JP2005142198A - クリーニングガス及びクリーニング方法 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 142
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 50
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 claims abstract description 14
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 66
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 37
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 17
- 230000009471 action Effects 0.000 description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 12
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 6
- PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene oxide Chemical compound FC(F)(F)C1(F)OC1(F)F PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 5
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005108 dry cleaning Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 2
- LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4,4-hexafluorobuta-1,3-diene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)=C(F)F LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N octafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004065 perflutren Drugs 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000036632 reaction speed Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
【課題】 フルオロカーボンガスを含むクリーニングガスにおけるエッチング反応の速度向上を図り、クリーニング効果を高めることができるクリーニングガス及びこのクリーニングガスを使用したクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 一般式ＣｖＨｘＦｙＯｚ（式中、ｖは１〜５の整数、ｘは０又は１〜３の整数、ｙは１以上の整数、ｚは０又は１である。）で示されるフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスに、三フッ化窒素、フッ素、亜酸化窒素、窒素、希ガスの少なくとも１種のガスを、総ガス量の１０％以下の範囲で添加する。
【選択図】 図３
【解決手段】 一般式ＣｖＨｘＦｙＯｚ（式中、ｖは１〜５の整数、ｘは０又は１〜３の整数、ｙは１以上の整数、ｚは０又は１である。）で示されるフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスに、三フッ化窒素、フッ素、亜酸化窒素、窒素、希ガスの少なくとも１種のガスを、総ガス量の１０％以下の範囲で添加する。
【選択図】 図３
Description
本発明は、クリーニングガス及びクリーニング方法に関し、詳しくは、半導体デバイスの加工装置、表面改質装置、薄膜生成装置等の半導体膜形成装置の内部に堆積したシリコン酸化膜等の堆積物を除去するためのドライクリーニングに用いるクリーニングガスの組成及びこのクリーニングガスを使用したクリーニング方法に関する。
半導体デバイスの加工装置、表面改質装置、薄膜生成装置等の半導体膜形成装置では、装置内（チャンバー内）に堆積した堆積物、例えばシリコン酸化物を除去するため、フルオロカーボンガスを含むクリーニングガスをプロセスチャンバーに導入し、プロセスチャンバー内でプラズマを生成することによって堆積物を除去（エッチング）するドライクリーニングが行われている。このとき使用されるクリーニングガスは、フルオロカーボンガスのみで行われることもあるが、通常は、このフルオロカーボンガスを酸素や希ガスによって１０倍〜３０倍に希釈したものが用いられている（例えば、特許文献１参照。）。
特許第２９０４７２３号公報
前記フルオロカーボンガスの多くは、地球温暖化能（ＧＷＰ）が極めて高いガスが多く、使用量を削減することや、消費プロセスにおいて使用後には分解除去して排出することが必要とされている。したがって、プロセス特性が同等レベルであれば、より、消費量を減らした効率的な使用方法が必要とされている。
一方、同じフルオロカーボンガス類において、分子内に二重結合を有する不飽和フルオロカーボンガスや、分子内に酸素原子を有する化合物の場合は、大気中に放出されても速やかに分解されるため、地球温暖化能は、飽和フルオロカーボンガスに比較して大幅に低くなることが知られている。
