KR890016597A - 급속열처리 공정을 이용한 o-n구조 박막의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 급속열처리 공정에 의한 산화공정을 나타내는 그래프. 제2도는 본 발명의 급속열처리 공정에 의한 질화공정을 나타내는 그래프.
Claims (3)
- 급속열처리공정(Rapid Thermal Process)을 이용하여 폴리층상에 산화막을 형성하고 다시 그위에 전부 또는 일부를 질화막으로 형성시키는 것을 특징으로 하는 O-N구조박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 산화막이 O2및 HCl의 혼합가스 분위기하에서 900~1300℃의 온도범위로 열처리하여 100Å이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 O-N구조 박막의 제조방법.
- 제1항에 있어서, 질화막이 NH3가스분위기하에서 900~1300℃의 온도범위로 열처리하여 100Å이하로 형성되는 것을 특징으로 하는 O-N구조박막의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880004854A KR970000704B1 (ko) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 반도체 소자 캐패시터 유전층 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019880004854A KR970000704B1 (ko) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 반도체 소자 캐패시터 유전층 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR890016597A true KR890016597A (ko) | 1989-11-29 |
| KR970000704B1 KR970000704B1 (ko) | 1997-01-18 |
Family
ID=19273945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019880004854A KR970000704B1 (ko) | 1988-04-28 | 1988-04-28 | 반도체 소자 캐패시터 유전층 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| KR (1) | KR970000704B1 (ko) |
-
1988
- 1988-04-28 KR KR1019880004854A patent/KR970000704B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
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|---|---|
| KR970000704B1 (ko) | 1997-01-18 |
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