KR100221899B1 - 진공처리장치 세정방법 - Google Patents

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Abstract

진공 처리 장치의 세정 방법에 따라서, 반도체 기판상에 형성되며 레지스트 패턴에 의해 피복된 알루미늄막은 진공 처리 장치의 처리실에서 염소기를 함유하는 가스에 의해 에칭되고 그후에 산소기를 함유하는 가스, 플루오르기를 함유하는 가스와 염소기를 함유하는 가스로 구성되는 혼합 가스의 희석된 가스의 플라즈마가 처리실에서 발생되어 잔존 반응 생성물을 제거한다.

Description

진공 처리 장치 세정 방법
제1도는 본 발명의 실시예 및 관련 기술을 설명하는 에칭 장치의 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 웨이퍼 2 : 처리실
3 : 고주파 전극 4A, 4B : 가스도입구
5 : 배기구 6 : 접지 전극
7 : 내벽 8 : 고주파 발생기
[발명의 배경]
[발명의 분야]
본 발명은 진공 처리 장치의 세정방법, 특히 처리실에서 염소기(radicals)를 함유하는 가스에 의해 반도체 기판이 처리 된 후에 진공 처리 장치의 처리실을 세정하는 방법에 관한 것이다.
[관련 기술의 설명]
반도체 장치의 제조 단계에 있어서, 다양한 반도체 제조 장치가 사용되었다. 일부 반도체 제조 장치는 진공 또는 감압 하에서 반도체 기판을 처리하기 위해 처리실을 갖는다. 그와 같은 장치를 진공 처리 장치라고 한다. 예를들어 진공 처리 장치로서 건조 에칭 장치, 증착막 형성장치(PVD 장치, CVD 장치, 에픽텍셜 성장 장치)등이 언급될 수 있다. 반도체 기판이 진공 처리 장치의 처리실에서 처리될 때 잔존 반응 생성물이 처리실에 부착된다.
그러므로 잔존 반응 생성물을 제거하기 위해 처리실의 내부를 세정할 필요가 있다.
제1도는 진공 처리 장치의 일예의 건조 에칭 장치이다. 건조 에칭 장치를 이용하는 에칭법의 작업은 제1도를 참조하여 개시된다. 건조 에칭 장치에 있어서, 에칭 가스로서 Cl2(염소) 가스가 사용되고 실리콘 웨이퍼 상에 형성된 알루미늄 막이 건조 에칭된다고 가정하자.
먼저, 알루미늄 막상에 레지스트 패턴이 형성된 실리콘 웨이퍼(1)가 처리실(2)내의 고주파 전극(3)상에 놓인다. 이어서 처리실의 내부는 고진공으로 된다. Cl2가스는 가스 도입구 (4A)로부터 처리실(2)안으로 도입된다. 이상태에서 고주파 발생기(8)로부터의 고주파는 고주파 전극(3)에 인가된다. 그러므로 염소기와 염소 이온이 발생되어 알루미늄과 반응하게 되어 알루미늄 막이 에칭된다. 상기 반응에 의해 발생된 염화 알루미늄이 배기구(5)로부터 배기된다.
에칭법에 있어서, 잔존 반응 생성물 AlxCyClz(알루미늄 탄소 염화물)이 재생되어 고주파 전극(3), 접지(earth) 전극(6), 처리실(2)의 내벽(7)에 부착된다. 잔존 반응 생성물의 Cy는 레지스트 물질에 함유된 탄소(C)에 근거하여 발생된다. 잔존 반응 생성물의 부착량이 증가할 때 측면 에칭이 촉진되거나 알루미늄 막의 에칭 속도가 불균일하게 된다. 그와 같은 현상이 발생할 때, 양호한 에칭 특성이 성취하지 않으며 반도체 장치의 결함이 발생되는 문제점이 있다.
처리실(2) 안으로 대기를 도입할 때, 잔존 반응 생성물과 대기의 습기가 반응하므로 염화 수소가 발생된다. 그러므로, 처리실(2)내의 잔존 반응 생성물을 제거하기 위한 유지 작업은 대기가 처리실(2)안으로 도입된 후에 몇시간 사이에 수행되지 않는다. 따라서 장치의 유지를 위해 장시간이 걸린다는 문제가 있다. 또한 작업자의 안정성에 대하여 문제가 있으며, 또한 건조 에칭 장치와 그 주변의 부가적인 설비가 녹슨다는 문제가 있다.
