JP2003178986A - 半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法 - Google Patents

半導体製造装置のクリーニングガスおよびクリーニング方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 エッチング速度に優れ、クリーニング効率が
高くかつコストパフォーマンスに優れたクリーニングガ
スおよびクリーニング方法、並びに半導体デバイスの製
造方法を提供する。 【解決手段】 酸素および/または酸素含有化合物の含
有量が1vol%以下のフッ素ガスを含む半導体製造装
置のクリーニングガスおよびクリーニング方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体またはTF
T液晶素子を製造するための成膜装置またはエッチング
装置において、珪素、窒化珪素、酸化珪素、タングステ
ン等を成膜する際やエッチングする際に装置内に堆積し
た不要の堆積物をクリーニングするためのクリーニング
ガスおよびクリーニング方法、並びに半導体デバイスの
製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体またはTFT液晶素子を製造する
ための成膜装置またはエッチング装置において、珪素、
窒化珪素、酸化珪素、タングステン等を成膜する際やエ
ッチングする際に装置内に堆積した堆積物は、パーティ
クル発生の原因となり、良質な膜等を製造することが困
難になるため、これらの堆積物を随時クリーニングする
必要がある。
【0003】従来、半導体製造装置の堆積物を除去する
方法としては、NF3、CF4、C26等のフッ素系エッ
チングガスより励起されたプラズマを用いて堆積物をエ
ッチングする方法が使用されている。しかしながら、N
3を使用する方法は、NF3が高価であり、CF4、C2
6等のパーフルオロカーボンを使用する方法は、エッ
チング速度が遅く、クリーニング効率が低いという問題
がある。また、パーフルオロカーボン等のフッ素系エッ
チングガスを用いて堆積物をエッチングする方法は未反
応ガスの排出量が多く、除害等を行う後段プロセスに対
する負荷や温暖化ガスの排出による環境負荷等の問題が
ある。
【0004】一方、CF4、C26等のパーフルオロカ
ーボンやSF6等のガスにO2を添加してクリーニング効
率を上げる手法が用いられているが、過剰量のO2の添
加は逆にクリーニング効率の低下を引き起こすことが知
られている。O2を添加する効果としては、(1)酸素
が励起過程で解離した炭素(C)や硫黄(S)に作用し
てCOxやSOxを生成すること、(2)C−C結合や
S−S結合の生成や再結合を抑制すること、等によりフ
ッ素(F)を遊離しやすくさせていると考えられる。し
かしながら、FとOの相互作用はC−OやS−Oに比べ
て弱いものの、過剰量の酸素(O)の存在はFラジカル
の失活を促進してしまう。
【0005】F2ガスをクリーニングガスとして用いる
利点として、クリーニングを行った後の除害の容易性が
挙げられる。従来のパーフルオロカーボンやNF3とい
ったクリーニングガスは未反応物が多く排出され、その
除害にはエネルギー的に高いコストが必要とされるが、
2は反応性が高いが故に従来の一般的な除害方法で簡
単に除害することができ経済的である。
【0006】クリーニングにおける基本反応はフッ素と
堆積物によるものであるから、導入されるガスが純粋な
フッ素であるならば、エッチングの効率が理論的に最高
値を示すことになる。
【0007】しかしながら、現在、市場に流通し、入手
可能なフッ素ガスは純度が低く、不純物としてHF、O
2、N2、CO2、H2O、CF4、SF6等のガスが含まれ
ている。この中でHFは吸着等の操作を行うことにより
比較的容易に除去可能であり、またN2、CF4、SF6
は希釈ガスやエッチングガスに使用されることから、F
2によるクリーニングに悪影響を与えることはほとんど
ないが、O2やCO2、H2OはF2によるクリーニングに
悪影響を与える恐れがある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような背
景の下、エッチング速度に優れ、クリーニング効率が高
く、かつコストパフォーマンスに優れたクリーニングガ
スおよびクリーニング方法、並びに半導体デバイスの製
造方法を提供することを課題とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記の課
題を解決すべく鋭意検討した結果、酸素および/または
酸素含有化合物の含有量を極めて低く抑えたフッ素ガス
を含むクリーニングガスは、エッチング効果が高く、ク
リーニング効率が上昇することを見いだし、本発明を完
成するに至った。本発明は、以下の(1)〜(16)に
示されるクリーニングガスおよびクリーニング方法、並
びに半導体デバイスの製造方法である。
【0010】(1)半導体または液晶製造装置内の堆積
物を除去するためのクリーニングガスにおいて、酸素お
