KR940016588A - 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법에 있어서, H2: O2: TCA(Trichoroethane)가스로 주산화막 공정을 수행하는 제 1 단계와, N1분위기에서 공정 챔버(chamber)의 온도를 증가시키는 제 2 단계와, N2가스를 주입하여 어닐링(annealig)하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법으로, 게이트 산화막의 특성을 향상시켜 우수한 반도체 소자를 얻을 수 있는 효과를 가진다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3 도는 본 발명에 따른 C-V특성 그래프.
Claims (3)
- 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법에 있어서, H2: O2: TCA(Trichoroethane)가스로 주 산화막 공정을 수행하는 제 1 단계와, N2분위기에서 공정 챔버(chamber)의 온도를 증가시키는 제 2 단계와, N2가스를 주입하여 어닐링(annealig)하는 제 3 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 단계의 H2: O2: TCA은 8:8:0.8 SLPM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 단계의 N2는 25 SLPM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920026945A KR960006972B1 (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920026945A KR960006972B1 (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016588A true KR940016588A (ko) | 1994-07-23 |
| KR960006972B1 KR960006972B1 (ko) | 1996-05-25 |
Family
ID=19348096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920026945A KR960006972B1 (ko) | 1992-12-30 | 1992-12-30 | 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960006972B1 (ko) |
-
1992
- 1992-12-30 KR KR1019920026945A patent/KR960006972B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960006972B1 (ko) | 1996-05-25 |
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