JP6871233B2 - シリコン含有膜をエッチングするための方法 - Google Patents
シリコン含有膜をエッチングするための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6871233B2 JP6871233B2 JP2018505026A JP2018505026A JP6871233B2 JP 6871233 B2 JP6871233 B2 JP 6871233B2 JP 2018505026 A JP2018505026 A JP 2018505026A JP 2018505026 A JP2018505026 A JP 2018505026A JP 6871233 B2 JP6871233 B2 JP 6871233B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- silicon
- layer
- compound
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 263
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 67
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 100
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 90
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 89
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 89
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 88
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 61
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 58
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 150000004812 organic fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 38
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 33
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 24
- -1 3,3,3 trifluoropropyne propionitrile Chemical compound 0.000 claims description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 20
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 17
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- CFPAMJZAMYOJER-UHFFFAOYSA-N 2,3,3,3-tetrafluoropropanenitrile Chemical compound N#CC(F)C(F)(F)F CFPAMJZAMYOJER-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 10
- DQFXLCKTFSDWHB-UHFFFAOYSA-N 2,2-difluoroacetonitrile Chemical compound FC(F)C#N DQFXLCKTFSDWHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 6
- PIORIRQBACOORT-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3-tetrafluoropropanenitrile Chemical compound FC(F)C(F)(F)C#N PIORIRQBACOORT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- VVRCKMPEMSAMST-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-imine Chemical compound FC(F)(F)C(=N)C(F)(F)F VVRCKMPEMSAMST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PFXBZIOMDHRUQQ-UHFFFAOYSA-N 2-(1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ylidene)propanedinitrile Chemical group FC(F)(F)C(C(F)(F)F)=C(C#N)C#N PFXBZIOMDHRUQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GNFVFPBRMLIKIM-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroacetonitrile Chemical compound FCC#N GNFVFPBRMLIKIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 219
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 133
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 113
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 80
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 55
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 50
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 34
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 32
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 24
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 14
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- PZIVXXORSILYOQ-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,4,4,5,5-octafluorohexanedinitrile Chemical compound N#CC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C#N PZIVXXORSILYOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000006213 oxygenation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LMSLTAIWOIYSGZ-XIXRPRMCSA-N (3s,4r)-1,1,2,2,3,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound F[C@H]1[C@@H](F)C(F)(F)C1(F)F LMSLTAIWOIYSGZ-XIXRPRMCSA-N 0.000 description 2
- LMSLTAIWOIYSGZ-LWMBPPNESA-N (3s,4s)-1,1,2,2,3,4-hexafluorocyclobutane Chemical compound F[C@H]1[C@H](F)C(F)(F)C1(F)F LMSLTAIWOIYSGZ-LWMBPPNESA-N 0.000 description 2
- NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N (e)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C\C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- LHWSEFCIRYVTLZ-OWOJBTEDSA-N (e)-4,4,4-trifluorobut-2-enenitrile Chemical compound FC(F)(F)\C=C\C#N LHWSEFCIRYVTLZ-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N (z)-1,1,1,4,4,4-hexafluorobut-2-ene Chemical compound FC(F)(F)\C=C/C(F)(F)F NLOLSXYRJFEOTA-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 0 **(CC=C)(C(C(CC=C)(N)N)C#*N)N Chemical compound **(CC=C)(C(C(CC=C)(N)N)C#*N)N 0.000 description 2
- CCVRBOAAPJPHKL-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3-pentafluorocyclobutane Chemical compound FC1CC(F)(F)C1(F)F CCVRBOAAPJPHKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBICLFYEDLXKIM-UHFFFAOYSA-N 2-(1,1,1,3,3-pentafluoropropan-2-ylidene)propanedinitrile Chemical compound FC(C(C(F)(F)F)=C(C#N)C#N)F RBICLFYEDLXKIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QMIWYOZFFSLIAK-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoro-2-(trifluoromethyl)prop-1-ene Chemical compound FC(F)(F)C(=C)C(F)(F)F QMIWYOZFFSLIAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDGHUZCUXKJUJQ-UHFFFAOYSA-N 3,3,3-trifluoropropanenitrile Chemical compound FC(F)(F)CC#N WDGHUZCUXKJUJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical group [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N n-[4-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenyl]-4-nitrobenzenesulfonamide Chemical class C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1S(=O)(=O)NC1=CC=C(C=2OC3=CC=CC=C3N=2)C=C1 SYSQUGFVNFXIIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- UHEDJBIYIWUMLU-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-amine Chemical compound FC(F)(F)C(N)C(F)(F)F UHEDJBIYIWUMLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKQMZZOTFNLAQJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)CCC1(F)F AKQMZZOTFNLAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,4,4-hexafluorobuta-1,3-diene Chemical compound FC(F)=C(F)C(F)=C(F)F LGPPATCNSOSOQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCOSEZGCLGPUSL-UHFFFAOYSA-N 2,3,3-trichloroprop-2-enoyl chloride Chemical compound ClC(Cl)=C(Cl)C(Cl)=O BCOSEZGCLGPUSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QXZFSJLVUGYHJW-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3,4,5,6-pentafluorophenyl)pyridine Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1C1=CC=CC=N1 QXZFSJLVUGYHJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101710178035 Chorismate synthase 2 Proteins 0.000 description 1
