JP2880993B1 - 半導体酸化膜の形成方法 - Google Patents
半導体酸化膜の形成方法Info
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Abstract
【要約】
【課題】 酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にす
ることを可能とする半導体酸化膜の形成方法を提供する
こと。 【解決手段】 半導体表面を酸素分子ガスとの化学反応
によって酸化し、原子レベルの多層酸化膜を形成する半
導体酸化膜の形成方法において、半導体と反応しないガ
スと酸素分子ガスを含む雰囲気の下で、表面より一層毎
に酸化反応を行い、その一層毎の酸化反応が終了する度
に、半導体と反応しないガスに対する酸素分子ガスの分
圧比若しくは半導体表面の温度、又は双方を、酸化膜の
成長とともに上昇させることを特徴とする。
ることを可能とする半導体酸化膜の形成方法を提供する
こと。 【解決手段】 半導体表面を酸素分子ガスとの化学反応
によって酸化し、原子レベルの多層酸化膜を形成する半
導体酸化膜の形成方法において、半導体と反応しないガ
スと酸素分子ガスを含む雰囲気の下で、表面より一層毎
に酸化反応を行い、その一層毎の酸化反応が終了する度
に、半導体と反応しないガスに対する酸素分子ガスの分
圧比若しくは半導体表面の温度、又は双方を、酸化膜の
成長とともに上昇させることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体酸化膜の形
成方法に係り、特に、半導体表面に原子レベルの多層酸
化膜を一層毎に形成する方法に関する。
成方法に係り、特に、半導体表面に原子レベルの多層酸
化膜を一層毎に形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種半導体装置において、半導体酸化膜
は、絶縁膜として非常に大きな役割を有するため、その
膜質、形成方法等について、多くの研究者により、研究
が重ねられている。半導体酸化膜の形成方法としては、
半導体表面を高温で大気圧中の酸素分子ガスにさらす熱
酸化工程が広く用いられている。
は、絶縁膜として非常に大きな役割を有するため、その
膜質、形成方法等について、多くの研究者により、研究
が重ねられている。半導体酸化膜の形成方法としては、
半導体表面を高温で大気圧中の酸素分子ガスにさらす熱
酸化工程が広く用いられている。
【０００３】この熱酸化工程では、半導体の酸化過程は
表面より内部に向かって進行し、酸化膜が成長するとと
もに酸化膜と半導体との界面は半導体の内部に移動して
いくことになる。酸化過程における酸化メカニズムは、
酸素分子の半導体基板への吸着と分子から解離してしま
う酸素原子と半導体原子との化学結合からなるが、その
ような化学結合は、酸化膜と半導体との界面付近で生ず
る。そのため、界面が浅い時の初期酸化においては反応
律速となり、反応は急激に進行する。一方、界面が深く
なるにつれて酸素が表面より界面まで拡散し、移動する
必要があるので、酸化反応は酸素の拡散律速となり、酸
化膜の成長が次第に遅くなる。
表面より内部に向かって進行し、酸化膜が成長するとと
もに酸化膜と半導体との界面は半導体の内部に移動して
いくことになる。酸化過程における酸化メカニズムは、
酸素分子の半導体基板への吸着と分子から解離してしま
う酸素原子と半導体原子との化学結合からなるが、その
ような化学結合は、酸化膜と半導体との界面付近で生ず
る。そのため、界面が浅い時の初期酸化においては反応
律速となり、反応は急激に進行する。一方、界面が深く
なるにつれて酸素が表面より界面まで拡散し、移動する
必要があるので、酸化反応は酸素の拡散律速となり、酸
化膜の成長が次第に遅くなる。
【０００４】反応律速である初期酸化過程においては、
酸素の化学吸着が急激に生ずるため、温度による熱的揺
らぎなどにより場所により反応の進行が異なる場合が多
く、他方、その後の酸化膜の成長によって酸化速度が低
下するため、いわば不均一な構造の界面が形成されたま
ま酸化が進行し、最終的に半導体と酸化膜の間に不均一
な界面が形成されてしまう。
