KR970052858A - 반도체 소자의 산화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 산화막 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 산화막 형성 방법이 개시된다.
본 발명은 주산화공정전에 소량의 N2O 가스를 흘려주어 실리콘 기판과 주산화공정으로 형성될 산화막사이의 계면부분에 질소 첨가를 용이하게 하면서 균일한 산화막을 형성할 수 있다.
따라서, 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 생길 수 있는 절연특성 열화를 방지할 수 있어 소자의 신뢰성을 형상시킬 수 있고, 소자의 고집적화를 실현할 수 있다.
* 선택도 : 첨부된 도면

Description

반도체 소자의 산화막 형성 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부도면은 본 발명의 실시예에 의한 산화막을 형성하기 위한 공정 흐름도.

Claims (11)

  1. 반도체 소자의 산화막 형성 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 N2가스 분위기의 확산 반응로에 로딩한 후, 안정화하는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, 소량의 N2O 가스를 흘려주면서 온도를 상승시키는 단계; 상기 온도상승후 안정화 시간을 거치고, 다량의 N2O 가스를 흘려주어 주산화공정이 실시되는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, N2가스 분위기에서 어닐링공정이 실시되는 단계; 온도를 하강시킨후 안정화 시간을 거치고, 상기 실리콘 웨이퍼를 언로딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 로딩온도는 600 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 진공정화공정에 의해 상기 확산 반응로 내부느 2 내지 9Torr의 압력으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정시 흘려주는 N2O가스의 유량은 50 내지 1000 SCCM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 주산화공정시 흘려주는 N2O가스의 유량은 5 내지 20 SLM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정 및 상기 온도하강공정은 3 내지 60℃/min의 온도 기울기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정은 10℃/min의 온도 기울기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정은 800 내지 950℃의 온도가 될때까지 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 온도하강공정은 600 내지 800℃의 온도가 될때까지 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정 및 상기 주산화공정시 상기 확산 반응로 내부는 10 내지 60Torr 압력으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  11. 반도체 소자의 산화막 형성 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 N2가스 분위기의 확산 반응로에 로딩한 후, 안정화하는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, 소량의 NO 가스를 흘려주면서 온도를 상승시키는 단계; 상기 온도상승후 안정화 시간을 거치고, 다량의 NO 가스를 흘려주어 주산화공정이 실시되는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, N2가스 분위기에서 어닐링공정이 실시되는 단계; 온도를 하강시킨 후 안정화 시간을 거치고, 상기 실리콘 웨이퍼를 언로딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950065713A 1995-12-29 1995-12-29 반도체소자의산화막형성방법 KR100332129B1 (ko)

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