KR970008333A - 화학 증착(cvd) 장치로부터 잔류물을 세척하기 위한 방법 - Google Patents

화학 증착(cvd) 장치로부터 잔류물을 세척하기 위한 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 화학 증착 장치(10)로부터 잔류물을 세척하는 방법을 제공한다. 본 방법(100)은 N2, C2F6, 및 O2와 같은 세척 가스를 챔버(12)내로 유입하고, 이 세척 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 본 발명은 잔류물과 적어도 하나의 세척 가스로부터 휘발성 생성물을 형성함으로써 챔버(12)의 내면으로부터 잔류물을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

화학 증착(CVD) 장치로부터 잔류물을 세척하기 위한 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 CVD 장치의 개략도.

Claims (34)

  1. 증착 장치로부터 잔류물을 세척하기 위한 벙법에 있어서, 질소 함유 화합물과 플루오린 함유 화합물을 포함하는 세척 가스를 챔버내로 유입하고, 상기 세척 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계; 및 상기 잔류물과 상기 세척 가스중 하나와의 상호작용에 의해 형성된 잔류물의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 질소 함유 화합물은 N2, NF3및 N2O로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 세척 가스는 O2를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플루오린 함유 화합물은 CF4, C2F6, C3F8및 SF6로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 세척 가스는 O2를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 화학 증착 장치의 내면으로부터 잔류물을 세척하기 위한 방법에 있어서, N2, C2F6, N2를 포함하는 세척 가스를 챔버내로 유입하고, 상기 세척 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계; 및 상기 잔류물과 상기 세척 가스중 하나와의 상호작용에 의해 형성된 잔류물의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 챔버는 약 2내지 6토르의 압력을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 챔버는 약 300내지 500℃의 서셉터 온도를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 상기 N2는 약 20내지 500sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 상기 C2F6는 약 200내지 5,000sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제6항에 있어서, 상기 O2는 약 200내지 5,000sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제6항에 있어서, 상기 챔버는 약 700내지 2,000와트의 라디오 주파수 파워를 갖는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제6항에 있어서, 부분적으로 완성된 반도체 웨이퍼를 상기 챔버내로 유입하는 단계; 상기 부분적으로 완성된 웨이퍼 위에 실리콘 디옥사이드층을 형성하는 단계; 상기 챔버로부터 상기 부분적으로 완성된 웨이퍼를 제거하는 단계; 및 적어도 두개의 부분적으로 완성된 웨이퍼에 대하여 상기 유입단계, 형성단계 및 제거단계를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제6항에 있어서, 부분적으로 완성된 반도체 웨이퍼를 상기 챔버내로 유입되하는 단계; 상기 부분적으로 완성된 웨이퍼 위에 실리콘 디옥사이드층을 형성하는 단계; 상기 챔버로부터 상기 부분적으로 완성된 웨이퍼를 제거하는 단계; 및 적어도 다섯개의 부분적으로 완성죈 웨이퍼에 대하여 상기 유입단계, 형성단계 및 제거단계를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 집적회로를 제조하기 위한 방법에 있어서, 웨이퍼를 챔버내로 유입하는 단계, 상기 웨이퍼 위에 실리콘 디옥사이드층을 형성하기 위하여 가스를 상기 챔버내로 유입하는 단계를 포함하는데, 상기 가스는 상기 챔버의 내면상에 잔류물을 형성하며; 상기 웨이퍼를 제거하는 단계; N2, C2F6, 및 O2를 포함하는 세척 가스를 챔버내로 유입하고, 상기 세척 가스로부터 플라즈마를 형성하는 단계; 및 상기 잔류물과 상기 세척 가스중 하나와의 상호작용에 의해 형성된 잔류물의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 챔버는 약 2내지 6토르의 압력으로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 챔버는 약 300내지 500℃의 서셉터 온도를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 N2는 약 250내지 350sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 C2F6는 약 550내지 650sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 O2는 약 550내지 650sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 챔버는 약 700내지 2,000와트의 라디오 주파수 파워에 접속된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 집적회로 장치를 제조하기 위한 방법에 있어서, (a) 화학 증착용 챔버를 제공하는 단계; (b) 웨이퍼를 상기 챔버내로 유입하는 단계; (c) 상기 웨이퍼 위에 실리콘 디옥사이드층을 형성하기 위하여 가스를 상기 챔버내로 유입하는 단계를 포함하는데, 상기 가스는 상기 챔버의 내면상에 잔류물을 형성하며; (d) 상기 웨이퍼를 제거하는 단계; (e) 하나 이상의 웨이퍼에 대하여 상기 단계(a) 내지 (d)를 반복하는 단계; (f) N2, C2F6, 및 O2를 포함하는 챔버 세척 가스내로 유입하는 단계; 및 (g) 상기 잔류물과 상기 세척 가스의 하나와의 상호작용에 의하여 형성된 상기 잔류물의 휘발성 생성물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 단계(e)는 2개의 웨이퍼에 대하여 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제22항에 있어서, 상기 단계(e)는 5개의 웨이퍼에 대하여 실행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제22항에 있어서, 상기 챔버는 약 2내지 6토르의 압력을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제22항에 있어서, 상기 챔버는 약 300내지 500℃의 서셉터 온도를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제22항에 있어서, 상기 N2는 약 250내지 350sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제22항에 있어서, 상기 C2F6는 약 550내지 650sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제22항에 있어서, 상기 O2는 약 550내지 650sccm의 유동율로 제공되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 제22항에 있어서, 상기 챔버는 약 700내지 2,000와트의 라디오 주파수 파워에 접속된 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 집적회로를 제조하기 위한 장치에 있어서, 잔류물을 포함하는 내면을 갖는 챔버; 플루오린 함유 화합물과 질소 함유 화합물을 포함하는 세척 가스를 유입하기 위하여 상기 챔버내에 장착된 가스 분배 수단; 상기 세척 가스로부터 플라스마를 형성하기 위하여 상기 챔버에 장착된 파워 소스; 및 상기 잔류물과 상기 세척 가스중 하나와의 상호작용에 의하여 형성된 상기 잔류물의 휘발성 생성물을 제거하기 위하여 상기 챔버에 장착된 배출관을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  32. 제31항에 있어서, 상기 질소 함유 화합물은 N2, NF3, 및 N2O로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  33. 제31항에 있어서, 상기 플루오린 함유 화합물은 CF4, C2F6, C3F|8, 및 SF6로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
  34. 제31항에 있어서, 상기 세척 가스는 O2를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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