JP6462699B2 - チャンバクリーニング及び半導体エッチング用ガス - Google Patents
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- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title description 28
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 195
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 123
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 77
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 75
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 48
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 22
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- WBCLXFIDEDJGCC-UHFFFAOYSA-N hexafluoro-2-butyne Chemical compound FC(F)(F)C#CC(F)(F)F WBCLXFIDEDJGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 5
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N (e)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C\C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N (z)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C/C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N 0.000 claims 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 20
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 19
- FXRLMCRCYDHQFW-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,3-tetrafluoropropene Chemical compound FC(=C)C(F)(F)F FXRLMCRCYDHQFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 15
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 7
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4,4-hexafluorobuta-1,3-diene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)=C(F)F LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N hexafluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)F WMIYKQLTONQJES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- CDOOAUSHHFGWSA-OWOJBTEDSA-N (e)-1,3,3,3-tetrafluoroprop-1-ene Chemical compound F\C=C\C(F)(F)F CDOOAUSHHFGWSA-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N [O].[Si] Chemical compound [O].[Si] OBNDGIHQAIXEAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- UEOZRAZSBQVQKG-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluorooxolane Chemical compound FC1(F)OC(F)(F)C(F)(F)C1(F)F UEOZRAZSBQVQKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N but-2-ene Chemical compound CC=CC IAQRGUVFOMOMEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N octafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F QYSGYZVSCZSLHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 3
- LDTMPQQAWUMPKS-OWOJBTEDSA-N (e)-1-chloro-3,3,3-trifluoroprop-1-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C\Cl LDTMPQQAWUMPKS-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N F[CH]F Chemical compound F[CH]F JNCMHMUGTWEVOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 108010081348 HRT1 protein Hairy Proteins 0.000 description 2
- 102100021881 Hairy/enhancer-of-split related with YRPW motif protein 1 Human genes 0.000 description 2
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 2
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene oxide Chemical compound FC(F)(F)C1(F)OC1(F)F PGFXOWRDDHCDTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 2