酸素の化学吸着が急激に生ずるため、温度による熱的揺
らぎなどにより場所により反応の進行が異なる場合が多
く、他方、その後の酸化膜の成長によって酸化速度が低
下するため、いわば不均一な構造の界面が形成されたま
ま酸化が進行し、最終的に半導体と酸化膜の間に不均一
な界面が形成されてしまう。
【０００５】このようにして形成された酸化膜は、バン
ドギャップ中に界面付近での状態密度を比較的多く含む
ため、例えばＭＯＳトランジスターのゲート絶縁膜に使
用すると、しきい値電圧のばらつきが大きく、半導体装
置の信頼性の低下につながっていた。
ドギャップ中に界面付近での状態密度を比較的多く含む
ため、例えばＭＯＳトランジスターのゲート絶縁膜に使
用すると、しきい値電圧のばらつきが大きく、半導体装
置の信頼性の低下につながっていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、高温にお
いて大気圧で酸化を行う方法では、均一な酸化膜界面の
形成が困難であり、不均一な酸化膜界面が形成されてし
まうため、素子の信頼性が低下するという問題があっ
た。
いて大気圧で酸化を行う方法では、均一な酸化膜界面の
形成が困難であり、不均一な酸化膜界面が形成されてし
まうため、素子の信頼性が低下するという問題があっ
た。
【０００７】本発明は、このような、製造工程から生じ
る素子の信頼性の問題を解決するためになされたもの
で、酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にすること
を可能とする半導体酸化膜の形成方法を提供することを
目的とする。
る素子の信頼性の問題を解決するためになされたもの
で、酸化膜と半導体の界面をより平坦で均一にすること
を可能とする半導体酸化膜の形成方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は、半導体表面を酸素分子ガスとの化学反応
によって酸化し、原子レベルの多層酸化膜を形成する半
導体酸化膜の形成方法において、半導体と反応しないガ
スと酸素分子ガスを含む雰囲気の下で、表面より一層毎
に酸化反応を行い、その一層毎の酸化反応が終了する度
に、半導体と反応しないガスに対する酸素分子ガスの分
圧比若しくは半導体表面の温度、又は双方を、酸化膜の
成長とともに上昇させることを特徴とする半導体酸化膜
の形成方法を提供する。
め、本発明は、半導体表面を酸素分子ガスとの化学反応
によって酸化し、原子レベルの多層酸化膜を形成する半
導体酸化膜の形成方法において、半導体と反応しないガ
スと酸素分子ガスを含む雰囲気の下で、表面より一層毎
に酸化反応を行い、その一層毎の酸化反応が終了する度
に、半導体と反応しないガスに対する酸素分子ガスの分
圧比若しくは半導体表面の温度、又は双方を、酸化膜の
成長とともに上昇させることを特徴とする半導体酸化膜
の形成方法を提供する。
【０００９】上記の如き条件で酸化工程を行うと、酸化
工程の初期の段階においては酸素分圧が低いか、もしく
は半導体表面の温度が低いため、酸化は反応の活性エネ
ルギーが低い、まず第１層まで進行する。その後、酸素
分圧を上げるか、もしくは半導体表面の温度を上げるこ
とにより、やや活性化エネルギーの高い第２層まで酸化
が進行する。このようにして、酸化が初期の段階より一
層ごとに進行するため、酸化膜の成長とともに酸素分子
ガスの分圧比もしくは半導体表面の温度を上げていくこ
とにより、平坦で均一な界面の構造を保ったまま、酸化
膜が成長することになる。
工程の初期の段階においては酸素分圧が低いか、もしく
は半導体表面の温度が低いため、酸化は反応の活性エネ
ルギーが低い、まず第１層まで進行する。その後、酸素
分圧を上げるか、もしくは半導体表面の温度を上げるこ
とにより、やや活性化エネルギーの高い第２層まで酸化
が進行する。このようにして、酸化が初期の段階より一
層ごとに進行するため、酸化膜の成長とともに酸素分子
ガスの分圧比もしくは半導体表面の温度を上げていくこ
とにより、平坦で均一な界面の構造を保ったまま、酸化
膜が成長することになる。
【００１０】本発明の方法による酸化膜の形成に際して
は、まず、原子レベルで平坦な半導体表面を露出させた
