JP2003245520A - Ｐｆｃ分解方法、ｐｆｃ分解装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Ｐｆｃ分解方法、ｐｆｃ分解装置及び半導体装置の製造方法

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JP2003245520A
JP2003245520A JP2002049190A JP2002049190A JP2003245520A JP 2003245520 A JP2003245520 A JP 2003245520A JP 2002049190 A JP2002049190 A JP 2002049190A JP 2002049190 A JP2002049190 A JP 2002049190A JP 2003245520 A JP2003245520 A JP 2003245520A
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gas
plasma
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Toshikazu Sugiura
利和 杉浦
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＰＦＣガスの分解率を向上させてより効率良
くＰＦＣガスを分解できるＰＦＣ分解方法、ＰＦＣ分解
装置及び半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係るＰＦＣ分解装置は、半導体
製造装置等のプロセス装置１０から排気されるＰＦＣガ
スが導入されるＰＦＣ分解装置１４内のチャンバーと、
ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズ
マ発生機構と、このＰＦＣ分解チャンバーに酸化反応ガ
スを供給するための供給機構１６と、を具備する。上記
ＰＦＣ分解チャンバー内でＰＦＣガスをプラズマにより
分解して酸化反応ガスと化学反応させて反応生成物を形
成することにより除害する。上記供給機構１６から供給
される酸化反応ガスは、ＫＭｎＯ4又はＯｓＯ4を含むガ
スである。これにより、ＰＦＣガスの分解率を向上させ
てより効率良くＰＦＣガスを分解できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体などの製造
に使用され、半導体製造工程から排出されるＰＦＣを含
む半導体排ガスを分解するＰＦＣ分解方法、ＰＦＣ分解
装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のプラズマ式ＰＦＣ分解装
置を示す構成図である。このプラズマ式ＰＦＣ分解装置
は、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、エッ
チング装置等のプロセス装置１１０を使用した際にプロ
セスチャンバーから排出されるＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3、
Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、ＣＨＦ3、ＳＦ6等のガス（即ちＰＦＣ
ガス）を分解して除害するための装置である。
【０００３】このＰＦＣガスは、地球温暖化係数（ＧＷ
Ｐ）が二酸化炭素の数千倍〜数万倍程度と大きいため、
直接放出した場合、地球環境に与える影響が指摘されて
いる。このため、ＰＦＣガスの大気中への直接排気が規
制される方向にある。
【０００４】ＰＦＣガスが使用されるプロセス装置１１
０には、使用後のＰＦＣガスを含む排ガスを排気する排
気管１１１が設けられている。この排気管１１１はター
ボ分子ポンプをはじめとする高真空ポンプ１１２に繋げ
られており、高真空ポンプ１１２は導入管１１３に繋げ
られている。即ち、排気管１１１は高真空ポンプ１１２
を介して導入管１１３に繋げられている。導入管１１３
はＰＦＣ分解装置１１４に繋げられている。ＰＦＣ分解
装置１１４は、ＰＦＣガスを分解する際に添加する添加
ガスを供給する添加ガス供給機構（図示せず）を備えて
