JP2004111731A - プラズマ処理装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】反応室11内に配置された被エッチング部材17に対し、SiCl4 またはBCl3 を用いてプラズマエッチング処理する第1工程と、この第1工程の後、反応室11内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第2工程とからなっている。
【選択図】 図1
【解決手段】反応室11内に配置された被エッチング部材17に対し、SiCl4 またはBCl3 を用いてプラズマエッチング処理する第1工程と、この第1工程の後、反応室11内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第2工程とからなっている。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置のクリーニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置を微細加工するエッチング処理では、異方性エッチングや選択性エッチングが可能な、プラズマガスを用いるプラズマエッチングが広く利用されている。しかし、プラズマエッチングの場合、良好な再現性を得るためには、プラズマエッチングを行う反応室の状態を一定に保つ必要がある。
【0003】
たとえば、プラズマエッチングを行った場合、反応室内に反応物が生成し、その反応物が反応室の壁面などに付着あるいは堆積して、反応室の状態を変化させる。特に、ダメージフリーエッチングのように印加する高周波電力が小さい場合は、プラズマが反応室の変化の影響を受けやすい。そのため、反応物の堆積量が増えると、プラズマが変化し異常エッチングを発生させる原因になる。また、加工寸法がサブミクロン程度になると、エッチング中に生成する微細物の影響も無視できなくなる。
【0004】
したがって、プラズマエッチングでは、反応物の堆積を最小限に抑えないと、製品歩留まりや信頼性の確保が困難になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来、プラズマエッチングによって生成する反応物を少なくし、反応室の状態を一定に保つ方法として、拭き取り処理による機械的クリーニング、あるいは、プラズマを用いたプラズマケミカルクリーニングなどが採用されている。
【0006】
機械的クリーニングは、反応室を大気開放し、純水やIPA(イソプロピルアルコール)を含ませた綿などを用いて、反応室内部を機械的に拭き取って反応物を除去する方法である。
【0007】
この方法は、反応室を大気開放した際に水分が残っていると、エッチングが安定しないため、水分の除去に時間がかかりメンテナンス時間が長くなるという問題がある。また、半導体装置をエッチングする場合、塩素(Cl)などの腐蝕性の強いプロセスガスが使われるため、大気開放を頻繁に行うと、真空装置内部にダメージを与えるという問題がある。
【0008】
もう1つのプラズマケミカルクリーニングは、SF6 やNF3 、CrF3 、Cl2 、HClなどのプラズマを用いて、ドライクリーニングにより反応室内の反応物を除去する方法である。
【0009】
この方法は、大気開放を伴わないため、メンテナンスに要する時間が短く、簡便に行えるという利点がある。しかし、除去できる反応物の種類が限られるという問題、あるいは、クリーニングの際に生成したプラズマが反応室内に付着し、反応室の状態を変化させるという問題がある。
【0010】
本発明は、上記した欠点を解決し、プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理装置のクリーニング方法は、反応室内に配置された半導体装置に対し、SiCl4 またはBCl3 を用いてプラズマエッチング処理する第1工程と、この第1工程の後、前記反応室内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第2工程とからなっている。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図1を参照して説明する。図1は、プラズマエッチング装置の概略の構造を示し、反応室11に、たとえば1つのガス導入口12および2つの排気口13a、13bが設けられ、その内部に、第1高周波電極板14aおよび第2の高周波電極板14bが対向して配置されている。第1高周波電極板14aはマッチング回路15を経て高周波電源16に接続され、第2高周波電極板14bは接地されている。第1高周波電極板14aには被エッチング部材17たとえば半導体装置が搭載されている。
【0013】
上記した構成において、ガス導入口12からSiCl4 が導入され、また高周波電源16から第1高周波電極板14aに高周波信号が供給される。このとき、反応室11内部にプラズマが生成され、ラジカルの作用で被エッチング部材17がエッチングされる。
【0014】
