KR970001608A - 다결정 실리콘막 형성방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 비정질 실리콘을 다결정 실리콘으로 재결정화시키는 저온 어닐링 공정 중 수소플라즈마 분위기에서 자기장을 인가하여 막특성을 향상시키는 다결정 실리콘막 형성방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명의 다결정 실리콘막 형성방법은 기판위에 형성시킨 비정질 실리콘 막을 소결로의 온도를 소정 온도까지 상승시켜 소정시간 동안 어닐링하는 제1공정과, 제1공정 후, 다시 소결로의 온도를 소정량 만큼 서서히 상승시켜 소정온도에 도달한 때, 자기장을 인가하고 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제2공정과, 제2공정 후, 자기장을 제거하고, 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제3공정과, 제3공정후, 서서히 소결로의 온도를 하강시켜 상온까지 냉각하는 제4공정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.

Description

다결정 실리콘막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 다결정 실리콘막 형성방법을 설명하기 위한 그래프, 제2도는 본 발명의 제2실시예에 따른 다결정 실리콘막 형성방법을 설명하기 위한 그래프, 제3도는 본 발명의 제3실시예에 따른 다결정 실리콘막 형성방법을 설명하기 위한 그래프, 제4도는 본 발명의 제4실시예에 따른 다결정 실리콘막 형성방법을 설명하기 위한 그래프.

Claims (10)

  1. 기판위에 형성시킨 비정실 실리콘 막을 소결로의 온도를 소정온도까지 상승시켜 소정시간 동안 어닐링하는 제1공정과, 상기 제1공정 후, 다시 소결로의 온도를 소정량 만큼 서서히 상승시켜 소정온도에 도달한 때, 자기장을 인가하고 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제2공정과, 상기 제2공정 후, 자기장을 제거하고, 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제3공정과, 상기 제3공정 후, 서서히 소결로의 온도를 하강시켜 상온까지 냉각하는 제4공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제3공정 후 상기 제4공정단계전에 수소 플라즈마를 제거한 상태로 다시 소정시간 어닐링하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2공정의 소결온도는 500∼600℃범위인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3공정의 자기장 인가시간은 24시간 이내인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제3공정의 자기장 인가시간은 24시간 이내인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  6. 기판위에 형성시킨 비정질 실리콘 막을 소결로의 온도를 상승시켜 소정시간 동안 어닐링하는 제1공정과, 상기 제1공정 후, 다시 소결로의 온도를 소정량 만큼 서서히 상승시켜 소정온도에 도달한 때, 자기장을 인가하고 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제2공정과, 상기 제2공정 후, 자기장을 제거하고, 수소 플라즈마 분위기에서 소정시간 어닐링하는 제3공정과, 상기 제3공정 후, 수소 플라즈마 분위기에서 온도를 서서히 강하시켜 소정온도까지 냉각시키는 제4공정과, 상기 제4공정 후, 냉각된 소정온도를 유지하면서 소정시간 동안 수소 분위기에서 어닐링 하는 제5공정과, 상기 제5공정 후, 소결로의 온도를 상온까지 냉각하는 제6공정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 제3공정과 제4공정 사이에 수소 플라즈마를 제거한 상태로 다시 소정시간 어닐링하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제2공정의 소결온도는 500∼600℃ 범위인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 제3공정의 자기장 인가시간은 24시간 이내인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제3공정의 자기장 인가시간은 24시간 이내인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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