JP2004237162A - ガス処理装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ガス中の反応性成分について優れた分解能力を有するガス処理装置および該ガス処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のガス処理装置は、反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプ２４と、副ポンプ２４から排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置２６と、プラズマ分解装置２６から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプ２８と、を含む。
【選択図】 図１
【解決手段】本発明のガス処理装置は、反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプ２４と、副ポンプ２４から排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置２６と、プラズマ分解装置２６から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプ２８と、を含む。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス処理装置および該ガス処理装置を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
ガス状の反応性成分を分解する装置の一つとして、プラズマ分解装置が用いられている。このプラズマ分解装置は、例えば、ＰＦＣ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ−ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）ガスやＣＦＣ（ｃｈｌｏｒｏｆｌｕｏｒｏ−ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）ガス等の有機ハロゲン化化合物を、より低分子のガスへと分解することができる。これらのガス（有機ハロゲン化化合物）は、いわゆる温室効果ガスとして知られている。この温室効果ガスは、地球温暖化の原因物質といわれている。地球温暖化の進行を抑制するために、これらのガスが大気中へと放出するのを最小限に食い止めることが国際的に求められている。
【０００３】
また、前述したガスは、従来、冷蔵庫、エアーコンデシショナー、自動車等の冷却材として使用されており、これらの機器を廃棄する際にこれらのガスが大気中に放出されることが大きな問題となっている。また、半導体装置の製造工程においても、前述したガスが使用されており、使用後にこれらのガスを適切に処理することが求められている。そこで、前述したように、前述したガスを分解する手段の一つとして、プラズマ分解装置を用いた処理方法が用いられている。また、このプラズマ分解装置は、前述したガス以外の有害物質を分解する手段としても広く用いられている。
【０００４】
一般的なプラズマ分解装置としては、例えば、次のものがある（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２７４０００号公報（第９図および第１０図）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ガス中の反応性成分について優れた分解能力を有するガス処理装置および該ガス処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス処理装置は、
反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプと、
前記副ポンプから排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置と、
前記プラズマ分解装置から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプと、を含む。
【０００８】
ここで、「反応性成分」とは、プラズマ分解装置内で反応する成分をいい、「反応性成分を含有するガス」とは、ガス中に含まれる成分の一部が反応性成分であるガスのほか、反応性成分のみからなるガスを含むものとする。
【０００９】
本発明のガス処理装置によれば、上記構成を有することにより、前記プラズマ分解装置内のガスの圧力を、前記副ポンプにて制御することができる。すなわち、前記副ポンプによって前記プラズマ分解装置内のガスの減圧状態を制御することにより、前記プラズマ分解装置内のガスの圧力を、反応に適した圧力に制御することが可能となる。その結果、前記プラズマ分解装置におけるガスの分解能力を高めることができる。
【００１０】
この場合、前記プラズマ分解装置は、前記主ポンプと前記副ポンプとの間に配置されている。
【００１１】
また、この場合、前記主ポンプの回転数を調整することにより、該副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を調整することができる。これにより、前記プラズマ分解装置内の圧力をより厳密に制御することができる。
【００１２】
あるいは、この場合、前記主ポンプと前記プラズマ分解装置との間に配管が設置され、前記配管の開口率を調整することにより、前記副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を調整することができる。これにより、前記副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を厳密に制御することができる。
【００１３】
さらに、この場合、前記プラズマ分解装置にはさらに、前記反応性成分と反応可能な添加ガスを導入できる。
【００１４】
また、本発明のガス処理装置は、半導体装置の製造方法に適用できる。
【００１５】
この場合、前記副ポンプは、反応装置に接続され、前記副ポンプによって減圧される前記ガスは、前記反応装置から排出されることができる。この構成によれば、前記プラズマ分解装置内でプラズマ分解反応が生じる結果として、該プラズマ分解装置内のガスの圧力が増加した場合であっても、このガス圧の増加が前記反応装置に直接影響を与えることはない。これにより、前記反応装置を安定して動作させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
１．ガス処理装置の構成
図１は、本発明を適用した一実施の形態に係るガス処理装置１００の構成概要図である。
【００１８】
