KR910019118A - 반도체 웨이퍼 상에 규화 티타늄을 형성시키는 공정 집적시스템 - Google Patents
반도체 웨이퍼 상에 규화 티타늄을 형성시키는 공정 집적시스템 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 방법을 수행하기에 적합한 장치의 평면도, 제3도는 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 규화 티타늄의 부분 수직 단면도.
Claims (10)
- 실리콘 반도체 웨이퍼 상에 전도성 규화티타늄층을 형성시키는 방법이 있어서, a) 진공쳄버 내에서 산소 및/또는 산소함유 가스가 없이 상기 웨이퍼 위에 티타늄층을 형성시키는 단계; b) 새로이 형성된 티타늄층을 산소 및/또는 산소함유 가스에 노출시키지 않으면서 티타늄 피복된 웨이퍼를 밀폐된 어닐링챔버로 이동시키는 단계;및 c)웨이퍼 표면에로의 기초 실리콘의 이동을 억제하는, 웨이퍼 표면상에 질화 티타늄 및 규화티타늄층을 형성하기 위해 상기 밀폐된 어닐링쳄버 내에서 질소함유 분위기로 및 산소 및/또는 산소함유 가스가 없이 상기 티타늄 피복된 반도체 웨이퍼를 어닐링시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 웨이퍼를 진공증착챔버와 밀폐된 어닐링챔버에 상호 연결된 밀폐된 중앙챔버를 통해 진공증착챔버로부터 밀폐된 어닐링챔버로 이동시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 밀폐된 중앙챔버를 약 10-9내지 10-5토르의 압력에 유지시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 티타늄 증착단계 전에 실리콘 웨이퍼 표면으로부터 산화물 및 다른 재료를 제거하기 위해 상기 세척된 웨이퍼를 세척챔버 내에서 세척시키는 단계; 및 상기 세척된 웨이퍼를 산소 및 하나 이상의 산소함유 가스에 노출시키지 않으면서 상기 세척된 웨이퍼를 세척챔버 및 진공증착챔버에 상호 연결된 밀폐된 중앙챔버를 통해 세척챔버로부터 진공증착챔버로 이동시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 세척단계가, NF3, 1-2 탄소불화 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택한 약 2내지 500sccm 반응가스 및 약 10 내지 1000sccm 운반가스의 하나 이상의 반응가스를 갖는 가스혼합물을 세척챔버 내로 흘림으로써 세척챔버 내를 고주파 플라즈마로 유지시키고, 상기 플라즈마를 약 1 내지 500초 동안 20 내지 500와트의 전력으로 유지시키면서 상기 가스혼합물을 사용하여 상기 웨이퍼를 세척시키는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 어닐링단계가 상기 웨이퍼의 온도를 약15℃/초 내지 150℃/초의 비율로 상승시킴으로써 약 20내지 60초동안 약 600 내지 695℃의 온도에서 제1어닐링단계로 행해짐을 특징으로 하는 방법.