다양한 세정방법이 상술한 다양한 문제를 해결하기 위해 고려된다. 예를들어 에칭 장치의 세정 방법의 일예가 JP-A-61-250185에 개시되어 있다. 그와 같은 방법에 따라서, 에칭의 완성후 처리실(2)안으로 대기가 도입되기 전에 플라즈마 세정이 수행된다. 즉 산화 가스는 가스 도입구(4B)로부터 처리실(2)안으로 도입되고 산화 가스의 플라즈마가 발생된다. 이어서 플루오르기를 함유하는 가스가 가스 도입구(4B)로부터 도입되고 플루오르기를 함유하는 가스의 플라즈마가 발생되어 처리실(2)을 플라즈마 세정한다. 또는 에칭의 완성후에 플라즈마 세정은 대기가 처리실(2)안으로 도입되기 전에 수행된다. 즉 산화 가스와 플루오르기를 함유하는 가스의 혼합 가스가 가스 도입구(4B)로부터 도입되며 혼합 가스의 플라즈마가 발생되어 처리실을 플라즈마 세정한다. 증착막 형성 장치의 세정 방법의 일예는 JP-A-2-138472에 개시되었다. 그와 같은 방법에 따라서, 증착 막 형성 장치의 반응실은 SF6, 산소 화합물 및 희가스의 혼합 가스 플라즈마를 사용함으로서 세정된다.
그러나 상기 세정 방법의 어느 하나가 사용될지라도 알루미늄을 함유하는 막이 처리되는 경우에, 처리실, 고주파 전극, 접지 전극 등의 내면에 부착된 잔존 반응 생성물을 완전히 제거하기가 곤란하다. 그러므로 상기 진공 처리 장치는 유지에 많은 시간이 걸리며 진공 처리 장치를 사용함으로서 제조된 반도체 장치에 결함이 발생되는 결점이 있다.
[발명의 개요]
본 발명의 목적은 장치 유지에 필요한 시간이 감축되며 잔존 반응 생성물에 의해 야기되는 반도체 장치의 결함이 감축되는 진공 처리 장치의 세정 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 관점을 성취하기 위하여, 진공 처리 장치 세정 방법은,
진공 처리 장치의 처리실 내의 염소기를 함유하는 가스와 탄소 성분을 함유하는 레지스트 패턴에 의해 피복된 알루미늄 막을 에칭하는 단계와,
산소기를 함유하는 가스, 플루오르기를 함유하는 가스 및 챔버내의 염소기를 함유하는 가스의 혼합 가스의 플라즈마를 발생하는 단계를 구비한다.
산소기를 함유하는 가스는 산소(O2), 오존(O3), 물(H2O), 과산화수소수(H2O2), 탄소 산화물(COx), 황 산화물(SOx) 및 질소 산화물(NOx)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스이다. 또한 플루오르기를 함유하는 가스는 3 플루오르화 질소(NF3), 6 플루오르화 2 탄소(C2F6), 4 플루오르화 탄소(CF4) 및 6 플루오르화 황(SF6)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스이다. 또한 염소기를 함유하는 가스는 염소(C12), 3 염화 붕소(BCl3), 4 염화 실리콘(SiCl4) 및 4 염화 탄소(CCl4)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스이다. 이 경우에 산소기를 함유하는 가스대 혼합 가스의 비율은 40% 내지 60%이며, 염소기를 함유하는 가스대 혼합 가스의 비율보다 크다.
혼합가스는 희석 가스에 의해 희석된다. 이 경우에 희석 가스(dilution)대 희석된 가스의 혼합 비율은 10% 내지 80%이다.
