JP2002124511A

JP2002124511A - プラズマ処理室のクリーニング方法

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Publication number: JP2002124511A
Application number: JP2001213002A
Authority: JP
Inventors: Mitsuru Katamoto; 満片本; Hironori Kawahara; 博宣川原; Minoru Soraoka; 稔空岡; Tsuyoshi Umemoto; 強志梅本; Hideki Kihara; 秀樹木原; Katsuyoshi Kudo; 勝義工藤; Toru Yukimasa; 亨行正; Hirofumi Sumiya; 裕文角谷
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Kasado Engineering Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Kasado Engineering Co Ltd
Priority date: 2001-07-13
Filing date: 2001-07-13
Publication date: 2002-04-26
Anticipated expiration: 2021-08-09
Also published as: JP3807957B2

Abstract

(57)【要約】【課題】処理性能の良い状態を継続させ安定したプラズ
マ処理を行う。【解決手段】ｎ枚毎（ｎ＝１，２，３・・・）にプラズ
マ処理が終了した段階で、プラズマ処理室１，３内から
被処理基板１０を搬出した後、試料台８に被処理基板１
０がない状態でプラズマ処理室１，３内を短時間の第１
のプラズマクリーニングを実行し、第１のプラズマクリ
ーニングの繰り返し後、ダミー基板を用いた長時間の第
２のプラズマクリーニングを実行し、第２のプラズマク
リーニングの繰り返し後、プラズマ処理室１，３内を大
気開放してウエットクリーニングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理室のク
リーニング方法に係り、特にプラズマを生成し、半導体
素子基板等の試料にエッチング処理，成膜処理等のプラ
ズマ処理を施す装置に好適なプラズマ処理室のクリーニ
ング方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のマイクロ波プラズマ処理装置は、
例えば特開平４−１３３３２２号公報に記載のように、
導波管の形状を略円筒形とし、気密に設けたマイクロ波
透過窓を介して導波管につながる放電室を、マイクロ波
の進行方向にテーパ状に拡大された中空円筒の導電材料
で形成された放電ブロックで形成し、放電ブロックの外
側に設けた空心コイルにより放電室内に発生させた磁界
と、導波管を介して放電室内に導入したマイクロ波の電
界との相互作用を用いて、密度の高いプラズマを生成
し、処理の均一性を向上させるようにしたものがある。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、放電
室内へのさらなるマイクロ波の導入効率の点，放電室の
耐プラズマ性の点および試料の安定処理の点等において
配慮されていなかった。すなわち、導波管内を伝播する
マイクロ波の電気力線に対し、放電室への導入形状につ
いて十分配慮されておらず、プラズマの均一性，発生効
率が十分なものでなかった。また、従来技術では放電ブ
ロックが非磁性導電材料、例えば、アルミニウムで形成
されており、エッチング処理における被処理材がＡｌま
たはＡｌ合金等の場合には、エッチングガスとしてハロ
ゲンガスが用いられ、このようなガスがプラズマ化され
た場合、被処理材とともに放電室を構成する放電ブロッ
クの内壁面もプラズマ中の活性種によってエッチングさ
れてしまうという問題がある。さらに、プラズマ処理中
のプラズマ発生室の温度上昇およびプラズマ処理中に発
生する反応性生物の付着等による処理の経時変化が生じ
るという問題がある。

【０００４】さらに、本発明の目的は、処理性能の良い
状態を継続させ安定したプラズマ処理が行えるようにす
るためのプラズマ処理室のクリーニング方法を提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、プラズマ処
理室内をクリーニングする方法において、１枚毎に被処
理基板のプラズマ処理を実行し、ｎ枚毎（ｎ＝１，２，
３・・・）の被処理基板のプラズマ処理が終了した段階
で、プラズマ処理室内からプラズマ処理終了後の被処理
基板を搬出した後、試料台に被処理基板がない状態でプ
ラズマ処理室内を短時間の第１のプラズマクリーニング
を実行し、第１のプラズマクリーニングが繰り返された
後に、試料台にダミー基板を配置した状態でプラズマ処
理室内を長時間の第２のプラズマクリーニングを実行
し、第２のプラズマクリーニングが繰り返された後に、
プラズマ処理室内を大気開放してウエットクリーニング
を実行する方法とすることにより、達成される。

