KR950027998A - 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950027998A
KR950027998A KR1019940004788A KR19940004788A KR950027998A KR 950027998 A KR950027998 A KR 950027998A KR 1019940004788 A KR1019940004788 A KR 1019940004788A KR 19940004788 A KR19940004788 A KR 19940004788A KR 950027998 A KR950027998 A KR 950027998A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
oxide film
ratio
field oxide
dce
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1019940004788A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970006216B1 (ko
Inventor
엄금용
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940004788A priority Critical patent/KR970006216B1/ko
Publication of KR950027998A publication Critical patent/KR950027998A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970006216B1 publication Critical patent/KR970006216B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/76202—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using a local oxidation of silicon, e.g. LOCOS, SWAMI, SILO

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관한 것으로, 웨이퍼 장착 후 푸시(push) 단계에서 N2양은 증가시키고 O2양을 감소시켜 산화막의 성자을 최소화 시키고 온도상승 및 안정화 단계인 필드 산화막 형성 초기단계에서 DCE(Dichloroethylene_을 첨가하여 염소(Cℓ)를 생성시키고 습식산화공정시 DCE의 양을 증가시키므로써 실리콘-댕글링 본드(Si-Dangling Bond) 및 실리콘 표면(Si-Surfaco)의 금속성 불순물(Metallic Impurity)이 제거되어 균일(Uniform)한 산화막이 성장되도록 한 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 관해 기술된다.

Description

반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법에 있어서, N2: N2A : O2가스 분위기하의 반응으로 필드 산화막을 형성시키기 위한 웨이퍼를 장착시키는 단계와, 상기 단계로부터 산화막의 성장을 최대한 억제시키기 위해 N2양이 증가되고 O2양은 감소된 N2: O2가스 분위기로 푸시된 후 DCE가 첨가된 N2: O2: DCE가스 분위기에서 온도를 상승시키고 안정화 시키는 단계와, 상기 단계로부터 N2가스가 제거된 O2: DCE가스 분위기에서 소정의 시간동안 건식 산화공정을 진행하는 단계와, 상기 단계로부터 DCE를 증가시킨 O2: H2: DCE가스 분위기에서 습식 산화공정을 진행하고 O2및 N2정화를 거친 다음 온도를 하강시킨 후 꺼내어 냉각시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 장착공정시 가스 분위기의 비율이 N2: N2A : O2=10 : 30 : 1 SLPM비율이며 상기 푸시공정시 가스 분위기의 비율이 N2: O2=20 : 0.5 SLPM 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 온도상승 및 안정화 공정시 가스분위기의 비율이 N2: O2: DCE=20 : 0.5 : 0.47 SLPM 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 건식 산화 공정시 가스분위기의 비율이 O2: DCE=8 : 0.47 SLPM 비율이며 상기 습식 산화공정시 가스분위기의 비율이 O2: H2: DCE=6 : 9 : 0.47 내지 0.68 SLPM 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 온도상승 공정시 온도는 1100 내지 1150℃로 상승되며 상기 온도하강 공정시 온도는 800 내지 850℃로 하강되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940004788A 1994-03-11 1994-03-11 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법 KR970006216B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940004788A KR970006216B1 (ko) 1994-03-11 1994-03-11 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940004788A KR970006216B1 (ko) 1994-03-11 1994-03-11 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950027998A true KR950027998A (ko) 1995-10-18
KR970006216B1 KR970006216B1 (ko) 1997-04-24

Family

ID=19378706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940004788A KR970006216B1 (ko) 1994-03-11 1994-03-11 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR970006216B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980006521A (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 김주용 반도체소자의 게이트 산화막 제조방법

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102931128B (zh) * 2012-11-28 2015-01-07 上海华力微电子有限公司 浅沟槽隔离之边角圆化的方法
CN104152867B (zh) * 2013-05-14 2017-07-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Apcvd炉管复机保养方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980006521A (ko) * 1996-06-29 1998-03-30 김주용 반도체소자의 게이트 산화막 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR970006216B1 (ko) 1997-04-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101201164B1 (ko) 실리콘 카바이드 구조물의 정제 방법
KR940006183A (ko) 반도체기판 및 그 처리방법
JPS55120143A (en) Method of forming semiconductor surface insulating film
EP0984483A3 (en) Semiconductor substrate and method for producing the same
KR920003445A (ko) 열처리 막 형성장치 및 방법
JPH1131691A (ja) 炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
KR950027998A (ko) 반도체 소자의 필드 산화막 형성방법
JPS5740940A (en) Semiconductor device
JPH10144698A (ja) シリコンウエーハ及びその製造方法
KR100310461B1 (ko) 실리콘산화막의형성방법
KR960026432A (ko) 게이트 산화막 형성 방법
JPH0536653A (ja) 基板表面処理方法
KR100296135B1 (ko) 반도체소자의산화막형성방법
KR970003836B1 (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법
KR0146173B1 (ko) 반도체 소자의 산화막 제조방법
KR970052858A (ko) 반도체 소자의 산화막 형성방법
KR950034594A (ko) 반도체 소자의 희생 산화막 형성방법
KR960011935B1 (ko) 반도체 소자의 산화막 형성 방법
KR960019592A (ko) 웨이퍼에서의 불순물 농도 감소 방법
KR950015636A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법
KR940016556A (ko) 반도체장치의 제조방법
JPS61286292A (ja) ＧａＡｓウエハのアニ−ル方法
KR960005860A (ko) 반도체 소자의 게이트 산화막 형성방법
KR970003672A (ko) 실리콘 웨이퍼 게터링 영역 형성방법
JPH05152309A (ja) 半導体基板の熱処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100726

Year of fee payment: 14

LAPS Lapse due to unpaid annual fee