場合、
該設ｉ面外縁部に開放したガス溝（図示省略）が形成さ
れ、また、試料台頭の内部には、冷媒流路（−示省略）
が形成されている。また、図示省略したが、試料台頭の
設置面と試料１４０の裏面との間に熱伝導性の良好なガ
スを供給する手段や、冷媒流路に冷媒を供給する手段が
設けられる。

試料台頭の詳細構造なＩｉ２図、！３図により説明する
。

第２因、第３図で、試料台頭は、その−面側に設置内面
９１を有している。設置面９１は、この場合、−面側に
高台状に突設されている。設置面９１の平面形状は、試
料１４０の平面形状に対応させられる。

この場合、試料１４０の平面形状は略円形であり、従っ
て、股Ｍ１而９１の平面形状は略円形である。設置面９
１の面積は、この場合、試料１４０の面積よりも狭くな
っている。つまり、試料１４Ｇが、設置１面９１に載置
された場合、試料１４Ｇの外周縁部分が設置面９１から
はみ出す状態となる。試料台頭には、この場合、設置面
９１の中心を略中心軸として凹部１５０が設置面９１か
ら所定深さで形成されている。

設置面９１には、ガス導４が、この場合、放射状に８条
形成されている。ガス溝兇の一端は凹部１５０に開放さ
れ、また、その他端は設置面９１の外周縁部に開放され
ている。ガス溝４は、例えば、幅が１朋、深さが０．５
１１１である。試料台頭には、試料受渡具１６Ｇが設け
られている。試料受渡具１６０は、試料支持台１６１　
と軸１６２とで構成されている。試料支持台！６１は、
凹部１５Ｇに収納可能な形状、大きさである。軸１６２
は、凹部１５０に連通し設置面９１の中心を略中心軸と
して試料台頭に穿設された孔１５１に往復動可能、この
場合、上下動可能に挿入されている。試料支持台１６１
は、軸１６２の上端に略水平に設けられている。試料支
持台１６１は、軸１６２を介し往復駆動手段（図示省略
）により上下動させられる。試料支持台１６１は、例え
ば、公知の搬送手段（図示省略）との間で試料１４０を
受渡し可能に上昇させられ、また、その試料支持面が設
置面以下になるように下降させられる。試料台頭には、
その内部に冷媒流路１フ０が設置面９１と対応して形成
されている。また、試料台頭には、その内部に冷媒流路
１７Ｇと連通して冷媒供給路１７１と冷媒排出路１７２
とがそれぞれ形成されている。

冷媒供＠路１７１は、冷媒供給管（図示省略）を介し冷
媒供給装置（図示省略）に連結されている。

冷媒排出路１７２は、冷媒排出管（図示省略）に連結さ
れている。試料台頭には、その内部に熱伝導性の良好な
ガスのガス供給管１８Ｇが、この場合、孔１５１に沿り
て穿設されている。ガス供給ｊｆ！ｉ　１８０は、ガス
供給管（図示省略）を介して熱伝導性の良好なガス供給
量！（図示省略）に連結されている。また、試料台頭の
設置面９１を除く外周辺面には、保護具１９０が設けら
れている。

第１図〜第３図で、試料１４０が、この場合、１個、搬
送手段により空間７０に搬入され、設置面９１の上方位
置に搬送される。その後、該試料１４Ｇは、試料支持台
１６１の上昇により搬送手段から試料支持台１６１に渡
される。試料１４Ｇを渡した搬送手段は、試料１４０の
エツチング処理を阻害しない位置に退避させられる。試
料１４０を受は取った試料支持台１６１の下降により試
料１４Ｇは試料支持台１６１から設置面９１に渡されて
収面に被エツチング面上向姿勢で載置される。試料１４
０を渡した試料支持台１６１は更に降下して凹部１５０
に収容される。設置面９１に載置された試料１４０の外
周縁部には、試料押え１３０の自重が付与され、これに
より、試料１４０は、設置面９１に押圧されて設置され
る。なお、試料１４Ｇとしては、この場合、直径５イン
チの単結晶シリコンからなる半導体基板上に熱酸化膜を
形成し、更に、スパッタリング法によりＭ−３％Ｃｕ−
０，７％８ｉ膜を形成した後に、該Ｍ合金膜上、つまり
、被エツチング面にレジストパターンを形成したものを
用いた。また、レジストパターン形成後、レジストに紫
外線照射（試料温度１００℃→２００℃）、１００秒を
行つてレジスト耐熱性の向上を図った。一方、マグネト
ロン旬からマイクロ波が発振される。該発振されたマイ
クロ波は、導波管３１．３）を順次伝播して放電管加に
吸収されマイクロ波を含む高周波電界（マイクロ波電界
）が生成される。また、ソレノイドコイル（至）への通
電により放電管り内には磁界が形成される。また、一方
、空間７０は、減圧排気装Ｗ１８２の作動により所定圧
力に減圧排気される。減圧排気された空間７０には、処
理ガスが処理ガス源から処理ガス導入管。