後に行うことが望ましい。酸化工程に供される半導体の
表面が平坦でなければ、形成される酸化膜の均一性も、
達成が困難となるからである。
は、まず、原子レベルで平坦な半導体表面を露出させた
後に行うことが望ましい。酸化工程に供される半導体の
表面が平坦でなければ、形成される酸化膜の均一性も、
達成が困難となるからである。
【００１１】また、第１層の酸化膜を形成する酸化工程
を、室温において酸素分圧と酸化時間の積が１０-5Ｔｏ
ｒｒ・分ないし１０-6Ｔｏｒｒ・分の条件で行うことが
望ましい。即ち、酸素分圧が高ければ酸化時間を短く
し、酸素分圧が低ければ酸化時間を長くすることによ
り、原子レベルの酸化膜を、制御性よく形成することが
出来る。
を、室温において酸素分圧と酸化時間の積が１０-5Ｔｏ
ｒｒ・分ないし１０-6Ｔｏｒｒ・分の条件で行うことが
望ましい。即ち、酸素分圧が高ければ酸化時間を短く
し、酸素分圧が低ければ酸化時間を長くすることによ
り、原子レベルの酸化膜を、制御性よく形成することが
出来る。
【００１２】なお、本発明の酸化膜の形成方法は、界面
が浅い初期酸化においては反応律速であるため、反応は
急激に進行することから、反応の進行を抑えるために、
酸素分圧または半導体温度を低くして行い、徐々に成長
の進行とともに酸素分圧または半導体温度を上昇させて
いるが、成長が所定の膜厚まで達して、拡散律速となる
と、酸素分圧または半導体温度の反応に与える影響は少
なくなるため、酸化工程は、一定のガス分圧と一定の温
度のもとで行うことが出来る。
が浅い初期酸化においては反応律速であるため、反応は
急激に進行することから、反応の進行を抑えるために、
酸素分圧または半導体温度を低くして行い、徐々に成長
の進行とともに酸素分圧または半導体温度を上昇させて
いるが、成長が所定の膜厚まで達して、拡散律速となる
と、酸素分圧または半導体温度の反応に与える影響は少
なくなるため、酸化工程は、一定のガス分圧と一定の温
度のもとで行うことが出来る。
【００１３】以上のように、本発明の方法によると、酸
化膜の成長に伴って酸素分子ガスの分圧及び／又は基板
温度を上げていくことにより、層ごとの酸化膜の形成が
可能となり、原子レベルで平坦な界面が形成されて、界
面付近におけるバンドギャップ中の状態密度が大幅に減
少した酸化膜の形成が可能である。従って、本発明の方
法を、例えば、ＭＯＳトランジスターのゲート酸化膜の
形成に適用した場合、しきい値電圧のばらつきが少な
く、均一で安定した動作を行う素子の形成が可能とな
る。
化膜の成長に伴って酸素分子ガスの分圧及び／又は基板
温度を上げていくことにより、層ごとの酸化膜の形成が
可能となり、原子レベルで平坦な界面が形成されて、界
面付近におけるバンドギャップ中の状態密度が大幅に減
少した酸化膜の形成が可能である。従って、本発明の方
法を、例えば、ＭＯＳトランジスターのゲート酸化膜の
形成に適用した場合、しきい値電圧のばらつきが少な
く、均一で安定した動作を行う素子の形成が可能とな
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施形態に係る酸化膜
の形成方法に使用される酸化膜形成装置を示す。この酸
化膜形成装置は、複数の半導体基板１を支持するサセプ
タ２を収容する炉心管３により構成され、この炉心管３
には、雰囲気ガスとして酸素ガス源４と窒素ガス源５か
らの酸素ガスと窒素ガスの混合ガスを導入するガス導入
口６と、ガスを排気するガス排出口７とを備えている。
酸素ガス源４および窒素ガス源５にはバルブ８，９が取
り付けられており、ガス分圧の制御が可能とされてい
る。炉心管３の周囲には、ヒーター１０が配置され、図
示しない温度制御装置により、制御されるようになって
いる。
の形成方法に使用される酸化膜形成装置を示す。この酸
化膜形成装置は、複数の半導体基板１を支持するサセプ
タ２を収容する炉心管３により構成され、この炉心管３
には、雰囲気ガスとして酸素ガス源４と窒素ガス源５か
らの酸素ガスと窒素ガスの混合ガスを導入するガス導入
口６と、ガスを排気するガス排出口７とを備えている。
酸素ガス源４および窒素ガス源５にはバルブ８，９が取
り付けられており、ガス分圧の制御が可能とされてい
