KR970052858A - 반도체 소자의 산화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 산화막 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970052858A
KR970052858A KR1019950065713A KR19950065713A KR970052858A KR 970052858 A KR970052858 A KR 970052858A KR 1019950065713 A KR1019950065713 A KR 1019950065713A KR 19950065713 A KR19950065713 A KR 19950065713A KR 970052858 A KR970052858 A KR 970052858A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
oxide film
gas
semiconductor device
flowing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1019950065713A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100332129B1 (ko
Inventor
권오정
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950065713A priority Critical patent/KR100332129B1/ko
Publication of KR970052858A publication Critical patent/KR970052858A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100332129B1 publication Critical patent/KR100332129B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02249—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by combined oxidation and nitridation performed simultaneously
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 산화막 형성 방법이 개시된다.
본 발명은 주산화공정전에 소량의 N2O 가스를 흘려주어 실리콘 기판과 주산화공정으로 형성될 산화막사이의 계면부분에 질소 첨가를 용이하게 하면서 균일한 산화막을 형성할 수 있다.
따라서, 산화막의 두께가 얇아짐에 따라 생길 수 있는 절연특성 열화를 방지할 수 있어 소자의 신뢰성을 형상시킬 수 있고, 소자의 고집적화를 실현할 수 있다.
* 선택도 : 첨부된 도면

Description

반도체 소자의 산화막 형성 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부도면은 본 발명의 실시예에 의한 산화막을 형성하기 위한 공정 흐름도.

Claims (11)

  1. 반도체 소자의 산화막 형성 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 N2가스 분위기의 확산 반응로에 로딩한 후, 안정화하는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, 소량의 N2O 가스를 흘려주면서 온도를 상승시키는 단계; 상기 온도상승후 안정화 시간을 거치고, 다량의 N2O 가스를 흘려주어 주산화공정이 실시되는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, N2가스 분위기에서 어닐링공정이 실시되는 단계; 온도를 하강시킨후 안정화 시간을 거치고, 상기 실리콘 웨이퍼를 언로딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼 로딩온도는 600 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 진공정화공정에 의해 상기 확산 반응로 내부느 2 내지 9Torr의 압력으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정시 흘려주는 N2O가스의 유량은 50 내지 1000 SCCM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 주산화공정시 흘려주는 N2O가스의 유량은 5 내지 20 SLM인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정 및 상기 온도하강공정은 3 내지 60℃/min의 온도 기울기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정은 10℃/min의 온도 기울기로 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정은 800 내지 950℃의 온도가 될때까지 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 온도하강공정은 600 내지 800℃의 온도가 될때까지 실시되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  10. 제1항에 있어서, 상기 온도상승공정 및 상기 주산화공정시 상기 확산 반응로 내부는 10 내지 60Torr 압력으로 되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 제조방법.
  11. 반도체 소자의 산화막 형성 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 N2가스 분위기의 확산 반응로에 로딩한 후, 안정화하는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, 소량의 NO 가스를 흘려주면서 온도를 상승시키는 단계; 상기 온도상승후 안정화 시간을 거치고, 다량의 NO 가스를 흘려주어 주산화공정이 실시되는 단계; 상기 확산 반응로 내부를 진공정화시킨 후, N2가스 분위기에서 어닐링공정이 실시되는 단계; 온도를 하강시킨 후 안정화 시간을 거치고, 상기 실리콘 웨이퍼를 언로딩하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950065713A 1995-12-29 1995-12-29 반도체소자의산화막형성방법 Expired - Fee Related KR100332129B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950065713A KR100332129B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 반도체소자의산화막형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950065713A KR100332129B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 반도체소자의산화막형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970052858A true KR970052858A (ko) 1997-07-29
KR100332129B1 KR100332129B1 (ko) 2002-11-07

Family

ID=37479411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950065713A Expired - Fee Related KR100332129B1 (ko) 1995-12-29 1995-12-29 반도체소자의산화막형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100332129B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230090855A (ko) * 2021-12-15 2023-06-22 주식회사 원익아이피에스 기판처리방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR940001281B1 (ko) * 1990-04-04 1994-02-18 금성일렉트론 주식회사 수평형 저압 화학기상증착 장치에서의 고온산화막 제조방법
KR920005244A (ko) * 1990-08-31 1992-03-28 김광호 Lpcvd법을 이용한 산화-질화-산화막 연속형성방법
KR940002301B1 (ko) * 1991-07-30 1994-03-21 현대전자산업 주식회사 게이트 산화막 제조방법
KR970002434B1 (ko) * 1993-12-27 1997-03-05 현대전자산업 주식회사 반도체 소자의 산화막 형성방법
KR0119965B1 (ko) * 1994-05-26 1997-10-17 김주용 반도체 소자의 산화막 형성방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100332129B1 (ko) 2002-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003068731A (ja) 絶縁膜の形成方法および形成システム
KR970052858A (ko) 반도체 소자의 산화막 형성방법
KR100309125B1 (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법
KR100274351B1 (ko) 반도체소자의게이트산화막형성방법
KR940016556A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR0162900B1 (ko) 산화물 형성 방법
KR0172045B1 (ko) 산화막 형성방법
KR950027998A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
JP2000114253A (ja) 半導体酸化膜形成法
KR20040020660A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
KR0132381B1 (ko) 화학기상증착법에 의한 산화막 형성방법
KR100549584B1 (ko) 반도체 소자의 절연막 제조 방법
JPS61203652A (ja) 半導体装置の製造方法
KR880000276B1 (ko) 모오스(mos) 트랜지스터에서의 게이트 절연층 형성방법
JP2001176867A (ja) シリコン酸化膜の形成方法
KR960039190A (ko) 반도체 소자의 유전체막 형성방법
KR960039208A (ko) 반도체 소자의 게이트산화막 형성방법
KR960005863A (ko) 반도체 소자의 질화막 형성방법
KR980005455A (ko) 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법
KR960026925A (ko) 반도체 소자의 트랜지스터 제조방법
KR970015797A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 제조 방법
KR970063576A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법
KR950030268A (ko) 실리콘 벌크(Bulk)의 게터링(Gettering) 방법
KR980005833A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법
KR980005686A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19951229

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19990907

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19951229

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20010718

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20020124

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20020328

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20020329

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050221

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060220

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070221

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080222

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090223

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100224

Start annual number: 9

End annual number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110222

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110222

Start annual number: 10

End annual number: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20130209