いる。添加ガスとしては、Ｏ2、Ｈ2Ｏの単ガス又は混合
ガスを用いる。また、ＰＦＣ分解装置１１４は排気管１
１５に繋げられている。この排気管１１５はドライポン
プをはじめとする低真空ポンプ１１７を介して工場の外
部に繋げられている。なお、プラズマ式ＰＦＣ分解装置
には高真空ポンプを有していない装置もある。
【０００５】次に、上記従来のＰＦＣ分解装置の動作に
ついて説明する。プロセス装置１１０において使用され
たＰＦＣガスを、高真空ポンプ１１２により排気管１１
１に引き出すと共に導入管１１３を通してＰＦＣ分解装
置１１４に導入する。また、添加ガス供給機構により導
入管１１３を介して添加ガス（Ｏ 2又はＨ2Ｏの単ガスも
しくは混合ガス）をＰＦＣ分解装置１１４に導入する。
このように導入されたＰＦＣガス及び添加ガスを、プラ
ズマを用いて反応させてＰＦＣガスをＰＦＣ分解装置１
１４によって分解して除害する。そして、除害された排
ガスは、低真空ポンプにより排気管１１５に引き出さ
れ、工場の外部に排気される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
プラズマ式ＰＦＣ分解装置では、添加ガスとしてＯ2、
Ｈ2Ｏの単ガス又は混合ガスを用いているため、ＰＦＣ
ガスを分解する分解率が低い。例えば、従来のプラズマ
式ＰＦＣ分解装置では、Ｃ2Ｆ6のＰＦＣガスを分解する
のに化学当量の２〜３倍のＯ2の添加ガスが必要とな
る。つまり、分解反応に実際に使われているＯ2は、供
給されたＯ2の半分以下ということになる。従って、実
際に使われるＯ2を増加させることができれば、より少
ない添加ガス、低パワーでＰＦＣガスの分解率をより向
上させることができるはずである。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、ＰＦＣガスの分解率を向
上させてより効率良くＰＦＣガスを分解できるＰＦＣ分
解方法、ＰＦＣ分解装置及び半導体装置の製造方法を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るＰＦＣ分解方法は、半導体製造装置か
ら排気されるＰＦＣガスを分解して除害する方法であっ
て、上記ＰＦＣガスをプラズマにより分解して酸化反応
ガスと化学反応させて反応生成物を形成することにより
除害することを特徴とする。
【０００９】上記ＰＦＣ分解方法によれば、酸化反応ガ
スを用いているため、ＰＦＣガスの分解率をより向上さ
せることができる。従って、従来技術に比べてより効率
良くＰＦＣガスを分解することが可能となる。
【００１０】また、本発明に係るＰＦＣ分解方法におい
て、上記反応ガスは、強酸化剤であるＫＭｎＯ4又はＯ
ｓＯ4を含むガスであることが好ましい。
【００１１】また、本発明に係るＰＦＣ分解方法におい
ては、上記酸化反応ガスにＯ2及びＨ2Ｏのいずれか一方
又は両方を添加することが好ましい。
【００１２】また、本発明に係るＰＦＣ分解方法におい
て、上記酸化反応ガスはＨ2Ｏ2を含むガスであり、この
Ｈ2Ｏ2は電気分解により生成されたものであることが好
ましい。
【００１３】本発明に係るＰＦＣ分解方法は、半導体製
造装置から排気されるＰＦＣガスを分解して除害する方
法であって、上記ＰＦＣガスをプラズマにより分解して
アルコールからなる反応ガスと化学反応させて反応生成
物を形成することにより除害することを特徴とする。
【００１４】上記ＰＦＣ分解方法によれば、−ＯＨ基を
有するアルコールからなる反応ガスを用いているため、
ＰＦＣガスの分解率をより向上させることができる。従
って、従来技術に比べてより効率良くＰＦＣガスを分解
することが可能となる。
【００１５】本発明に係るＰＦＣ分解方法は、半導体製
造装置から排気されるＰＦＣガスを分解して除害する方
法であって、上記ＰＦＣガスをプラズマにより分解して
−ＯＨ基を数多く有する糖類からなる反応ガスと化学反
応させて反応生成物を形成することにより除害すること
を特徴とする。
【００１６】また、本発明に係るＰＦＣ分解方法におい
て、上記半導体製造装置はＣＶＤ装置又はエッチング装
置であることも可能である。
【００１７】本発明に係るＰＦＣ分解装置は、半導体製
造装置から排気されるＰＦＣガスが導入されるＰＦＣ分