- 229960004065 perflutren Drugs 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WSJULBMCKQTTIG-OWOJBTEDSA-N (e)-1,1,1,2,3,4,4,4-octafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)C(/F)=C(\F)C(F)(F)F WSJULBMCKQTTIG-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrafluoroethane Chemical compound FCC(F)(F)F LVGUZGTVOIAKKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLOLSXYRJFEOTA-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)C=CC(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQUXQQYWQKRCPL-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3-hexafluorocyclopropane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C1(F)F GQUXQQYWQKRCPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAYKMYXILLFVRB-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,4,4,4-hexafluorobuta-1,2-diene Chemical compound FC(F)=C=C(F)C(F)(F)F GAYKMYXILLFVRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluoroethane Chemical compound CC(F)F NPNPZTNLOVBDOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 1-Butene Chemical compound CCC=C VXNZUUAINFGPBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLQCRORFLSOUFF-UHFFFAOYSA-N 2,2-difluoropropanedial Chemical compound O=CC(F)(F)C=O ZLQCRORFLSOUFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSUWXWBRIBGIQT-UHFFFAOYSA-N 7-bromo-1,3-dihydroindol-2-one Chemical compound BrC1=CC=CC2=C1NC(=O)C2 WSUWXWBRIBGIQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRLDRVJVCYDRGM-UHFFFAOYSA-N [fluoro(fluorooxy)methyl] hypofluorite Chemical compound FOC(F)OF NRLDRVJVCYDRGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N difluoromethane Chemical compound FCF RWRIWBAIICGTTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMLSOUMOHNIGAA-UHFFFAOYSA-N difluoromethanol Chemical compound OC(F)F FMLSOUMOHNIGAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N dimethylacetylene Natural products CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N hexafluoroacetone Chemical compound FC(F)(F)C(=O)C(F)(F)F VBZWSGALLODQNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N hexafluoropropylene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)(F)F HCDGVLDPFQMKDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002835 noble gases Chemical class 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTLACDSXYULKMZ-UHFFFAOYSA-N pentafluoroethane Chemical compound FC(F)C(F)(F)F GTLACDSXYULKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAVGMUDTWQVPDF-UHFFFAOYSA-N perflubutane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F KAVGMUDTWQVPDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950003332 perflubutane Drugs 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WZCZNEGTXVXAAS-UHFFFAOYSA-N trifluoromethanol Chemical compound OC(F)(F)F WZCZNEGTXVXAAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
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- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
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Description