본 발명의 다른 관점을 성취하기 위해, 진공 처리 장치 세정 방법은, 진공 처리 장치의 처리실에서 염소기를 함유하는 가스와 탄소 성분을 함유하는 레지스트 패턴에 의해 피복된 알루미늄 막을 에칭하는 단계와, 탄소에 반응하는 성분을 함유하는 가스, 알루미늄에 반응하는 성분을 함유하는 가스, 챔버에서 촉매에 작용하는 성분을 함유하는 가스의 혼합 가스의 플라즈마를 발생하는 단계를 구비한다.
혼합 가스의 플라즈마가 잔존 반응 생성물 AlxCyClz 에 조사될 때 잔존 반응 생성물내의 알루미늄은 염소기와 반응하여 AlCl3(3 염화 알루미늄) 가 발생되며 탄소기는 산소와 반응하여 CO2(이산화탄소)가 발생된다. 그 AlCl3와 CO2는 처리실로부터 배기된다.
산소(O2)는 산소기를 함유하는 가스로 사용된다. 6 플루오르화 황(SF6)은 플루오르기를 함유하는 가스로 사용된다. 염소(Cl2)는 염소기를 함유하는 가스로 사용된다. 표 1은 가스의 다양한 혼합 비율에 대한 잔존 반응 생성물의 제거 효과를 시험함으로서 얻어진 결과를 나타낸다.
(주) ○ : 잔존 반응 생성물의 제거 효과가 큼
△ : 잔존 반응 생성물의 제거 효과가 중간
× : 잔존 반응 생성물의 제거 효과가 작음
표 1로부터 명백한 바와 같이, 잔존 반응 생성물을 제거하는 효과는 혼합 가스에 대한 산소기를 함유하는 가스의 비율이 30 내지 70% 범위 이내에 있고, 혼합 가스에 대한 산소기를 함유하는 가스의 비율이 염소기를 함유하는 가스의 비율 이상이고, 플루오르기를 함유하는 가스가 혼합 가스에 포함되는 경우에 인식될 것이다. 특히 잔존 반응 생성물을 제거하는 효과는 혼합 가스에 대한 산소기를 함유하는 가스의 비율이 40 내지 60% 범위 이내에 놓일 경우 크다. 처리실 등의 내벽에 부착된 잔존 반응 생성물 AlCyCl은 인간의 눈으로 보았을 때 암갈색이다. 40 내지 60 체적%의 산소기를 함유하는 가스가 혼합된 혼합 가스의 플라즈마가 10 내지 20분 동안 조사될 때 잔존 반응 생성물은 처리실로부터 완전히 제거된다.
혼합 가스내의 O가 CO를 발생하는데 소모되고 ClAlCl를 발생하는데 소모되고 SF는 촉매로서 작용하는 것으로 고려된다.
혼합 가스는 He 등의 희가스로 희석된다. 희석된 혼합 가스 즉 희석된 가스의 플라즈마는 처리실내의 어느곳에나 균일하게 도달하므로 잔존 반응 생성물은 균일하고 효과적으로 제거된다. 희가스(rare gas)대 희석 가스(diluted gas)의 혼합 비율이 10% 이하일 때 희가스에 의한 희석 효과는 작으며 혼합 가스의 플라즈마를 균일하게 발생하기가 곤란하다. 반면에, 희가스대 희석 가스의 혼합 비율이 80%이상일 때 희가스에 의한 희석 효과는 너무 커지며 잔존 반응 생성물의 제거 효과는 저하된다. 그러므로 희가스대 희석 가스의 혼합 비율은 10 내지 80% 범위내에 있는 것이 적합하다.
본 발명에 따르면 잔존 반응 생성물이 균일하고 효과적으로 제거되기 때문에 양호한 에칭 특성이 성취되며 반도체 장치의 결함이 감축된다. 진공 처리 장치의 유지가 단기간에 안전하게 수행되기 때문에 진공 처리 장치의 작동효율이 향상된다.
[실시예]
본 발명의 실시예가 도면을 참조하여 설명된다. 제1도는 본 발명의 실시예를 나타내는 에칭 장치의 단면도이다. 에칭 장치는 에칭 가스를 도입하는 가스 도입구(4A)와 세정 가스를 도입하는 가스 도입구(4B)를 가지는 처리실(2), 배기구(5), 고주파전극(3)과 처리실(2)에 제공된 접지전극(6), 고주파 전극(3)에 연결된 고주파 발생기(8)로 구성된다.