解チャンバーと、ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを
発生させるプラズマ発生機構と、このＰＦＣ分解チャン
バーに酸化反応ガスを供給するための供給機構と、を具
備し、上記ＰＦＣ分解チャンバー内でＰＦＣガスをプラ
ズマにより分解して反応ガスと化学反応させて反応生成
物を形成することにより除害することを特徴とする。
【００１８】また、本発明に係るＰＦＣ分解装置におい
て、上記供給機構から供給される強酸化剤である反応ガ
スは、ＫＭｎＯ4又はＯｓＯ4を含むガスであることが好
ましい。
【００１９】また、本発明に係るＰＦＣ分解装置におい
ては、上記酸化反応ガスにＯ2及びＨ2Ｏのいずれか一方
又は両方を添加することが好ましい。
【００２０】また、本発明に係るＰＦＣ分解装置におい
て、上記供給機構から供給される酸化反応ガスはＨ2Ｏ2
を含むガスであり、このＨ2Ｏ2を電気分解により生成す
る生成機構をさらに含むことが好ましい。
【００２１】本発明に係るＰＦＣ分解装置は、半導体製
造装置から排気されるＰＦＣガスが導入されるＰＦＣ分
解チャンバーと、ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを
発生させるプラズマ発生機構と、このＰＦＣ分解チャン
バーにアルコールからなる反応ガスを供給するための供
給機構と、を具備し、上記ＰＦＣ分解チャンバー内でＰ
ＦＣガスをプラズマにより分解して反応ガスと化学反応
させて反応生成物を形成することにより除害することを
特徴とする。
【００２２】本発明に係るＰＦＣ分解装置は、半導体製
造装置から排気されるＰＦＣガスが導入されるＰＦＣ分
解チャンバーと、ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを
発生させるプラズマ発生機構と、このＰＦＣ分解チャン
バーに糖類からなる反応ガスを供給するための供給機構
と、を具備し、上記ＰＦＣ分解チャンバー内でＰＦＣガ
スをプラズマにより分解して反応ガスと化学反応させて
反応生成物を形成することにより除害することを特徴と
する。
【００２３】また、本発明に係るＰＦＣ分解装置におい
て、上記半導体製造装置はＣＶＤ装置又はエッチング装
置であることも可能である。
【００２４】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半
導体製造装置においてＰＦＣガスを用いて半導体の製造
を行う工程と、この工程により排気されるＰＦＣガス
を、プラズマにより分解して酸化反応ガスと化学反応さ
せて反応生成物を形成することにより除害する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、上記反応ガスは、強酸化剤であるＫＭｎＯ4
又はＯｓＯ4を含むガスであることが好ましい。
【００２６】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、上記酸化反応ガスにＯ 2及びＨ2Ｏのいずれ
か一方又は両方を添加することが好ましい。
【００２７】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、上記酸化反応ガスはＨ2Ｏ2を含むガスであ
り、このＨ2Ｏ2は電気分解により生成されたものである
ことが好ましい。
【００２８】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半
導体製造装置においてＰＦＣガスを用いて半導体の製造
を行う工程と、この工程により排気されるＰＦＣガス
を、プラズマにより分解してアルコールからなる反応ガ
スと化学反応させて反応生成物を形成することにより除
害する工程と、を具備することを特徴とする。
【００２９】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半
導体製造装置においてＰＦＣガスを用いて半導体の製造
を行う工程と、この工程により排気されるＰＦＣガス
を、プラズマにより分解して糖類からなる反応ガスと化
学反応させて反応生成物を形成することにより除害する