本実施の形態のガス処理装置１００は、プラズマ分解装置２６によって、ガス中の反応性成分を分解する機能を有する。具体的には、このガス処理装置１００は、図１に示すように、副ポンプ２４と、プラズマ分解装置２６と、主ポンプ２８とを含む。プラズマ分解装置２６は、副ポンプ２４と主ポンプ２８との間に配置されている。より具体的には、反応装置２２と副ポンプ２４とは配管４２を介して接続され、副ポンプ２４とプラズマ分解装置２６とは配管４６を介して接続され、プラズマ分解装置２６と主ポンプ２８とは配管４８を介して接続されている。
【００１９】
なお、本実施の形態では、前記反応性成分がＰＦＣである場合について説明する。また、本実施の形態においては、ガス処理装置が半導体装置の製造プロセスにて用いられる場合について説明する。具体的には、半導体装置の製造プロセスにおいて、反応装置２２内でＰＦＣを用いて反応が行なわれた後、未反応のＰＦＣおよび前記反応によって生成されたフッ化化合物を反応性成分として含むガスが反応装置２２から排出される。このガスがプラズマ分解装置２６に導入された後、プラズマ分解装置２６内で前記ガス中の前記反応性成分が分解される。
【００２０】
副ポンプ２４および主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力を調整するために設けられている。特に、プラズマ分解装置２６は、配管４６を介して副ポンプ２４と接続され、かつ、配管４８を介して主ポンプ２８と接続されているため、主ポンプ２８の回転数を調整することにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出するガスの圧力を精密に調整することができる。この結果、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力をより厳密に調整することができる。
【００２１】
ここで、主ポンプ２８の回転数を調整することに代えて、あるいは主ポンプ２８の回転数を調整するとともに、主ポンプ２８とプラズマ分解装置２６との間に設けられた配管４８の開口率を調整することにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出されたガスの圧力を調整することができる。これにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出されたガスの圧力を厳密に制御することができる。
【００２２】
例えば、図１に示すように、配管４８に負荷調整弁５０を設置することができる。この負荷調整弁５０の開閉によって、配管４８の開口率を調整することができる。すなわち、この負荷調整弁５０の開閉を調整することにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出されたガスの圧力を厳密に調整することができる。
【００２３】
プラズマ分解装置２６内で反応性成分（ＰＦＣおよびフッ化化合物）が効率良くプラズマ分解されるためには、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が適切な範囲に設定されることが望ましい。このガスの適切な圧力範囲は、このガス中に含まれる各反応性成分の種類や濃度およびプラズマ分解装置２６内の温度等によって異なる。プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が低すぎる場合、前記反応性成分を構成する分子とプラズマとの衝突が起こりにくくなる。その結果、プラズマ分解が起こりにくくなって、プラズマ分解効率が低下するおそれがある。一方、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が高すぎる場合、前記ガス中に含まれる前記反応性成分を分解するために十分なプラズマが得られないため、プラズマ分解効率が低下するおそれがある。
【００２４】
本実施の形態のガス処理装置１００によれば、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が、副ポンプ２４および主ポンプ２８によって適切な範囲に調整されていることにより、プラズマ分解装置２６内での前記反応性成分の分解効率を高めることができる。
【００２５】
この反応装置２２内では、例えば、ドライエッチングやＣＶＤ等の半導体装置の製造プロセスにおいてＰＦＣが使用される。具体的には、図１に示すように、反応装置２２には、ガス導入口３６からＰＦＣが導入される。そして、反応装置２２内にて反応が行なわれる結果、未反応のＰＦＣおよび反応によって生じたフッ化化合物を反応性成分として含有するガスが、副ポンプ２４へと排出される。
【００２６】
副ポンプ２４は、反応装置２２に接続されている。この副ポンプ２４は、反応装置２２から排出された前記ガスを導入した後、このガスの圧力を高真空状態となるまで減圧する。また、主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６から排出されたガスを減圧した後排出する。副ポンプ２４によって排気される前と後とでの前記ガスの圧力差は、主ポンプ２８とによってガスが減圧される前と後とでの前記ガスの圧力差と比較して大きい。より具体的には、副ポンプ２４は、反応装置２２から排出された前記ガスを、高真空状態となる圧力（例えば１ｍｍＴｏｒｒ以下の圧力）へと減圧することができる。また、主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６から排出されたガスの圧力を、数十ｍｍ〜数百ｍｍＴｏｒｒとなるように再度減圧することができる。
【００２７】
プラズマ分解装置２６は、減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置である。減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置は、放電プラズマを生成するために、プラズマ分解装置内に導入されたガスを減圧状態にすることが求められる。このため、減圧装置（ここでは副ポンプ２４および主ポンプ２８）の設置が必要とされる。この減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置は、比較的低温にて効率良く有機ガスを分解することができるという特徴を有する。プラズマ分解装置２６としては、プラズマの発生方式によって、例えば、ＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｅｄ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）方式や、ＲＦ（平行平板型）方式を用いた装置が例示できる。
【００２８】
プラズマ分解装置２６は、副ポンプ２４から排出されたガスに含まれる前記反応性成分（未反応のＰＦＣおよびフッ化化合物）を分解する。また、プラズマ分解装置２６には、副ポンプ２４から排出されたガスが導入されるとともに、必要に応じて、添加ガス導入口３８から添加ガスが導入される。この添加ガスは、プラズマ分解装置２６内で前記反応性成分と反応させるために用いられる。