これら低大気寿命のフルオロカーボンガスは、Ｃ２Ｆ４、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ６Ｏに代表され、テフロン（登録商標）等のフルオロカーボン系樹脂を製造する原料となり、化学産業において極めて大量に使用されているため、半導体プロセス用ガスとして、発生を目的に新規に合成を行うことなく得ることが可能であり、エネルギー効率としても優位である。
しかしながら、これら低大気寿命のフルオロカーボンガスは、ポリマー化反応が進行し易いため、シリコン酸化膜等をクリーニングする際のエッチング速度が一般に遅くなるという問題がある。エッチング速度の低下は、クリーニングプロセスにおいて、チャンバー内堆積物の除去時間、除去効率として問題になるもので、一般には、プロセス性能を維持しながら時間を短縮することが必要とされている。
そこで本発明は、フルオロカーボンガスを含むクリーニングガスにおけるエッチング反応の速度向上を図り、クリーニング効果を高めることができるクリーニングガス及びこのクリーニングガスを使用したクリーニング方法を提供することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明のクリーニングガスは、半導体膜形成装置の内部に堆積した堆積物を除去するためのクリーニングガスであって、一般式ＣｖＨｘＦｙＯｚ（式中、ｖは１〜５の整数、ｘは０又は１〜３の整数、ｙは１以上の整数、ｚは０又は１である。）で示されるフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスに、三フッ化窒素、フッ素、亜酸化窒素、窒素、希ガスの少なくとも１種のガスを、総ガス量の１０％以下の範囲で添加したことを特徴とし、特に、前記フルオロカーボンガスの分子内に二重結合を有していることを特徴としている。
また、本発明のクリーニング方法は、半導体膜形成装置の内部に堆積した堆積物を除去するためのクリーニング方法であって、一般式ＣｖＨｘＦｙＯｚ（式中、ｖは１〜５の整数、ｘは０又は１〜３の整数、ｙは１以上の整数、ｚは０又は１である。）で示されるフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスに、三フッ化窒素、フッ素、亜酸化窒素、窒素、希ガスの少なくとも１種のガスを、総ガス量の１０％以下の範囲で添加したクリーニングガスを前記半導体製造装置内に導入するとともに、高周波を印加して前記クリーニングガスをプラズマ化することを特徴としている。
本発明によれば、半導体膜形成装置の内部に堆積したシリコン酸化膜等の堆積物の除去を、地球温暖化物質の排出を抑制しながら高速で行うことができる。
本発明のクリーニングガスに使用されるフルオロカーボンガスは、前述のように、一般式ＣｖＨｘＦｙＯｚ（式中、ｖは１〜５の整数、ｘは０又は１〜３の整数、ｙは１以上の整数、ｚは０又は１である。但し、ｙの値は、ｖ、ｘ、ｚの値及び分子構造によって一義的に決まる値である。）で示されるものであって、具体的には、四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、八フッ化プロパン（Ｃ３Ｆ８）、環状八フッ化ブタン（Ｃ４Ｆ８）、六フッ化プロペン（Ｃ３Ｆ６）、環状八フッ化ペンテン（Ｃ５Ｆ８）、六フッ化ブタジエン（Ｃ４Ｆ６）、六フッ化プロペン酸化物（Ｃ３Ｆ６Ｏ）、三フッ化メタン（ＣＨＦ３）、五フッ化エタン（Ｃ２ＨＦ５）等を挙げることができる。中でも、分子内に二重結合を有するフルオロカーボンガスである六フッ化プロペン等や、分子内に酸素原子を含む六フッ化プロペン酸化物等が好適である。
分子内に二重結合を有するフルオロカーボンガス（不飽和フルオロカーボンガス）は、一般に、エッチング速度が遅いとされているが、分子内の二重結合に付加反応するラジカルを反応環境へ供給することにより、エッチング速度を高めることができる。不飽和フルオロカーボン分子内の二重結合は、結合解離エネルギーとしては高く、プラズマ中でも分解効率は低いが、化学的には反応性が高いといえ、様々なラジカルと極めて高速に反応する。この性質を利用し、反応アシストの作用を持つガスを、プロセス全体に与える影響を最小限に留められる程度に添加することにより、エッチング反応に寄与する活性種を生成し易い反応環境を得ることができる。さらに、放電開始電圧の低いガスを微量添加することにより、より効率的なプラズマを素早く形成することが可能となり、より高密度の活性種を生成することが可能となる。
このようなフルオロカーボンガスをクリーニングガスとして用いる際には、これらのフルオロカーボンガスと酸素ガスとの混合ガスに、クリーニング速度（エッチング速度）を高める作用（反応アシスト作用）を有するガスを少量添加する。なお、フルオロカーボンガスと酸素ガスとの混合割合は、任意であり、フルオロカーボンガスの種類に応じて適当に選択することができる。
前記反応アシスト作用を持つ添加ガスは、プラズマ中でラジカルを生成し易いガスや、放電開始電圧の低いガスであって、プラズマ中でラジカルを生成し易いガスとしては、エッチング反応に寄与するＦラジカル、Ｏラジカル、Ｎラジカルを生成し易いガスを指し、具体的には、三フッ化窒素、フッ素、亜酸化窒素を挙げることができ、放電開始電圧の低いガスの具体例としては、窒素や希ガス（ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン）を挙げることができる。
図１は、フルオロカーボンガスである六フッ化エタン及び六フッ化プロペンと、クリーニングガス中に含まれる酸素と、三フッ化窒素、フッ素及び亜酸化窒素とにおける結合解離エネルギーを示す図である。フルオロカーボンガスや酸素ガスに比べて高解離性ガスである三フッ化窒素、フッ素及び亜酸化窒素の結合解離エネルギーは、フルオロカーボンガスに比較して大幅に低く、効率的なラジカル生成が可能である。例えば、六フッ化プロペンに対して三フッ化窒素等の高解離性ガスを少量添加することにより、プラズマ中で三フッ化窒素から生成したＦラジカルが六フッ化プロペンの二重結合に付加反応し、ＣｖＦｙラジカルが生成し易くなる。ＣｖＦｙラジカルは、エッチング反応を推進するために不可欠な活性種であり、エッチング反応は、三フッ化窒素を添加しない場合よりも大幅に進行し易くなる。