工程と、を具備することを特徴とする。
【００３０】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
において、上記半導体製造装置はＣＶＤ装置又はエッチ
ング装置であることも可能である。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１は、本発明に係る第１
の実施の形態によるプラズマ式ＰＦＣ分解装置を示す構
成図である。
【００３２】このＰＦＣ分解装置は、ＣＶＤ装置、エッ
チング装置等のプロセス装置１０を使用した際に排出さ
れるＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、ＮＦ3、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8、ＣＨ
Ｆ3、ＳＦ6等のガス（即ちＰＦＣガス）を分解して除害
するための装置である。
【００３３】ＰＦＣガスが使用される半導体製造装置と
してのプロセス装置１０には、使用後のＰＦＣガスを含
む排ガスを排気する排気管１１が設けられている。この
排気管１１はターボ分子ポンプをはじめとする高真空ポ
ンプ１２に繋げられており、高真空ポンプ１２は導入管
１３に繋げられている。即ち、排気管１１は高真空ポン
プ１２を介して導入管１３に繋げられている。導入管１
３はＰＦＣ分解装置１４に繋げられており、ＰＦＣガス
はＰＦＣ分解装置１４内のＰＦＣ分解チャンバー（図示
せず）に導入されるようになっている。
【００３４】ＰＦＣ分解チャンバーは、ＰＦＣガスを分
解する際に添加する添加剤を供給する添加剤供給機構１
６が接続されている。添加剤としてはＫＭｎＯ4（過マ
ンガン酸カリウム）を用いる。この場合、添加剤供給機
構１６はＫＭｎＯ4を収容した密閉容器（図示せず）を
有し、この密閉容器は導入管１３に接続されている。ま
た、ＰＦＣ分解装置は、ＰＦＣ分解チャンバー内にプラ
ズマを発生させるプラズマ発生装置を備えている。この
プラズマ発生装置のプラズマを発生させる機構は種々の
ものを用いることが可能である。
【００３５】本装置の稼動時には、ＰＦＣ分解装置１４
の側が減圧下であるため、密閉容器内のＫＭｎＯ4は徐
々に気化され、反応ガスとしてＰＦＣ分解装置１４内に
供給される。このようにＫＭｎＯ4を反応ガスとしてＰ
ＦＣ分解装置に供給し、この反応ガスとＰＦＣガスとを
プラズマを用いて反応させてＰＦＣガスを分解する。つ
まり、プラズマ式ＰＦＣ分解装置は、ＰＦＣガスをプラ
ズマにより分解して化学的に活性化し、そのＰＦＣガス
を反応ガスと化学反応させて反応生成物を形成し、ＰＦ
Ｃガスを反応生成物として除去するものである。反応性
生物として具体的に発生する物質としては、ＣＯ2、Ｃ
Ｏ、ＣＯＦ2、Ｆ2、ＫＭｎＸなどが挙げられる。
【００３６】また、ＰＦＣ分解装置１４は排気管１５に
繋げられている。この排気管１５はドライポンプをはじ
めとする低真空ポンプ１７を介して工場の外部に繋げら
れている。なお、ここでは、高真空ポンプ１２を有する
プラズマ式ＰＦＣ分解装置を用いているが、高真空ポン
プ１２を有しないプラズマ式ＰＦＣ分解装置を用いるこ
とも可能である。
【００３７】次に、上記ＰＦＣ分解装置を用いた半導体
装置の製造方法について説明する。まず、ＣＶＤ装置や
エッチング装置などのプロセス装置１０においてＰＦＣ
ガスを用いて半導体の製造を行う。そして、プロセス装
置１０において使用されたＰＦＣガスを、高真空ポンプ
１２により排気管１１に引き出す。次いで、このように
引き出されたＰＦＣガスを、導入管１３を通してＰＦＣ
分解装置１４に導入する。また、添加ガス供給機構１６
によりＫＭｎＯ4を添加ガスとして導入管１３を介して
ＰＦＣ分解装置１４に導入する。この際、ＰＦＣ分解装
置側は減圧下であるため、ＫＭｎＯ4が徐々に気化され
て添加ガスとしてＰＦＣ分解装置に供給される。
【００３８】このように導入されたＰＦＣガスと添加ガ
スとをプラズマを用いてＰＦＣ分解装置４によって分解
して除害する。即ち、ＰＦＣガスをプラズマにより分解
して化学的に活性化し、そのＰＦＣガスを添加ガスと化
学反応させて反応生成物を形成し、ＰＦＣガスを反応生
成物として除去するものである。この分解時の条件は、