【００２９】
具体的には、図１に示すように、副ポンプ２４とプラズマ分解装置２６とは配管４６によって接続され、この配管４６の途中に配管４４が接続されている。これにより、副ポンプ２４から排出されたガスとともに、前記添加ガスをプラズマ分解装置２６へと導入することができる。なお、副ポンプ２４としては、ブースターポンプ（例えばルーツポンプやスクリューポンプ）を用いることができる。
【００３０】
前記添加ガスとしては、酸素原子または水素原子を構成要素として含むガスが用いられる。これらのガスを添加ガスとして用いることにより、副ポンプ２４から排出されたガス中に含まれる反応性成分（ＰＦＣやフッ化化合物）を、ＣＯ２またはＣＯとＨ２Ｏ、およびＦ２へと分解することができる。具体的には、前記添加ガスとしては、例えば、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２、ＣＯ等を用いることができる。また、この添加ガスは、窒素やアルゴンなど前記反応性成分に対して不活性なガスに含有させた状態で、プラズマ分解装置２６に導入することができる。
【００３１】
例えば、プラズマ分解装置２６に導入されたガスに、前記反応性成分としてＣ２Ｆ６（ＰＦＣの一種）が含まれている場合に、前記添加ガスとしてＯ２を用いた場合、プラズマ分解装置２６内では、Ｃ２Ｆ６＋Ｏ２→２ＣＯ＋３Ｆ２という反応が進行する。すなわち、Ｃ２Ｆ６は分解された後一酸化炭素ガス（ＣＯ）とフッ素ガス（Ｆ２）とに変換される。
【００３２】
上記反応の場合、反応前と比較して反応後の分子のモル数は増加する。同様の反応が、プラズマ分解装置２６に導入されたガスに含まれる他の成分についても起こる場合には、プラズマ分解装置２６内に存在する前記反応性成分全体において、反応前と比較して反応後の分子のモル数が増加する。これにより、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力は、反応前と比較して、反応後のほうが大きくなる。
【００３３】
主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６から排出されたガスの圧力を減圧した後排出する。前述したように、プラズマ分解装置２６から排出される際のガスの圧力は、プラズマ分解装置２６に導入される際のガスの圧力よりも高くなっている。
【００３４】
なお、主ポンプ２８から前記ガスを排出する前に、酸性ガス（例えばＦ２，ＨＦ）を除去するための手段を設けることができる。酸性ガスを除去する方法としては、例えば、（ｉ）アルカリ系水溶液に前記ガスをバブリングして反応させる方法、（ｉｉ）吸着剤の中に前記ガスを通す方法、あるいは（ｉｉｉ）燃焼によって前記ガスを分解する方法が挙げられる。
【００３５】
２．ガス処理装置の動作
次に、このガス処理装置１００の動作について説明する。
【００３６】
反応装置２２から排出されたガスは、配管４２内を通って、添加ガス導入口３８から導入された添加ガスとともに、副ポンプ２４へと導入される。反応装置２２から排出されたガスには、前記反応性成分として、未反応のＰＦＣおよびフッ化化合物が含まれている。
【００３７】
次に、副ポンプ２４に導入されたこれらのガスは、副ポンプ２４によって、高真空状態（例えば１ｍｍ以下）の圧力まで減圧された後、排出される。ここで排出されたガスは、配管４６を通ってプラズマ分解装置２６へと導入される。ここで、前記添加ガスが、添加ガス導入口３８から配管４４および配管４６を通ってプラズマ分解装置２６へと導入される。プラズマ分解装置２６では、プラズマにより前記反応性成分が分解されるとともに、前記添加ガスと反応する（前述のＣ２Ｆ６の例を参照）。これにより、未反応のＰＦＣおよびフッ化化合物がより低分子のガス（ＣＯ、Ｈ２Ｏ、Ｆ２等）へと変換される。
【００３８】
次いで、プラズマ分解装置２６から前記反応後のガスが排出された後、配管４８を通って主ポンプ２８へと導入される。プラズマ分解装置２６から排出されたガスは、主ポンプ２８にて減圧された後排出される。具体的には、プラズマ分解装置２６から排出されたガスは、主ポンプ２８によって減圧された後排出される。その後、前記ガスは配管４９を通ってガス排出口３４から排出される。ここで排出されたガスのうち酸性ガスは、前述した方法によって除去できる。
【００３９】
３．作用効果
本実施の形態のガス処理装置１００の作用効果を説明するにあたり、その作用効果を比較するために、まず、一般的なガス処理装置２００の構成について説明する。
【００４０】
（１）一般的なガス処理装置２００の構成
一般的なガス処理装置２００の構成概略図を図２に示す。このガス処理装置２００は、本実施の形態のガス処理装置１００と同様に、減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置２６を含む。なお、このガス処理装置２００においても、反応装置２２内の反応でＰＦＣが使用された後、未反応のＰＦＣおよび前記反応において生成したフッ化化合物を反応性成分として含有するガスが、反応装置２２から排出される場合を例にとり説明する。
【００４１】
このガス処理装置２００は、プラズマ分解装置２６とともに、反応装置２２およびドライポンプ９０を含む。反応装置２２はプラズマ分解装置２６と接続されており、プラズマ分解装置２６はドライポンプ９０に接続されている。すなわち、反応装置２２と、プラズマ分解装置２６と、ドライポンプ９０とが直列に接続されている。反応装置２２とプラズマ分解装置２６は配管９２を介して接続され、プラズマ分解装置２６とドライポンプ９０とは配管９６を介して接続されている。
【００４２】
ドライポンプ９０は、副ポンプ２４と主ポンプ２８とを含む。ドライポンプ９０において、この副ポンプ２４と主ポンプ２８とが直列に接続されており、副ポンプ２４がプラズマ分解装置２６と接続されている。この副ポンプ２４と主ポンプ２８とは配管９８を介して接続されている。
【００４３】
このガス処理装置２００では、ドライポンプ９０によって、プラズマ分解装置２６内のガスを減圧状態にすることにより、反応装置２２から排出されたガスが、添加ガス導入口３８から導入される添加ガスとともにプラズマ分解装置２６に導入された後、このプラズマ分解装置２６内で、反応装置２２から排出されたガス中の反応性成分がプラズマ分解される。その後、反応後のガスは、ドライポンプ９０にて減圧された後、配管９９を通ってガス排出口３４から排出される。
【００４４】
このガス処理装置２００では、プラズマ分解装置２６が、反応装置２２とドライポンプ９０との間に配置されている。したがって、プラズマ分解装置２６に導入されるガスの圧力は主に、反応装置２２から排出されたガスの圧力と、添加ガス導入口３８から導入される添加ガスの圧力と、ドライポンプ９０の能力とによって決定される。このため、プラズマ分解装置２６に導入される直前のガスの圧力を独立して調整するのが難しい。