また、例えば、六フッ化プロペンを単独で使用した場合、分子内の結合が解離してラジカルが生成する反応と、結合組替え反応によって環状六フッ化プロペンが生成する反応との二つの反応が競合して進行することが考えられる。ラジカル生成反応は、シリコン酸化膜エッチングの直接的な活性種であるＦラジカルの前駆体生成反応と言え、エッチング反応に寄与する反応となるが、環状六フッ化プロペンを生成する反応は、エッチング反応に寄与しない反応となるため、環状六フッ化プロペンの生成反応を抑止することは極めて重要である。微量の三フッ化窒素を添加することにより、より多くのＦラジカルを反応環境に供給することは、瞬間的には六フッ化プロペンにＦラジカルが付加したＣ３Ｆ７ラジカルを多く生成することとなり、したがって、環状六フッ化プロペンの生成反応を実質的に抑止する効果をもたらす。
この他のフルオロカーボンガスの場合にも、反応アシスト作用を有するガス（添加ガス）を少量添加することは、反応系全体の化学組成を大きく変化させずに放電開始電圧を低減させたり、励起分子やラジカルといったエッチング活性種密度を高くするものであり、エッチング反応、すなわち、クリーニングを進行させ易くするものと考えられる。反応アシスト作用を有する添加ガスの添加量は、クリーニングガスとして使用する際の総ガス量の１０％以下とする。この添加ガスをクリーニングガス中に多く添加し過ぎると、反応系全体の化学組成が大きく変化してしまうため、好ましくない。
なお、三フッ化窒素やフッ素を単独でクリーニングガスに使用してもエッチング反応は進行するが、これらのガスを前述のフルオロカーボンガスに少量添加する濃度領域では、これらのガス単独でのエッチング性能よりも、より高いエッチング反応速度増加効果が現れる。
このようなクリーニングガスは、半導体製造装置内に導入する際に、フルオロカーボンガス、酸素ガス及び添加ガスを、それぞれ質量流量計によって各ガスの流量を調整して混合するようにしてもよく、あらかじめ高圧ガス容器等に混合された状態で充填したクリーニングガスを用いることもできる。また、クリーニングガスが導入されるプロセスチャンバー内では、高周波（１３．５６ＭＨｚ）が印加され、ガスはプラズマ化してエッチング反応が生じる。
各種組成のクリーニングガスを使用してクリーニング性能を評価した。クリーニング性能の評価は、平行平板型プラズマ装置を用い、シリコン酸化膜のエッチング速度を測定することにより行った。クリーニング時の条件は、シリコン酸化膜厚：６０００Ａ（６００ｎｍ）、高周波電力：７００Ｗ、チャンバー内圧力：５．５Ｔｏｒｒ（約７３３Ｐａ）、基板温度：４００℃、総ガス流量：４００ｓｃｃｍとした。
比較例１
三フッ化窒素と酸素との混合ガスをクリーニングガスとして使用した。三フッ化窒素の濃度とエッチング速度との関係を測定した結果を図２に示す。図から明らかなように、シリコン酸化膜のエッチング速度は、三フッ化窒素の濃度に比例して直線的に増加する傾向となった。
三フッ化窒素と酸素との混合ガスをクリーニングガスとして使用した。三フッ化窒素の濃度とエッチング速度との関係を測定した結果を図２に示す。図から明らかなように、シリコン酸化膜のエッチング速度は、三フッ化窒素の濃度に比例して直線的に増加する傾向となった。
比較例２
フルオロカーボンガスである六フッ化プロペン、六フッ化エタン及び六フッ化プロペン酸化物のそれぞれと酸素との混合ガスをクリーニングガスとして使用した。各フルオロカーボンガスの濃度とエッチング速度との関係を測定した結果を図３に示す。
フルオロカーボンガスである六フッ化プロペン、六フッ化エタン及び六フッ化プロペン酸化物のそれぞれと酸素との混合ガスをクリーニングガスとして使用した。各フルオロカーボンガスの濃度とエッチング速度との関係を測定した結果を図３に示す。
図３から、シリコン酸化膜のエッチング速度は、六フッ化プロペンの場合には濃度が１５〜２０％で極大となる傾向となった。また、六フッ化エタンは六フッ化プロペンよりも約２倍速く、六フッ化プロペン酸化物も六フッ化プロペンよりも約１．７倍速かった。六フッ化プロペンと六フッ化エタンとを比較すると、結合解離エネルギーは略同等であり、１分子内のＦ原子数も同じであることから、エッチング速度の違いは極めて大きい差であるといえ、この差は、プラズマ中における反応過程による違いであると考えられる。
実施例１
六フッ化プロペンと酸素ガスとの混合ガスに三フッ化窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。六フッ化プロペンと酸素の混合比は、６０ｓｃｃｍ：３４０ｓｃｃｍ（六フッ化プロペン濃度：１５％）をベースとし、三フッ化窒素を添加したときは、その添加量に相当する分だけ酸素量を下げた。三フッ化窒素の添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図４に示す。
六フッ化プロペンと酸素ガスとの混合ガスに三フッ化窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。六フッ化プロペンと酸素の混合比は、６０ｓｃｃｍ：３４０ｓｃｃｍ（六フッ化プロペン濃度：１５％）をベースとし、三フッ化窒素を添加したときは、その添加量に相当する分だけ酸素量を下げた。三フッ化窒素の添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図４に示す。
図４から、シリコン酸化膜のエッチング速度は、三フッ化窒素の添加に伴って増加する傾向となった。この傾向は、添加量が２．５％程度までの微小添加域で顕著であり、無添加と２．５％添加時とを比較すると、４０％のエッチング速度増加となった。
六フッ化プロペンを用いず、三フッ化窒素と酸素とを混合したクリーニングガスの場合は、エッチング速度は三フッ化窒素濃度に対して直線的に増加する傾向を示したことから、微小の添加領域では、三フッ化窒素単独でのエッチング作用以外に、六フッ化プロペン＋酸素系において、エッチング反応を促進する作用が生じていることが分かる。