- 실리콘 반도체 웨이퍼 상에 규화티타늄을 형성시키는 방법에 있어서 a) 규화티타늄이 형성되어질 하나 이상의 실리콘 영역을 갖는 실리콘 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계, b) 고주파 플라즈마 및 하나 이상의 반응가스를 갖는 가스혼합물을 사용하여 상기 웨이퍼를 밀폐된 세척챔버 내에서 세척시키는 단계; c) 상기 세척된 웨이퍼를 상기 진공증착챔버 및 세척챔버에 연결된 밀폐된 중앙챔버를 통해 이동시킴으로써 상기 세척된 웨이퍼를 산소 및/또는 산소함유 가스에 노출시키지 않으면서 진공증착챔버로 이동시키는 단계; d) 산소 및/또는 산소함유 가스가 없이 상기 진공증착챔버 내에서 상기 세척된 웨이퍼 웨이 티타늄층을 형성시키는 단계; e) 상기 웨이퍼를 상기 진공증착챔버 및 밀폐된 어닐링챔버에 상호 연결된 밀폐된 어닐링챔버를 통해 이동시킴으로서 새로이 형성된 티타늄층을 산소 및 또는 산소함유 가스에 노출시키지 않으면서 티타늄 피복된 챔버를 어닐링 챔버로 이동시키는 단계; 및 f)반도체표면에로의 기초 실리콘의 이동을 억제하는, 반도체표면 상에 상기 규화티타늄 및 질화티타늄을 형성하기 위해 상기 어닐링챔버 내 질소함유 분위기로 및 산소 및/또는 산소함유 가스가 없이 상기 티타늄 피복된 실리콘 반도체 웨이퍼를 어닐링시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 세척단계가 약 1내지 500초동안 약 20내지 500와트 전력으로 상기 플라즈마를 유지시키고, 상기 세척챔버를 약 1내지 50밀리토르의 압력 및 약 27내지 200℃의 온도를 유지시키면서, 약2내지 500sccm의 반응가스 및 약10내지 1000sccm의 운반가스의 비율로 NF3, 1-2탄소 불화 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택한 하나 이상의 반응가스를 갖는 가스혼합물을 세척챔버로 흘리는 단계를 더 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 어닐링단계가 약 100밀리토르 내지 80토르의 압력으로 상기 어닐링 챔버내 질소함유 분위기를 유지시키고 상기 어닐링챔버 내에 약 500 내지 10,000sccm의 비율로 하나 이상의 질소함유 가스를 흘리면서, 약5℃/초 내지 150℃/초의 비율로 상기 웨이퍼의 온도를 상승시킴으로써 약20내지 60초동안 약 650내지 675℃의 어닐링온도에서의 제1단계로 행해짐을 특징으로 하는 방법.
- 실리콘 반도체 웨이퍼 상에 규화티타늄을 형성시키는 방법에 있어서, a) 그 위에 규화티타늄이 형성되는 하나 이상의 실리콘 영역을 갖는 실리콘 반도체 웨이퍼를 제공하는 단계; b) 약 1내지 500초동안 약 20내지 500와트의 전력으로 플라즈마를 유지시키고 약27내지 200℃의 온도 및 약1내지 50밀리트로의 압력으로 세척챔버를 유지시키면서, 약 2내지 500sccm의 반응가스 및 약 10내지 1000sccm의 운반가스의 비율로 NF3, 1-2탄소 불화 탄화수소 및 이들의 혼합물로 이루어지는 그룹으로부터 선택한 하나 이상의 반응가스를 갖는 가스혼합물을 세척챔버로 흘림에 의한 하나 이상의 반응가스를 갖는 가스혼합물과 고주파 플라즈마를 사용하여 상기 웨이퍼를 밀폐된 세척챔버 내에서 세척시키는 단계; c) 상기 세척된 웨이퍼를 진공증착챔버 및 세척챔버에 상호 연결된 밀폐된 중앙챔버를 통해 이동시킴으로써 상기 세척된 웨이퍼를 산소 및/또는 산소함유 가스에 노출시키지 않으면서 세척된 웨이퍼를 진공증착챔버로 이동시키는 단계; d) 산소 및/또는 산소함유 가스가 없이 상기 진공증착챔버 내에 세척된 챔버 위에 티타늄층을 형성시키는 단계; e) 티타늄 피복된 웨이퍼를 진공증착챔버 및 밀폐된 어닐링챔버에 상호 연결된 밀폐된 중앙챔버를 통해 이동시킴으로써 새로이 형성된 티타늄층을 산소 및/또는 산소함유 가스에 노출시키지 않으면서 상기 티타늄 피복된 웨이퍼를 어닐링챔버로 이동시키는 단계; 및 f) 웨이퍼 표면 상에 웨이퍼 표면에로의 기초실리콘의 이동을 억제하는 규화티타늄 및 질화티타늄을 형성하기 위해 어닐링챔버내 질소함유 분위기로 및 산소 및/또는 산소함유 가스가 없이 상기 티타늄 피복된 실리콘 반도체 웨이퍼를 어닐링시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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