ここで、被エッチング部材17の一例を図2の断面図で説明する。GaAs基板21上に、バッファ層22およびn−GaAs層23、Al0.2 Ga0.8 As層24、GaAsキャップ層25からなるヘテロ構造がMBE法などの結晶成長法によって形成されている。また、GaAsキャップ層25の所定位置を選択除去するために、GaAsキャップ層25上にレジストマスク26が形成されている。
【0015】
上記した被エッチング部材17に対し、SiCl4 とフロン系ガスたとえばSF6 との混合ガスを用いて、GaAs層25/Al0.2 Ga0.8 As層24の選択エッチングを行い、GaAsキャップ層25の一部を選択的に除去する。
【0016】
この場合のエッチング条件は、たとえば圧力=2Pa、高周波の周波数=13.56MHz、高周波の電力密度=0.075W/cm2 、SiCl4 の導入量=50sccm、SF6 の導入量=5sccmとなっている。
【0017】
上記の条件で、Al0.2 Ga0.8 As層24上のGaAsキャップ層25(厚さ:120nm)を選択的に除去するエッチング処理を、25%オーバーエッチングで繰り返し行った。この処理で、反応室11内部に、SiCl4 やSF6 、GaAs、レジストを主成分とする反応物が生じた。これらの反応物の堆積が過度に進行すると、高周波電極板14a、14bや反応室11内壁が茶色に変化し、反応物が目視で認識できる程度になる。
【0018】
この程度では、逆スパッタで微細物が生成して被エッチング部材に付着し、エッチング不良が発生する。また、ダメージフリーエッチングのように印加する高周波電力が小さい場合は、プラズマの再現性が低下する。
【0019】
そこで、エッチング不良やプラズマの再現性低下を防止するために、上記したエッチング処理後に、クリーニング処理が行われる。たとえばガス導入口12から反応室11内に酸素ガスのプラズマを導入し、反応物と酸素プラズマを反応させ、高周波電極板14a、14bや反応室11内に堆積した反応物や残留ガスを反応室11から除去する。このとき、SiCl4 と酸素ラジカルが激しく反応し、SiClx を含んだ物質やガスが効果的に除去される。
【0020】
このクリーニング処理の条件は、たとえば、圧力=1Pa、高周波の周波数=13.56MHz、高周波の電力密度=0.5/cm2 、O2 の導入量=50sccmとなっている。
【0021】
次に、エッチング処理を連続して行った場合のエッチングレートの変化について図3を参照して説明する。図3の横軸はエッチング回数、縦軸はGaAsのエッチングレート(nm/min)を示し、ここでは、1回の処理で4インチウエハを一枚ずつ12枚連続して処理し、その処理を繰り返し行った場合のGaAsエッチングレートの変化を示している。なお、エッチングレートが200nm/minを超えた段階で反応室を大気開放し、純水を含ませた綿で反応室内部を拭き取り処理している。
【0022】
酸素ガスによるプラズマクリーニング処理を行わなかった場合(◆印)は、3回程度でエッチングレートが上昇を始め、7回目前後で2倍程度に達している。エッチングレートが200nm/minを超えた段階で、反応室内部を綿で拭き取り処理すると、綿は茶色に着色した。またリトマス試験紙による判定では弱酸性を示した。その後、繰り返し拭き取り処理を行い、反応物を十分に除去し、エッチング処理を再開すると、エッチングレートは100nm/min前後に復帰した。
【0023】
一方、酸素ガスによるプラズマクリーニング処理を行った場合(■印)は、20回以上行ってもエッチングレートの変動は20%以下と小さく、大気開放によるメンテナンスが不要になっている。たとえば、21回目のエッチングが終了した時点で、反応室を大気開放して内部を検査し、純水を含ませた綿で拭き取り処理をしても、目視で観察できるような汚れはなく、また、リトマス試験紙による判定でも変化が見られなかった。
【0024】
上記の実施形態はSiCl4 を用いてプラズマエッチングする場合である。しかし、BCl3 も酸素プラズマと高い反応性をもつため、BCl3 を用いたプラズマエッチングの場合も、SiCl4 の場合と同様の効果が得られる。
【0025】
また、クリーニング処理に用いた酸素ラジカルは、その後、SiCl4 やBCl3 のガスによるクリーニング処理を行えば効果的に除去できる。
【0026】
なお、酸素プラズマクリーニング処理の際に酸素が残っても、その後のエッチング処理に使用されるプロセスガスたとえばSiCl4 やBCl3 で容易に除去される。したがって、残留する酸素がエッチング処理に影響するようなことはない。また、大気開放しないため、大気中の水分の影響を受けることがなく、エッチング不良や装置の腐蝕が防止される。
【0027】
上記した方法は、SF6 を用いたプラズマ処理などに比較すると、反応室の状態変化が小さい。したがって、InGaAsP/InAlGaAsPなどのように、少なくともGaAsおよびInPのいずれかが含まれる半導体層をもつヘテロ構造を、比較的小さな高周波電力を用いて選択リセスエッチングする場合などに有効である。
【0028】
また、選択エッチングでは、比較的蒸気圧の低い化合物たとえば弗化物を生成させる関係から、プロセスガスとしてフロン系ガスを用いることが多い。酸素プラズマはフロン系ガスの除去にも有効で、この発明の方法はフロン系ガスが含まれる選択エッチングに対しても適用できる。