【００４５】
特に、反応装置２２内で行なわれる反応の種類によっては、反応装置２２内の圧力が数十ｍｍＴｏｒｒに調整されている場合がある。この場合、圧力数十ｍｍＴｏｒｒに調整されたガスが反応装置２２から排出された場合、ドライポンプ９０によってさらに減圧されるため、プラズマ分解装置２６に導入される直前のガスは、その圧力が超高真空状態（きわめて真空に近い状態）になっていることがある。前述したように、プラズマ分解装置２６内で反応性成分（ＰＦＣやフッ化化合物）が効率良くプラズマ分解されるためには、プラズマ分解装置２６内の圧力が適切な範囲に設定されることが必要である。しかしながら、一般的なガス処理装置２００では、前述したように、プラズマ分解装置２６が、反応装置２２とドライポンプ９０との間に配置されているため、プラズマ分解装置２６内の圧力が、必要以上に低圧状態となっている。すなわち、プラズマ分解装置２６内で、前記反応性成分の分子とプラズマとの衝突が起こりにくい状態になっているため、前記反応性成分のプラズマ分解が起こりにくい。これにより、プラズマ分解装置２６内において、前記反応性成分のプラズマ分解効率が低下するという問題が生じる場合があった。
【００４６】
また、ガス処理装置１００のプラズマ処理装置２６と同様に、ガス処理装置２００のプラズマ分解装置２６内においても、添加ガス導入口３８から導入された添加ガスと、副ポンプ２４から排出されたガス中の反応性成分とが反応して、新たなガスが生成する。その結果、プラズマ分解装置２６内の圧力が増加する。すなわち、前述した例（Ｃ２Ｆ６とＯ２との反応）で説明したように、前記反応性成分と添加ガスとが反応した後のプラズマ分解装置２６内のガスの圧力は、前記反応前のプラズマ分解装置２６内のガスの圧力よりも大きくなる。このガス処理装置２００では、プラズマ分解装置２６と反応装置２２とが配管９２（図２参照）を介して接続されている。このため、この反応によって生じるプラズマ分解装置２６内のガスの圧力増加によって、反応装置２２内のガスの圧力が変化する結果、反応装置２２内における反応の進行が妨げられるという問題が生じる場合があった。
【００４７】
（２）本実施の形態のガス処理装置１００の作用効果
これに対して、本実施の形態のガス処理装置１００によれば、反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプ２４と、副ポンプ２４から排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置２６と、プラズマ分解装置２６から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプ２８と、を含む。具体的には、プラズマ分解装置２６が、副ポンプ２４と主ポンプ２８との間に配置されている。これにより、プラズマ分解装置２６に導入されるガスの圧力を、主ポンプ２８にて制御することができる。すなわち、主ポンプ２８によってプラズマ分解装置２６内のガスの減圧状態を制御することにより、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力を、反応に適した圧力に制御することが可能となる。その結果、プラズマ分解装置２６におけるガスの分解能力を高めることができる。
【００４８】
また、本実施の形態のガス処理装置１００によれば、反応装置２２とプラズマ分解装置２６との間に副ポンプ２４が配置されている。これにより、前述したプラズマ分解装置２６内のプラズマ分解反応によって、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が増加した場合であっても、このガス圧の増加が反応装置２２に直接影響を与えることはない。これにより、反応装置２２を安定して動作させることができる。
【００４９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００５０】
例えば、本実施の形態においては、プラズマ分解装置がＰＦＣを分解する場合を例にとり説明したが、プラズマ分解装置が分解する物質は、ＰＦＣに限定されるわけではなく、ＣＦＣ等の有機ハロゲン化合物をはじめとする反応性成分含有ガスであればよい。
【００５１】
また、本実施の形態においては、本発明のガス処理装置が、半導体装置の製造プロセス中で使用される場合について説明したが、この他の用途にも本発明のガス処理装置を使用することができる。この他の用途としては、例えば、製品塗装工場、溶剤取扱い施設、印刷工場、自動車塗装工場、ガソリンスタンドその他の事業所から排出されたガスからの有害物質の除去が挙げられる。この場合、前記ガスは、前記有害物質を反応性成分として含有する。また、有害物質でなくても、添加ガスに対して反応性を有する成分であれば、本発明のガス処理装置によって分解することができることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るガス処理装置の構成概要図である。
【図２】一般的なガス処理装置の構成概要図である。
【符号の説明】
２２ 反応装置、 ２４ 副ポンプ、 ２６ プラズマ分解装置、 ２８ 主ポンプ、 ３４ ガス排出口、 ３６ ガス導入口、 ３８ 添加ガス導入口、４２，４４，４６，４８，４９ 配管、 ５０ 負荷調整弁、 １００ ガス処理装置
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガス処理装置および該ガス処理装置を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【背景技術】
ガス状の反応性成分を分解する装置の一つとして、プラズマ分解装置が用いられている。このプラズマ分解装置は、例えば、ＰＦＣ（ｐｅｒｆｌｕｏｒｏ−ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）ガスやＣＦＣ（ｃｈｌｏｒｏｆｌｕｏｒｏ−ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ）ガス等の有機ハロゲン化化合物を、より低分子のガスへと分解することができる。これらのガス（有機ハロゲン化化合物）は、いわゆる温室効果ガスとして知られている。この温室効果ガスは、地球温暖化の原因物質といわれている。地球温暖化の進行を抑制するために、これらのガスが大気中へと放出するのを最小限に食い止めることが国際的に求められている。
【０００３】
また、前述したガスは、従来、冷蔵庫、エアーコンデシショナー、自動車等の冷却材として使用されており、これらの機器を廃棄する際にこれらのガスが大気中に放出されることが大きな問題となっている。また、半導体装置の製造工程においても、前述したガスが使用されており、使用後にこれらのガスを適切に処理することが求められている。そこで、前述したように、前述したガスを分解する手段の一つとして、プラズマ分解装置を用いた処理方法が用いられている。また、このプラズマ分解装置は、前述したガス以外の有害物質を分解する手段としても広く用いられている。