る。炉心管３の周囲には、ヒーター１０が配置され、図
示しない温度制御装置により、制御されるようになって
いる。
【００１６】Ｓｉ基板表面の酸化は、図１に示す酸化膜
形成装置を用いて、以下のように行われる。
形成装置を用いて、以下のように行われる。
【００１７】まず、希フッ酸処理した（１００）面を主
面とするＳｉ基板１を炉心管３内に設置し、炉内雰囲気
を窒素ガスのみにして、６００℃に基板温度を上昇させ
る。それによって表面を清浄かつ平坦にした後、基板温
度を室温にまで下げる。これにより、Ｓｉ基板の表面に
は、図２に示すように、Ｓｉ基板の清浄表面の構造が出
現する。
面とするＳｉ基板１を炉心管３内に設置し、炉内雰囲気
を窒素ガスのみにして、６００℃に基板温度を上昇させ
る。それによって表面を清浄かつ平坦にした後、基板温
度を室温にまで下げる。これにより、Ｓｉ基板の表面に
は、図２に示すように、Ｓｉ基板の清浄表面の構造が出
現する。
【００１８】次いで、窒素雰囲気中に１０-5Ｔｏｒｒの
分圧の酸素ガスを混入し、この雰囲気に基板を２分間さ
らす。これにより、図３に示すように、Ｓｉ基板の表面
の第一層のＳｉ原子のバックボンドのすべてに酸素原子
が結合し、第１層の酸化が終了する。
分圧の酸素ガスを混入し、この雰囲気に基板を２分間さ
らす。これにより、図３に示すように、Ｓｉ基板の表面
の第一層のＳｉ原子のバックボンドのすべてに酸素原子
が結合し、第１層の酸化が終了する。
【００１９】その後、基板温度を１０分間で５００℃ま
で上昇させ、この温度のまま１０分間維持する。この操
作により、図４に示すように、Ｓｉ基板の表面より第２
層までが完全に酸化する。
で上昇させ、この温度のまま１０分間維持する。この操
作により、図４に示すように、Ｓｉ基板の表面より第２
層までが完全に酸化する。
【００２０】その後、酸素ガスの分圧を１０-3Ｔｏｒｒ
まで上げ、１０分間で７００℃まで上昇させ、この温度
のまま１０分間維持させると、図５に示すように、Ｓｉ
基板の表面より第３層までが完全に酸化する。
まで上げ、１０分間で７００℃まで上昇させ、この温度
のまま１０分間維持させると、図５に示すように、Ｓｉ
基板の表面より第３層までが完全に酸化する。
【００２１】その後、酸素分圧を大気圧と同じレベルに
まで上げ、基板温度を８５０℃にまで上げて３０分間さ
らすと、酸化反応は拡散律速となり、均一な界面構造を
保ったまま酸化が進行し、界面構造が原子レベルで平坦
な構造の５０オングストロームの膜厚のシリコン酸化膜
が形成される。
まで上げ、基板温度を８５０℃にまで上げて３０分間さ
らすと、酸化反応は拡散律速となり、均一な界面構造を
保ったまま酸化が進行し、界面構造が原子レベルで平坦
な構造の５０オングストロームの膜厚のシリコン酸化膜
が形成される。
【００２２】なお、本実施例では、ある特定の条件で酸
素分圧を上昇させ、基板温度を上昇させていったが、こ
れらの組み合わせ方は、酸化反応が原子レベルで層ごと
に生ずるものである限り、極めて多くの種類の組み合わ
せ方が可能である。
素分圧を上昇させ、基板温度を上昇させていったが、こ
れらの組み合わせ方は、酸化反応が原子レベルで層ごと
に生ずるものである限り、極めて多くの種類の組み合わ
せ方が可能である。
【００２３】さらに、本実施例では、酸化膜の成長とと
もに酸素分圧、基板温度をともに上昇させているが、一
定温度のまま酸化膜の成長とともに酸素分圧のみを上昇
させても、層ごとの酸化反応が可能であり、また、酸素
分圧を一定にしたまま酸化膜の成長とともに基板温度だ
けを上昇させても、同様に層ごとの酸化反応が可能であ
る。
もに酸素分圧、基板温度をともに上昇させているが、一
定温度のまま酸化膜の成長とともに酸素分圧のみを上昇
させても、層ごとの酸化反応が可能であり、また、酸素
分圧を一定にしたまま酸化膜の成長とともに基板温度だ
けを上昇させても、同様に層ごとの酸化反応が可能であ
る。
【００２４】また、窒素ガスの代わりに半導体と反応し
ない限りにおいて、他のガス種、例えばアルゴン等の不
活性ガスを用いることが出来る。また、半導体として
は、シリコン基板以外にも、酸化反応を起こすあらゆる
半導体の酸化膜の形成に応用することができる。