【0029】
上記した方法によれば、SiCl4 あるいはBCl3 とフロン系ガスなどを用いてプラズマエッチング処理した後に、酸素ガスによるプラズマクリーニング処理を行い、反応室内で生成される反応物や反応室内に残留するプロセスガスを除去している。したがって、反応室の状態を一定に維持することが容易になる。
【0030】
その結果、大気開放を伴う拭き取り洗浄などが不要となり、あるいは、拭き取り洗浄の間隔を伸ばすことができ、さらにメンテナンス時間が短縮し、製品歩留まりや信頼性の向上した半導体装置を提供できる。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するためのエッチング装置の断面図である。
【図2】本発明が適用される被エッチング試料の断面図である。
【図3】本発明によるエッチング回数とGaAsエッチングレートの関係を示す特性図である。
【符号の説明】
11…反応室
12…ガス導入口
13a、13b…排気口
14a、14b…高周波電極板
15…マッチング回路
16…高周波電源
17…被エッチング部材
【発明の属する技術分野】
本発明はプラズマ処理装置のクリーニング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置を微細加工するエッチング処理では、異方性エッチングや選択性エッチングが可能な、プラズマガスを用いるプラズマエッチングが広く利用されている。しかし、プラズマエッチングの場合、良好な再現性を得るためには、プラズマエッチングを行う反応室の状態を一定に保つ必要がある。
【0003】
たとえば、プラズマエッチングを行った場合、反応室内に反応物が生成し、その反応物が反応室の壁面などに付着あるいは堆積して、反応室の状態を変化させる。特に、ダメージフリーエッチングのように印加する高周波電力が小さい場合は、プラズマが反応室の変化の影響を受けやすい。そのため、反応物の堆積量が増えると、プラズマが変化し異常エッチングを発生させる原因になる。また、加工寸法がサブミクロン程度になると、エッチング中に生成する微細物の影響も無視できなくなる。
【0004】
したがって、プラズマエッチングでは、反応物の堆積を最小限に抑えないと、製品歩留まりや信頼性の確保が困難になる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
従来、プラズマエッチングによって生成する反応物を少なくし、反応室の状態を一定に保つ方法として、拭き取り処理による機械的クリーニング、あるいは、プラズマを用いたプラズマケミカルクリーニングなどが採用されている。
【0006】
機械的クリーニングは、反応室を大気開放し、純水やIPA(イソプロピルアルコール)を含ませた綿などを用いて、反応室内部を機械的に拭き取って反応物を除去する方法である。
【0007】
この方法は、反応室を大気開放した際に水分が残っていると、エッチングが安定しないため、水分の除去に時間がかかりメンテナンス時間が長くなるという問題がある。また、半導体装置をエッチングする場合、塩素(Cl)などの腐蝕性の強いプロセスガスが使われるため、大気開放を頻繁に行うと、真空装置内部にダメージを与えるという問題がある。
【0008】
もう1つのプラズマケミカルクリーニングは、SF6 やNF3 、CrF3 、Cl2 、HClなどのプラズマを用いて、ドライクリーニングにより反応室内の反応物を除去する方法である。
【0009】
この方法は、大気開放を伴わないため、メンテナンスに要する時間が短く、簡便に行えるという利点がある。しかし、除去できる反応物の種類が限られるという問題、あるいは、クリーニングの際に生成したプラズマが反応室内に付着し、反応室の状態を変化させるという問題がある。
【0010】
本発明は、上記した欠点を解決し、プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理装置のクリーニング方法は、反応室内に配置された半導体装置に対し、SiCl4 またはBCl3 を用いてプラズマエッチング処理する第1工程と、この第1工程の後、前記反応室内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第2工程とからなっている。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明の実施形態について図1を参照して説明する。図1は、プラズマエッチング装置の概略の構造を示し、反応室11に、たとえば1つのガス導入口12および2つの排気口13a、13bが設けられ、その内部に、第1高周波電極板14aおよび第2の高周波電極板14bが対向して配置されている。第1高周波電極板14aはマッチング回路15を経て高周波電源16に接続され、第2高周波電極板14bは接地されている。第1高周波電極板14aには被エッチング部材17たとえば半導体装置が搭載されている。
【0013】