よび/または酸素含有化合物の含有量が1vol%以下
のフッ素ガスを含むことを特徴とするクリーニングガ
ス。 (2)酸素および/または酸素含有化合物の含有量が
0.5vol%以下のフッ素ガスを含む上記(1)に記
載のクリーニングガス。 (3)酸素および/または酸素含有化合物の含有量が
0.1vol%以下のフッ素ガスを含む上記(2)に記
載のクリーニングガス。 (4)フッ素ガスの純度が99vol%以上である上記
(1)〜(3)のいずれかに記載のクリーニングガス。 (5)フッ素ガスの純度が99.5vol%以上である
上記(4)に記載のクリーニングガス。
【0011】(6)酸素含有化合物が、NO、N2O、
NO2、CO、CO2、H2O、OF2、O22およびO3
2からなる群から選ばれる少なくとも1種である上記
(1)〜(5)のいずれかに記載のクリーニングガス。 (7)酸素含有化合物が、CO、CO2およびH2Oから
なる群から選ばれる少なくとも1種である上記(1)〜
(5)のいずれかに記載のクリーニングガス。 (8)He、Ar、N2、Ne、KrおよびXeからな
る群から選ばれる少なくとも1種の希釈ガスを含む上記
(1)〜(7)のいずれかに記載のクリーニングガス。 (9)He、ArおよびN2からなる群から選ばれる少
なくとも1種の希釈ガスを含む上記(1)〜(7)のい
ずれかに記載のクリーニングガス。 (10)上記(1)〜(9)のいずれかに記載のクリー
ニングガスを用いることを特徴とする半導体または液晶
製造装置のクリーニング方法。
【0012】(11)上記(1)〜(9)のいずれかに
記載のクリーニングガスを励起することによりプラズマ
を生成させ、該プラズマ中で半導体製造装置内の堆積物
のクリーニングを行う上記(10)に記載のクリーニン
グ方法。 (12)プラズマの励起源がマイクロ波である上記(1
1)に記載のクリーニング方法。 (13)50〜500℃の温度範囲でクリーニングガス
を使用する上記(10)〜(12)のいずれかに記載の
クリーニング方法。 (14)200〜500℃の温度範囲においてクリーニ
ングガスをプラズマレスで使用する上記(10)に記載
のクリーニング方法。 (15)上記(1)〜(9)のいずれかに記載のクリー
ニングガスを用いるクリーニング工程と、該クリーニン
グ工程から排出されるフッ素化合物を含有するガスを分
解する分解工程を有することを特徴とする半導体デバイ
スの製造方法。 (16)前記フッ素化合物がSiF4、HF、CF4、N
3およびWF6からなる群から選ばれる少なくとも1種
の化合物である上記(15)に記載の半導体デバイスの
製造方法。
【0013】すなわち、本発明は「半導体または液晶製
造装置内の堆積物を除去するためのクリーニングガスに
おいて、酸素および/または酸素含有化合物の含有量が
1vol%以下のフッ素ガスを含むことを特徴とするク
リーニングガス」、「前記のクリーニングガスを用いる
ことを特徴とする半導体または液晶製造装置のクリーニ
ング方法」および「前記のクリーニングガスを用いるク
リーニング工程と、該クリーニング工程から排出される
フッ素化合物を含有するガスを分解する分解工程を有す
ることを特徴とする半導体デバイスの製造方法」に関す
る。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳しく説明
する。本発明の半導体または液晶製造装置のクリーニン
グガスは、酸素および/または酸素含有化合物の含有量
が1vol%以下のフッ素ガスを含むことを特徴とす
る。
【0015】本発明の半導体または液晶製造装置のクリ
ーニングガスは、酸素および/または酸素含有化合物の
含有量が0.5vol%以下のフッ素ガスを含むことが
好ましく、酸素および/または酸素含有化合物の含有量
が0.1vol%以下のフッ素ガスを含むことがさらに
好ましい。酸素および/または酸素含有化合物の含有量
が1vol%より多いフッ素ガスを用いるとクリーニン
グ効率が低下する場合があるので好ましくない。
【0016】酸素含有化合物は、NO、N2O、NO2
CO、CO2、H2O、OF2、O2 2およびO32から
なる群から選ばれる少なくとも1種であり、本発明のク
リーニングガスは酸素および/または酸素含有化合物の
含有量が1vol%以下のフッ素ガスを含むことを特徴
とする。酸素含有化合物は、CO、CO2およびH2Oか
らなる群から選ばれる少なくとも1種であってもよい。
【0017】フッ素ガスの純度は不純物として含まれる
酸素および/または酸素含有化合物を除いた値を意味
し、フッ素ガスの純度は99vol%以上であることが
好ましく、99.5vol%以上であることがさらに好
ましい。また、本発明のクリーニングガスは、酸素およ
び/または酸素含有化合物の含有量が1vol%以下の
フッ素ガスを、単独で希釈しないで用いることが好まし
いが、クリーニングの条件によっては希釈してもよい。
希釈ガスとしては、He、Ar、N2、Ne、Krおよ
びXeからなる群から選ばれる少なくとも1種の希釈ガ
スを用いることが好ましく、He、ArおよびN2から
