JP2000150488A - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法Info
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Abstract
ズマ処理において、プラズマ処理速度の低下を防止した
プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 【解決手段】プラズマ発生装置及び真空処理室を備えた
プラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前
記プラズマ発生装置により塩素及びフッ素を含む処理ガ
スをプラズマ化するステップと、前記真空処理室内で、
該処理ガスのプラズマを用いて酸化シリコン膜を有する
試料をエッチング処理するステップと、前記プラズマ発
生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するス
テップと、該リフォーミングガスを用いて、前記プラズ
マ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミ
ングするステップとを含むことを特徴とする。
Description
ング装置・プラズマCVD装置などのプラズマを利用し
て被処理物にエッチング等の処理を行うプラズマ処理装
置およびプラズマ処理方法に関する。
ラズマエッチング装置やプラズマCVD装置などのプラ
ズマ処理装置の真空処理室は塩素やフッ素などを含む腐
食性の高いガスが使用されるようになってきた。これら
のガスに対して、耐腐食性の高い材料として、従来はス
テンレス鋼や石英ガラス・アルミナセラミックスなどが
用いられていた。なお、この種の装置として例えば、特
開昭62−103379号公報が挙げられる。
空処理室にステンレス鋼を用いる場合、ステンレス鋼自
体もプラズマ中の荷電粒子の衝撃によりその構成元素で
あるFe,Ni,Coなどを放出するため、半導体デバ
イスの製造においては、重金属汚染を引き起こすという
問題がある。
属汚染の問題はないが、プラズマの衝撃や熱輻射によっ
て経時的にその温度が上昇し、処理特性が変動する場合
がある。このような場合、なんらかの手段によって石英
ガラスを加熱もしくは冷却することが有効であるが、プ
ラズマ処理装置の場合、真空に接することやプラズマに
接することなどの事情により、構造的・技術的に困難な
場合が多いという問題がある。
も含めた加工性に富む材料としてアルミニウム材料があ
げられるが、この場合、プラズマ処理装置で用いられる
塩素原子もしくはフッ素原子を含むガスプラズマに対す
る耐食性がないといる欠点がある。これに対する対策と
しては、例えば、特開昭62−103379号公報に記
載のように、なんらかの手段によりアルミニウム材料の
表面にA12O3,A1C,TiN,SiC,A1Nなど
の耐食性に優れた皮膜を形成する方法がある。
用するプラズマ処理装置では、処理室を構成する材料自
体がフッ素化されることにより処理特性の経時的劣化を
もたらすことに対する対策はなされていなかった。
ラズマを使用するプラズマ処理において、処理室材料の
フッ化の進行にともなうプロセス特性の変動を小さく
し、プラズマ処理速度の低下を防止したプラズマ処理装
置およびプラズマ処理方法を提供することにある。
マ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置に
よるプラズマ処理方法において、前記プラズマ発生装置
により塩素及びフッ素を含む処理ガスをプラズマ化する
ステップと、前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズ
マを用いて酸化シリコン膜を有する試料をエッチング処
理するステップと、前記プラズマ発生装置により、リフ
ォーミングガスをプラズマ化するステップと、該リフォ
ーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記
処理ガスに接した部分をリフォーミングするステップと
を含む酸化シリコン膜を有する試料のプラズマ処理方法
にある。
装置と、真空処理室と、該真空処理室に試料の処理ガス
を供給する手段と、該真空処理室内で前記処理ガスのプ
ラズマを用いて前記試料を処理する手段とを備えたプラ
ズマ処理装置において、前記真空処理室にリフォーミン
グガスを供給する手段と、前記プラズマ発生装置によ
り、前記リフォーミングガスをプラズマ化し、該リフォ
ーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記
処理ガスに接した部分をリフォーミングする手段とを含
むプラズマ処理装置にある。
ず、処理室すなわち真空容器に、処理用のエッチングガ
スを導入し、このエッチングガスに高周波を印加してプ
ラズマを発生させる。次に、試料をエッチング処理す