【０００４】
一般的なプラズマ分解装置としては、例えば、次のものがある（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開２００１−２７４０００号公報（第９図および第１０図）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、ガス中の反応性成分について優れた分解能力を有するガス処理装置および該ガス処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明のガス処理装置は、
反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプと、
前記副ポンプから排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置と、
前記プラズマ分解装置から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプと、を含む。
【０００８】
ここで、「反応性成分」とは、プラズマ分解装置内で反応する成分をいい、「反応性成分を含有するガス」とは、ガス中に含まれる成分の一部が反応性成分であるガスのほか、反応性成分のみからなるガスを含むものとする。
【０００９】
本発明のガス処理装置によれば、上記構成を有することにより、前記プラズマ分解装置内のガスの圧力を、前記副ポンプにて制御することができる。すなわち、前記副ポンプによって前記プラズマ分解装置内のガスの減圧状態を制御することにより、前記プラズマ分解装置内のガスの圧力を、反応に適した圧力に制御することが可能となる。その結果、前記プラズマ分解装置におけるガスの分解能力を高めることができる。
【００１０】
この場合、前記プラズマ分解装置は、前記主ポンプと前記副ポンプとの間に配置されている。
【００１１】
また、この場合、前記主ポンプの回転数を調整することにより、該副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を調整することができる。これにより、前記プラズマ分解装置内の圧力をより厳密に制御することができる。
【００１２】
あるいは、この場合、前記主ポンプと前記プラズマ分解装置との間に配管が設置され、前記配管の開口率を調整することにより、前記副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を調整することができる。これにより、前記副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を厳密に制御することができる。
【００１３】
さらに、この場合、前記プラズマ分解装置にはさらに、前記反応性成分と反応可能な添加ガスを導入できる。
【００１４】
また、本発明のガス処理装置は、半導体装置の製造方法に適用できる。
【００１５】
この場合、前記副ポンプは、反応装置に接続され、前記副ポンプによって減圧される前記ガスは、前記反応装置から排出されることができる。この構成によれば、前記プラズマ分解装置内でプラズマ分解反応が生じる結果として、該プラズマ分解装置内のガスの圧力が増加した場合であっても、このガス圧の増加が前記反応装置に直接影響を与えることはない。これにより、前記反応装置を安定して動作させることができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
１．ガス処理装置の構成
図１は、本発明を適用した一実施の形態に係るガス処理装置１００の構成概要図である。
【００１８】
本実施の形態のガス処理装置１００は、プラズマ分解装置２６によって、ガス中の反応性成分を分解する機能を有する。具体的には、このガス処理装置１００は、図１に示すように、副ポンプ２４と、プラズマ分解装置２６と、主ポンプ２８とを含む。プラズマ分解装置２６は、副ポンプ２４と主ポンプ２８との間に配置されている。より具体的には、反応装置２２と副ポンプ２４とは配管４２を介して接続され、副ポンプ２４とプラズマ分解装置２６とは配管４６を介して接続され、プラズマ分解装置２６と主ポンプ２８とは配管４８を介して接続されている。
【００１９】
なお、本実施の形態では、前記反応性成分がＰＦＣである場合について説明する。また、本実施の形態においては、ガス処理装置が半導体装置の製造プロセスにて用いられる場合について説明する。具体的には、半導体装置の製造プロセスにおいて、反応装置２２内でＰＦＣを用いて反応が行なわれた後、未反応のＰＦＣおよび前記反応によって生成されたフッ化化合物を反応性成分として含むガスが反応装置２２から排出される。このガスがプラズマ分解装置２６に導入された後、プラズマ分解装置２６内で前記ガス中の前記反応性成分が分解される。
【００２０】
副ポンプ２４および主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力を調整するために設けられている。特に、プラズマ分解装置２６は、配管４６を介して副ポンプ２４と接続され、かつ、配管４８を介して主ポンプ２８と接続されているため、主ポンプ２８の回転数を調整することにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出するガスの圧力を精密に調整することができる。この結果、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力をより厳密に調整することができる。
【００２１】
ここで、主ポンプ２８の回転数を調整することに代えて、あるいは主ポンプ２８の回転数を調整するとともに、主ポンプ２８とプラズマ分解装置２６との間に設けられた配管４８の開口率を調整することにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出されたガスの圧力を調整することができる。これにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出されたガスの圧力を厳密に制御することができる。
【００２２】
例えば、図１に示すように、配管４８に負荷調整弁５０を設置することができる。この負荷調整弁５０の開閉によって、配管４８の開口率を調整することができる。すなわち、この負荷調整弁５０の開閉を調整することにより、副ポンプ２４からプラズマ分解装置２６へと排出されたガスの圧力を厳密に調整することができる。
【００２３】