ＫＭｎＯ4の添加ガスの流量が対象とするＰＦＣと反応
する化学等量程度、圧力がプラズマの発生可能な領域程
度である。そして、除害された排ガスは、低真空ポンプ
１７により排気管１５に引き出され、工場の外部に排気
される。このようにＰＦＣ分解装置を用いて半導体装置
の製造を行う。
【００３９】上記第１の実施の形態によれば、強酸化剤
であるＫＭｎＯ4を添加ガスとして用いているため、Ｐ
ＦＣガスの分解率をより向上させることができる。従来
の添加剤に比べて酸化力が大きいので分解率の向上が期
待できる。従って、より効率良くＰＦＣガスを分解する
ことが可能となる。
【００４０】尚、上記第１の実施の形態では、添加剤と
してＫＭｎＯ4を用いているが、このＫＭｎＯ4にＯ2及
びＨ2Ｏのいずれか一方又は両方を加えた混合ガスを添
加剤として用いることも可能である。
【００４１】次に、本発明に係る第２の実施の形態によ
るプラズマ式ＰＦＣ分解装置について説明する。但し、
第１の実施の形態と同一部分の説明は省略する。
【００４２】ＰＦＣガスを分解する際に添加する添加剤
としてＫＭｎＯ4（過マンガン酸カリウム）水溶液を用
いる。
【００４３】プラズマ式ＰＦＣ分解装置でＰＦＣガスを
分解する場合、ＫＭｎＯ4水溶液が徐々に気化されて反
応ガスとしてＰＦＣ分解装置に供給され、ＰＦＣガスを
プラズマにより分解して化学的に活性化し、そのＰＦＣ
ガスを上記反応ガスと化学反応させて反応生成物（ＣＯ
2、ＣＯ、ＣＯＦ2、ＨＦ、Ｆ2、ＫＭｎＸ）を形成し、
ＰＦＣガスを反応生成物として除去する。
【００４４】上記第２の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４５】次に、本発明に係る第３の実施の形態によ
るプラズマ式ＰＦＣ分解装置について説明する。但し、
第１の実施の形態と同一部分の説明は省略する。
【００４６】ＰＦＣガスを分解する際に添加する添加剤
としてＯｓＯ4（四酸化オスミウム）水溶液を用いる。
【００４７】プラズマ式ＰＦＣ分解装置でＰＦＣガスを
分解する場合、ＯｓＯ4水溶液が徐々に気化されて反応
ガスとしてＰＦＣ分解装置に供給され、ＰＦＣガスをプ
ラズマにより分解して化学的に活性化し、そのＰＦＣガ
スを上記反応ガスと化学反応させて反応生成物（Ｃ
Ｏ2、ＣＯ、ＣＯＦ2、Ｆ2、ＯｓＸ）を形成し、ＰＦＣ
ガスを反応生成物として除去する。この分解時の条件
は、ＯｓＯ4の添加ガスの流量が対象とするＰＦＣと反
応する化学等量程度、圧力がプラズマ発生可能な領域程
度である。
【００４８】上記第３の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】次に、本発明に係る第４の実施の形態によ
るプラズマ式ＰＦＣ分解装置について説明する。但し、
第１の実施の形態と同一部分の説明は省略する。
【００５０】ＰＦＣガスを分解する際に添加する添加剤
としてＯｓＯ4（四酸化オスミウム）水溶液を用いる。
【００５１】プラズマ式ＰＦＣ分解装置でＰＦＣガスを
分解する場合、ＯｓＯ4が徐々に気化されて反応ガスと
してＰＦＣ分解装置に供給され、ＰＦＣガスをプラズマ
により分解して化学的に活性化し、そのＰＦＣガスを上
記反応ガスと化学反応させて反応生成物を形成し、ＰＦ
Ｃガスを反応生成物として除去する。
【００５２】上記第４の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５３】次に、本発明に係る第５の実施の形態によ
るプラズマ式ＰＦＣ分解装置について説明する。但し、
第１の実施の形態と同一部分の説明は省略する。
【００５４】ＰＦＣガスを分解する際に添加する添加剤
としてＨ2Ｏ2（過酸化水素水）を用いる。このＨ2Ｏ2は
希釈溶液であるので、時間とともにＯ2とＨ2に分解して
しまう。従って、添加剤供給機構１６は、電気分解によ
り簡易的にＨ2Ｏ2を生成できるＨ2Ｏ2生成機構を含むも
のとする。この生成機構としては、硫酸水素カリウムの
硫酸水溶液の電気分解、その他、ニッケルやパラジウ
ム、白金などとアントラキノンを触媒として、酸素の存
在下で水素と水を酸化する方法などを用いることも可能
である。
【００５５】プラズマ式ＰＦＣ分解装置でＰＦＣガスを
分解する場合、Ｈ2Ｏ2が徐々に気化されて反応ガスとし