る。以下同様にして、試料を一枚毎に処理する。
したら、真空容器内をリフオーミング(再生)処理、す
なわち処理用のガスに触れた部分をリフォーミングすな
わちエッチングにより薄く除去する処理に進む。まず、
試料の代りに、ダミーの基板を真空容器内に搬入し、次
に、リフオーミング用のガスを導入し、このガスをプラ
ズマ化する。このプラズマによって真空容器の壁面をリ
フォーミングする。このリフォーミング処理により、処
理材料の内面を薄く除去し、再び初期状態と同じ状態に
戻す。
ング処理で生じた堆積物のクリーニング処理を行っても
良い。すなわち、真空容器内にクリーニングガスを導入
し、このガスをプラズマ化し、真空容器内のクリーニン
グ及び室の壁等に付着した反応生成物等の堆積物の除去
を行なう。
する。図1は、本発明のプラズマ処理方法の原理を説明
するための図である。すなわち、マイクロ波プラズマエ
ッチング装置の真空処理室10の壁面の変化を示す図で
ある。まず、(A)に示すように、真空処理室10に最
初に試料が搬入された時は、真空処理室の壁面に堆積物
の付着はなく、また、フッ素ガスの侵入もない。試料を
所定枚数エッチング処理した後の状態は(B)に示すよ
うになり、壁面にかなりの堆積物層10Aとフッ素ガス
侵入層10Bとが形成される。そこで、(C)に示すよ
うに、クリーニング/デポ除去処理を行なうことによ
り、真空処理室の表面の堆積物が除去される。なお、堆
積物は完全に除去されないで一部が残っていてもよい。
次に、(D)のように、フッ化厚さに相当する部分につ
いてリフォーミング処理を行なうことによって、壁内の
フッ素ガス侵入層も除去され、最初の(A)と同じ状態
に回復する。なお、クリーニング/デポ除去処理は、そ
れに続くリフォーミング処理を容易にする働きがある。
置の真空処理室等のの構成材料として一般的な、アルミ
ニウム材を用い、フッ素を含む高周波プラズマにさらし
た時の、材料表面、フッ化厚さの経時変化を示したもの
である。破線は、なんらの処置も取らなかった場合を示
すもので、図から明らかな様に、フッ化厚さは、プラズ
マ処理時間の関数として増加することがわかる。実験に
よれば、アルミニウム材料で構成された真空処理室にお
いて、試料を1,000枚処理したとき、真空処理室の
壁面のフッ化厚さは1.0μm程度に達した。
ム材料」という言葉は、純アルミニウムおよびアルミニ
ウム合金をさすものとする。
理を行なう、本発明のマイクロ波プラズマエッチング装
置の要部縦断面図である。
ミニウムで形成されている。真空容器10頂部は、平面
視略円形となっている。真空容器10の側壁底部には、
排気ノズル11が形成されており、この排気ノズル11
と真空容器10外に設置されている真空排気装置20の
吸気口とは、排気管21で連結されている。排気管21
には、開閉弁、排気抵抗可変弁などが設けられている
(図示省略)。
放電ブロック30であり、その形状はマイクロ波の進行
方向に対して断面積変化の少ない中空円筒である。放電
ブロック30は、その内側中空部の軸心を略垂直軸と
し、この内側中空部が真空容器10の円形開放部を介し
て真空容器10に連通されており、また真空容器10の
頂壁に気密に構設されている。放電ブロック30の頂部
には、内側中空部の上端部を気密に封止してマイクロ波
透過窓40が設けられている。このマイクロ波透過窓4
0は、石英、アルミナなどのマイクロ波透過材料で形成
されている。このようにして、真空容器10内、放電ブ
ロック30の内側中空部およびマイクロ波透過窓40に
より、外部から遮断された空間50が形成されている。
50に突出し、また、その下部は真空容器10外に突出
している。真空容器10の底壁と試料台軸60とは、電
気絶縁部材70により電気的に絶縁されている。試料台
61は、上面に試料設置面61Aを有している。試料台
61は、その試料設置面を略水平面として試料台軸60
の上端に設けられている。なお、試料台軸60と試料台
61とは、一体に形成されていても勿論良い。空間50
の外には、バイアス用電源である高周波電源80が設置
されている。試料台軸60は、高周波電源80に接続さ
れている。高周波電源80の他端は接地され、試料台軸
60、試料台61は、共に導電材料で形成されており、
従って試料台61は、試料台軸60と導通状態にある。
電ブロック30も真空容器10を介して接地されてい
る。なお、バイアス用電源としてはこの他に直流電源な
どの使用も可能である。また、試料台61の内部には、
冷媒流路が形成され、試料台軸60の内部には、冷媒流
路に連通して冷媒供給路、冷媒排出路がそれぞれ形成さ
れている(図示省略)。また、冷媒供給装置が空間50
外に設置されている。
設置面61A(該試料設置面に半導体素子基板などの試
料90が設置された場合はその被処理面)とは、上下方
向に対向した状態となり、それらの面は略平行状態とな
る。なお、放電ブロック30の内側中空部の軸心、マイ
クロ透過窓40の中心および試料台61の試料設置面6