実施例1〜7において、リモートプラズマ源は、MKS Instruments(Andover,MA,USA)製の市販のトロイダル型MKS ASTRON(登録商標)ex反応ガス発生器ユニットである供給ガス(例えば、酸素、ヒドロフルオロオレフィン、及びキャリアガス)は、リモートプラズマ源に導入され、400kHzの高周波電力により放電されるトロイダル放電を通過して、活性化ガス混合物を形成する。酸素は、純度99.999%のAirgas製である。ヒドロフルオロオレフィンは、表1から選択される。アルゴンは、グレード5.0のAirgas製である。典型的には、Arガスを使用してプラズマを点火することから、Ar流を停止した後、供給ガスの時限流を開始した。次に、アルミニウムプロセスチャンバの熱負荷を低減させるために、活性化ガス混合物をアルミニウム水冷式熱交換器に通過させる。表面堆積物で被覆されたウェハをプロセスチャンバ内の温度制御型取付台に置く。発光分光法(OES)により中性温度を測定し、C2及びN2等の2原子種の回転振動(rotovibrational)遷移帯域を理論的に適合させて、中性温度を得る。活性化ガスによる表面堆積物のエッチング速度は、プロセスチャンバ内の干渉計測機器により測定される。生成物をFTIR測定に適切な濃度に希釈するために、かつポンプ中の生成物の詰まりを減らすために、排出ポンプの入口で任意のN2ガスを添加する。FTIRを使用して、ポンプ排気ガス中の種の濃度を測定する。
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンHFO−1234yfを添加する効果を示す。本実験では、供給ガスは、酸素及びHFO−1234yfで構成され、O2:HFOのモル比は0.4:1、0.6:1、1:1、及び1.2:1である。プロセスチャンバ圧は、0.7kPa(5トル)である。全ガス流量は、1500〜2000sccmであり、個々のガス流量は、各実験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、400kHz、5.9〜8.7kWのRF電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスは、プロセスチャンバに入り、50℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は、0.11MC(1900A/分)を上回る。試験したすべてのウェハ温度:50℃、100℃、及び150℃において同じ現象が見られる。
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンHFO−1336mzzを添加する効果を示す。本実験では、供給ガスは、酸素及びHFO−1336mzzで構成され、O2:HFOのモル比は、0.4:1、0.6:1、1:1、及び1.2:1である。プロセスチャンバ圧は、0.7kPa(5トル)である。全ガス流量は、1500〜2000sccmであり、個々のガス流量は、各実験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、400kHz、5.9〜8.7kWのRF電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスは、プロセスチャンバに入り、50℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は、0.123MC(2050A/分)を上回る。試験したすべてのウェハ温度:50℃、100℃、及び150℃において同じ現象が見られる。
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンHFO−1336mzz及びCF4を含む高フッ素ブレンドを添加する効果を示す。本実験において、供給ガスは、酸素及び1:1であるHFO−1336mxx:CF4で構成され、O2:高フッ素ブレンドのモル比は、0.4:1、0.6:1、1:1、及び1.2:1である。プロセスチャンバ圧は、0.7kPa(5トル)である。全ガス流量は、1500〜2000sccmであり、個々のガス流量は、各実験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、400kHz、5.9〜8.7kWのRF電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスは、プロセスチャンバに入り、50℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は、0.13MC(2100A/分)を上回る。試験したすべてのウェハ温度:50℃、100℃、及び150℃において同じ現象が見られる。
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンHFO−1234yf及びNF3の高フッ素(fluroine)ブレンドを添加する効果を示す。本実験において、供給ガスは、酸素及び1:1であるHFO−1234yf:NF3で構成され、O2:高フッ素ブレンドのモル比は、0.4:1、0.6:1、1:1、及び1.2:1である。プロセスチャンバ圧は、0.7kPa(5トル)である。全ガス流量は、1500〜2000sccmであり、個々のガス流量は、各実験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、400kHz、5.9〜8.7kWのRF電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、50℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は、0.12MC(2000A/分)を上回る。試験したすべてのウェハ温度:50℃、100℃、及び150℃において同じ現象が見られる。
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンHFO−1234yf及びCF6の高フッ素ブレンドを添加する効果を示す。本実験において、供給ガスは、酸素及び1:1であるHFO−1234yf:C2F6で構成され、O2:高フッ素ブレンドのモル比は、0.4:1、0.6:1、1:1、及び1.2:1である。プロセスチャンバ圧は、0.7kPa(5トル)である。全ガス流量は、1500〜2000sccmであり、個々のガス流量は、各実験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、400kHz、5.9〜8.7kWのRF電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、50℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は、0.12MC(2000A/分)を上回る。試験したすべてのウェハ温度:50℃、100℃、及び150℃において同じ現象が見られる。