てＰＦＣ分解装置に供給され、ＰＦＣガスをプラズマに
より分解して化学的に活性化し、そのＰＦＣガスを上記
反応ガスと化学反応させて反応生成物（ＣＯ2、ＣＯ、
ＣＯＦ2、ＨＦ、Ｆ2）を形成し、ＰＦＣガスを反応生成
物として除去する。反応ガスとして用いるＨ2Ｏ2は、Ｈ
2Ｏ2生成機構により次々と生成されて補充されるように
なっている。なお、分解時の条件は、Ｈ2Ｏ2の添加ガス
の流量が対象とするＰＦＣと反応する化学等量程度、圧
力がプラズマ発生可能な領域程度である。
【００５６】上記第５の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５７】次に、本発明に係る第６の実施の形態によ
るプラズマ式ＰＦＣ分解装置について説明する。但し、
第１の実施の形態と同一部分の説明は省略する。
【００５８】ＰＦＣガスを分解する際に添加する添加剤
としてアルコール類を用いる。ここでのアルコール類
は、炭化水素（ＣXＨY）に−ＯＨがついたものであれば
種々のものを用いることが可能であるが、芳香族に−Ｏ
Ｈ（フェノール）は除かれ、例えばメタノール、エタノ
ール、プロパノール、ブタノールなどを用いることが可
能である。ただし、炭素の数が増えると重量に対し、反
応種であるＯ（酸素原子）、Ｈ（水素原子）が減少する
ので、反応性が劣る可能性がある。従って、炭素の数が
少ないアルコールが好ましい。また、できるだけ−ＯＨ
基が多く付いているものが良く、さらに反応性を豊かに
するには、立体構造をとり、できるだけ全ての側鎖に−
ＯＨ基の付いているアルコールが好ましい。
【００５９】プラズマ式ＰＦＣ分解装置でＰＦＣガスを
分解する場合、アルコールが徐々に気化されて反応ガス
としてＰＦＣ分解装置に供給され、ＰＦＣガスをプラズ
マにより分解して化学的に活性化し、そのＰＦＣガスを
上記反応ガスと化学反応させて反応生成物（ＣＯ2、Ｃ
Ｏ、ＣＯＦ2、ＨＦ、Ｆ2）を形成し、ＰＦＣガスを反応
生成物として除去する。なお、アルコールは、Ｏ2、Ｈ2
Ｏに比べてＰＦＣガスを酸化させる傾向が強い。なお、
分解時の条件は、アルコールの流量が対象とするＰＦＣ
と反応する化学等量程度、圧力がプラズマ発生可能な領
域程度である。
【００６０】上記第６の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】次に、本発明に係る第７の実施の形態によ
るプラズマ式ＰＦＣ分解装置について説明する。但し、
第１の実施の形態と同一部分の説明は省略する。
【００６２】ＰＦＣガスを分解する際に添加する添加剤
として糖類を用いる。糖類は、一般に典型的な炭水化物
として取り扱われるものであり、ＯＨ基が多量に含まれ
るので反応ガスとして好ましい。また、反応ガスとして
は、Ｃ＝Ｃ二重結合以上を持ったもので、Ｏを含んでお
り、またある程度の分子量を有する物質であれば、種々
のものを用いることが可能である。
【００６３】プラズマ式ＰＦＣ分解装置でＰＦＣガスを
分解する場合、糖類が徐々に気化されて反応ガスとして
ＰＦＣ分解装置に供給され、ＰＦＣガスをプラズマによ
り分解して化学的に活性化し、そのＰＦＣガスを上記反
応ガスと化学反応させて反応生成物を形成し、ＰＦＣガ
スを反応生成物として除去する。なお、分解時の条件
は、糖類の添加ガスの流量が対象とするＰＦＣと反応す
る化学等量程度、圧力がプラズマ発生可能な領域程度で
ある。
【００６４】反応ガスのＯは重合できなかったＣをＣＯ
もしくはＣＯ2として除去するのに用いられる。特にＰ
ＦＣガスがＳＦ6の場合、ＳＦ6を分解するにはＦはＨＦ
として、Ｓは炭素の重合に寄与し、橋かけ構造をつくる
ゴム状の重合体（Ｓが取り込まれたゴム状の副生成物）
を生成する。よって、ＳＯXの生成を抑えることがで
き、無害化できる。つまり、従来のＰＦＣ分解装置で
は、ＳＦ6を分解する際に有害のＳＯXが生成されてしま
うが、本実施の形態ではＳＯXの生成を抑えて無害化す
ることができる。また、糖類を利用することでＳＦ6分
解時にＳＯXを抑えられる。
【００６５】ただし、ＰＦＣ分解装置１４と低真空ポン
プ１７との間でゴム状の重合体が生成されてしまうた
め、ＰＦＣ分解装置１４の後段（ＰＦＣ分解装置と低真