1A、つまり、試料90の被処理面の中心がそれぞれ略
一致するように構成されることが望ましい。
100が形成されている。一方、エッチング処理ガス源
101、クリーニング用O2ガス源102、リフオーミ
ング用のBCl3ガスとCl2ガス源103、シーズニン
グガス源(図示省略)が、空間50の外に設置されてい
る。各ガス源101、102、103とガス供給路10
0の一端とは、切り換え弁104及びガス供給管105
を介して連結されている。ガス供給管105には、開閉
弁、ガス流量制御器(図示省略)などが設けられてい
る。ガス供給路100の他端は、放電ブロック30の内
側中空部に開口している。
を内部に含んだ状態で導波管110が配設されている。
導波管110は、真空容器10で終端している。導波管
110の形状は、略円筒形である。導波管110の閉止
端壁である頂壁と放電ブロック30の上端部面(マイク
ロ波透過窓40の上面)との間には、所定の高さ(間
隔)を有する空間120が形成されている。導波管11
0の頂壁のマイクロ波透過窓40の上面と対向する部分
には、開口が形成されている。
発振する手段であるマグネトロン130が設けられてい
る。マグネトロン130と導波管110とは、導波管1
11、112で連結されている。導波管111、112
内は、導波管110の頂壁の開口を介して空間120と
連通状態にある。ここで、導波管111は、矩形・円形
直角変換用の導波管であり、また、導波管112は、矩
形の導波管である。なお、マグネトロン130と導波管
110とは、その他のマイクロ波伝播手段、例えば、同
軸ケーブルなどで連結されていても良い。
生する手段である空心コイル140、141が、高さ方
向には2段環装されている。更に、空心コイル140は
空間120に、また、空心コイル141は放電ブロック
30の外周側面に略対応させられている。空心コイル1
40、141は、ON−OFF手段や通電量調節手段な
どをそれぞれ介して電源に接続されている(図示省
略)。
(図示省略)を制御して試料90を1枚ずつ真空容器1
0内に搬入する制御するコントローラ151、試料90
の搬入枚数を計測するカウンター152を有する。ま
た、153は切り換え手段であり、、試料90の処理枚
数が所定値に達したら真空容器内のクリーニングおよび
リフオーミング処理を行なうように、エッチング処理ガ
ス源101と、クリーニング用O2ガス源102やリフ
オーミング用のガス源103及びシーズニングガス源と
を切り換える。
のフローを説明する。まず、真空容器10内に試料90
を搬入する(ステップ402)。すなわち、公知の搬送
手段で試料90が1枚だけ真空容器10内に搬入され
る。真空容器10内に試料90を搬入した搬送手段は、
試料90の処理を阻害しない場所に退避させられる。試
料台61に渡された試料90は、試料台61の試料設置
面61Aに被処理面上向き姿勢にて設置される。開閉
弁、排気抵抗可変弁を開弁し真空排気装置20を作動さ
せて、空間50を減圧排気する(404)。さらに、空
間50には、エッチング用ガスが導入される(40
6)。すなわち、ガス供給管105、切り換え弁10
4、ガス供給路100を介して、処理ガス源101から
放電ブロック30の内側中空部に所定流量で所定のエッ
チング用ガスが導入される。空間50に導入されたエッ
チング用ガスの一部は、排気抵抗可変弁の弁開度調節に
より真空排気装置20を介して排気され、これにより、
空間50の圧力は、所定のエッチング処理圧力に調節さ
れる。
し、放電ブロック30の内側中空部には、磁界が印加さ
れる。次に、マグネトロン130で発生し、導波管11
0で導かれたマイクロ波を用いて、空間50内のエッチ
ング用ガスをプラズマ化する(ステップ408)。この
プラズマにより、試料のSiO2をエッチング処理する
(410)。さらにエッチング処理の終了に伴って真空
容器10内を排気し(412)、試料90を真空容器1
0外に搬出する(ステップ414)。以下同様にして、
試料90を真空容器10内に一枚毎に搬入して処理す
る。
所定値、例えば25枚に達したら(416)、試料90
の処理によって生成された真空容器10表面の付着物や
フッ化層を除去するために、クリーニングおよびリフオ
ーミング処理(ステップ418以下)に進む。
マを発生させ、プラズマ処理する場合、徐々に処理室内
面上に付着物が付いてくる。このため、一枚毎もしくは
複数枚毎にクリーニングを行う必要がある。このクリー
ニングを行うガスとしては、酸素含有ガスを用いること
が好ましい。クリーニング処理では、まず、試料90の
代りに、ダミーの基板を真空容器内に搬入し(41
8)、真空容器10内を高真空に排気(420)した
後、ガス供給路100の切り換え弁104を制御して、
ガス供クリーニング用O2ガスを導入する(422)。
次に、このO2ガスをプラズマ化し(424)、真空容
器内のクリーニング、すなわち室の壁等に付着した反応
生成物等の堆積物の除去を行なう(426)。