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンHFO−1234yf及びSF6の高フッ素ブレンドを添加する効果を示す。本実験において、供給ガスは、酸素及び1:1であるHFO−1234yf:SF6で構成され、O2:高フッ素ブレンドのモル比は、0.4:1、0.6:1、1:1、及び1.2:1である。プロセスチャンバ圧は、0.7kPa(5トル)である。全ガス流量は、1500〜2000sccmであり、個々のガス流量は、各実験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、400kHz、5.9〜8.7kWのRF電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスはプロセスチャンバに入り、50℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は、0.12MC(2000A/分)を上回る。試験したすべてのウェハ温度:50℃、100℃、及び150℃において同じ現象が見られる。
本実施例は、窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共にヒドロフルオロオレフィンHFO−1234yf及びNF3を添加する効果を示す。本実験において、供給ガスは、酸素及び1:1であるHFO−1234yf:NF3で構成され、O2:高フッ素ブレンドのモル比は、0.4:1、0.6:1、1:1、及び1.2:1である。プロセスチャンバ圧は、0.7kPa(5トル)である。全ガス流量は、1500〜2000sccmであり、個々のガス流量は、各実験で求められるように比例的に設定する。供給ガスは、400kHz、5.9〜8.7kWのRF電力により有効な中性温度まで活性化される。その後、活性化ガスは、プロセスチャンバに入り、50℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。エッチング速度は、0.12MC(2000A/分)を上回る。試験したすべてのウェハ温度:50℃、100℃、及び150℃において同じ現象が見られる。
実施例8〜12において、RFプラズマ源は、ASTECHによって製造された、商用のトロイダル型発生器ユニットである。供給ガス(例えば、酸素、アルゴン、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブチン)は、リモートプラズマ源に導入され、800kHzの高周波電力によって放電されるトロイダル放電を通過して、活性化ガス混合物を形成する。使用した酸素及びアルゴンは、Air Products San FU Co.Ltd.によって99.999%の純度で製造されている。次に、アルミニウムプロセスチャンバの熱負荷を低減させるために、活性化ガス混合物をアルミニウム水冷式熱交換器を通過させる。表面堆積物で被覆されたウェハをプロセスチャンバ内の温度制御型取付台に置く。
本実施例は、CVDチャンバクリーニング用途としての窒化ケイ素のエッチング速度に対する、酸素と共に1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブチンを添加する効果を示す。本実験において、供給ガスは、酸素及び1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブチンで構成され、O2:HFOのモル比は、1:1、1.5:1、2.3:1、4:1、及び9:1である。プロセスチャンバ圧は、0.1kPa(1トル)である。全ガス流量は、200sccmとして固定され、個々のガス流量は、各実験で求められるように設定する。供給ガスは、400WのRF電力によって活性化される。その後、活性化ガスは、プロセスチャンバに入り、200℃に温度制御された取付台上の窒化ケイ素の表面堆積物をエッチングする。最大エッチング速度は、90%の酸素混合物で0.2MC(3,000A/分)である。
本実施例は、エッチング用途としての酸化ケイ素のエッチング速度に対する、ヒドロフルオロオレフィンHFO−1234yfと、1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブチンとの混合物の効果を示す。本実験において、供給ガスは、20sccmのHFO−1234yf、20sccmの1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブチン、20sccmのO2、及び200sccmのArで構成される。プロセスチャンバ圧は、0.0020kPa(15ミリトル)である。供給ガスは、1800WのRF電力によって活性化される。活性化ガスは、その後、プロセスチャンバに入れられ、シリコン層上のシリコン酸素層上に0.2マイクロメートルの孔径を持つノボラック型フォトレジストのパターンを有する基板をエッチングする。基板の温度は、20℃で制御される。上記処方でのエッチング速度は、0.32MC(5,300A/分)であり、SiO2/フォトレジストの選択度は、10である。
本実施例は、エッチング用途としての酸化ケイ素のエッチング速度に対する、ヒドロフルオロオレフィンHFO−1234yfと、ヘキサフルオロ−1,3−ブタジエンとの混合物の効果を示す。本実験において、供給ガスは、20sccmのHFO−1234yf、20sccmのヘキサフルオロ−1,3−ブタジエン、20sccmのO2、及び200sccmのArで構成される。プロセスチャンバ圧は、0.0020kPa(15ミリトル)である。供給ガスは、1800WのRF電力によって活性化される。活性化ガスは、その後、プロセスチャンバに入れられ、シリコン層上のシリコン酸素層上に0.2マイクロメートルの孔径を持つノボラック型フォトレジストのパターンを有する基板をエッチングする。基板の温度は、20℃で制御される。上記処方でのエッチング速度は、0.32MC(5,300A/分)であり、SiO2/フォトレジストの選択度は、8である。
本実施例は、エッチング用途としての酸化ケイ素のエッチング速度に対する、1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2ブチンと、ヘキサフルオロ−1,3−ブタジエンとの混合物の効果を示す。本実験において、供給ガスは、20sccmの1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブチン、20sccmのヘキサフルオロ−1,3−ブタジエン、20sccmのO2、及び200sccmのArで構成される。プロセスチャンバ圧は、0.0020kPa(15ミリトル)である。供給ガスは、1800WのRF電力によって活性化される。活性化ガスは、その後、プロセスチャンバに入れられ、シリコン層上のシリコン酸素層上に0.2マイクロメートルの孔径を持つノボラック型フォトレジストのパターンを有する基板をエッチングする。基板の温度は、20℃で制御される。上記処方でのエッチング速度は、0.33MC(5,500A/分)であり、SiO2/フォトレジストの選択度は、5である。
