KR940016556A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체장치 중 박막 산화막의 제조방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 박막 산화막을 형성하기 위한 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판상에 반응기체로서 산소기체만을 흘려주어 박막 산화막을 형성하는 제 1 산화단계 및 상기 반도체기판과 박막 산화막 상에 산소 및 질소 기체를 흘려주어 상기 반도체기판과 박막 산화막의 계면에 질소를 트랩시키는 제 2 산화단계를 구비하는 것을 특징으로 한다.
따라서 본 발명의 제조방법에 따라 형성된 반도체장치는 박막 산화막의 막질을 개선함으로써 수율 및 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따른 박막 산화막의 제조공정을 도시한 공정도, 제 6 도는 본 발명에 따른 박막 산화막의 막질을 분석한 그래프.
Claims (4)
- 반도체기판상에 박막 산화막을 형성하기 위한 제조방법에 있어서, 상기 반도체기판상에 반응기체로서 산소기체만을 흘려주어 박막 산화막을 형성하는 제 1 산화단계; 및 상기 반도체기판가 박막 산화막 상에 산소 및 질소 기체를 흘려주어 상기 반도체기판과 박막 산화막의 계면에 질소를 트랩시키는 제 2 산화단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 산화단계는 950℃의 온도에서 약 17분동안 10l의 산소기체를 흘려주는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 산화단계는 950℃의 온도에서 약 12분동안 10l의 산소기체와 20l의 질소기체와 0.2l의 염화수소기체를 흘려주는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.
- 반도체기판상에 유전체막을 형성하기 위한 제조방법에 있어서, 소정온도로 안정화된 반응실 내에서 실리콘 웨이퍼 상에 소정량의 산소가스를 흘려주면서 제 1 소정시간동안 실리콘 표면을 산화시키는 제 1 산화단계; 상기 산소 가스량의 2배인 질소기체를 추가로 흘려주면서 제 2 소정시간동안 실리콘 표면에 형성된 산화막을 실리콘 나이트라이드화 시키는 제 2 산화단계; 및 상기 질소기체를 그대로 유지하면서 상기 산소 기체의 공급을 중단하고 소정시간동안 상기 소정온도 상태를 유지하는 어닐링 단게를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920023139A KR940016556A (ko) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 반도체장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920023139A KR940016556A (ko) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 반도체장치의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940016556A true KR940016556A (ko) | 1994-07-23 |
Family
ID=67211285
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920023139A KR940016556A (ko) | 1992-12-03 | 1992-12-03 | 반도체장치의 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR940016556A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980055950A (ko) * | 1996-12-28 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 |
| KR100412321B1 (ko) * | 1997-06-18 | 2004-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
| KR100468665B1 (ko) * | 1997-05-16 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 산화막형성방법 |
-
1992
- 1992-12-03 KR KR1019920023139A patent/KR940016556A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980055950A (ko) * | 1996-12-28 | 1998-09-25 | 김영환 | 반도체 소자의 유전체막 형성 방법 |
| KR100468665B1 (ko) * | 1997-05-16 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 산화막형성방법 |
| KR100412321B1 (ko) * | 1997-06-18 | 2004-03-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
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