オーミング用のBCl3とCl2ガスを導入し(43
0)、このガスをプラズマ化する(432)。プラズマ
化されたリフオーミングガスによって、真空容器10の
壁面等がリフォーミング、すなわち薄く除去される(4
34)。除去される量は、例えば試料1枚当り0.00
4μm、25枚毎に0.1μmとする。エッチングの望
ましい値は、試料1枚当り、0.001〜0.016μ
m、試料25枚毎に0.025〜0.4μm程度であ
る。最後に真空容器内を排気して(436)、リフォー
ミングが終了する。
空容器10にシーズニングガスを導入し(438)、こ
のガスをプラズマ化し(440)、シーズニングを行な
う(442)。ここでシーズニングとは、試料の第1枚
目と第n枚目(例えばn=25)との処理条件(各部の
温度や真空容器10の表面の状態など)を一致させるた
めの慣らし放電等の総称である。そして、真空容器10
内を排気し(444)、ダミー基板を排出して(44
6)、一連の処理が終了する。
初の試料を搬入する前に、シーズニングを行なうのがよ
り望ましい。
類とガス圧の一例を示す。
コンの下地の上に成膜された酸化シリコン膜を、パター
ニングされたホトレジストの通りにエッチングする場合
のガスは例えばCHF3もしくはこのガスにCH2F2ガ
スを少量まぜて使う。
シリコン膜を、パターニングされたホトレジストの通り
にエッチングする場合のガスはC4F8ガス、もしくはこ
のガスに、希ガスや一酸化炭素ガスを多量まぜて使う。
リコン膜を、パターニングされたホトレジストの通りに
エッチングする場合のガスは、例えばCH2F2やCHF
3あるいはこれらの混合ガスを使う。ガス圧はマイクロ
波を用いる場合、上の3ケース共、0.5〜10mTo
rrとする。
ミニウムの場合について述べたが、これに限定されるも
のではない。アルミニウムの表面をアルマイト処理した
もの、アルミナ膜(A12O3)あるいはアルミナを主成
分とした膜(ムライトなど)を付着させたもの、あるい
は他の金属や他の絶縁物(膜および単体)でも同様の効
果がある。
フォーミングに用いるガスの組合せの例を示す。このよ
うに真空容器10等の処理装置を構成する材料によっ
て、リフォーミングに用いるガスは変ってくる。つま
り、処理装置を構成する材料を均一に除去可能なガスで
なければならない。
来の方法であれば、試料のエッチング処理枚数の増加に
伴って、フッ化層が成長するため、破線で示すようにエ
ッチング処理速度が低下する。これにたいし、本発明に
よれば、真空処理室の壁面をリフォーミングすることに
よりフッ化層の成長が押さえられるために、実線で示す
ように試料のエッチング処理枚数が増加しても、エッチ
ング処理速度がほぼ一定に維持される。試料を25枚処
理する毎に両側で0.2μmずつ真空処理室の壁面を削
るとすると、15,000枚処理したとき、壁面のエッ
チング量は120μmとなる。真空処理室のこの程度の
寸法変化では、実用上、試料のエッチング処理になんら
支障をきたすことはない。リフォーミングの周期や壁面
の削り量は試料のエッチング処理条件等に応じて適宜設
定することができる。
ッチング処理枚数毎に、クリーニング/デポ除去処理及
びリフォーミングを行なう例を示したが、これに代る方
法として、真空処理室の壁面へのガス侵入状況をモニタ
して、所定の条件に達したら、デポ除去やリフォーミン
グを行なってもよい。図8に、そのモニタ装置の一例を
示す。図8において、2本の絶縁されたピン70、72
を真空処理室10の内表面に押し立て、抵抗計74で壁
面の電気抵抗を測定することによって、フッ化層の成長
をモニタする。壁面の電気抵抗は、図9に示すように、
フッ化層の厚さに応じて増大するので、電気抵抗の測定
によってリフォーミングすべき時期をモニタできる。抵
抗計74を使用しないときは、ソレノイド76によって
ピン70、72を試料台よりも下もしくは真空処理室外
に下げておくようにするのが望ましい。
手段に限定されるものではなく、高周波を用いてプラズ
マを発生する場合にも同様に適用できることは勿論であ
る。
エッチング処理を行う誘導結合型プラズマ発生装置の要
部縦断面図である。図10において、筒状の真空容器1
0は、アルミナ製であり、その内側に外部から遮断され
た空間50が形成されている。試料台61は、上面に試
料設置面61Aを有している。空間50の外には、マッ
チングボックス132を介して、バイアス用電源である
高周波電源80が接続されている。真空容器10の外側
には、ヒータで加熱されるアンテナブロック134が設
けられている。このアンテナブロック134は、マッチ
ングボックス132を介して、プラズマ発生用の電源1
33に接続されている。真空容器10の上側には、シリ
コン上板136、ヒータ138が配置されている。真空
容器10の下側には、絶縁体160が配置されている。
空間50は、ガス供給路100、ガス供給管105、切
り換え弁104を介して、エッチング処理ガス源10