本実施例は、エッチング用途としての酸化ケイ素のエッチング速度に対する、1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2ブチンと、トランス−1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブテンとの混合物の効果を示す。本実験において、供給ガスは、20sccmの1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブチン、20sccmのトランス−1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2−ブテン、20sccmのO2、及び200sccmのArで構成される。プロセスチャンバ圧は、0.0020kPa(15ミリトル)である。供給ガスは、1800WのRF電力によって活性化される。活性化ガスは、その後、プロセスチャンバに入れられ、シリコン層上のシリコン酸素層上に0.2マイクロメートルの孔径を持つノボラック型フォトレジストのパターンを有する基板をエッチングする。基板の温度は、20℃で制御される。上記処方でのエッチング速度は、0.32MC(5,300A/分)であり、SiO2/フォトレジストの選択度は、10である。トランス−1,1,1,4,4,4,−ヘキサフルオロ−2ブテンの代わりとして、ヘキサフルオロ−2−ブチンと、シス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンとの混合物は、上記混合物の同様の結果を示す。
改良が想起されるであろう。したがって、本発明は、提示された特定の形態に限定されるものではなく、以下の付随する特許請求の範囲において本発明の趣旨及び範囲から逸脱しないすべての変更をカバーすることを意図すると解釈することが望ましい。
以下、主な本願発明につき列記する。
[1]
エッチングガス混合物であって、少なくとも1種のフルオロオレフィンと、酸素と、を含み、
前記ヒドロフルオロオレフィンは、CHF=CF2、Z−CF3−CF=CHF、E−CF3−CF=CHF、CF3−CH=CF2、CF3−CF=CH2、CF3−CH=CHF、CF2=CH−CHF、CF2=CF−CF3、Z−CF3−CH=CH−CF3、E−CF3−CH=CHCF3、CF3−CF2−CH=CHF、CF3−CF2−CH=CHF、CH2=CF−CF2−CF3、CHF2−CF=CF−CHF2、Z−CF3−CF=CF−CF3、E−CF3−CF=CF−CF3、CF3−CF=CH−CF3、CF3−CF=CH−CF3、CHF=CF−CF2−CF3、CHF=CF−CF2−CF3、CF2=CF−CHF−CF3、CF2=CF−CF=CF2、CHF=C(CF3)2、CF2=C(CF3)(CHF2)、CF2=CH−CH2−CF3、CH2=CF−CF2−CHF2、CF2=CF−CHF−CH2F、CF2=CFCH2CHF2、CHF=CF−CHF−CHF2、CHF2−CF=CH−CHF2、CHF2−CF=CF−CH2F、CHF2−CF=CF−CH2F、CHF2−CH=CF−CHF2、CHF2−CH=CF−CHF2、及びCF3C≡CCF3、CHCl=CH−CF3からなる群から選択される、エッチングガス混合物。
[2]
キャリアガスを更に含む、前記[1]に記載のエッチングガス混合物。
[3]
前記キャリアガスは、He、Ar、又はN 2 である、前記[1]に記載のエッチングガス混合物。
[4]
前記エッチングガス混合物は、第2のエッチングガスを更に含み、該第2のエッチングガスは、第2のフルオロオレフィン、ペルフルオロカーボン、SF6、又はNF 3 である、前記[1]に記載のエッチングガス混合物。
[5]
前記第2のエッチングガスは、テトラフルオロメタン、ヘキサフルオロエタン、オクタフルオロプロパン、ペルフルオロテトラヒドロフラン、ヘキサフルオロブタジエン、及びオクタフルオロシクロブタンからなる群から選択されるペルフルオロカーボンである、前記[4]に記載のエッチングガス混合物。
[6]
第1のフルオロオレフィン及び第2のフルオロオレフィンを含むエッチングガスを使用して半導体上のフィルムをエッチングする工程を含む、半導体製造プロセスチャンバの操作方法。
[7]
前記フィルムをエッチングする工程は、
フォトマスクを前記半導体に転写して、覆い隠された面及び露出面を生成する工程と、
前記エッチングガスのプラズマを形成する工程と、
該プラズマに前記半導体の該露出面を露出して、前記半導体の該露出面の部分を除去して、前記半導体のエッチング面を形成する工程と、を更に含む、
前記[6]に記載の方法。
[8]
前記方法は、第2のエッチングガスを形成する工程と、該第2のエッチングガスを活性化して、第2のプラズマを形成する工程と、前記エッチング面上に該第2のプラズマを堆積させて、前記半導体の前記エッチング面上にポリマー層を形成する工程と、を更に含む、前記[7]に記載の方法。
[9]
前記少なくとも2種のフルオロオレフィンのうち少なくとも一方は、ヘキサフルオロ−2−ブチン、HFO−1336mzz、HFO−1234yf、又はHFO−1234zeである、前記[7]に記載の方法。
[10]
前記少なくとも2種のフルオロオレフィンは、HFO−1336mzzと、第2のフルオロオレフィンと、を含み、前記第2のフルオロオレフィンは、ヘキサフルオロ−2−ブチン、ヘキサフルオロ−1,2−ブタジエン、HFO−1234yf、又はHFO−1234zeからなる群から選択される、前記[7]に記載の方法。
[11]
前記表面フィルムは、酸化ケイ素、窒化ガリウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化チタン、及び窒化タンタルからなる群から選択される、前記[7]に記載の方法。
[12]
前記エッチングガスからプラズマを形成する工程は、リモートチャンバ又は前記プロセスチャンバ内で行われる、前記[6]に記載の方法。
[13]
前記ガス混合物は、少なくとも約1:1である酸素:フルオロオレフィンのモル比で酸素を更に含む、前記[6]に記載の方法。
[14]
前記プロセスチャンバ内の圧力は、4.0kPa(30トル)以下である、前記[12]に記載の方法。
[15]
前記リモートチャンバ内の圧力は、0.07kPa〜7.0kPa(0.5トル〜50トル)である、前記[12]に記載の方法。
[16]
プロセスチャンバ内の表面から表面堆積物を除去する方法であって、酸素と、フルオロオレフィンと、を含む、ガス混合物を活性化させる工程であって、前記ガス混合物内のフルオロオレフィンのモル百分率は、約5%〜約99%である、工程と、前記活性化ガス混合物を該表面堆積物に接触させることによって、前記堆積物の少なくとも一部を除去する工程と、を含み、