空ポンプとの間）にトラップを配置することが好まし
い。このトラップによりゴム状の重合体を捕獲すること
ができる。トラップとしてはコールドトラップなどが利
用できる。
【００６６】上記第７の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。
【００６８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｐ
ＦＣガスの分解率を向上させてより効率良くＰＦＣガス
を分解できるＰＦＣ分解方法、ＰＦＣ分解装置及び半導
体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る第１の実施の形態によるプラズマ
式ＰＦＣ分解装置を示す構成図である。
【図２】従来のプラズマ式ＰＦＣ分解装置を示す構成図
である。
【符号の説明】
１０，１１０…プロセス装置 １１，１１１…排気管 １２，１１２…高真空ポンプ １３，１１３…導入管 １４，１１４…ＰＦＣ分解装置 １５，１１５…排気管 １６…添加剤供給機構 １７，１１７…低真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4D002 AA22 AC10 BA05 BA07 DA03 DA11 DA21 DA34 DA38 DA52 DA70 EA02 4K030 AA04 CA04 EA12 KA43 LA15 5F004 BC02 5F045 BB10 EG08

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体製造装置から排気されるＰＦＣガ
    スを分解して除害する方法であって、 上記ＰＦＣガスをプラズマにより分解して酸化反応ガス
    と化学反応させて反応生成物を形成することにより除害
    することを特徴とするＰＦＣ分解方法。
  2. 【請求項２】 上記酸化反応ガスは、強酸化剤であるＫ
    ＭｎＯ4又はＯｓＯ4を含むガスであることを特徴とする
    請求項１に記載のＰＦＣ分解方法。
  3. 【請求項３】 上記酸化反応ガスにＯ2及びＨ2Ｏのいず
    れか一方又は両方を添加することを特徴とする請求項１
    又は２に記載のＰＦＣ分解方法。
  4. 【請求項４】 上記酸化反応ガスはＨ2Ｏ2を含むガスで
    あり、このＨ2Ｏ2は電気分解により生成されたものであ
    ることを特徴とする請求項１に記載のＰＦＣ分解方法。
  5. 【請求項５】 半導体製造装置から排気されるＰＦＣガ
    スを分解して除害する方法であって、 上記ＰＦＣガスをプラズマにより分解してアルコールか
    らなる反応ガスと化学反応させて反応生成物を形成する
    ことにより除害することを特徴とするＰＦＣ分解方法。
  6. 【請求項６】 半導体製造装置から排気されるＰＦＣガ
    スを分解して除害する方法であって、 上記ＰＦＣガスをプラズマにより分解して糖類からなる
    反応ガスと化学反応させて反応生成物を形成することに
    より除害することを特徴とするＰＦＣ分解方法。
  7. 【請求項７】 上記半導体製造装置はＣＶＤ装置又はエ
    ッチング装置であることを特徴とする請求項１〜６のう
    ちいずれか１項記載のＰＦＣ分解方法。
  8. 【請求項８】 半導体製造装置から排気されるＰＦＣガ
    スが導入されるＰＦＣ分解チャンバーと、 ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズ
    マ発生機構と、 このＰＦＣ分解チャンバーに酸化反応ガスを供給するた
    めの供給機構と、 を具備し、 上記ＰＦＣ分解チャンバー内でＰＦＣガスをプラズマに
    より分解して反応ガスと化学反応させて反応生成物を形
    成することにより除害することを特徴とするＰＦＣ分解
    装置。
  9. 【請求項９】 上記供給機構から供給される反応ガス
    は、強酸化剤であるＫＭｎＯ4又はＯｓＯ4を含むガスで
    あることを特徴とする請求項８に記載のＰＦＣ分解装
    置。
  10. 【請求項１０】 上記酸化反応ガスにＯ2及びＨ2Ｏのい
    ずれか一方又は両方を添加することを特徴とする請求項