三フッ化窒素を２．５％以上添加した場合、エッチング速度の増加傾向は一旦低下し、その後、８％以上から再び増加傾向が高まった。これは、三フッ化窒素によるエッチング推進反応が２．５〜８％の間で飽和し、その後の８％以上からは三フッ化窒素単独の作用によりエッチング速度が増加しているものと考えられる。
したがって、添加ガスとしての利用率を考慮すると、六フッ化プロペン＋酸素系での三フッ化窒素は２．５％以下の添加量が望ましいといえる。三フッ化窒素によるエッチング速度増加傾向は、三フッ化窒素がプラズマ分解することにより生成するＦラジカルが六フッ化プロペンに作用するためであり、三フッ化窒素と同様の効果はフッ素でも同様に得ることができる。
実施例２
六フッ化プロペンと酸素との混合ガスに亜酸化窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。ガスの混合割合は実施例と同じである。亜酸化窒素の添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図５に示す。
六フッ化プロペンと酸素との混合ガスに亜酸化窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。ガスの混合割合は実施例と同じである。亜酸化窒素の添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図５に示す。
図５から、シリコン酸化膜のエッチング速度は、亜酸化窒素の添加に伴って一旦増加する傾向を示すものの、１０％以上の添加領域ではエッチング速度が低下する傾向となった。エッチング速度の増加傾向は、亜酸化窒素の添加量が７．５％程度までの添加域で顕著であり、無添加と７．５％添加時とを比較すると、３３％のエッチング速度増加となった。亜酸化窒素単独ではシリコン酸化膜のエッチング作用がないことから、少量の亜酸化窒素を添加した領域において、六フッ化プロペン＋酸素系に対するエッチング反応促進作用が生じていることが分かる。
実施例３
六フッ化プロペンと酸素との混合ガスに窒素及びアルゴンをそれぞれ添加したガスをクリーニングガスとして使用した。窒素及びアルゴンのそれぞれ添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図６に示す。
六フッ化プロペンと酸素との混合ガスに窒素及びアルゴンをそれぞれ添加したガスをクリーニングガスとして使用した。窒素及びアルゴンのそれぞれ添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図６に示す。
図６から、シリコン酸化膜のエッチング速度は、窒素及びアルゴンのどちらのガスを加えても増加した。窒素の場合、添加量が１０％程度までの添加域で顕著であり、無添加と１０％添加時とを比較すると２３％のエッチング速度増加となった。アルゴンの場合、エッチング速度は添加量に対して徐々に増加する傾向となり、１０％添加時で１０％増加となり、窒素の添加効果よりも低い結果となった。窒素とアルゴンの放電開始電圧は略等しいが、窒素を添加した場合は、Ｎ２ラジカル、あるいは、Ｎラジカルによる作用が加わるため、例えば、六フッ化プロペン分子内の反応活性な二重結合にこれらが作用することにより、活性種生成反応をアシストする効果が加わったものと考えられる。
実施例４
六フッ化エタンと酸素との混合ガスに窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。このクリーニングガスは、実施例３のアルゴンを添加したクリーニングガスと同様の傾向となり、１０％添加時で１０％の増加となった。六フッ化エタンの場合、分子内に反応活性な二重結合がないため、Ｎ２ラジカル、あるいは、Ｎラジカルによる効果が得られず、放電開始電圧の低減効果のみが現れたものと解釈できる。この場合も、添加ガスの量が１０％以上になるとエッチング反応速度は低下するため、ガス消費効率から考えて、１０％以下の添加が望ましいといえる。
六フッ化エタンと酸素との混合ガスに窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。このクリーニングガスは、実施例３のアルゴンを添加したクリーニングガスと同様の傾向となり、１０％添加時で１０％の増加となった。六フッ化エタンの場合、分子内に反応活性な二重結合がないため、Ｎ２ラジカル、あるいは、Ｎラジカルによる効果が得られず、放電開始電圧の低減効果のみが現れたものと解釈できる。この場合も、添加ガスの量が１０％以上になるとエッチング反応速度は低下するため、ガス消費効率から考えて、１０％以下の添加が望ましいといえる。
実施例３，４のいずれの場合も、窒素やアルゴン単独では、シリコン酸化膜のエッチング作用がないことから、少量の添加領域において、六フッ化プロペン＋酸素系や六フッ化エタン＋酸素系に対するエッチング促進作用が生じていることが分かる。
実施例１〜４において、各添加ガスをそれぞれ１０％添加したときのエッチング速度の増加割合をまとめて図７に示す。
実施例５
六フッ化プロペンと酸素との混合ガスに窒素と三フッ化窒素とを添加したガスをクリーニングガスとして使用した。シリコン酸化膜のエッチング速度の測定は、窒素及び三フッ化窒素の添加量をそれぞれ５％として行った。エッチング速度は、添加ガスを窒素単独とした場合よりも４０％、また、三フッ化窒素単独とした場合よりも１０％増加しており、それぞれの添加ガスの効果が相殺されることなく、エッチング速度向上に寄与していることが分かる。
六フッ化プロペンと酸素との混合ガスに窒素と三フッ化窒素とを添加したガスをクリーニングガスとして使用した。シリコン酸化膜のエッチング速度の測定は、窒素及び三フッ化窒素の添加量をそれぞれ５％として行った。エッチング速度は、添加ガスを窒素単独とした場合よりも４０％、また、三フッ化窒素単独とした場合よりも１０％増加しており、それぞれの添加ガスの効果が相殺されることなく、エッチング速度向上に寄与していることが分かる。