プラズマ分解装置２６内で反応性成分（ＰＦＣおよびフッ化化合物）が効率良くプラズマ分解されるためには、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が適切な範囲に設定されることが望ましい。このガスの適切な圧力範囲は、このガス中に含まれる各反応性成分の種類や濃度およびプラズマ分解装置２６内の温度等によって異なる。プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が低すぎる場合、前記反応性成分を構成する分子とプラズマとの衝突が起こりにくくなる。その結果、プラズマ分解が起こりにくくなって、プラズマ分解効率が低下するおそれがある。一方、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が高すぎる場合、前記ガス中に含まれる前記反応性成分を分解するために十分なプラズマが得られないため、プラズマ分解効率が低下するおそれがある。
【００２４】
本実施の形態のガス処理装置１００によれば、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が、副ポンプ２４および主ポンプ２８によって適切な範囲に調整されていることにより、プラズマ分解装置２６内での前記反応性成分の分解効率を高めることができる。
【００２５】
この反応装置２２内では、例えば、ドライエッチングやＣＶＤ等の半導体装置の製造プロセスにおいてＰＦＣが使用される。具体的には、図１に示すように、反応装置２２には、ガス導入口３６からＰＦＣが導入される。そして、反応装置２２内にて反応が行なわれる結果、未反応のＰＦＣおよび反応によって生じたフッ化化合物を反応性成分として含有するガスが、副ポンプ２４へと排出される。
【００２６】
副ポンプ２４は、反応装置２２に接続されている。この副ポンプ２４は、反応装置２２から排出された前記ガスを導入した後、このガスの圧力を高真空状態となるまで減圧する。また、主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６から排出されたガスを減圧した後排出する。副ポンプ２４によって排気される前と後とでの前記ガスの圧力差は、主ポンプ２８とによってガスが減圧される前と後とでの前記ガスの圧力差と比較して大きい。より具体的には、副ポンプ２４は、反応装置２２から排出された前記ガスを、高真空状態となる圧力（例えば１ｍｍＴｏｒｒ以下の圧力）へと減圧することができる。また、主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６から排出されたガスの圧力を、数十ｍｍ〜数百ｍｍＴｏｒｒとなるように再度減圧することができる。
【００２７】
プラズマ分解装置２６は、減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置である。減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置は、放電プラズマを生成するために、プラズマ分解装置内に導入されたガスを減圧状態にすることが求められる。このため、減圧装置（ここでは副ポンプ２４および主ポンプ２８）の設置が必要とされる。この減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置は、比較的低温にて効率良く有機ガスを分解することができるという特徴を有する。プラズマ分解装置２６としては、プラズマの発生方式によって、例えば、ＩＣＰ（ｉｎｄｕｃｅｄ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）方式や、ＲＦ（平行平板型）方式を用いた装置が例示できる。
【００２８】
プラズマ分解装置２６は、副ポンプ２４から排出されたガスに含まれる前記反応性成分（未反応のＰＦＣおよびフッ化化合物）を分解する。また、プラズマ分解装置２６には、副ポンプ２４から排出されたガスが導入されるとともに、必要に応じて、添加ガス導入口３８から添加ガスが導入される。この添加ガスは、プラズマ分解装置２６内で前記反応性成分と反応させるために用いられる。
【００２９】
具体的には、図１に示すように、副ポンプ２４とプラズマ分解装置２６とは配管４６によって接続され、この配管４６の途中に配管４４が接続されている。これにより、副ポンプ２４から排出されたガスとともに、前記添加ガスをプラズマ分解装置２６へと導入することができる。なお、副ポンプ２４としては、ブースターポンプ（例えばルーツポンプやスクリューポンプ）を用いることができる。
【００３０】
前記添加ガスとしては、酸素原子または水素原子を構成要素として含むガスが用いられる。これらのガスを添加ガスとして用いることにより、副ポンプ２４から排出されたガス中に含まれる反応性成分（ＰＦＣやフッ化化合物）を、ＣＯ２またはＣＯとＨ２Ｏ、およびＦ２へと分解することができる。具体的には、前記添加ガスとしては、例えば、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２、ＣＯ等を用いることができる。また、この添加ガスは、窒素やアルゴンなど前記反応性成分に対して不活性なガスに含有させた状態で、プラズマ分解装置２６に導入することができる。
【００３１】
例えば、プラズマ分解装置２６に導入されたガスに、前記反応性成分としてＣ２Ｆ６（ＰＦＣの一種）が含まれている場合に、前記添加ガスとしてＯ２を用いた場合、プラズマ分解装置２６内では、Ｃ２Ｆ６＋Ｏ２→２ＣＯ＋３Ｆ２という反応が進行する。すなわち、Ｃ２Ｆ６は分解された後一酸化炭素ガス（ＣＯ）とフッ素ガス（Ｆ２）とに変換される。
【００３２】
上記反応の場合、反応前と比較して反応後の分子のモル数は増加する。同様の反応が、プラズマ分解装置２６に導入されたガスに含まれる他の成分についても起こる場合には、プラズマ分解装置２６内に存在する前記反応性成分全体において、反応前と比較して反応後の分子のモル数が増加する。これにより、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力は、反応前と比較して、反応後のほうが大きくなる。
【００３３】
主ポンプ２８は、プラズマ分解装置２６から排出されたガスの圧力を減圧した後排出する。前述したように、プラズマ分解装置２６から排出される際のガスの圧力は、プラズマ分解装置２６に導入される際のガスの圧力よりも高くなっている。
【００３４】
なお、主ポンプ２８から前記ガスを排出する前に、酸性ガス（例えばＦ２，ＨＦ）を除去するための手段を設けることができる。酸性ガスを除去する方法としては、例えば、（ｉ）アルカリ系水溶液に前記ガスをバブリングして反応させる方法、（ｉｉ）吸着剤の中に前記ガスを通す方法、あるいは（ｉｉｉ）燃焼によって前記ガスを分解する方法が挙げられる。
【００３５】
２．ガス処理装置の動作
次に、このガス処理装置１００の動作について説明する。
【００３６】