上記した構成において、ガス導入口12からSiCl4 が導入され、また高周波電源16から第1高周波電極板14aに高周波信号が供給される。このとき、反応室11内部にプラズマが生成され、ラジカルの作用で被エッチング部材17がエッチングされる。
【0014】
ここで、被エッチング部材17の一例を図2の断面図で説明する。GaAs基板21上に、バッファ層22およびn−GaAs層23、Al0.2 Ga0.8 As層24、GaAsキャップ層25からなるヘテロ構造がMBE法などの結晶成長法によって形成されている。また、GaAsキャップ層25の所定位置を選択除去するために、GaAsキャップ層25上にレジストマスク26が形成されている。
【0015】
上記した被エッチング部材17に対し、SiCl4 とフロン系ガスたとえばSF6 との混合ガスを用いて、GaAs層25/Al0.2 Ga0.8 As層24の選択エッチングを行い、GaAsキャップ層25の一部を選択的に除去する。
【0016】
この場合のエッチング条件は、たとえば圧力=2Pa、高周波の周波数=13.56MHz、高周波の電力密度=0.075W/cm2 、SiCl4 の導入量=50sccm、SF6 の導入量=5sccmとなっている。
【0017】
上記の条件で、Al0.2 Ga0.8 As層24上のGaAsキャップ層25(厚さ:120nm)を選択的に除去するエッチング処理を、25%オーバーエッチングで繰り返し行った。この処理で、反応室11内部に、SiCl4 やSF6 、GaAs、レジストを主成分とする反応物が生じた。これらの反応物の堆積が過度に進行すると、高周波電極板14a、14bや反応室11内壁が茶色に変化し、反応物が目視で認識できる程度になる。
【0018】
この程度では、逆スパッタで微細物が生成して被エッチング部材に付着し、エッチング不良が発生する。また、ダメージフリーエッチングのように印加する高周波電力が小さい場合は、プラズマの再現性が低下する。
【0019】
そこで、エッチング不良やプラズマの再現性低下を防止するために、上記したエッチング処理後に、クリーニング処理が行われる。たとえばガス導入口12から反応室11内に酸素ガスのプラズマを導入し、反応物と酸素プラズマを反応させ、高周波電極板14a、14bや反応室11内に堆積した反応物や残留ガスを反応室11から除去する。このとき、SiCl4 と酸素ラジカルが激しく反応し、SiClx を含んだ物質やガスが効果的に除去される。
【0020】
このクリーニング処理の条件は、たとえば、圧力=1Pa、高周波の周波数=13.56MHz、高周波の電力密度=0.5/cm2 、O2 の導入量=50sccmとなっている。
【0021】
次に、エッチング処理を連続して行った場合のエッチングレートの変化について図3を参照して説明する。図3の横軸はエッチング回数、縦軸はGaAsのエッチングレート(nm/min)を示し、ここでは、1回の処理で4インチウエハを一枚ずつ12枚連続して処理し、その処理を繰り返し行った場合のGaAsエッチングレートの変化を示している。なお、エッチングレートが200nm/minを超えた段階で反応室を大気開放し、純水を含ませた綿で反応室内部を拭き取り処理している。
【0022】
酸素ガスによるプラズマクリーニング処理を行わなかった場合(◆印)は、3回程度でエッチングレートが上昇を始め、7回目前後で2倍程度に達している。エッチングレートが200nm/minを超えた段階で、反応室内部を綿で拭き取り処理すると、綿は茶色に着色した。またリトマス試験紙による判定では弱酸性を示した。その後、繰り返し拭き取り処理を行い、反応物を十分に除去し、エッチング処理を再開すると、エッチングレートは100nm/min前後に復帰した。
【0023】
一方、酸素ガスによるプラズマクリーニング処理を行った場合(■印)は、20回以上行ってもエッチングレートの変動は20%以下と小さく、大気開放によるメンテナンスが不要になっている。たとえば、21回目のエッチングが終了した時点で、反応室を大気開放して内部を検査し、純水を含ませた綿で拭き取り処理をしても、目視で観察できるような汚れはなく、また、リトマス試験紙による判定でも変化が見られなかった。
【0024】
上記の実施形態はSiCl4 を用いてプラズマエッチングする場合である。しかし、BCl3 も酸素プラズマと高い反応性をもつため、BCl3 を用いたプラズマエッチングの場合も、SiCl4 の場合と同様の効果が得られる。
【0025】
また、クリーニング処理に用いた酸素ラジカルは、その後、SiCl4 やBCl3 のガスによるクリーニング処理を行えば効果的に除去できる。
【0026】
なお、酸素プラズマクリーニング処理の際に酸素が残っても、その後のエッチング処理に使用されるプロセスガスたとえばSiCl4 やBCl3 で容易に除去される。したがって、残留する酸素がエッチング処理に影響するようなことはない。また、大気開放しないため、大気中の水分の影響を受けることがなく、エッチング不良や装置の腐蝕が防止される。
【0027】
上記した方法は、SF6 を用いたプラズマ処理などに比較すると、反応室の状態変化が小さい。したがって、InGaAsP/InAlGaAsPなどのように、少なくともGaAsおよびInPのいずれかが含まれる半導体層をもつヘテロ構造を、比較的小さな高周波電力を用いて選択リセスエッチングする場合などに有効である。