実施例６
六フッ化プロペン酸化物と酸素との混合ガスに窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。窒素の添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図８に示す。
六フッ化プロペン酸化物と酸素との混合ガスに窒素を添加したガスをクリーニングガスとして使用した。窒素の添加量とエッチング速度との関係を測定した結果を図８に示す。
図８から、シリコン酸化膜のエッチング速度は、窒素の添加に伴って一旦増加する傾向を示すものの、２．５％以上の添加領域ではエッチング速度は低下する傾向となった。エッチング速度の増加傾向は、窒素の添加量が２．５％程度までの添加域で顕著であり、無添加と２．５％添加時とを比較すると６％のエッチング速度増加となった。
窒素単独ではシリコン酸化膜のエッチング作用がないことから、少量の窒素添加領域において、六フッ化プロペン酸化物＋酸素系に対するエッチング促進作用が生じていることが分かる。
本発明は、半導体デバイスの加工装置、表面改質装置、薄膜生成装置等の半導体膜形成装置の内部に堆積したシリコン酸化物等の堆積物を効率よくクリーニングすることができるので、これらの半導体膜形成装置の使用効率を向上させることができる。
Claims (3)
- 半導体膜形成装置の内部に堆積した堆積物を除去するためのクリーニングガスであって、一般式ＣｖＨｘＦｙＯｚ（式中、ｖは１〜５の整数、ｘは０又は１〜３の整数、ｙは１以上の整数、ｚは０又は１である。）で示されるフルオロカーボンガスと酸素との混合ガスに、三フッ化窒素、フッ素、亜酸化窒素、窒素、希ガスの少なくとも１種のガスを、総ガス量の１０％以下の範囲で添加したことを特徴とするクリーニングガス。
- 前記フルオロカーボンガスは、分子内に二重結合を有していることを特徴とする請求項１記載のクリーニングガス。
- 半導体膜形成装置の内部に堆積した堆積物を除去するためのクリーニング方法であって、請求項１又は２記載のクリーニングガスを前記半導体製造装置内に導入するとともに、高周波を印加して前記クリーニングガスをプラズマ化することを特徴とするクリーニング方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003374160A JP2005142198A (ja) | 2003-11-04 | 2003-11-04 | クリーニングガス及びクリーニング方法 |
| TW093117278A TW200516138A (en) | 2003-11-04 | 2004-06-16 | Purge gas and purge method |
| KR1020040052952A KR20050043601A (ko) | 2003-11-04 | 2004-07-08 | 클리닝 가스 및 클리닝 방법 |
| CNA2004100584288A CN1614092A (zh) | 2003-11-04 | 2004-08-11 | 清洗气体以及清洗方法 |
| US10/969,990 US20050096238A1 (en) | 2003-11-04 | 2004-10-22 | Cleaning gas and cleaning method |
| EP04256591A EP1529854B1 (en) | 2003-11-04 | 2004-10-26 | Cleaning gas mixture for an apparatus and cleaning method |
| DE602004018595T DE602004018595D1 (de) | 2003-11-04 | 2004-10-26 | Reinigungs-Gaszusammensetzung zur Reinigung einer Vorrichtung und Reinigungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003374160A JP2005142198A (ja) | 2003-11-04 | 2003-11-04 | クリーニングガス及びクリーニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005142198A true JP2005142198A (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=34431252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003374160A Pending JP2005142198A (ja) | 2003-11-04 | 2003-11-04 | クリーニングガス及びクリーニング方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050096238A1 (ja) |
| EP (1) | EP1529854B1 (ja) |
| JP (1) | JP2005142198A (ja) |
| KR (1) | KR20050043601A (ja) |
| CN (1) | CN1614092A (ja) |
| DE (1) | DE602004018595D1 (ja) |
| TW (1) | TW200516138A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235562A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置のクリーニング方法 |