ない限りにおいて、他のガス種、例えばアルゴン等の不
活性ガスを用いることが出来る。また、半導体として
は、シリコン基板以外にも、酸化反応を起こすあらゆる
半導体の酸化膜の形成に応用することができる。
【００２５】以上説明した酸化膜形成方法は、図６に示
すようなＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜の形成に適用する
ことが出来る。即ち、図６に示すように、シリコン基板
１１にフィールド酸化膜１２を形成し、このフィールド
酸化膜１２により分離された素子領域表面に、ゲート酸
化膜１３およびゲート電極１４を形成し、イオン注入に
よりソース領域１５ａおよびドレイン領域１５ｂを形成
して、ＭＯＳＦＥＴが得られる。この場合、膜厚５０オ
ングストロームのゲート酸化膜１３を本発明の酸化膜形
成方法により形成することが出来る。
すようなＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜の形成に適用する
ことが出来る。即ち、図６に示すように、シリコン基板
１１にフィールド酸化膜１２を形成し、このフィールド
酸化膜１２により分離された素子領域表面に、ゲート酸
化膜１３およびゲート電極１４を形成し、イオン注入に
よりソース領域１５ａおよびドレイン領域１５ｂを形成
して、ＭＯＳＦＥＴが得られる。この場合、膜厚５０オ
ングストロームのゲート酸化膜１３を本発明の酸化膜形
成方法により形成することが出来る。
【００２６】このようにして形成されたゲート酸化膜１
３は、その界面が極めて均一であり、その結果得られた
ＭＯＳＦＥＴは、しきん値電圧のばらつきが少なく、安
定した特性を示す。
３は、その界面が極めて均一であり、その結果得られた
ＭＯＳＦＥＴは、しきん値電圧のばらつきが少なく、安
定した特性を示す。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
ると、酸化膜の成長に伴って酸素分子ガスの分圧および
／または基板温度を上げていくことにより、原子レベル
での一層ごとの酸化膜の形成が可能となり、その結果、
原子レベルで平坦な界面を有する酸化膜を形成すること
が出来る。かかる酸化膜は、界面付近におけるバンドギ
ャップ中の状態密度が大幅に減少しており、例えば、Ｍ
ＯＳトランジスターのゲート酸化膜として適用した場
合、しきい値電圧にばらつきの少なく均一で安定した動
作を行う素子の形成が可能となる。
ると、酸化膜の成長に伴って酸素分子ガスの分圧および
／または基板温度を上げていくことにより、原子レベル
での一層ごとの酸化膜の形成が可能となり、その結果、
原子レベルで平坦な界面を有する酸化膜を形成すること
が出来る。かかる酸化膜は、界面付近におけるバンドギ
ャップ中の状態密度が大幅に減少しており、例えば、Ｍ
ＯＳトランジスターのゲート酸化膜として適用した場
合、しきい値電圧にばらつきの少なく均一で安定した動
作を行う素子の形成が可能となる。
【００２８】なお、本発明は、一般に常圧雰囲気下で実
施できるので、真空を得るための排気手段等が不要であ
り、簡単な装置を用いて、低いコストで実施することが
出来るという利点もある。
施できるので、真空を得るための排気手段等が不要であ
り、簡単な装置を用いて、低いコストで実施することが
出来るという利点もある。
【図１】本発明の一実施例に用いる酸化膜形成装置を概
略的に示す図。
略的に示す図。
【図２】本発明の一実施例における初期酸化の前のシリ
コン基板の原子構造を示す図。
コン基板の原子構造を示す図。
【図３】本発明の一実施例における第１層目の酸化が終
了したシリコン酸化膜の原子構造を示す図。
了したシリコン酸化膜の原子構造を示す図。
【図４】本発明の一実施例における第２層目の酸化が終
了したシリコン酸化膜の原子構造を示す図。
了したシリコン酸化膜の原子構造を示す図。
【図５】本発明の一実施例における第３層目の酸化が終
了したシリコン酸化膜の原子構造を示す図。
了したシリコン酸化膜の原子構造を示す図。
【図６】本発明の方法により形成されたゲート酸化膜を
有するＭＯＳＦＥＴを示す断面図。
有するＭＯＳＦＥＴを示す断面図。