前記ヒドロフルオロオレフィンは、から選択され、任意選択的に、前記ガス混合物を活性化する該工程は、リモートチャンバ内で行われる、方法。
[17]
前記プロセスチャンバは、電子機器の製作に使用される堆積チャンバの内部である、前記[16]に記載の方法。
Claims (22)
- 半導体製造プロセスチャンバの操作方法であって、第1のフルオロオレフィン及び第2のフルオロオレフィンを含むエッチングガスを使用して半導体上のフィルムをエッチングする工程を含み、
前記第1のフルオロオレフィンは、シス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンであり、前記第2のフルオロオレフィンは、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブチンである、方法。 - 前記フィルムをエッチングする工程は、
フォトマスクを前記半導体に転写して、覆い隠された面及び露出面を生成する工程と
前記エッチングガスのプラズマを形成する工程と、
該プラズマに前記半導体の該露出面を露出して、前記半導体の該露出面の部分を除去して、前記半導体のエッチング面を形成する工程と、を更に含む、請求項1に記載の方法。 - 前記方法は、第2のエッチングガスを形成する工程と、該第2のエッチングガスを活性化して、第2のプラズマを形成する工程と、前記エッチング面上に該第2のプラズマを堆積させて、前記半導体の前記エッチング面上にポリマー層を形成する工程と、を更に含む、請求項2に記載の方法。
- 前記表面フィルムが、酸化ケイ素、窒化ガリウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化チタン及び窒化タンタルからなる群から選択される、請求項2に記載の方法。
- 前記エッチングガスからプラズマを形成する工程が、リモートチャンバ又は前記プロセスチャンバ内で行われる、請求項2に記載の方法。
- 前記エッチングガスは、少なくとも約1:1である酸素:フルオロオレフィンのモル比で酸素を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバ内の圧力が、4.0kPa(30トル)以下である、請求項5に記載の方法。
- 前記リモートチャンバ内の圧力が、0.07kPa〜7.0kPa(0.5〜50トル)である、請求項5に記載の方法。
- プロセスチャンバ内の表面から表面堆積物を除去する方法であって、
該方法は、
酸素と、第1のフルオロオレフィンと、第2のフルオロオレフィンとを含む、ガス混合物を活性化する工程と、
前記活性化ガス混合物を該表面堆積物に接触させることによって、前記堆積物の少なくとも一部を除去する工程と、を含み、
前記ガス混合物内のフルオロオレフィンのモル百分率は、約5%〜約99%であり、
前記第1のフルオロオレフィンは、シス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンであり、前記第2のフルオロオレフィンは、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブチンである、方法。 - 前記プロセスチャンバが、電子機器の製作に使用される堆積チャンバの内部である、請求項9に記載の方法。
- 前記ガス混合物を活性化する工程が、リモートチャンバ内で行われる、請求項9に記載の方法。
- 半導体製造プロセスチャンバの操作方法であって、第1のフルオロオレフィン及び第2のフルオロオレフィンを含むエッチングガスを使用して、半導体上のフィルムをエッチングする工程を含み、
前記第1のフルオロオレフィンは、トランス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンであり、前記第2のフルオロオレフィンは、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブチンである、方法。 - 前記フィルムをエッチングする工程は、
フォトマスクを前記半導体に転写して、覆い隠された面及び露出面を生成する工程と
前記エッチングガスのプラズマを形成する工程と、
該プラズマに前記半導体の該露出面を露出して、前記半導体の該露出面の部分を除去して、前記半導体のエッチング面を形成する工程と、を更に含む、請求項12に記載の方法。 - 前記方法は、第2のエッチングガスを形成する工程と、該第2のエッチングガスを活性化して、第2のプラズマを形成する工程と、前記エッチング面上に該第2のプラズマを堆積させて、前記半導体の前記エッチング面上にポリマー層を形成する工程と、を更に含む、請求項13に記載の方法。
- 前記表面フィルムが、酸化ケイ素、窒化ガリウム、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、窒化タングステン、窒化チタン及び窒化タンタルからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。
- 前記エッチングガスからプラズマを形成する工程が、リモートチャンバ又は前記プロセスチャンバ内で行われる、請求項13に記載の方法。
- 前記エッチングガスは、少なくとも約1:1である酸素:フルオロオレフィンのモル比で酸素を更に含む、請求項15に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバ内の圧力が、4.0kPa(30トル)以下である、請求項16に記載の方法。
- 前記リモートチャンバ内の圧力が、0.07kPa〜7.0kPa(0.5〜50トル)である、請求項16に記載の方法。
- プロセスチャンバ内の表面から表面堆積物を除去する方法であって、
該方法は、
酸素と、第1のフルオロオレフィンと、第2のフルオロオレフィンとを含む、ガス混合物を活性化する工程と、
前記活性化ガス混合物を該表面堆積物に接触させることによって、前記堆積物の少なくとも一部を除去する工程と、を含み、
前記ガス混合物内のフルオロオレフィンのモル百分率は、約5%〜約99%であり、
前記第1のフルオロオレフィンは、トランス−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテンであり、前記第2のフルオロオレフィンは、1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブチンである、方法。 - 前記プロセスチャンバが、電子機器の製作に使用される堆積チャンバの内部である、請求項20に記載の方法。
- 前記ガス混合物を活性化する工程が、リモートチャンバ内で行われる、請求項20に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361921594P | 2013-12-30 | 2013-12-30 | |
US61/921,594 | 2013-12-30 | ||
