KR940027093A - 게이트산화막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 제조공정중 게이트산화막 제조방법에 관한 것으로, 소정 온도에서 SiH2Cl2와 N2O가스를 사용하여 클로라인(Cl)이 반도체 기판과 산화막 계면에 혼입(incorporation)되는 제1산화막을 소정로 두께 증착하는 제1단계, 상기 제1산화막 상에 SiH4와 N2O가스를 사용하여 제2산화막을 증착하는 제2단계 및, 산소 분위기에서 상기 제1 및 제2산화막을 열처리하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 함으로써, TCA를 사용하지 않고도 클로라인이 첨가된 게이트산화막을 제조할 수 있으며, 또한 열산화법에 비해 기판 상태에 덜 민감한 화학기상증착법을 이용해 게이트산화막을 형성하므로 낮은 결함도와 그에 따른 수율 향상의 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 게이트산화막의 SIMS 프로파일도.
Claims (2)
- 반도체 소자의 제조공정중 게이트산화막 제조방법에 있어서, 소정 온도에서 SiH2Cl2와 N2O가스를 사용하여 클로라인(Cl)이 반도체 기판과 산화막 계면에 혼입(incorporation)되는 제1산화막을 소정로 두께 증착하는 제1단계, 상기 제1산화막 상에 SiH4와 N2O가스를 사용하여 제2산화막을 증착하는 제2단계 및, 산소 분위기에서 상기 제1 및 제2산화막을 열처리하는 제3단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 게이트산화막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1단계의 산화막 증착시 온도가 800 내지 900℃의 온도임을 특징으로 하는 게이트산화막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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- 1993-05-11 KR KR1019930008077A patent/KR960009979B1/ko not_active IP Right Cessation
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