処理ガス導入Ｍωを介して導入される。空間７０への処
理ガスの導入量は、ガス流量制御器により所定麓に制御
される。空間７０に導入された処理ガスの一部は、減圧
排気装Ｗ１８２．排気抵抗可変弁の作動により排気され
、これにより空間７０の圧力は、所定のエツチング処理
圧力に調節される。この場合、処理ガスとして、ＢＣ／
３とＣ／、とを用い、ＢＣ１！３６０　ｃｃ／　ｍｉｎ
、　　Ｃ１２９０ＣＣ／ｍｉｕの割合で空間７０に導入
した。また、エツチング処理圧力を２．０Ｐａに調節し
た。空間７０にある処理ガスは、マイクロ波電界と磁界
との相乗作用によりプラズマ化され、該プラズマを利用
して試料１４０は、その被エツチング面をエツチング処
理される。設置ＷＪ９１と試料１４０の裏面との間には
、熱伝導性の良好なガス、例えば、ヘリウムガスがガス
供給装置からガス供給管、ガス供給路１８０．凹部１５
Ｇを介して供給される。設置面９１と試料１４Ｇの裏面
との間に供給されたヘリウムガスは、ガス溝曽を通って
空間７０に流れ込み排出される。また、冷媒流路１７０
には、冷媒供給装置から冷媒である冷却水が所定流産で
冷媒供給管、冷媒供給路１７１を介して供給される。冷
却水は、冷媒流路１７０を流通した後に冷媒排出ｊ２１
１７２、冷媒排出管を介して排出される。これにより、
試料台頭は、冷却される。

エツチング処理される試料１４０は、冷却された試料台
頭、設置面９１と試料１４０の裏面との間にあるヘリウ
ムガスの作用により冷却される。エツチング処理される
試料１４０の温度は、冷媒流路１７Ｇに供給される冷却
水の温度と設置面９１と試料１４０の裏面との間へのヘ
リウムガスの供給量とを制御することにより、所定温度
に制御される。また、高周波電源１２０の作動により試
料台頭には負のバイアス電圧が発生させられる。つまり
、プラズマ中のイオンエネルギの作用により試料１４０
のエツチング形状は制御可能となつている。

上記において、マグネトロン電流を４００　ｍＡ。

高周波電力（２ＭＨｚ　）を　７５Ｗ印加してエツチン
グ処理を行つた場合の試料温度とエツチング形状との関
係を第４図に示す。なお、エツチング残流（暗視野４０
０倍）およびレジスト損傷は、光学顕微鏡で状態を観察
し判定した。

第４図より明らかなように、試料濃度１６０℃以下でエ
ツチング残漬が発生し、試料温度２３０℃以上でレジス
ト損傷が発生するようになる。つまり、ニーｌ＋Ｐング
残ａｌｐ　　レジスト損傷なく良好なエツチングが確保
できる試料温度範囲（Ｔ）は、１６０〜２３０℃である
ことがわかる。また、この温度範囲内でのＭ合金膜とレ
ジストとの選択比（Ｍ合金膜／レジスト）は、２．０と
いう従来より高い値が得られた。

次に、上記エツチング条件で冷却水温度を８０℃とし、
熱伝導性の良好なガスにヘリウムガスを用いた場合の試
料温度とヘリウムガス流量との関係を第５図に示す。一
方、第６図に示す従来の試料台の特性は、上記の試料台
頭の設置面９１にガス溝兇を形成しない場合を示し、そ
の他試料台以外は全て同一条件である。

一般に、平行二平面におけるガスの熱伝導率は、平行二
平面間の間隔が実効的に分子の平均自由行程より小さい
場合には、ガス圧力に応じて変化することが知られてい
る。

一方、この場合、設置面９１と試料１４０の裏面との間
の実効的なガス圧力は、試料１４０の厚さや平坦度の程
度により左右され、同一ヘリウムガス流量に制御しても
その熱伝達率は変化する。第６図で、試料温度１６０〜
２３０℃（Ｔ）の範囲でヘリウムガスの熱伝達率がヘリ
ウムガス流量の僅かな変化で大きζ変化していることが
わかる。即ち、ヘリウムガス流量の僅かな変化で設置面
９１と試料１４０の裏面との間のコンダクタンスが大き
く変化し、これが試料温度の急激な変化につながってい
る。このように、ガス溝がない試料台を用いた場合、試
料１４０の厚さや平坦度（そり）による影響を受は易く
、試料温度１６０〜２３０℃（Ｔ）を得ることは、困難
である。