| JP2009266884A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Taiyo Nippon Sanso Corp | プラズマ成膜装置のクリーニング方法 |
| JP2011082551A (ja) * | 2005-09-16 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | 放電発生器を備えたリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の素子を洗浄する方法 |
| KR20110055402A (ko) | 2009-11-18 | 2011-05-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 그 클리닝 방법 및 프로그램을 기록한 기록매체 |
| US9420697B2 (en) | 2011-09-09 | 2016-08-16 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
| JP2017050413A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080153040A1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Elpida Memory, Inc. | Method for processing semiconductor wafer |
| CN101783296B (zh) * | 2009-01-20 | 2011-09-14 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 栅极侧壁层的形成方法 |
| JP5691163B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2015-04-01 | セントラル硝子株式会社 | クリーニングガス |
| JP6462699B2 (ja) * | 2013-12-30 | 2019-01-30 | ザ ケマーズ カンパニー エフシー リミテッド ライアビリティ カンパニー | チャンバクリーニング及び半導体エッチング用ガス |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5158644A (en) * | 1986-12-19 | 1992-10-27 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| DE69128050D1 (de) * | 1990-06-29 | 1997-12-04 | Applied Materials Inc | Zweistufiges Selbstreinigungsverfahren einer Reaktionskammer |
| US6047713A (en) * | 1994-02-03 | 2000-04-11 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a throttle valve |
| US5741577A (en) * | 1994-11-10 | 1998-04-21 | Kao Corporation | Magnetic recording medium having a lubricant layer with a specified structure of a specified perfluoropolyether lubricant |
| US6060397A (en) * | 1995-07-14 | 2000-05-09 | Applied Materials, Inc. | Gas chemistry for improved in-situ cleaning of residue for a CVD apparatus |
| US5647953A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-15 | Lam Research Corporation | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber |
| JPH1027781A (ja) * | 1996-07-10 | 1998-01-27 | Daikin Ind Ltd | エッチングガスおよびクリーニングガス |
| TW428045B (en) * | 1997-08-20 | 2001-04-01 | Air Liquide Electronics Chemic | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
| US6673262B1 (en) * | 1997-12-18 | 2004-01-06 | Central Glass Company, Limited | Gas for removing deposit and removal method using same |
| US6401728B2 (en) * | 1999-03-01 | 2002-06-11 | United Microelectronics Corp. | Method for cleaning interior of etching chamber |
| TWI291201B (en) * | 2000-07-18 | 2007-12-11 | Showa Denko Kk | Cleaning gas for semiconductor production equipment |
| JP4112198B2 (ja) * | 2000-09-11 | 2008-07-02 | 財団法人地球環境産業技術研究機構 | クリーニングガス及びエッチングガス、並びにチャンバークリーニング方法及びエッチング方法 |