PCT/US2014/071927 WO2015103003A1 (en) | 2013-12-30 | 2014-12-22 | Chamber cleaning and semiconductor etching gases |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018245836A Division JP6775569B2 (ja) | 2013-12-30 | 2018-12-27 | 半導体製造プロセスチャンバの操作方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017503350A JP2017503350A (ja) | 2017-01-26 |
JP2017503350A5 JP2017503350A5 (ja) | 2017-11-09 |
JP6462699B2 true JP6462699B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=52283000
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016544081A Active JP6462699B2 (ja) | 2013-12-30 | 2014-12-22 | チャンバクリーニング及び半導体エッチング用ガス |
JP2018245836A Active JP6775569B2 (ja) | 2013-12-30 | 2018-12-27 | 半導体製造プロセスチャンバの操作方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018245836A Active JP6775569B2 (ja) | 2013-12-30 | 2018-12-27 | 半導体製造プロセスチャンバの操作方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10109496B2 (ja) |
EP (1) | EP3090073B1 (ja) |
JP (2) | JP6462699B2 (ja) |
KR (2) | KR102476934B1 (ja) |
CN (2) | CN112981369B (ja) |
SG (2) | SG10201906117XA (ja) |
TW (2) | TWI703206B (ja) |
WO (1) | WO2015103003A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200411331A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Flosfia Inc. | Method of etching object and etching device |
KR20230066074A (ko) | 2020-10-15 | 2023-05-12 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 에칭 가스 및 그 제조 방법, 및 에칭 방법, 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20230066073A (ko) | 2020-10-15 | 2023-05-12 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 에칭 가스 및 그 제조 방법, 및 에칭 방법, 반도체 소자의 제조 방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10109496B2 (en) * | 2013-12-30 | 2018-10-23 | The Chemours Company Fc, Llc | Chamber cleaning and semiconductor etching gases |
JP2016207788A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 上部電極の表面処理方法、プラズマ処理装置及び上部電極 |
KR20190038945A (ko) * | 2016-08-29 | 2019-04-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 실리콘 질화물의 준원자 층 에칭 방법 |
US10431470B2 (en) | 2017-02-23 | 2019-10-01 | Tokyo Electron Limited | Method of quasi-atomic layer etching of silicon nitride |
US10446405B2 (en) | 2017-02-23 | 2019-10-15 | Tokyo Electron Limited | Method of anisotropic extraction of silicon nitride mandrel for fabrication of self-aligned block structures |
US11646207B2 (en) | 2017-11-30 | 2023-05-09 | Lam Research Corporation | Silicon oxide silicon nitride stack stair step etch |
CN112823148A (zh) * | 2018-10-09 | 2021-05-18 | 大金工业株式会社 | 全氟炔烃化合物的制造方法 |
US11854773B2 (en) | 2020-03-31 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Remote plasma cleaning of chambers for electronics manufacturing systems |
TWI748741B (zh) * | 2020-11-11 | 2021-12-01 | 暉盛科技股份有限公司 | 電漿晶圓清潔機及使用其清潔晶圓的方法 |
KR102244885B1 (ko) * | 2021-02-03 | 2021-04-27 | (주)원익머트리얼즈 | 높은 선택비를 갖는 식각 가스 조성물과 이를 이용한 반도체 메모리 소자의 제조 공정 |
KR102582730B1 (ko) * | 2021-04-07 | 2023-09-25 | (주)후성 | 플루오르화 시클로프로판 가스의 제조방법 및 이를 포함하는 에칭용 가스 조성물 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09191002A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-22 | Sony Corp | プラズマエッチング方法 |