    ８又は９に記載のＰＦＣ分解装置。
  11. 【請求項１１】 上記供給機構から供給される酸化反応
    ガスはＨ2Ｏ2を含むガスであり、このＨ2Ｏ2を電気分解
    により生成する生成機構をさらに含むことを特徴とする
    請求項８に記載のＰＦＣ分解方法。
  12. 【請求項１２】 半導体製造装置から排気されるＰＦＣ
    ガスが導入されるＰＦＣ分解チャンバーと、 ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズ
    マ発生機構と、 このＰＦＣ分解チャンバーにアルコールからなる反応ガ
    スを供給するための供給機構と、 を具備し、 上記ＰＦＣ分解チャンバー内でＰＦＣガスをプラズマに
    より分解して反応ガスと化学反応させて反応生成物を形
    成することにより除害することを特徴とするＰＦＣ分解
    装置。
  13. 【請求項１３】 半導体製造装置から排気されるＰＦＣ
    ガスが導入されるＰＦＣ分解チャンバーと、 ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズ
    マ発生機構と、 このＰＦＣ分解チャンバーに糖類からなる反応ガスを供
    給するための供給機構と、 を具備し、 上記ＰＦＣ分解チャンバー内でＰＦＣガスをプラズマに
    より分解して反応ガスと化学反応させて反応生成物を形
    成することにより除害することを特徴とするＰＦＣ分解
    装置。
  14. 【請求項１４】 上記半導体製造装置はＣＶＤ装置又は
    エッチング装置であることを特徴とする請求項８〜１３
    のうちいずれか１項記載のＰＦＣ分解装置。
  15. 【請求項１５】 半導体製造装置においてＰＦＣガスを
    用いて半導体の製造を行う工程と、 この工程により排気されるＰＦＣガスを、プラズマによ
    り分解して酸化反応ガスと化学反応させて反応生成物を
    形成することにより除害する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  16. 【請求項１６】 上記反応ガスは、強酸化剤であるＫＭ
    ｎＯ4又はＯｓＯ4を含むガスであることを特徴とする請
    求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 【請求項１７】 上記酸化反応ガスにＯ2及びＨ2Ｏのい
    ずれか一方又は両方を添加することを特徴とする請求項
    １５又は１６に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 【請求項１８】 上記酸化反応ガスはＨ2Ｏ2を含むガス
    であり、このＨ2Ｏ2は電気分解により生成されたもので
    あることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の
    製造方法。
  19. 【請求項１９】 半導体製造装置においてＰＦＣガスを
    用いて半導体の製造を行う工程と、 この工程により排気されるＰＦＣガスを、プラズマによ
    り分解してアルコールからなる反応ガスと化学反応させ
    て反応生成物を形成することにより除害する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  20. 【請求項２０】 半導体製造装置においてＰＦＣガスを
    用いて半導体の製造を行う工程と、 この工程により排気されるＰＦＣガスを、プラズマによ
    り分解して糖類からなる反応ガスと化学反応させて反応
    生成物を形成することにより除害する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  21. 【請求項２１】 上記半導体製造装置はＣＶＤ装置又は
    エッチング装置であることを特徴とする請求項１５〜２
    ０のうちいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
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