なる群から選ばれる少なくとも1種の希釈ガスを用いる
ことがさらに好ましい。
【0018】本発明のクリーニングガスを使用して半導
体製造装置をクリーニングする場合は、プラズマ条件で
使用してもよいし、プラズマレス条件で使用してもよ
い。プラズマ条件で使用する場合、励起源は本発明のク
リーニングガスからプラズマが励起されるものであれば
特に限定されないが、マイクロ波励起源を用いるとクリ
ーニング効率がよく好ましい。また、本発明のクリーニ
ングガスを使用する温度範囲、圧力範囲はプラズマを生
成する範囲であれば特に限定されないが、温度範囲とし
ては、好ましくは50〜500℃の範囲、圧力範囲とし
ては、好ましくは1〜500Paの範囲がよい。
【0019】また、プラズマレス条件の場合、クリーニ
ングガスをチャンバー内に導入し、好ましくはチャンバ
ー内の圧力を1〜500Paの範囲に設定し、チャンバ
ー内およびクリーニングガスの少なくとも一部、あるい
はどちらか一方を200〜500℃の範囲に加熱するこ
とにより、クリーニングガスを活性化させ、チャンバー
およびその他の堆積物が蓄積している領域から堆積物を
エッチングして取り除くことにより半導体製造装置をク
リーニングすることができる。
【0020】本発明の半導体製造装置のクリーニングガ
スは、(1)低エネルギーレベルで解離して活性種を生
成するF2ガスを含むこと、(2)フッ素ラジカルの生
成、維持に悪影響を及ぼす酸素および/または酸素含有
化合物を極力低減すること、によって、従来から使用さ
れているNF3を上回る効果を発現する。F2はNF3
比べて低エネルギーレベルで解離し、完全解離時にはF
ラジカルのみを生成し、クリーニング中、系内には活性
種のみが存在するため堆積物との反応効率が極めて高
い。
【0021】図1は本発明のクリーニングガスを用いる
エッチング装置の1例を示したものである。クリーニン
グガスは、クリーニングガス導入口6から一定温度に設
定されたチャンバー1に導入され、その際マイクロ波プ
ラズマ励起源4により励起されてプラズマを生成する。
シリコンウェーハ2がエッチングされた後のガスはドラ
イポンプ5により排気され、排気ガスは含有するガスに
応じた分解剤を用いて無害化される。また、エッチング
後の堆積物はエッチングと同様の操作を繰り返すことに
よって効率的にチャンバーのクリーニングを行うことが
できる。
【0022】次に本発明の半導体デバイスの製造方法に
ついて説明する。前述のように、本発明に従えば、半導
体製造装置のクリーニングを効率よく行うことができ
る。しかしながら、本発明のクリーニングガスを用いる
クリーニング工程から排出されるガスは、クリーニング
ガスとして使用したF2の他に、HF、CF4、Si
4、NF3およびWF6等のフッ素化合物を含んでい
る。F2を含むこれらの化合物は、そのまま大気中に排
出されると地球温暖化に対して影響が大きい化合物や、
分解して酸性ガスを発生する化合物であり、それぞれ完
全に無害化する必要がある。本発明は半導体デバイスの
製造方法において、半導体製造装置のクリーニング工程
と、該クリーニング工程から排出されるフッ素化合物を
含有するガスを分解する工程を含む半導体デバイスの製
造方法を提供するものである。
【0023】半導体製造装置をクリーニングする工程
は、前述の方法を用いて効率的に行うことができる。ま
た、クリーニング工程から排出されるフッ素化合物を含
有するガスを分解する工程に用いる方法は特に制限はな
く、排出ガスに含まれる化合物の種類に応じて分解剤の
種類を適宜選択することができるが、フッ化水素は金属
のフッ化物として固定化し、炭素は二酸化炭素まで完全
に分解してから排出することが好ましい。
【0024】
【実施例】以下に実施例および比較例を用いて本発明を
さらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。 (実施例1、2)図1に示した実験装置の装置内圧力が
300Paとなるように調整し、表1に示した組成のク
リーニングガスを、2.45GHz、500Wのマイク
ロ波プラズマ励起源により励起した後、実験装置に導入
し、実験装置内においたシリコンウェーハをエッチング
した。エッチング処理後のシリコンウェーハの体積減量
から求めたエッチング速度を表1に示した。
【0025】
【表1】
【0026】酸素含有量が1vol%以下のフッ素ガス
はエッチング効率が著しく高いことが分かった。
【0027】(比較例1)クリーニングガスを表2に示
す組成のガスに変えた以外は実施例1と同様にしてエッ
チング速度を求めた。
【0028】
【表2】
【0029】フッ素ガス中に酸素が5vol%混入する
とエッチング効率が著しく低下することが分かった。
【0030】(実施例3)シリコンウェーハに変えて、
アモルファスシリコン、窒化珪素等が堆積した石英片の
クリーニングを行った。実施例1で用いたクリーニング
ガスを、2.45GHz、500wのマイクロ波プラズ
マ励起源により励起した後、実験装置内圧力が300P
aとなるように調整してチャンバー内に導入し、クリー
ニングした後、石英片を取り出したところ、堆積物は完