【０００６】円形導波管内を通って伝播するマイクロ波
は、その空間内でインピーダンス整合に対して最適形状
に設定されたチューニング手段によってチューニングさ
れ、均一で最も効率の良い状態でマイクロ波導入窓を介
して放電ブロック内に導入され、ガス供給手段および真
空排気手段によって所定圧力に制御された処理ガスが、
効率良く導入されたマイクロ波の電界とソレノイドコイ
ルによる磁界との相互作用によって、さらに均一かつ高
密度にプラズマ化される。これにより、処理性能がさら
に向上する。

【０００７】また、放電ブロックの内壁面に保護部材を
形成することにより、放電ブロック内に生成されたプラ
ズマに対して、放電ブロックと同材質の被処理材を処理
する場合でも放電ブロック自体がエッチングされること
がなく、被処理材の材質に関係なく処理性能の良いプラ
ズマ処理が行える。

【０００８】さらに、放電ブロックに温度調整可能な加
熱器を設け、プラズマ発生室を所定の温度で一定に保持
したまま、被処理基板をプラズマ処理し、被処理基板が
プラズマ処理され処理室から搬出された後、試料台に被
処理基板がない状態で処理室内をプラズマクリーニング
し、プラズマクリーニングが終了して新たな被処理基板
を処理室に搬入し、新たな被処理基板を処理することに
より、処理性能の良い状態を継続させることができ、安
定したプラズマ処理を継続して行うことができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１および図
２により説明する。図１は、マイクロ波プラズマ処理装
置の構成図を示し、この場合、プラズマ処理としてエッ
チング処理に適用した場合について説明する。

【００１０】処理室１は、例えば、ステンレス鋼で形成
され、内部に空間を有する容器で形成されている。処理
室１は、上部に円形の開口部を有し、下部に排気口１１
が設けられている。排気口１１には、真空排気手段が接
続されている。真空排気手段は、この場合、圧力制御バ
ルブ１２，ターボ分子ポンプ１３，ホットバルブ１４お
よびロータリーポンプ１５で構成され、排気口１１に配
管を介して順次接続されて成る。また、排気口１１には
圧力制御バルブ１２の前で、バルブ１６を介して高真空
を検出するための圧力検出器１７（この場合、ペニング
真空計）が取り付けられている。また、排気口１１に圧
力制御バルブ１２の前で処理中の圧力を検出する隔膜真
空計（図示省略）が取り付けられている。処理室１は、
この場合、ベーローズを用いた仕切弁１８によって内部
空間が仕切られる構造となっている。仕切弁１８には、
昇降駆動装置１９が連結されている。

【００１１】処理室１上部の開口部にはサポートが設け
られ、サポート上にウエハ押え１９を載置して保持して
いる。処理室１上部の開口部には、リング状のベースフ
ランジ２を介して中空円筒の放電ブロック３が気密に取
り付けられている。放電ブロック３は、内面が下方（図
面上）に向けて軸方向に向けて約２０°の角度でテーパ
状に拡大された形状をなし、上部（図面上）内面の円周
上に、この場合、２４ヶ所のガス吹出口３２が均等に設
けてある。放電ブロック３内面のテーパ形状はプラズマ
の均一拡散を行わせ、被処理基板を均一に処理させるた
めのものであるが、テーパの角度は放電ブロック３内で
マイクロ波が進行する際に電界モードが変化または他の
電界モードが増加して混入しないようにゆるやかな角度
とするのが良い。このテーパ角度の寸法は、例えば、マ
イクロ波の電界モードＴＥ１１もしくは近似モードの場
合、被処理基板の径をＤとすると、被処理基板の位置で
１.５〜２.０Ｄ，マイクロ波導入窓の位置で０.５〜１.
５Ｄ，その間の高さを１.０〜１.５Ｄとすることが望ま
しい。放電ブロック３は、アルミニウム，非磁性ステン
レス等の非磁性導電材料により形成されている。放電ブ
ロック３の内面には、耐プラズマ部材である保護部材が
形成されている。該耐プラズマ部材とはプラズマ中の活
性種によってエッチングされにくい材料をいう。例え
ば、アルミナ，ムライト(Ａｌ₂Ｏ₃＋ＳｉＯ₂），石英等
を用いる。この場合は、保護部材として保護膜３１が形
成してある。放電ブロック３の外周面には、ヒータ３３
および熱電対（図示省略）が接触させて取り付けてあ
り、ヒータ３３および熱電対に接続された制御装置３４
によって放電ブロック３が１２０℃程度の温度に加温制
御される。放電ブロック３の上部開口部には、石英，ア
ルミナ等のマイクロ波を透過可能な材料で形成された円
板状のマイクロ波導入窓４が気密に取り付けてあり、処
理室１およびこれに連通した放電ブロック３内のプラズ
マ生成空間が気密に保持される。