【0028】
また、選択エッチングでは、比較的蒸気圧の低い化合物たとえば弗化物を生成させる関係から、プロセスガスとしてフロン系ガスを用いることが多い。酸素プラズマはフロン系ガスの除去にも有効で、この発明の方法はフロン系ガスが含まれる選択エッチングに対しても適用できる。
【0029】
上記した方法によれば、SiCl4 あるいはBCl3 とフロン系ガスなどを用いてプラズマエッチング処理した後に、酸素ガスによるプラズマクリーニング処理を行い、反応室内で生成される反応物や反応室内に残留するプロセスガスを除去している。したがって、反応室の状態を一定に維持することが容易になる。
【0030】
その結果、大気開放を伴う拭き取り洗浄などが不要となり、あるいは、拭き取り洗浄の間隔を伸ばすことができ、さらにメンテナンス時間が短縮し、製品歩留まりや信頼性の向上した半導体装置を提供できる。
【0031】
【発明の効果】
本発明によれば、プラズマエッチング処理後に、反応室内の反応物を容易に除去できるプラズマ処理装置のクリーニング方法を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を説明するためのエッチング装置の断面図である。
【図2】本発明が適用される被エッチング試料の断面図である。
【図3】本発明によるエッチング回数とGaAsエッチングレートの関係を示す特性図である。
【符号の説明】
11…反応室
12…ガス導入口
13a、13b…排気口
14a、14b…高周波電極板
15…マッチング回路
16…高周波電源
17…被エッチング部材
Claims (3)
- 反応室内に配置された半導体装置に対し、SiCl4 またはBCl3 を用いてプラズマエッチング処理する第1工程と、この第1工程の後、前記反応室内に、少なくとも酸素を含むガスのプラズマを導入する第2工程とからなることを特徴とするプラズマ処理装置のクリーニング方法。
- 第1工程のプラズマエッチング処理に、フロン系ガスが含まれている請求項1記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
- 半導体装置が、少なくともGaAsおよびInPのいずれかを含む半導体層を有する請求項1記載のプラズマ処理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002273527A JP2004111731A (ja) | 2002-09-19 | 2002-09-19 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002273527A JP2004111731A (ja) | 2002-09-19 | 2002-09-19 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004111731A true JP2004111731A (ja) | 2004-04-08 |
Family
ID=32270262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2002273527A Pending JP2004111731A (ja) | 2002-09-19 | 2002-09-19 | プラズマ処理装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004111731A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073552A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Kyoto Univ | プラズマによる半導体加工方法 |
US8088296B2 (en) | 2004-09-01 | 2012-01-03 | Shibaura Mechatronics Corporation | Plasma processing device and plasma processing method |
-
2002
- 2002-09-19 JP JP2002273527A patent/JP2004111731A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006073552A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Kyoto Univ | プラズマによる半導体加工方法 |
US8088296B2 (en) | 2004-09-01 | 2012-01-03 | Shibaura Mechatronics Corporation | Plasma processing device and plasma processing method |
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