1、クリーニング用O2ガス源102、リフオーミング
用のCl2ガス源103、シーズニングガス源(図示省
略)に接続されている。
真空容器10が、アルミナ製であり、図3の実施例と同
様の方法で、真空容器10の壁面等をエッチングするこ
とによりフッ化層の成長が押さえられるために、試料の
エッチング処理枚数が増加しても、エッチング処理速度
がほぼ一定に維持される。
6の上に設置し、チャンバ壁10をアルミニウム製とし
た誘導結合型プラズマ発生装置でも同様の効果がある。
エッチング処理を行う、平行平板形プラズマ発生装置の
要部縦断面図である。図11において、真空容器10
は、アルミニウム製であり、その内側に外部から遮断さ
れた空間50が形成されている。試料台90は、セラミ
ック170で保持された下部電極63の上に載置され
る。真空容器10の上側には、セラミック170で保持
された上部電極62、バッフルプレート172、ガス拡
散板106が配置されている。ガス拡散板106は、ガ
ス供給路100、ガス供給管105、切り換え弁104
を介して、エッチング処理ガス源101、クリーニング
用O2ガス源102、リフオーミング用のBCl3ガスと
Cl2ガス源103、シーズニングガス源(図示省略)
に接続されている。上部および下部電極62、63に
は、冷却水の通路180が設けられている。190は、
冷却用のヘリウム供給通路である。下部電極63と上部
電極62に接続された上部プレート172との間には、
RF電源192が接続されている。
真空容器10は、アルミニウム製であり、図3の実施例
と同様の方法で、真空容器10の壁面等をリフォーミン
グすることによりフッ化層の成長が押さえられるため
に、試料のエッチング処理枚数が増加しても、エッチン
グ処理速度がほぼ一定に維持される。
ことによりフッ化層の成長が押さえられるために、試料
のエッチング処理枚数が増加しても、エッチング処理速
度がほぼ一定に維持される。
めの図である。
ズマ処理時間の関係を示す図。
要部縦断面図である。
ある。
一例を示す図である。
るガスの組合せの例を示す図である。
図である。
理を行う、誘導結合型プラズマ発生装置の要部縦断面図
である。
理を行う、平行平板形プラズマ発生装置の要部縦断面図
である。
ック、40…マイクロ波透過窓、61…試料台、80…
高周波電源、90…試料、…101…処理ガス源、11
0〜112…導波管、120…空間、130…マグネト
ロン、140〜141…空心コイル。
Claims (7)
- 【請求項1】プラズマ発生装置及び真空処理室を備えた
プラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、 前記プラズマ発生装置により塩素及びフッ素を含む処理
ガスをプラズマ化するステップと、 前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて酸
化シリコン膜を有する試料をエッチング処理するステッ
プと、 前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプ
ラズマ化するステップと、 該リフォーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置
内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミングするス
テップとを含む、 ことを特徴とする酸化シリコン膜を有する試料のプラズ
マ処理方法。 - 【請求項2】プラズマ発生装置及び真空処理室を備えた
プラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、 前記プラズマ発生装置により塩素及びフッ素を含む処理
ガスをプラズマ化するステップと、 前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて窒
化シリコン膜を有する試料をエッチング処理するステッ
プと、 前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプ
ラズマ化するステップと、 該リフォーミングガスを用いて、前記プラズマ処理装置
内の前記処理ガスに接した部分をリフォーミングするス
テップとを含む、 ことを特徴とする窒化シリコン膜を有する試料のプラズ
マ処理方法。 - 【請求項3】プラズマ発生装置及び真空処理室を備えた
プラズマ処理装置のリフォーミングに方法において、 前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプ
ラズマ化し、 該リフォーミングガスのプラズマを用いて、前記真空処
理室の壁部分を所定量除去する、 ことを特徴とするプラズマ処理装置のリフォーミング方
法。 - 【請求項4】プラズマ発生装置と、真空処理室と、該真
空処理室に試料の処理ガスを供給する手段と、該真空処
理室内で前記処理ガスのプラズマを用いて前記試料を処