【００１２】マイクロ波導入窓４には円形導波管５が接
続してある。円形導波管５の他端には、矩形−円形変換
導波管５１および矩形導波管５２が順次接続してあり、
矩形導波管５２端部にマイクロ波発振器６が取り付けて
ある。円形導波管５内には、マイクロ波のチューニング
を行うチューニング手段が設けられている。ここでチュ
ーニング手段とはマイクロ波の反射量を少なくする手段
をいう。この場合、リング状の円板でなるマイクロ波チ
ューニング板５３であり、この場合、マイクロ波導入窓
４の上部に取り付けてある。チューニング手段は、マイ
クロ波が連通する開口を有する板であって、該開口の形
状はマイクロ波の電界モードによってその最適形状が異
なる。例えば、ＴＥ１１モードおよびこれに近いモード
の場合には、楕円等の非円形の形状が好ましい。このよ
うなマイクロ波モードに合わせた最適形状にすると、マ
イクロ波が吸収されるプラズマ部の電界形状分布（被処
理面に平行な面内での分布）が均一となるから、試料処
理の均一性が図られる。

【００１３】円形導波管５および放電ブロック３の外周
部には、ソレノイドコイル９１およびソレノイドコイル
９２が位置するようにコイルケース９に取り付けて配置
してある。ソレノイドコイル９１はソレノイドコイル９
２よりも強い磁場を発生できるものとしてあり、ソレノ
イドコイル９１，９２に接続された制御装置９３によっ
てそれぞれ磁場強度を制御可能になっている。コイルケ
ース９は円形導波管５と放電ブロック３とに取付け固定
してあり、放電ブロック３から上部を一体として、ベー
スフランジ２から分離可能に構成してある。放電ブロッ
ク３から上部は図示を省略した昇降手段によって取付け
取外しされる。コイルケース９の下部には冷却ガス供給
口９４を設け、円形導波管５の下部には通気孔５４を設
けて、コイルケース９内部に窒素ガス，空気等の冷却ガ
スを供給可能にしてあり、コイルケース５内に供給され
た冷却ガスが通気孔５４を介して導波管５，５１，５２
を通って大気に放出されるようにしてある。

【００１４】ベースフランジ２には、処理ガスのガス供
給口２１が設けてあり、放電ブロック３との嵌合部に設
けたガス連絡通路および放電ブロック３に設けたガスパ
イプを介してガス吹き出し口３２につながるガス供給路
が形成してある。さらに、例えば、石英板でなるマイク
ロ波導入窓４の下に、ガス吹き出し用孔を有する石英板
を設置し、該石英板とマイクロ波導入窓４との間に処理
ガスを導入し、処理ガスを放電ブロック３の上部から吹
き出させることもできる（図示省略）。これらのように
すると、放電ブロック３内面のテーパ形状と相まって放
電ブロック３内での新旧処理ガスの置換が促進される。
このため、反応生成物の放電ブロック３外への排出が容
易となり、エッチング速度および均一性等の向上が伺わ
れる。ベースフランジ２と放電ブロック３との嵌合部に
設けたガス連絡通路は、それぞれが組み合わされたとき
に形成される。

【００１５】処理室１の底部には、上部に設けた放電ブ
ロック３の軸心と一致させて、被処理基板であるウエハ
１０が配置される試料台８が絶縁材７を介して設けられ
る。試料台８には図示を省略した高周波電源が接続され
ており、バイアス電圧が印加可能になっている。試料台
８の中央部には、ウエハ１０を試料台８上に配置する、
または試料台８から取り除く際に図示を省略した公知の
搬送手段、例えば、ロボットアームとの間でウエハ１０
を遣り取りするためのウエハ押上８１が設けてある。ウ
エハ押上８１の下端には昇降駆動装置８２が設けてあ
り、ウエハ押上８１を昇降させる。昇降駆動装置８２は
試料台８下部に連結して取り付けた支持部材８３によっ
て固定支持される。さらに、支持部材８３の下部には昇
降駆動装置８４が設けてあり、試料台８を昇降させる。
昇降駆動装置８４は処理室８下部に取り付けた支持部材
８５によって固定支持される。試料台８内には、渦巻状
の冷媒流路８６が形成してあり、冷媒流路８６は配管を
介して支持部材８５に設けた冷媒供給口８７と冷媒回収
口８８につながる。