US5824375A (en) | 1996-10-24 | 1998-10-20 | Applied Materials, Inc. | Decontamination of a plasma reactor using a plasma after a chamber clean |
WO1999008805A1 (en) | 1997-08-20 | 1999-02-25 | Air Liquide Electronics Chemicals & Services, Inc. | Plasma cleaning and etching methods using non-global-warming compounds |
US6849193B2 (en) * | 1999-03-25 | 2005-02-01 | Hoiman Hung | Highly selective process for etching oxide over nitride using hexafluorobutadiene |
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-
2014
- 2014-12-22 US US15/106,889 patent/US10109496B2/en active Active
- 2014-12-22 CN CN202110175233.5A patent/CN112981369B/zh active Active
- 2014-12-22 SG SG10201906117XA patent/SG10201906117XA/en unknown
- 2014-12-22 SG SG11201605356PA patent/SG11201605356PA/en unknown
- 2014-12-22 JP JP2016544081A patent/JP6462699B2/ja active Active
- 2014-12-22 WO PCT/US2014/071927 patent/WO2015103003A1/en active Application Filing
- 2014-12-22 CN CN201480076636.2A patent/CN106414798B/zh active Active
- 2014-12-22 KR KR1020227016479A patent/KR102476934B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-22 KR KR1020167017394A patent/KR102400322B1/ko active IP Right Grant
- 2014-12-22 EP EP14824327.2A patent/EP3090073B1/en active Active
- 2014-12-27 TW TW107147635A patent/TWI703206B/zh active
- 2014-12-27 TW TW103145901A patent/TWI650405B/zh active
-
2018
- 2018-08-28 US US16/114,823 patent/US20180366339A1/en not_active Abandoned
- 2018-09-27 US US16/143,760 patent/US20190027375A1/en not_active Abandoned
- 2018-12-27 JP JP2018245836A patent/JP6775569B2/ja active Active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20200411331A1 (en) * | 2019-06-28 | 2020-12-31 | Flosfia Inc. | Method of etching object and etching device |
KR20230066074A (ko) | 2020-10-15 | 2023-05-12 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 에칭 가스 및 그 제조 방법, 및 에칭 방법, 반도체 소자의 제조 방법 |
KR20230066073A (ko) | 2020-10-15 | 2023-05-12 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 에칭 가스 및 그 제조 방법, 및 에칭 방법, 반도체 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220070062A (ko) | 2022-05-27 |
CN106414798B (zh) | 2021-04-06 |
US20190027375A1 (en) | 2019-01-24 |
JP2019057737A (ja) | 2019-04-11 |
EP3090073B1 (en) | 2020-02-05 |
CN112981369A (zh) | 2021-06-18 |
KR102400322B1 (ko) | 2022-05-20 |
TWI703206B (zh) | 2020-09-01 |
KR102476934B1 (ko) | 2022-12-14 |
EP3090073A1 (en) | 2016-11-09 |
SG10201906117XA (en) | 2019-08-27 |
US20180366339A1 (en) | 2018-12-20 |
SG11201605356PA (en) | 2016-07-28 |
KR20160105407A (ko) | 2016-09-06 |
TW201534689A (zh) | 2015-09-16 |
TWI650405B (zh) | 2019-02-11 |
US10109496B2 (en) | 2018-10-23 |
CN112981369B (zh) | 2023-11-10 |
CN106414798A (zh) | 2017-02-15 |
US20160343579A1 (en) | 2016-11-24 |
TW201920614A (zh) | 2019-06-01 |
WO2015103003A1 (en) | 2015-07-09 |
JP6775569B2 (ja) | 2020-10-28 |
JP2017503350A (ja) | 2017-01-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170927 |
|
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |