KR950034626A - 반도체 장치 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
감소된 막 두께의 저 저항 고융점 금속 규화물막을 형성하는 방법이 기술된다. 상기 규화물막의 저항을 낮추기 위해 상 천이에 필요한 열 처리 온도는 상기 규화물막이 규산화 열처리 이후에 산소 포함 환경에 노출되는“인출(removal)” 온도를 저온으로 제한하므로 감소된다. 불활성 가스 환경 또는 진공 상태에서의 램프 어니얼링 및 300℃이하로의 인출 온도 셋팅에 의해, 과다 산소 포함층의 형성으로 인한 상 천이 온도의 저하가 방지된다. 상기 천이 온도를 낮추므로, 집괴로 인한 저항의 증가 또는 막의 파괴의 문제점도 방지된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4(a)도 내지 제4(d)도는 본 발명의 제1실시예를 형성하는 방법의 단계를 설명한 단면도, 제5(a)도 내지 제5(c)도는 본 발명의 제1실시예를 형성하는 방법의 단계를 설명한 제4도의 단계에 후속하는 단계를 설명한 단면도, 제6도는 본 발명에 사용된 열 처리실(heat treatment chamber) 도시도, 제7도는 본 발명의 제1실시예의 영향을 설명한 그래프, 제8도는 본 발명의 제1실시예의 영향을 설명한 그래프.
Claims (13)
- 표면이 노출된 확산층과 표면이 노출된 폴리실리콘층 중 적어도 한층을 구비한 반도체 기판상에 고융점 금속막을 형성하는 단계와; 상기 고융점 금속이 실리콘과 반응하게 하기 위해 열처리실에서의 가열에 의해 상기 확상층과 상기 폴리실콘층 중 적어도 한 층 상에 고융점 금속 규화물층을 형성하는 단계와; 상기 고융점 금속 규화물의 저 저항성을 위해 열처리실에서의 가열에 의해 상기 확산층 및 상기 폴리실콘층 중 적어도 한 층상에 상기 고융점 금속 규화물층의 상 천이를 유도하는 단계 및; 상기 반도체기판이 상기 열처리실로부터 인출되고 산소를 포함한 환경에 노출되는 온도가 300℃이하로 설정되게 상기 열처리실로부터 상기 반도체 기판을 인출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리가 램프 어니얼링 장치를 사용해서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장지 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스환경에서나 또는 진공 상태에서수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스가 질소인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 불활성 가스가 알곤인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스 환경에서나 또는 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 표면이 노출된 확산층과 표면이 노출된 폴리실리콘층 중 적어도 한층을 구비한 반도체 기판상에 고융점 금속막을 형성하는 단계와; 상기 고융점 금속이 실리콘과 반응하게 하기 위해 열처리실에서의 가열에 의해 상기 확산층 및 상기 폴리실리콘층 중 적어도 한 층상에 고융점 금속 규화물층을 형성하는 단계 및: 상기 반도체 기판이 상기 열처리실로부터 인출되고 산소를 포함하는 환경에 노출되는 온도가 300℃이하로 설정되게 상기 열처리실로부터 상기 반도체기판을 인출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 열처리가 램프 어니얼링 장치를 사용하여 수행되는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스 환경에서나 또는 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 불활성 가스가 질소 또는 알곤인 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 열처리가 불활성 가스환경에서나 또는 진공 상태에서 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고융점 금속막이 티타늄으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 고융점 금속막이 티타늄으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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