反応装置２２から排出されたガスは、配管４２内を通って、添加ガス導入口３８から導入された添加ガスとともに、副ポンプ２４へと導入される。反応装置２２から排出されたガスには、前記反応性成分として、未反応のＰＦＣおよびフッ化化合物が含まれている。
【００３７】
次に、副ポンプ２４に導入されたこれらのガスは、副ポンプ２４によって、高真空状態（例えば１ｍｍ以下）の圧力まで減圧された後、排出される。ここで排出されたガスは、配管４６を通ってプラズマ分解装置２６へと導入される。ここで、前記添加ガスが、添加ガス導入口３８から配管４４および配管４６を通ってプラズマ分解装置２６へと導入される。プラズマ分解装置２６では、プラズマにより前記反応性成分が分解されるとともに、前記添加ガスと反応する（前述のＣ２Ｆ６の例を参照）。これにより、未反応のＰＦＣおよびフッ化化合物がより低分子のガス（ＣＯ、Ｈ２Ｏ、Ｆ２等）へと変換される。
【００３８】
次いで、プラズマ分解装置２６から前記反応後のガスが排出された後、配管４８を通って主ポンプ２８へと導入される。プラズマ分解装置２６から排出されたガスは、主ポンプ２８にて減圧された後排出される。具体的には、プラズマ分解装置２６から排出されたガスは、主ポンプ２８によって減圧された後排出される。その後、前記ガスは配管４９を通ってガス排出口３４から排出される。ここで排出されたガスのうち酸性ガスは、前述した方法によって除去できる。
【００３９】
３．作用効果
本実施の形態のガス処理装置１００の作用効果を説明するにあたり、その作用効果を比較するために、まず、一般的なガス処理装置２００の構成について説明する。
【００４０】
（１）一般的なガス処理装置２００の構成
一般的なガス処理装置２００の構成概略図を図２に示す。このガス処理装置２００は、本実施の形態のガス処理装置１００と同様に、減圧放電プラズマ方式のプラズマ分解装置２６を含む。なお、このガス処理装置２００においても、反応装置２２内の反応でＰＦＣが使用された後、未反応のＰＦＣおよび前記反応において生成したフッ化化合物を反応性成分として含有するガスが、反応装置２２から排出される場合を例にとり説明する。
【００４１】
このガス処理装置２００は、プラズマ分解装置２６とともに、反応装置２２およびドライポンプ９０を含む。反応装置２２はプラズマ分解装置２６と接続されており、プラズマ分解装置２６はドライポンプ９０に接続されている。すなわち、反応装置２２と、プラズマ分解装置２６と、ドライポンプ９０とが直列に接続されている。反応装置２２とプラズマ分解装置２６は配管９２を介して接続され、プラズマ分解装置２６とドライポンプ９０とは配管９６を介して接続されている。
【００４２】
ドライポンプ９０は、副ポンプ２４と主ポンプ２８とを含む。ドライポンプ９０において、この副ポンプ２４と主ポンプ２８とが直列に接続されており、副ポンプ２４がプラズマ分解装置２６と接続されている。この副ポンプ２４と主ポンプ２８とは配管９８を介して接続されている。
【００４３】
このガス処理装置２００では、ドライポンプ９０によって、プラズマ分解装置２６内のガスを減圧状態にすることにより、反応装置２２から排出されたガスが、添加ガス導入口３８から導入される添加ガスとともにプラズマ分解装置２６に導入された後、このプラズマ分解装置２６内で、反応装置２２から排出されたガス中の反応性成分がプラズマ分解される。その後、反応後のガスは、ドライポンプ９０にて減圧された後、配管９９を通ってガス排出口３４から排出される。
【００４４】
このガス処理装置２００では、プラズマ分解装置２６が、反応装置２２とドライポンプ９０との間に配置されている。したがって、プラズマ分解装置２６に導入されるガスの圧力は主に、反応装置２２から排出されたガスの圧力と、添加ガス導入口３８から導入される添加ガスの圧力と、ドライポンプ９０の能力とによって決定される。このため、プラズマ分解装置２６に導入される直前のガスの圧力を独立して調整するのが難しい。
【００４５】
特に、反応装置２２内で行なわれる反応の種類によっては、反応装置２２内の圧力が数十ｍｍＴｏｒｒに調整されている場合がある。この場合、圧力数十ｍｍＴｏｒｒに調整されたガスが反応装置２２から排出された場合、ドライポンプ９０によってさらに減圧されるため、プラズマ分解装置２６に導入される直前のガスは、その圧力が超高真空状態（きわめて真空に近い状態）になっていることがある。前述したように、プラズマ分解装置２６内で反応性成分（ＰＦＣやフッ化化合物）が効率良くプラズマ分解されるためには、プラズマ分解装置２６内の圧力が適切な範囲に設定されることが必要である。しかしながら、一般的なガス処理装置２００では、前述したように、プラズマ分解装置２６が、反応装置２２とドライポンプ９０との間に配置されているため、プラズマ分解装置２６内の圧力が、必要以上に低圧状態となっている。すなわち、プラズマ分解装置２６内で、前記反応性成分の分子とプラズマとの衝突が起こりにくい状態になっているため、前記反応性成分のプラズマ分解が起こりにくい。これにより、プラズマ分解装置２６内において、前記反応性成分のプラズマ分解効率が低下するという問題が生じる場合があった。
【００４６】
また、ガス処理装置１００のプラズマ処理装置２６と同様に、ガス処理装置２００のプラズマ分解装置２６内においても、添加ガス導入口３８から導入された添加ガスと、副ポンプ２４から排出されたガス中の反応性成分とが反応して、新たなガスが生成する。その結果、プラズマ分解装置２６内の圧力が増加する。すなわち、前述した例（Ｃ２Ｆ６とＯ２との反応）で説明したように、前記反応性成分と添加ガスとが反応した後のプラズマ分解装置２６内のガスの圧力は、前記反応前のプラズマ分解装置２６内のガスの圧力よりも大きくなる。このガス処理装置２００では、プラズマ分解装置２６と反応装置２２とが配管９２（図２参照）を介して接続されている。このため、この反応によって生じるプラズマ分解装置２６内のガスの圧力増加によって、反応装置２２内のガスの圧力が変化する結果、反応装置２２内における反応の進行が妨げられるという問題が生じる場合があった。
【００４７】
（２）本実施の形態のガス処理装置１００の作用効果
これに対して、本実施の形態のガス処理装置１００によれば、反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプ２４と、副ポンプ２４から排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置２６と、プラズマ分解装置２６から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプ２８と、を含む。具体的には、プラズマ分解装置２６が、副ポンプ２４と主ポンプ２８との間に配置されている。これにより、プラズマ分解装置２６に導入されるガスの圧力を、主ポンプ２８にて制御することができる。すなわち、主ポンプ２８によってプラズマ分解装置２６内のガスの減圧状態を制御することにより、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力を、反応に適した圧力に制御することが可能となる。その結果、プラズマ分解装置２６におけるガスの分解能力を高めることができる。