全に除去されたことを確認した。
【0031】
【発明の効果】本発明の半導体製造装置のクリーニング
ガスはエッチング速度に優れ、効率的でコストパフォー
マンスに優れている。また本発明の半導体製造装置のク
リーニング方法によれば、半導体またはTFT液晶素子
を製造するための成膜装置またはエッチング装置におい
て、珪素、窒化珪素、酸化珪素、タングステン等を成膜
する際やエッチングする際に装置内に堆積した不要の堆
積物を効率的にクリーニングすることができ、本発明の
クリーニングガスを用いるクリーニング工程と、クリー
ニング工程から排出されるフッ素化合物を含有する排ガ
スを分解して無害化する工程を含む方法を用いれば、半
導体デバイスを効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のクリーニングガスを用いるエッチン
グ装置概略図である。
【符号の説明】
1 チャンバー 2 シリコンウェーハ 3 サンプル台 4 マイクロ波プラズマ励起源 5 ドライポンプ 6 クリーニングガス導入口
フロントページの続き Fターム(参考) 4K030 DA06 JA06 JA10 LA18 4K057 DA11 DB06 DD01 DE08 DE09 DE10 DE14 DG12 DN01 5F004 AA15 DA00 DA01 DA17 DA20 5F045 AC02 BB14 CA15 EB13

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体または液晶製造装置内の堆積物を
    除去するためのクリーニングガスにおいて、酸素および
    /または酸素含有化合物の含有量が1vol%以下のフ
    ッ素ガスを含むことを特徴とするクリーニングガス。
  2. 【請求項2】 酸素および/または酸素含有化合物の含
    有量が0.5vol%以下のフッ素ガスを含む請求項1
    に記載のクリーニングガス。
  3. 【請求項3】 酸素および/または酸素含有化合物の含
    有量が0.1vol%以下のフッ素ガスを含む請求項2
    に記載のクリーニングガス。
  4. 【請求項4】 フッ素ガスの純度が99vol%以上で
    ある請求項1〜3のいずれかに記載のクリーニングガ
    ス。
  5. 【請求項5】 フッ素ガスの純度が99.5vol%以
    上である請求項4に記載のクリーニングガス。
  6. 【請求項6】 酸素含有化合物が、NO、N2O、N
    2、CO、CO2、H2O、OF2、O22およびO32
    からなる群から選ばれる少なくとも1種である請求項1
    〜5のいずれかに記載のクリーニングガス。
  7. 【請求項7】 酸素含有化合物が、CO、CO2および
    2Oからなる群から選ばれる少なくとも1種である請
    求項1〜5のいずれかに記載のクリーニングガス。
  8. 【請求項8】 He、Ar、N2、Ne、KrおよびX
    eからなる群から選ばれる少なくとも1種の希釈ガスを
    含む請求項1〜7のいずれかに記載のクリーニングガ
    ス。
  9. 【請求項9】 He、ArおよびN2からなる群から選
    ばれる少なくとも1種の希釈ガスを含む請求項1〜7の
    いずれかに記載のクリーニングガス。
  10. 【請求項10】 請求項1〜9のいずれかに記載のクリ
    ーニングガスを用いることを特徴とする半導体または液
    晶製造装置のクリーニング方法。
  11. 【請求項11】 請求項1〜9のいずれかに記載のクリ
    ーニングガスを励起することによりプラズマを生成さ
    せ、該プラズマ中で半導体製造装置内の堆積物のクリー
    ニングを行う請求項10に記載のクリーニング方法。
  12. 【請求項12】 プラズマの励起源がマイクロ波である
    請求項11に記載のクリーニング方法。
  13. 【請求項13】 50〜500℃の温度範囲でクリーニ
    ングガスを使用する請求項10〜12のいずれかに記載
    のクリーニング方法。
  14. 【請求項14】 200〜500℃の温度範囲において
    クリーニングガスをプラズマレスで使用する請求項10
    に記載のクリーニング方法。
  15. 【請求項15】 請求項1〜9のいずれかに記載のクリ
    ーニングガスを用いるクリーニング工程と、該クリーニ
    ング工程から排出されるフッ素化合物を含有するガスを
    分解する分解工程を有することを特徴とする半導体デバ
    イスの製造方法。
  16. 【請求項16】 前記フッ素化合物がSiF4、HF、
    CF4、NF3およびWF6からなる群から選ばれる少な
    くとも1種の化合物である請求項15に記載の半導体デ
    バイスの製造方法。
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KR10-2003-7009691A KR20040065154A (ko) 2001-12-13 2002-12-12 반도체 제조장치용 클리닝가스 및 이 가스를 사용한클리닝방법