먼저 제1도에 도시한 바와 같이 실리콘 웨이퍼(1) 상에 형성되며 레지스트 패턴에 의해 피복된 알루미늄 박막은 염소기를 함유하는 가스에 의해 건조 에칭된다. 건조 에칭 작업은 상기 관련 기술에 개시된 건조 에칭 장치의 작업과 같다. 상기 실시예에서 Cl와 BCl는 염소기를 함유하는 가스로 사용된다. 건조 에칭의 완성후에 실리콘 웨이퍼(1)는 처리실(2)로부터 제거된다.
희가스에 의해 혼합 가스를 희석함으로서 형성된 희석 가스는 가스 도입구(4B)로부터 처리실(2) 안으로 도입되어 희석 가스의 플라즈마를 발생한다. 혼합 가스는 산소기를 함유하는 가스로서 O를, 플루오르기를 함유하는 가스로서 SF를, 염소기를 함유하는 가스로서 Cl를 각각 사용함으로서 제조된다. He 은 희가스로서 사용된다. 희석 가스의 유속은 He 을 위해 8-320sccm, O를 위해 30sccm, SF를 위해 30sccm, Cl를 위해 15sccm 으로 설정된다. 플라즈마 조사를 위한 조건으로서 처리실내의 압력은 40-300mTorr로 설정되고, 방출 주파수는 13.56MHz로, 고주파 전원은 100-1000W 로 설정된다.
그와 같은 조건하에서 발생된 플라즈마에 의해 처리실(2)이 세척된 후에 처리실(2) 안으로 대기가 도입될지라도 염화 수소의 냄새는 없다. 각 전극과 내벽(7)에 부착된 대부분의 잔존 반응 생성물은 제거된다.
실시예에 따라서 지금까지 약 12시간 필요한 건조 에칭 장치의 유지시간이 약 30분으로 감축된다. 또한 양호한 에칭 특성이 성취되기 때문에 에칭법에 의해 야기된 반도체 장치의 결점은 거의 제거된다.
실시예에 있어서, 희석 가스를 처리실 안으로 도입함으로서 잔존 반응 생성물이 제거될지라도 잔존 반응 생성물 또한 희석되지 않은 혼합 가스를 처리실 안으로 도입함으로서 제거된다. 이 경우에는 또한 혼합 가스의 유속과 플라즈마 조사 조건은 실시예에서와 같은 조건으로 설정된다.
상기 실시예에 있어서, He 이 희가스로 사용될지라도 본 발명은 그와 같은 가스에 한정되지 않고 Ar, Ne 등과 같은 다른 희가스도 사용될 수 있다. O가 산소기를 함유하는 가스로서 사용될지라도 그것 대신에 O, HO, HO, COx, SOx, NOx 중의 어느 하나가 사용될 수 있다. 그 가스 중에서 두 개 이상의 조합이 사용될 수 있다. SF가 플루오르기를 함유하는 가스로 사용될지라도 그것 대신에 NF, CF, CF중의 어느 하나가 사용되거나 또는 그 가스중에서 두개 이상의 조합도 사용될 수 있다. 또한 C1가 염소기를 함유하는 가스로서 사용될지라도 그것 대신에 BCl, SiCl, CCl중의 어느 하나가 사용되거나 그 가스중의 두개 이상의 조합이 사용될 수 있다. 본 발명의 목적은 그와 같은 기판에 의해 성취될 수 있다.
또한 알루미늄 막이 에칭된 후의 세정 방법이 상기 실시예에 개시되었을지라도, 본 발명의 세정 방법은 알루미늄을 함유하는 막이 에칭된 후의 세정에도 유사하게 적용될 수 있다. 예를 들어 본 발명의 세정 방법은 알루미늄과 티탄의 합금막 또는 알루미늄과 티탄의 적층막의 에칭에도 유사하게 적용될 수 있다. 티탄 대신에, 티탄 질화물도 사용될 수 있다. 상기 경우에 있어서, 티탄이 염소기에 반응하므로 TiCl(4 염화 티탄)가 생산된다.