【００４８】
また、本実施の形態のガス処理装置１００によれば、反応装置２２とプラズマ分解装置２６との間に副ポンプ２４が配置されている。これにより、前述したプラズマ分解装置２６内のプラズマ分解反応によって、プラズマ分解装置２６内のガスの圧力が増加した場合であっても、このガス圧の増加が反応装置２２に直接影響を与えることはない。これにより、反応装置２２を安定して動作させることができる。
【００４９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００５０】
例えば、本実施の形態においては、プラズマ分解装置がＰＦＣを分解する場合を例にとり説明したが、プラズマ分解装置が分解する物質は、ＰＦＣに限定されるわけではなく、ＣＦＣ等の有機ハロゲン化合物をはじめとする反応性成分含有ガスであればよい。
【００５１】
また、本実施の形態においては、本発明のガス処理装置が、半導体装置の製造プロセス中で使用される場合について説明したが、この他の用途にも本発明のガス処理装置を使用することができる。この他の用途としては、例えば、製品塗装工場、溶剤取扱い施設、印刷工場、自動車塗装工場、ガソリンスタンドその他の事業所から排出されたガスからの有害物質の除去が挙げられる。この場合、前記ガスは、前記有害物質を反応性成分として含有する。また、有害物質でなくても、添加ガスに対して反応性を有する成分であれば、本発明のガス処理装置によって分解することができることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態に係るガス処理装置の構成概要図である。
【図２】一般的なガス処理装置の構成概要図である。
【符号の説明】
２２ 反応装置、 ２４ 副ポンプ、 ２６ プラズマ分解装置、 ２８ 主ポンプ、 ３４ ガス排出口、 ３６ ガス導入口、 ３８ 添加ガス導入口、４２，４４，４６，４８，４９ 配管、 ５０ 負荷調整弁、 １００ ガス処理装置
Claims (7)
- 反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプと、
前記副ポンプから排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置と、
前記プラズマ分解装置から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプと、を含む、ガス処理装置。 - 請求項１において、
前記プラズマ分解装置は、前記主ポンプと前記副ポンプとの間に配置された、ガス処理装置。 - 請求項１または２において、
前記主ポンプの回転数を調整することにより、該副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を調整する、ガス処理装置。 - 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記主ポンプと前記プラズマ分解装置との間に配管が設置され、
前記配管の開口率を調整することにより、前記副ポンプから前記プラズマ分解装置へと排出されたガスの圧力を調整する、ガス処理装置。 - 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記プラズマ分解装置にはさらに、前記反応性成分と反応可能な添加ガスが導入される、ガス処理装置。 - 請求項１ないし５のいずれかに記載の前記ガス処理装置を用いた、半導体装置の製造方法。
- 請求項６において、
前記副ポンプは、反応装置に接続され、
前記副ポンプによって減圧される前記ガスは、前記反応装置から排出された、半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015195344A (ja) * | 2014-03-17 | 2015-11-05 | 株式会社荏原製作所 | 除害機能付真空ポンプ |
| KR101792633B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2017-11-02 | 이인철 | 반도체 제조 설비의 배기 유체 처리 장치 |
| CN107533998A (zh) * | 2015-04-21 | 2018-01-02 | 株式会社Eugene科技 | 基板处理装置以及清洗腔室的方法 |
| WO2018221067A1 (ja) * | 2017-05-29 | 2018-12-06 | カンケンテクノ株式会社 | 排ガスの減圧除害方法及びその装置 |
| JP2020038947A (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Families Citing this family (4)
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Family Cites Families (3)
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|---|---|---|---|---|
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| US5340295A (en) * | 1993-07-19 | 1994-08-23 | The Conair Group, Inc. | Vacuum sizing apparatus with controlled vacuum |
| US5750823A (en) * | 1995-07-10 | 1998-05-12 | R.F. Environmental Systems, Inc. | Process and device for destruction of halohydrocarbons |
-
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- 2003-02-04 JP JP2003026957A patent/JP2004237162A/ja not_active Withdrawn
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2004
- 2004-02-03 US US10/769,899 patent/US20040229419A1/en not_active Abandoned
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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