１…半導体基板 ２…サセプタ ３…炉心管 ４…酸素ガス源 ５…窒素ガス源 ６…ガス導入口 ７…ガス排出口 ８，９…バルブ １０…ヒーター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−181072（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−267281（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/316 H01L 29/78
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体表面を酸素分子ガスとの化学反応
によって酸化し、原子レベルの多層酸化膜を形成する半
導体酸化膜の形成方法において、半導体と反応しないガ
スと酸素分子ガスを含む雰囲気の下で、表面より一層毎
に酸化反応を行い、その一層毎の酸化反応が終了する度
に、半導体と反応しないガスに対する酸素分子ガスの分
圧比若しくは半導体表面の温度、又は双方を、酸化膜の
成長とともに上昇させることを特徴とする半導体酸化膜
の形成方法。 - 【請求項２】 原子レベルで平坦な半導体表面を露出さ
せた後に、半導体表面の酸化反応を開始する請求項１に
記載の半導体酸化膜の形成方法。 - 【請求項３】 第１層の酸化膜を形成する酸化工程を、
室温において酸素分圧と酸化時間の積が１０-5Ｔｏｒｒ
・分ないし１０-6Ｔｏｒｒ・分の条件で行うことを特徴
とする請求項１に記載の半導体酸化膜の形成方法。 - 【請求項４】 第２層以降の酸化膜を形成する酸化工程
は、半導体基板の温度若しくは酸素分圧又は双方を、前
段階の酸化工程より高くして行うことを特徴とする請求
項１に記載の半導体酸化膜の形成方法。 - 【請求項５】 酸化膜の膜厚が、酸化反応が酸素分子の
拡散速度により制限される大きさに到達した後に、酸化
工程を一定のガス分圧と一定の温度のもとで行うことを
特徴とする請求項１に記載の半導体酸化膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8162898A JP2880993B1 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体酸化膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8162898A JP2880993B1 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体酸化膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2880993B1 true JP2880993B1 (ja) | 1999-04-12 |
| JPH11283977A JPH11283977A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13751608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8162898A Expired - Fee Related JP2880993B1 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 半導体酸化膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2880993B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4123961B2 (ja) | 2002-03-26 | 2008-07-23 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP8162898A patent/JP2880993B1/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11283977A (ja) | 1999-10-15 |
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