| US6569257B1 (en) * | 2000-11-09 | 2003-05-27 | Applied Materials Inc. | Method for cleaning a process chamber |
| US6585830B2 (en) * | 2000-11-30 | 2003-07-01 | Agere Systems Inc. | Method for cleaning tungsten from deposition wall chambers |
| US6584987B1 (en) * | 2001-03-16 | 2003-07-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for improved cleaning in HDP-CVD process with reduced NF3 usage |
| JP2002359229A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
| US20020185067A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for in-situ cleaning of a throttle valve in a CVD system |
| US6846749B1 (en) * | 2001-06-25 | 2005-01-25 | Advanced Micro Devices, Inc. | N-containing plasma etch process with reduced resist poisoning |
| US6767836B2 (en) * | 2002-09-04 | 2004-07-27 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning a CVD reaction chamber using an active oxygen species |
-
2003
- 2003-11-04 JP JP2003374160A patent/JP2005142198A/ja active Pending
-
2004
- 2004-06-16 TW TW093117278A patent/TW200516138A/zh unknown
- 2004-07-08 KR KR1020040052952A patent/KR20050043601A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-08-11 CN CNA2004100584288A patent/CN1614092A/zh active Pending
- 2004-10-22 US US10/969,990 patent/US20050096238A1/en not_active Abandoned
- 2004-10-26 EP EP04256591A patent/EP1529854B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-26 DE DE602004018595T patent/DE602004018595D1/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082551A (ja) * | 2005-09-16 | 2011-04-21 | Asml Netherlands Bv | 放電発生器を備えたリソグラフィ装置及びリソグラフィ装置の素子を洗浄する方法 |
| JP2008235562A (ja) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Taiyo Nippon Sanso Corp | プラズマｃｖｄ成膜装置のクリーニング方法 |
| JP2009266884A (ja) * | 2008-04-22 | 2009-11-12 | Taiyo Nippon Sanso Corp | プラズマ成膜装置のクリーニング方法 |
| KR20110055402A (ko) | 2009-11-18 | 2011-05-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 그 클리닝 방법 및 프로그램을 기록한 기록매체 |
| US9420697B2 (en) | 2011-09-09 | 2016-08-16 | Ibiden Co., Ltd. | Method for manufacturing printed wiring board |
| JP2017050413A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 日本ゼオン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1529854A1 (en) | 2005-05-11 |
| CN1614092A (zh) | 2005-05-11 |
| US20050096238A1 (en) | 2005-05-05 |
| KR20050043601A (ko) | 2005-05-11 |
| TW200516138A (en) | 2005-05-16 |
| EP1529854B1 (en) | 2008-12-24 |
| DE602004018595D1 (de) | 2009-02-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061031 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070402 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091201 |