Claims (16)

  1. 진공 처리 장치 세정 방법에 있어서, 진공 처리 장치의 처리실내의 염소기를 함유하는 가스와 탄소 성분을 함유하는 레지스트 패턴에 의해 피복된 알루미늄 막을 에칭하는 단계와, 상기 처리실내에 산소기를 함유하는 가스, 플루오르기를 함유하는 가스 및 염소기를 함유하는 가스의 혼합가스의 플라즈마를 발생하는 단계를 구비하며, 상기 산소기를 함유하는 가스 대 혼합가스의 비율은 40% 내지 60%이며 상기 염소기를 함유하는 가스대 혼합가스의 비율보다 큰 것을 특징으로하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 혼합 가스는 희석 가스를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 희석 가스는 희가스인 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 산소기를 함유하는 가스는 산소(O2), 오존(O3), 물(H2O), 과산화수소수(H2O2), 탄소산화물(COx), 황 산화물(SOx) 및 질소 산화물(NOx)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플루오르기를 함유하는 가스는 3 플루오르화 질소(NF3), 6 플루오르화 2 탄소(C2F6), 4 플루오르화 탄소(CF4) 및 6 플루오르화 황(SF6)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 염소기를 함유하는 가스는 염소(Cl2), 3 염화 붕소(BCl3), 4염화 실리콘(SiCl4) 및 4 염화 탄소(CCl4)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  7. 제3항에 있어서, 상기 희석 가스의 비율은 10% 내지 30% 범위인 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 희가스는 헬륨(He), 아르곤(Ar) 및 네온(Ne)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 진공 처리 장치 세정 방법.
  9. 진공 처리 장치 세정 방법에 있어서, 진공 처리 장치의 처리실내의 염소기를 함유하는 가스와 탄소 성분을 함유하는 레지스트 패턴에 의해 피복된 알루미늄막을 에칭하는 단계와, 상기 처리실내에 탄소에 반응하는 성분을 함유하는 가스, 알루미늄에 반응하는 성분을 함유하는 가스 및 촉매로서 작용하는 성분을 함유하는 가스의 혼합 가스의 플라즈마를 발생하는 단계를 구비하며, 상기 탄소에 반응하는 성분을 함유하는 가스대 혼합 가스의 비율은 40% 내지 60%이며 상기 알루미늄에 반응하는 성분을 함유하는 가스대 혼합가스의 비율보다 큰 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 탄소에 반응하는 성분을 함유하는 가스는 산소(O2), 오존(O3), 물(H2O), 과산화수소수(H2O2), 탄소 산화물(COx), 황산화물(SOx) 및 질소 산화물(NOx)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 촉매로 작용하는 성분을 함유하는 가스는 3플루오르화 질소(NF3), 6플루오르화 2탄소(C2F6), 4플루오르화 탄소(CF4) 및 6플루오르화 황(SF6)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 알루미늄에 반응하는 성분을 함유하는 가스는 염소(Cl2), 3염화 붕소(BCl3), 4염화 실리콘(SiCl4) 및 4염화탄소(CCl4)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 가스인 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 혼합 가스는 희석 가스를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 희석 가스는 희가스인 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 희가스는 헬륨(He), 아르곤(Ar) 및 네온(Ne)으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정방법.