これに対し、第５図では、ヘリウムガス流量が変化して
も試料温度は緩やかな変化を示している。

つまり、ｔＪｓ図では、設置面９１と試料１４０の裏面
との間のヘリウムガスは、ガス溝ηを通りて空間７０に
流れ込んで排出されるため、設置面９１と試料１４０の
裏面との間のコンダクタンスは、ガス溝凭により支配さ
れ、ガスｉ＄１９２がない場合に比べへりウラガス流量
に対して設置面９１と試料１４０の裏面との間のヘリウ
ムガス圧力の変動は小さく抑制される。即ち、ヘリウム
ガス流量の変種に対して試料温度の変化は少なくなる。

従って、試料１４０の厚さや平坦度による影響を受は難
くなり、試料温度１６０−２３０℃（Ｔ）を容易に、か
つ、安定して得ることができる。つまり、制御すること
ができる。

なお、上記一実施例では、銅を３％含有するＭ合金膜を
用いた結果を示したが、この他に、銅を０．５％、　　
２５１．４＊オ！び５％含有するＭ合金膜を用いて実験
を実施し略同様の結果が得られた。

第７図は、本発明の他の実施例を示すもので、本発明の
一実施例を示す、特に第３図と異なる点は、試料台頭′
の設置面が、この場合、内周部設置面９１′と外周部設
置面９１′とに分割され、ガス溝が、設置面９１’、９
１’と試料（図示省略）の裏面との間の熱伝導性の良好
なガスの空間７０への柳れ込み量を調節可能に設置面９
１’　、　９１’にそれぞれ形成された点である。なお
、第７図で、その他第３図と同一部品等は同一符号で示
し説明を省略する。

即ち、第７図で、設置面９１′には、ガス溝霧′が、こ
の場合、放射状に略等角度で８条形成されている。設置
面９１’には、ガス溝ｎ′が、この場合、放射状に１２
条形成されている。この場合、設置面９１“は、設置面
９１′の周りを回動可能になっている。

設置面９１’の回動により、ガス溝ｎ′とガス溝９２′
とは、適合しなくなったり、ガス溝凭′の全てとガス溝
９２′とが適合したり、ガス溝霧′の半分、つまり、４
条とガス溝替′とが適合したりする。つまり、設置面９
１’　、　９１’と試料の裏面との間の熱伝導性の良好
なガスの空間７０への流れ込み量が調節される。

本実施例によれば、試料台の設置面と試料の裏面との間
に供給される熱伝導性の良好なガスの麓を制御すること
なしに、試料の温度を所定温度に制御することができる
。

なお、以上の各実施例においては、試料として、Ｍ合金
膜被エツチング面にレジストパターンヲ形成したものを
用いているため、該試料を冷却して温度制御する必要が
あるが、この他の試料のプラズマ処理（他の試料のエツ
チング処理や試料の成膜処理およびアヅシング処理）に
おいて、上記各実施例における試料台を用いることは、
試料温度の制御を容易、かつ、安定に冥施する上で、極
めて効果的であり、試料の処理品質を高品質に容易、か
つ、安定して保持することができる。更に、プラズマ処
理に限らず、真空下で試料の温度を所定温度に制御して
処理する場合においても有効である。

また、以上の各実施例において、ガス溝を設置面に放射
状に形成しているが、ガス溝の形成形態は、特にこれら
に限定されるものではない。つまり、設置面と試料裏面
との間の熱伝導性の良好なガスを核間のフンダクタンス
を支配可能に核間から排出させるように試料台に形成さ
せれば良い。

また、処理ガスをプラズマ化する手段としては、この他
に、例えば、高周波グロー放電、マグネトロン放電、マ
イクロ波型等を用いて処理ガスをプラズマ化させる手段
が用い得る。また、試料を試料台に一時的に固定する手
段としては、この他に、機械的クランプ手段や静電、真
空吸着手段が採用し得る。