【００１６】上記のように構成されたマイクロ波プラズ
マエッチング装置では、公知の技術によりロードロック
室（図示省略）にウエハが導入され真空に保持された状
態で、昇降駆動装置１９によって仕切弁１８が下げら
れ、搬送アーム（図示省略）によって処理室１内へ搬入
される。このとき、試料台８は、昇降駆動装置８４によ
って下げられている。また、ウエハ押上８１も昇降駆動
装置８２によって下げられている。試料台上部でウエハ
を載置した搬送アームが停止したら、昇降駆動装置８２
によってウエハ押上８１が上昇し、搬送アーム上からウ
エハ押上８１上にウエハを受け取る。ウエハがウエハ押
上８１上に移ったら、搬送アームは退避位置に戻り、そ
の後、仕切弁１８が上げられ処理室１内部が密閉空間に
仕切られ、真空排気手段によって処理室１内が真空排気
される。

【００１７】また、搬送アームが退避した後、ウエハ押
上８１が下げられ、ウエハ１０を試料台８上面に配置す
る。その後、試料台８は昇降駆動装置８４によってプラ
ズマ処理されるのに必要な所定の位置まで上昇する。こ
の際、試料台８が上昇する途中で、処理室１のサポート
状に載置されたウエハ押え１９に、上昇して来たウエハ
１０の外周上面が当接し、そのままウエハ押え１９を持
ち上げる。これにより、ウエハ１０はウエハ押え１９の
自重（またはバネ力を利用した押し付け）により試料台
８上面に支持される。なお、ウエハ１０の試料台８上面
への支持は、ウエハ押えの他に静電吸着力を利用したも
のでも良い。また、試料台８の冷媒流路８６には、冷媒
供給口８７から冷却水等の冷却媒体が供給され、試料台
８が所定温度に維持されている。冷却媒体は、冷却する
試料台の温度によって使い分けられる。

【００１８】処理ガス供給前の真空排気手段による処理
室１内の真空排気において、圧力検出器１７によって所
定の圧力を検出したなら、バルブ１６を閉じ処理室１内
雰囲気から圧力検出器１７を隔離する。これにより、処
理ガスおよび処理中の反応生成物から圧力検出器１７を
保護することができ、必要なときに常に正確な検出を行
うことができる。次に、ガス供給口２１から処理ガスを
供給し、複数個均等に設けられたガス吹出口３２から放
電ブロック３内に処理ガスを均一に導入しながら、隔膜
真空計（図示省略）によって処理室１内の圧力を検出
し、圧力制御バルブ１２によって処理室１内を所定の圧
力に制御する。このとき、放電ブロック３内では、放電
ブロック３の上部で中心に向けて均等に処理ガスが導入
され、上部から下方に向けてテーパ状の放電ブロック３
内の空間で均一に拡散されながら排気されるので、生成
されるプラズマの均一性向上に効果を与えることができ
る。

【００１９】処理室１内が処理のための所定の圧力にな
ったら、マイクロ波発振器６からマイクロ波を発振し、
円形導波管５およびマイクロ波導入窓４を介して、放電
ブロック３内にマイクロ波を導入する。この際、矩形導
波管５２および矩形−円形変換導波管５１を介して円形
導波管５内に導かれたマイクロ波は、拡大された円形導
波管５内の空間とマイクロ波チューニング板５３とによ
って、インピーダンスの整合が行われ均一で強い電界が
形成され、マイクロ波導入窓４を介して放電ブロック３
内に導入される。なお、このとき放電ブロック３は、ヒ
ータ３３によって加温され、図示省略した温度検出手段
（熱電対）により温度検出しながら制御装置３４によっ
て所定温度で保持される。一方、ソレノイドコイル９１
および９２には制御装置９３によってそれぞれ所定強度
の磁場が発生されるように電力が供給され、放電ブロッ
ク３内に平面状のＥＣＲ面を形成するように磁場が発生
される。放電ブロック３内へのマイクロ波の導入と磁場
の形成により、放電ブロック３内の処理ガスがＥＣＲ作
用を受けてプラズマ化される。このとき生成されるプラ
ズマは、マイクロ波チューニング板５３の作用によって
均一に強められた円形導波管５からの電界によって、均
一かつ高密度に生成される。マイクロ波チューニング板
５３は、円形導波管５内のマイクロ波のインピーダンス
の整合を行うのに最適な形状に設定され、円形導波管５
内のマイクロ波を均一にし、効率良く放電ブロック３内
へ導く。