  16. 제13항에 있어서, 상기 희석가스의 비율은 10% 내지 80% 범위인 것을 특징으로 하는 진공처리장치 세정방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100755804B1 (ko) 2005-12-27 2007-09-05 주식회사 아이피에스 알루미늄 함유 금속막 및 알루미늄 함유 금속 질화막을증착하는 박막 증착 장치의 세정방법
US11961719B2 (en) 2020-06-25 2024-04-16 Hitachi High-Tech Corporation Vacuum processing method

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5849092A (en) * 1997-02-25 1998-12-15 Applied Materials, Inc. Process for chlorine trifluoride chamber cleaning
US5843239A (en) * 1997-03-03 1998-12-01 Applied Materials, Inc. Two-step process for cleaning a substrate processing chamber
JP3594759B2 (ja) * 1997-03-19 2004-12-02 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法
KR19980076204A (ko) * 1997-04-08 1998-11-16 윤종용 저압 기상 증착 장치의 폴리 실리콘 안정화 방법
KR100466969B1 (ko) * 1997-05-23 2005-05-10 삼성전자주식회사 반도체플라스마식각챔버의공정부산물제거방법
US20010008227A1 (en) * 1997-08-08 2001-07-19 Mitsuru Sadamoto Dry etching method of metal oxide/photoresist film laminate
US6379575B1 (en) * 1997-10-21 2002-04-30 Applied Materials, Inc. Treatment of etching chambers using activated cleaning gas
SG72905A1 (en) * 1997-12-18 2000-05-23 Central Glass Co Ltd Gas for removing deposit and removal method using same
US6093655A (en) 1998-02-12 2000-07-25 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods
US6235213B1 (en) 1998-05-18 2001-05-22 Micron Technology, Inc. Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers
US6277759B1 (en) 1998-08-27 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods
US6242347B1 (en) * 1998-09-30 2001-06-05 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a process chamber
US6143361A (en) * 1998-10-19 2000-11-07 Howmet Research Corporation Method of reacting excess CVD gas reactant
US6197119B1 (en) 1999-02-18 2001-03-06 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for controlling polymerized teos build-up in vacuum pump lines
US6238514B1 (en) 1999-02-18 2001-05-29 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for removing condensable aluminum vapor from aluminum etch effluent
US6401728B2 (en) * 1999-03-01 2002-06-11 United Microelectronics Corp. Method for cleaning interior of etching chamber
JP2001308068A (ja) * 2000-04-24 2001-11-02 Nec Corp エッチング装置のチャンバークリーニング方法
US6852242B2 (en) 2001-02-23 2005-02-08 Zhi-Wen Sun Cleaning of multicompositional etchant residues
KR100443905B1 (ko) * 2001-03-23 2004-08-09 삼성전자주식회사 화학 기상 증착장치
US6488745B2 (en) 2001-03-23 2002-12-03 Mks Instruments, Inc. Trap apparatus and method for condensable by-products of deposition reactions
US7084070B1 (en) 2001-03-30 2006-08-01 Lam Research Corporation Treatment for corrosion in substrate processing
US6770214B2 (en) 2001-03-30 2004-08-03 Lam Research Corporation Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor
US20020177321A1 (en) * 2001-03-30 2002-11-28 Li Si Yi Plasma etching of silicon carbide
JP2003068705A (ja) * 2001-08-23 2003-03-07 Hitachi Ltd 半導体素子の製造方法
SG149680A1 (en) 2001-12-12 2009-02-27 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and film formation method and cleaning method
US20030221708A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Chun-Hao Ly Method of cleaning a semiconductor process chamber
US6886573B2 (en) * 2002-09-06 2005-05-03 Air Products And Chemicals, Inc. Plasma cleaning gas with lower global warming potential than SF6
US6818566B2 (en) * 2002-10-18 2004-11-16 The Boc Group, Inc. Thermal activation of fluorine for use in a semiconductor chamber
TW200410337A (en) * 2002-12-02 2004-06-16 Au Optronics Corp Dry cleaning method for plasma reaction chamber
CN1723741B (zh) * 2002-12-12 2012-09-05 株式会社半导体能源研究所 发光装置、制造装置、成膜方法及清洁方法
US20040200498A1 (en) * 2003-04-08 2004-10-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning a substrate processing chamber
JP4558284B2 (ja) * 2003-06-27 2010-10-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ発生方法、クリーニング方法、基板処理方法、およびプラズマ発生装置