理する手段とを備えたプラズマ処理装置において、 前記真空処理室にリフォーミングガスを供給する手段
と、 前記プラズマ発生装置により、前記リフォーミングガス
をプラズマ化し、該リフォーミングガスを用いて、前記
プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフ
ォーミングする手段とを含む、 ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項5】プラズマ発生装置と、真空処理室と、該真
空処理室に試料の処理ガスを供給する手段と、該真空処
理室内で前記処理ガスのプラズマを用いて前記試料を処
理する手段とを備えたプラズマ処理装置において、 前記真空処理室にクリーニングガスを供給する手段と、 前記プラズマ発生装置により、クリーニングガスをプラ
ズマ化し、前記試料の処理によって前記プラズマ処理装
置内に付着した堆積物を、前記クリーニングガスのプラ
ズマを用いて除去する手段と、 前記真空処理室にリフォーミングガスを供給する手段
と、 前記プラズマ発生装置により、前記リフォーミングガス
をプラズマ化し、該リフォーミングガスを用いて、前記
プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分をリフ
ォーミングする手段とを含む、 ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項6】前記真空処理室における前記試料の処理
が、所定の処理条件に達する毎に、前記リフォーミング
ガスを供給する手段と、前記リフォーミングガスにより
前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分を
リフォーミングする手段とを、動作させる制御装置を備
えた、 ことを特徴とする請求項3または4記載のプラズマ処理
装置。 - 【請求項7】前記試料の処理が所定の処理条件に達する
ことを検出するために、前記真空処理室の壁面の電気抵
抗を測定する手段を備えた、 ことを特徴とする請求項5記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25824399A JP2000150488A (ja) | 1999-01-01 | 1999-09-13 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25824399A JP2000150488A (ja) | 1999-01-01 | 1999-09-13 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP12879194A Division JPH07335626A (ja) | 1994-06-10 | 1994-06-10 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150488A true JP2000150488A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=17317526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25824399A Pending JP2000150488A (ja) | 1999-01-01 | 1999-09-13 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2000150488A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007141895A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び成膜装置 |
JP2008091909A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のコンタクトプラグ形成方法 |
-
1999
- 1999-09-13 JP JP25824399A patent/JP2000150488A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007141895A (ja) * | 2005-11-14 | 2007-06-07 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び成膜装置 |
JP2008091909A (ja) * | 2006-09-28 | 2008-04-17 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子のコンタクトプラグ形成方法 |
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