【００２０】放電ブロック３内に生成された均一かつ高
密度のプラズマによって、ウエハ１０が均一性良くプラ
ズマ処理される。例えば、被エッチング材として、アル
ミニウム合金(この場合、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）をＢＣｌ₃
＋Ｃｌ₂＋ＣＨ₂Ｆ₂(流量比約６：７：１で２００sccm）
のエッチングガスを用いて、処理圧力を０.０１２Torr
とし、マイクロ波電力を１０００Ｗ(２.４５ＧＨｚ）と
して処理した場合、マイクロ波チューニング板５３を用
いた場合、均一性が約４％となり、マイクロ波チューニ
ング板５３を使用しなかったときの均一性約９％に対
し、約倍の均一性向上を得ることができた。なお、この
場合は、試料台８に高周波電圧を印加しない、プラズマ
中の活性種だけによる均一性についての評価結果であ
る。

【００２１】また、このようにしてウエハ１０をプラズ
マ処理するときに、ソレノイドコイル９１，９２への電
力供給量をそれぞれ制御してＥＣＲ面のできる位置を、
ウエハ１０に対して近付ける、または、遠ざけることに
より、ウエハ１０へのプラズマ中のイオンの入射量が変
わり、これにより、処理時の低ダメージ処理，高速エッ
チング処理，選択エッチング等の処理を選択することが
できる。

【００２２】また、このようにしてウエハ１０をプラズ
マ処理するときに、例えば、上記のような処理の場合、
反応生成物としてＡｌＣｌ₃ が生成され、プラズマ生成
室である放電ブロック３の内壁面に付着しようとする
が、放電ブロック３をヒータ３３によって、この場合、
約１２０℃に加温することにより、放電ブロック３の内
壁面に付着しようとした反応生成物は、昇温して帰化す
るので、放電ブロック３の内壁面には付着せず排気され
る。これにより、プラズマ処理の経時変化を抑制するこ
とができる。このように、プラズマ処理中は、反応生成
物が帰化する温度に放電ブロック３を加温する。

【００２３】また、プラズマに晒される放電ブロック３
の内壁面には耐プラズマ材料としてアルミナ，ムライ
ト，石英等の保護部材、この場合、保護膜３１が形成し
てあるので、この場合、アルミニウムで形成された放電
ブロック３が、アルミニウム合金でなる被処理材料と同
系であっても、被処理材料をエッチング処理するプラズ
マから放電ブロック３を保護することができる。

【００２４】ウエハ１０のエッチング処理はこのように
して行われ、処理が終了すると、エッチング用の処理ガ
スの供給，マイクロ波電力の供給，高周波電力の供給等
が停止され、試料台８を下降させて、ウエハの搬入時と
逆の工程によりウエハを搬出する。ウエハ搬出後は、エ
ッチング処理用の処理ガスに替え、例えば、Ｏ₂ または
Ｏ₂＋ＳＦ₆等のプラズマクリーニング用のガスを放電ブ
ロック３内に導入し、試料台８にウエハ１０またはダミ
ーウエハ等を配置しないまま、試料台８への高周波電圧
の印加は行わずに、エッチング処理時と同様にしてプラ
ズマを発生させる。このプラズマクリーニングを１０数
秒実施した後、前述と同様にして新たなウエハをエッチ
ング処理する。ウエハなしのこのプラズマクリーニング
は、ウエハの１枚処理毎に実施するのが一番効果的であ
るが、処理装置を制御する制御装置を、全体のスループ
ットと兼ね合わせて２枚毎または３枚毎とｎ枚毎に設定
できるようにしておき、処理装置が自動的にクリーニン
グするようにしておく。これにより、従来から行われて
いたダミーウエハを用いた長時間、例えば、３０分程度
の本格的なプラズマクリーニングの処理サイクルを、例
えば、１ロット毎に行っていたものを４倍ないし１０倍
以上に延ばせるとともに、さらに、例えば、１日掛かり
で１週間毎に行っていた処理装置内を大気開放してのウ
ェットクリーニングを２ないし３週間以上の処理サイク
ルにすることができ、大幅なスループット向上を図るこ
とができる。なお、基板なしのプラズマクリーニングで
も、処理時間が短いことおよび試料台８のウエハ配置面
にアルマイト加工等の保護加工を施すことにより、試料
台８に影響なく行うことができる。

