KR960039211A - 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 관한 것으로, 산화막과 실리콘의 계면특성을 향상시키기 위하여 산화공정 후 N2O 및 NO가스분위기하에서 질화공정을 실시하므로써 소자의 신뢰성이 향상될 수 있도록 한 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부된 도면은 게이트산화막의 전기적특성을 설명하기 위한 그래프도.
Claims (4)
- 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법에 있어서, 세정이 완료된 실리콘기판을 반응로내부로 보트-인시킨후 온도를 상승시키기 위한 제1램프-업공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로 부터 상승된 온도 및 N2O가스분위기하에서 소정시간동안 산화공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로 부터 N2O 및 NO가스분위기하에서 질화공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로 부터 N2O가스분위기하에서 제2열처리공정을 실시한후 N2가스분위기하에서 상기 반응로내의 온도를 상승시키기 위한 제2램프-업공정을 실시하는 단계와, 상기 단계로 부터 상승된 온도 및 N2가스분위기하에서 제2열처리공정을 실시하고 상기 반응로내의 온도를 하강시키기 위한 램프-다운공정을 거쳐 상기 실리콘기판을 반응로 외부로 보트-아웃시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보트-인 및 보트-아웃시 반응로의 온도는 600 내지 700℃이며, N2가스분위기인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1램프-업공정 후 반응로의 온도는 820 내지 870℃이며, 상기 제2램프-업공정 후 반응로의 온도는 890 내지 920℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화, 질화공정 및 제1열처리공정은 연속적으로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007845A KR960039211A (ko) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950007845A KR960039211A (ko) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960039211A true KR960039211A (ko) | 1996-11-21 |
Family
ID=66552902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950007845A KR960039211A (ko) | 1995-04-04 | 1995-04-04 | 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960039211A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514131B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2005-09-09 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법과 제조 장치 |
-
1995
- 1995-04-04 KR KR1019950007845A patent/KR960039211A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100514131B1 (ko) * | 1998-06-30 | 2005-09-09 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법과 제조 장치 |
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