JP4531467B2 - 半導体薄膜形成装置のチャンバー内のクリーニング方法 - Google Patents
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六フッ化エタンと酸素との混合ガスをクリーニングガスとして使用し、高圧クリーニングの圧力、六フッ化エタン濃度総流量を変化させてクリーニング処理を行った。その結果、上記クリーニングガスを使用したときは、高圧時の圧力が467〜600Pa、六フッ化エタン濃度が45〜50%、総流量が750sccm以上で良好なクリーニングを70秒で行えることが分かった。
六フッ化プロペンと酸素との混合ガス系において、チャンバー内に導入するガスの混合比や総ガス流量等を変化させてクリーニング処理を行った。混合ガス中の六フッ化プロペン濃度と流量と四フッ化ケイ素の発生総量との関係を図2に、高圧クリーニング工程における圧力と流量と四フッ化ケイ素の発生総量との関係を図3にそれぞれ示す。なお、四フッ化ケイ素の発生総量は、比較例1における最適条件でクリーニング処理を行ったときの四フッ化ケイ素の発生総量を100とした相対値で表している。
実施例1で導き出された条件により、薄膜生成とクリーニングとを100回繰り返して行い、チャンバー内に残渣物が残らないか確認した。この結果、チャンバー内に成膜残渣は認められず、正常なクリーニングが行われていることが分かった。また、生成した薄膜の膜厚均一性を比較例1の六フッ化エタンを用いた場合と比較したが、膜厚均一性はどちらも平均1.5と変化なく、実施例1で導き出された条件で六フッ化プロペンを使用すれば、六フッ化エタンを使用した場合と同じレベルのクリーニング性能が得られることがわかる。
Claims (1)
- 六フッ化プロペンを15〜25%含む酸素との混合ガスをチャンバー内に導入し、該チャンバー内における前記混合ガスの圧力を530〜933Paとしてプラズマ化させてクリーニング処理を行う高圧クリーニング工程と、前記混合ガスの圧力を200Pa程度としてクリーニング処理を行う低圧クリーニング工程とを行うことを特徴とする半導体薄膜形成装置のチャンバー内のクリーニング方法。
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