KR950027999A - 반도체 소자의 산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 실리콘 상부에 형성되는 반도체 소자의 산화막 형성방법에 있어서, 웨이퍼를 공정챔버 내로 로딩(Loading)시키고 일정시간 동안 공정튜브 내의 온도를 상승시켜 튜브내의 온도를 안정화 시키는 단계; 산화물 소오스 O2H/H2/DCE(C2H2Cl2→2HCL+2CO2)로 주산화 공정을 실시하는 단계; 산화막을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법에 관한 것으로, 자연산화막의 발생을 효과적으로 제거함과 동시에 공정의 간단화를 꾀할 수 있어 반도체 소자의 수율과 산화막의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 산화막 형성 공정을 도시한 공정그래프,
제3도는 본 발명에 의해 제조된 산화막의 전기적 특성 그래프.
Claims (3)
- 실리콘 상부에 형성되는 반도체 소자의 산화막 형성방법에 있어서, 웨이퍼를 공정챔버 내로 로딩(Loading)시키고 일정시간 동안 공정튜브 내의 온도를 상승시켜 튜브내의 온도를 안정화 시키는 단계; 산화물 소오스 O2H/H2/DCE(C2H2Cl2→2HCL+2CO2)로 주산화 공정을 실시하는 단계; 산화막을 어닐링(annealing)하는 단계를 포함하여 이루어 지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 주산화 단계는 700-750℃의 온도에서 8-12분 동안 산화막을 성장시키는 것을 반도체 소자의 산화막 형성방법..
- 제1항에 있어서, 상기 어닐링은 800-850℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005513A KR950027999A (ko) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 반도체 소자의 산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940005513A KR950027999A (ko) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 반도체 소자의 산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950027999A true KR950027999A (ko) | 1995-10-18 |
Family
ID=66689695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940005513A KR950027999A (ko) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 반도체 소자의 산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950027999A (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399907B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2003-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 산화막 형성 방법 |
| KR100780843B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-11-30 | 주식회사 실트론 | 고품위 열처리 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
-
1994
- 1994-03-18 KR KR1019940005513A patent/KR950027999A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399907B1 (ko) * | 1996-12-28 | 2003-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 산화막 형성 방법 |
| KR100780843B1 (ko) * | 2006-08-28 | 2007-11-30 | 주식회사 실트론 | 고품위 열처리 웨이퍼 및 그 제조 방법 |
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