〔発明の効果〕

本発明によれば、銅を０．５〜５％含有し被エツチング
面にレジストを有するＭ合金を銅残漬な畷、かつ、高い
選択比でエツチング処理できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例の有磁場型のマイは、第２
図の試料台の平面図、第４図は、エツチング適用温度範
囲を示す図、ｆ！ｌｉｓ図は、第１図〜第３図のｇｔ［
を用いた場合のヘリウムガス流量と試料温度との関係線
図、第６ｔＩＡは、ガス溝なし試料台を用いた場合のヘ
リウムガス流量と試料温度との関係線図、第７５！３は
、本発明の他の実施例の試料台の平面図である。圓・・・・・・放電管、菊、３１・・・・・・導波管、
切・・・・・・マグネトロン、父・・・・・・ソレノイ
ドコイル、ω・・間処理ガス導入路、（資）・・・・・
・排気ノズル、８１・・−・・排気管、匍・・・・・・
試料台、９１・・・・・・設置面、蛇・・・・・・ガス
溝、１３０・・・・・・試料押え、１７０・・・・・冷
媒流路、１８０・・・・・・ガス供給路代理人　弁理士　　小　川　勝　男ｔｍ−−−−−スず↑ オＺ図第圀第圀ヘリウム力χ：Ｒ（費オ乙閃ヘリウムカス犬量（Ｃ％−一ト− 第閃仄什絨（’Ｃフー

Claims

【特許請求の範囲】１、減圧下で塩素系ガスをプラズマ化する工程と、銅を
０．５〜５％含有し被エッチング面にレジストを有する
アルミニウム合金を前記プラズマを利用してエッチング
処理する工程と、前記合金のエッチング処理温度を１６
０℃〜２３０℃に保つ工程とを有することを特徴とする
プラズマエッチング方法。２、前記合金が、紫外線照射処理されたホトレジストを
その被エッチング面に有する第１請求項に記載のプラズ
マエッチング方法。３、前記合金が設置される試料台を冷却し、該試料台の
設置面と前記合金の裏面との間に熱伝導性の良好なガス
を供給し、該供給されたガスを前記試料台の設置面と前
記合金の裏面との間から排出させ該間のガス圧力を調節
することで、前記合金のエッチング処理温度を保つ第１
請求項に記載のプラズマエッチング方法。４、処理室と、該処理室内に塩素系ガスを導入する手段
と、前記処理室内を減圧排気する手段と、前記塩素系ガ
スをプラズマ化する手段と、銅をを０．５〜５％含有し
被エッチング面にレジストを有するアルミニウム合金が
設置面に設置され該設置面外縁部に開放したガス溝が前
記設置面に形成された試料台と、該試料台を冷却する手
段と、前記設置面とアルミニウム合金の裏面との間に熱
伝導性の良好なガスを供給する手段とを具備したことを
特徴とするプラズマエッチング装置。５、前記プラズマ化手段に、マイクロ波を含む高周波電
界と磁界との相乗作用により前記塩素ガスをプラズマ化
する手段を用いた第４請求項に記載のプラズマエッチン
グ装置。６、前記試料台に、前記設置面の中心と略同心で、かつ
、前記ガス供給手段のガス供給路と連通してリング状ガ
ス溝が前記設置面に形成され、一端が前記リング状ガス
溝に開放し他端が前記設置面外縁部に開放したガス溝が
前記設置面に放射状に形成された試料台を用いた第４請
求項に記載のプラズマエッチング装置。７、前記試料台に前記ガス溝が経路可変に前記設置面に
形成された試料台を用いた第４請求項に記載のプラズマ
エッチング装置。８、前記試料台を少なくとも同心二分割され相対的に回
転可能な試料台とし、該試料台の内側の試料台設置面の
中心と略同心で、かつ、前記ガス供給手段のガス供給路
と連通してリング状ガス溝が前記内側の試料台設置面に
形成され、一端が前記リング状ガス溝に開放し他端が前
記内側の試料台設置面外縁部に開放したガス溝が前記内
側の試料台設置面に放射状に形成され、一端が前記試料
台の外側の試料台設置面内縁部に開放し他端が外縁部に
開放したガス溝が相対回転により前記内側の試料台のガ
ス溝全部および一部と適合可能に前記外側の試料台設置
面に形成された第７請求項に記載のプラズマエッチング
装置。９、減圧下で処理される試料が設置面に設置され該設置
面外縁部に開放したガス溝が前記設置面に形成された試
料台と、該試料台を冷却若しくは加温する手段と、前記
設置面と試料の裏面との間に熱伝導性の良好なガスを供
給する手段とを具備したことを特徴とする真空処理装置
。１０、前記試料台に、前記ガス供給手段のガス供給路と
連通して第１のガス溝が前記設置面に形成され、一端が
前記第１のガス溝に開放し他端が前記設置面外縁部に開
放した第２のガス溝が前記設置面に形成された試料台を
用いた第９請求項に記載の真空処理装置。