US7055263B2 (en) * 2003-11-25 2006-06-06 Air Products And Chemicals, Inc. Method for cleaning deposition chambers for high dielectric constant materials
JP4352880B2 (ja) 2003-12-02 2009-10-28 セイコーエプソン株式会社 洗浄方法および洗浄装置
JP2006165246A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング方法
JP4764028B2 (ja) * 2005-02-28 2011-08-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法
KR100735523B1 (ko) * 2005-11-10 2007-07-04 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조 방법
US8118946B2 (en) 2007-11-30 2012-02-21 Wesley George Lau Cleaning process residues from substrate processing chamber components
CN101620981B (zh) * 2008-06-30 2011-07-06 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体制程中无机膜层刻蚀方法及浅沟槽隔离区形成方法
JP2010080850A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Toshiba Corp 半導体製造装置及びそのクリーニング方法
KR101630234B1 (ko) * 2009-11-17 2016-06-15 주성엔지니어링(주) 공정챔버의 세정방법
CN102011097B (zh) * 2010-12-17 2013-08-07 中微半导体设备(上海)有限公司 一种清除第ⅲ族元素和第v族元素化合物沉积物残余的方法
US9533332B2 (en) * 2011-10-06 2017-01-03 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ chamber clean utilized in an etching processing chamber
JP2013254903A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Panasonic Corp 基板のプラズマ処理方法
CN102851649A (zh) * 2012-09-26 2013-01-02 中微半导体设备(上海)有限公司 一种原位清洁mocvd反应腔室的方法
US20150050812A1 (en) * 2013-08-13 2015-02-19 Globalfoundries Inc. Wafer-less auto clean of processing chamber
CN104550132B (zh) * 2013-10-29 2016-12-07 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 超深孔等离子刻蚀工艺后关键尺寸一致性的控制方法
US10265742B2 (en) * 2013-11-25 2019-04-23 Applied Materials, Inc. Method for in-situ chamber clean using carbon monoxide (CO) gas utlized in an etch processing chamber
CN104867804B (zh) * 2015-03-30 2017-02-01 上海华力微电子有限公司 晶片刻蚀腔室的清洗方法
CN104834187A (zh) * 2015-05-07 2015-08-12 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种euv光学元件的碳污染清洗方法
EP3104418B8 (de) * 2015-06-08 2018-04-04 Meyer Burger (Germany) GmbH Verfahren und vorrichtung zum texturieren einer siliziumoberfläche
US9966312B2 (en) * 2015-08-25 2018-05-08 Tokyo Electron Limited Method for etching a silicon-containing substrate
JP6630649B2 (ja) 2016-09-16 2020-01-15 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63210275A (ja) * 1987-02-24 1988-08-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd プラズマ反応装置内を清浄にする方法
US4797178A (en) * 1987-05-13 1989-01-10 International Business Machines Corporation Plasma etch enhancement with large mass inert gas
US4975144A (en) * 1988-03-22 1990-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of plasma etching amorphous carbon films
JPH02138472A (ja) * 1988-11-16 1990-05-28 Canon Inc 推積膜形成装置の洗浄方法
JP2539917B2 (ja) * 1989-07-10 1996-10-02 セントラル硝子株式会社 フッ化塩素ガスによる炭素材料のクリ―ニング方法
US5417826A (en) * 1992-06-15 1995-05-23 Micron Technology, Inc. Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors
EP0647163B1 (en) * 1992-06-22 1998-09-09 Lam Research Corporation A plasma cleaning method for removing residues in a plasma treatment chamber
US5464031A (en) * 1993-06-22 1995-11-07 Micron Semiconductor, Inc. Method of chamber cleaning in MOCVD applications
US5421957A (en) * 1993-07-30 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Low temperature etching in cold-wall CVD systems
US5486235A (en) * 1993-08-09 1996-01-23 Applied Materials, Inc. Plasma dry cleaning of semiconductor processing chambers
US5647953A (en) * 1995-12-22 1997-07-15 Lam Research Corporation Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100755804B1 (ko) 2005-12-27 2007-09-05 주식회사 아이피에스 알루미늄 함유 금속막 및 알루미늄 함유 금속 질화막을증착하는 박막 증착 장치의 세정방법
US11961719B2 (en) 2020-06-25 2024-04-16 Hitachi High-Tech Corporation Vacuum processing method

Also Published As

Publication number Publication date
CN1054656C (zh) 2000-07-19
CN1147026A (zh) 1997-04-09
JPH08319586A (ja) 1996-12-03
US5817578A (en) 1998-10-06
KR960043004A (ko) 1996-12-21

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