KR970030863A - 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 형성 공정시 질소 성분을 포함한 플라즈마 처리를 실시하여 누설 전류가 적고, 계면 특성이 우수한 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법은 유리기판의 게이트 전극 상부에 실리콘 산화막을 형성하는 단계 및 상기 실리콘 산화막을 질소가스가 공급된 플라즈마 분위기에서 열처리를 실시하여 소정 깊이 만큼의 실리콘 질산화막을 형성하는 단계로 이루어지므로써, 소자에 발생하는 누설 전류를 방지하고, 계면 특성이 우수한 박막 트랜지스터의 질을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2(a)도 및 제2(b)는 본 발명에 따른 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법을 나타낸 도면이다.
Claims (4)
- 투명 절연 기판상에 게이트 전극을 형성하고, 절연 기판 및 게이트 전극 상부에 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 실리콘 산화막을 질소 플라즈마 분위기에서 열처리를 실시하여 소정 깊이 만큼의 실리콘 질산화막을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화막의 두께는 1000Å 내지 3500Å인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질소 플라즈마 분위기를 형성하기 위한 공급 가스로는 N2O, N2, NH3중 선택되는 하나의 가스인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 질산화막의 두께는 실리콘 산화막 두께의 5 이하를 차지하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042305A KR970030863A (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950042305A KR970030863A (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970030863A true KR970030863A (ko) | 1997-06-26 |
Family
ID=66588134
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950042305A KR970030863A (ko) | 1995-11-20 | 1995-11-20 | 박막 트랜지스터의 게이트 절연막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970030863A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342976B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2002-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선및그형성방법 |
| KR100470129B1 (ko) * | 2002-01-25 | 2005-02-04 | 학교법인 포항공과대학교 | 계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법 |
-
1995
- 1995-11-20 KR KR1019950042305A patent/KR970030863A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100342976B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2002-09-18 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선및그형성방법 |
| KR100470129B1 (ko) * | 2002-01-25 | 2005-02-04 | 학교법인 포항공과대학교 | 계면특성이 우수한 박막 트랜지스터의 제조방법 |
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