KR910001892A - 포스퍼러스 도우프드 산화물 플로우 공정방법 - Google Patents

포스퍼러스 도우프드 산화물 플로우 공정방법 Download PDF

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KR910001892A
KR910001892A KR1019890009321A KR890009321A KR910001892A KR 910001892 A KR910001892 A KR 910001892A KR 1019890009321 A KR1019890009321 A KR 1019890009321A KR 890009321 A KR890009321 A KR 890009321A KR 910001892 A KR910001892 A KR 910001892A
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phosphorus doped
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process method
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KR1019890009321A
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Inventor
김병석
Original Assignee
이만용
금성반도체 주식회사
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내용 없음

Description

포스퍼러스 도우프드 산화물 플로우 공정방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 Pocl3를 상용한 957℃ 플로우 공정도.

Claims (1)

  1. 실리콘 기판(1)위에 게이트(4) 소오스 드레인(3)을 형성한 후 400~450℃의 온도에서 SiH4와 O2를 이용하여 포스퍼러스 도우프드 산화물을 증착하는 공정과, 상기 포스퍼러스 도우프트 산화물 플로우공정중 N2분위기에서 W/F로딩한다음 온도를 상승시켜 안정화시키는 공정과, 상기 공정후 Pocl3와 O2와 N2를 플로우하고 Pocl3와 O2,N2를 플로우한후 O2를 플로우하며 O2를 플로우 한후 H2와 O2를 플로우한다음 N2분위기에서 온도를 하강시키고 W/F 언로딩하는 공정과, 상기의 포스퍼러스 도오프드 산화물 증착이 끝나후 메탈 콘택트를 에치시키고 그위에 메탈을 증착시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 포스퍼러스 도우프드 산화물 플로우 공정방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890009321A 1989-06-30 1989-06-30 포스퍼러스 도우프드 산화물 플로우 공정방법 KR910001892A (ko)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980053667A (ko) * 1996-12-27 1998-09-25 김영환 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법
KR102052301B1 (ko) 2019-05-30 2019-12-04 주식회사 태양센서앤히터 러버히터를 이용한 액상원료 제조시스템

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KR19980053667A (ko) * 1996-12-27 1998-09-25 김영환 반도체 소자의 층간 절연막 형성 방법
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