US10/250,924 US20040231695A1 (en) 2001-12-13 2002-12-12 Cleaning gas for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
AU2002366920A AU2002366920A1 (en) 2001-12-13 2002-12-12 Cleaning gas composition for semiconductor production equipment and cleaning method using the gas
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100589A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Toshiba Corp 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
JP2009544849A (ja) * 2006-07-27 2009-12-17 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 膜形成装置のクリーニング方法および膜形成装置
JP2012019194A (ja) * 2010-06-08 2012-01-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP2013506962A (ja) * 2009-10-01 2013-02-28 プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド イオン源構成要素を洗浄するための方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101466873B (zh) * 2006-04-10 2012-09-26 苏威氟有限公司 蚀刻方法
CN102754201A (zh) * 2009-10-26 2012-10-24 苏威氟有限公司 用于生产tft基质的蚀刻方法
JP6097192B2 (ja) * 2013-04-19 2017-03-15 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法
CN105537207B (zh) * 2015-12-11 2018-09-25 上海交通大学 一种高温用石英管的清洗方法
CN106637133A (zh) * 2016-12-26 2017-05-10 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 一种pecvd反应腔体的清洁方法及清洁气体
WO2020045414A1 (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 三菱ケミカル株式会社 洗浄液、洗浄方法及び半導体ウェハの製造方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006100589A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Toshiba Corp 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置
US7942974B2 (en) 2004-09-29 2011-05-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of cleaning a film-forming apparatus
JP4686157B2 (ja) * 2004-09-29 2011-05-18 株式会社東芝 成膜装置のクリーニング方法
JP2009544849A (ja) * 2006-07-27 2009-12-17 レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 膜形成装置のクリーニング方法および膜形成装置
JP2013506962A (ja) * 2009-10-01 2013-02-28 プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド イオン源構成要素を洗浄するための方法
US9627180B2 (en) 2009-10-01 2017-04-18 Praxair Technology, Inc. Method for ion source component cleaning
JP2012019194A (ja) * 2010-06-08 2012-01-26 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置

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