【００２５】また、クリーニング時には、ウエハ押上８
１の設けられた隙間に試料台８の下方から上方に向けて
不活性ガス、例えば、Ｎ₂ ，Ｈｅ等のプロセスに影響を
与えないガスを流し、ウエハ押上８１の設けられた隙間
に溜った埃を吹き飛ばすクリーニングを行うと、さらに
クリーニング効果があがる。

【００２６】また、ソレノイドコイル９１，９２および
制御装置９３を除いた場合及び他のプラズマを用いる処
理装置の場合でも、スループット向上に関しては同様に
これら上述の作用効果が生じる。

【００２７】また、放電ブロック３内の大気開放に当た
っては、放電ブロック３とベースフランジ２との間での
ガス流路の構成により、ガス配管等の接続，取外し作業
がなく、また、コイルケース９により一体に構成された
放電ブロック３，ソレノイドコイル９１および９２を一
体でベースフランジ２から取り外すことができ、クリー
ニング作業の準備および点検，補修作業を容易にするこ
とができる。

【００２８】さらに、真空排気手段のターボ分子ポンプ
１３等の高真空ポンプとロータリーポンプ等の補助ポン
プとの間のバルブを加温可能なホットバルブとすること
により、高真空ポンプの排出側で圧力が高くなり反応性
生物等が付着しやすくなるのを防止でき、真空排気手段
の信頼性を向上させることができる。

【００２９】このように、本実施例によれば、種々の作
用・効果があり、均一かつ高密度プラズマの生成により
ウエハのプラズマ処理における均一性等の処理性能をさ
らに向上させることができ、また、被処理材料に関係な
く処理性能の良いプラズマ処理が行え、さらに、処理性
能の良い状態で安定したプラズマ処理を継続して行うこ
とができる。

【００３０】なお、本実施例では、Ａｌ合金のエッチン
グ処理を例に説明したが、被エッチング材の対象として
はこれに限られるものでなく、メタル，ゲート，酸化膜
等種々の被エッチング材料に対して適用できる。また、
エッチング処理だけでなく、成膜処理等他のプラズマ処
理に適用しても良いことはいうまでもない。

【００３１】また、図１でソレノイドコイル９１，９２
および制御装置９３を除いた場合でも、均一性に関して
は本実施例と同様の作用が生じ、処理の均一性の向上を
図れる。

【００３２】

【発明の効果】本発明によれば、処理性能の良い状態を
継続させ安定したプラズマ処理を行うことができるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ処
理装置を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１…処理室、３…放電ブロック、４…マイクロ波導入
窓、５…円形導波管、８…試料台、１０…ウエハ、１３
…ターボ分子ポンプ、３１…保護膜、３３…ヒータ、５
３…マイクロ波チューニング板、９１，９２…ソレノイ
ドコイル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者川原博宣山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者空岡稔山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者梅本強志山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者木原秀樹山口県下松市大字東豊井794番地株式会社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者工藤勝義山口県下松市大字東豊井794番地日立笠戸エンジニアリング株式会社内 (72)発明者行正亨山口県下松市大字東豊井794番地日立笠戸エンジニアリング株式会社内 (72)発明者角谷裕文山口県下松市大字東豊井794番地日立笠戸エンジニアリング株式会社内Ｆターム(参考） 4K030 CA04 DA06 FA02 LA15 4K057 DA01 DB05 DB06 DD01 DE01 DE04 DE06 DM02 DM24 DM29 DN01 5F004 AA15 BA16 BB07 BB11 BB18 BB21 BB26 BB29 BD02 BD04 DB02 DB03 DB08 DB09 EB02 EB03 FA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマ処理室内をクリーニングする方法
において、１枚毎に被処理基板のプラズマ処理を実行
し、ｎ枚毎（ｎ＝１，２，３・・・）の前記被処理基板
のプラズマ処理が終了した段階で、前記プラズマ処理室
内からプラズマ処理終了後の被処理基板を搬出した後、
試料台に被処理基板がない状態で前記プラズマ処理室内
を短時間の第１のプラズマクリーニングを実行し、前記
第１のプラズマクリーニングが繰り返された後に、前記
試料台にダミー基板を配置した状態で前記プラズマ処理
室内を長時間の第２のプラズマクリーニングを実行し、
前記第２のプラズマクリーニングが繰り返された後に、
前記プラズマ処理室内を大気開放してウエットクリーニ
ングを実行することを特徴とするプラズマ処理室のクリ
ーニング方法。