- 101710152694 Cysteine synthase 2 Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004341 Octafluorocyclobutane Substances 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- YTDKCBWKKIFMSC-UHFFFAOYSA-N cyclobutane 1,1,2,2,3-pentafluorobutane Chemical compound C1CCC1.FC(C(C(C)F)(F)F)F YTDKCBWKKIFMSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- SKRPCQXQBBHPKO-UHFFFAOYSA-N fluorocyclobutane Chemical compound FC1CCC1 SKRPCQXQBBHPKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CSJDCSCTVDEHRN-UHFFFAOYSA-N methane;molecular oxygen Chemical compound C.O=O CSJDCSCTVDEHRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N octafluorocyclobutane Chemical compound FC1(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)F BCCOBQSFUDVTJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019407 octafluorocyclobutane Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 1
- 229920005597 polymer membrane Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N pranlukast Chemical compound C=1C=C(OCCCCC=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)NC(C=1)=CC=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C=1N=NNN=1 UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004583 pranlukast Drugs 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000012264 purified product Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
- C07C251/04—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms
- C07C251/06—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of a saturated carbon skeleton
- C07C251/08—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having carbon atoms of imino groups bound to hydrogen atoms or to acyclic carbon atoms to carbon atoms of a saturated carbon skeleton being acyclic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C251/00—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton
- C07C251/02—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups
- C07C251/26—Compounds containing nitrogen atoms doubly-bound to a carbon skeleton containing imino groups having nitrogen atoms of imino groups further bound to halogen atoms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C255/00—Carboxylic acid nitriles
- C07C255/01—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C255/10—Carboxylic acid nitriles having cyano groups bound to acyclic carbon atoms containing cyano groups and halogen atoms, or nitro or nitroso groups, bound to the same acyclic carbon skeleton
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
- H01L21/0212—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC the material being fluoro carbon compounds, e.g.(CFx) n, (CHxFy) n or polytetrafluoroethylene
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
- H01L21/31138—Etching organic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
- H10B12/0335—Making a connection between the transistor and the capacitor, e.g. plug
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
本出願は、米国特許出願第14/841,271号明細書(出願日:2015年8月31日)の利益を主張し、引用することによりその全てを、全ての目的のために本明細書に組み入れたものとする。
・その有機フッ素化合物がC≡N官能基を含む;
・その有機フッ素化合物が、式N≡C−R1を有し、ここでR1が式HaFbCcを有し、そしてa=1〜11、b=1〜11、c=1〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、式(N≡C−)−(R2)−(−C≡N)を有し、ここでR2は独立して式HaFbCcを有し、a=0、b=1〜11、c=1〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、式(N≡C−)−(R2)−(−C≡N)を有し、ここでR2は式HaFbCcを有し、a=1〜11、b=1〜11、およびc=1〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物がC=N官能基を含む;
・その有機フッ素化合物が式R1 x[−C=N(R2 z)]yを有し、ここで、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3、であり、そしてそれぞれのR1およびR2は独立して、式HaFbCcであり、a=0、b=1〜11、およびc=0〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が式R1 x[−C=N(R3 z)]yを有し、ここで、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3、であり、そしてそれぞれのR1およびR3は独立して、式HaFbCcであり、a=1〜11、b=0〜11、およびc=0〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その活性化された窒素含有エッチング化合物が、シリコン含有膜と反応して揮発性の副生物を形成する;
・その揮発性の副生物が、反応チャンバから除去される;
・その不活性ガスが、He、Ar、Xe、Kr、およびNeからなる群より選択される;
・その不活性ガスがArである;
・その窒素含有エッチング化合物の蒸気と不活性ガスとを、反応チャンバに導入する前に混合して、混合物を形成させる;
・その窒素含有エッチング化合物の蒸気を、不活性ガスとは別に、反応チャンバの中に導入する;
・反応チャンバの中に不活性ガスを連続的に導入し、そして反応チャンバの中に窒素含有エッチング化合物の蒸気をパルス的に導入する;
・その不活性ガスが、反応チャンバの中に導入する窒素含有エッチング化合物の蒸気と不活性ガスとを合計した容積の約0.01%(v/v)〜約99.9%(v/v)の量で含まれている;
・その不活性ガスが、反応チャンバの中に導入する窒素含有エッチング化合物の蒸気と不活性ガスとを合計した容積の約90%(v/v)〜約99%(v/v)の量で含まれている;
・その反応チャンバの中に酸化剤を導入する;
・その反応チャンバの中に酸化剤を導入しない;
・その酸化剤が、O2、CO、CO2、NO、N2O、およびNO2からなる群より選択される;
・その酸化剤がO2である;
・窒素含有エッチング化合物の蒸気と酸化剤とを、反応チャンバの中に導入する前に混合しておく;
・その窒素含有エッチング化合物の蒸気を、酸化剤とは別に、反応チャンバの中に導入する;
・反応チャンバの中に酸化剤を連続的に導入し、そして反応チャンバの中に窒素含有エッチング化合物の蒸気をパルス的に導入する;
・その酸化剤が、反応チャンバの中に導入する窒素含有エッチング化合物の蒸気と酸化剤とを合計した容積の約0.01%(v/v)〜約99.9%(v/v)の量で含まれている;
・その酸化剤が、反応チャンバの中に導入する窒素含有エッチング化合物の蒸気と酸化剤とを合計した容積の約0.01%(v/v)〜約10%(v/v)の量で含まれている;
・そのシリコン含有膜が、シリコン酸化物、シリコン窒化物、ポリシリコン、結晶質シリコン、SiON、SiOCH、SiaObCcNdHe(ここで、a>0;b、c、dおよびe≧0)、またはそれらの組合せの層を含む;
・そのシリコン含有膜が、酸素原子、窒素原子、炭素原子、水素原子、またはそれらの組合せを含む;
・そのシリコン含有膜が、シリコン炭化物を含む;
・そのシリコン含有膜が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、フォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、シリコン窒化物層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、ポリシリコン層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、結晶質シリコン層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、メタルコンタクト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、チタン窒化物層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、タンタル層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、シリコン酸化物層である;
・そのシリコン酸化物層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン酸化物層が、フォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン酸化物層が、p−Si層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン酸化物層が、結晶質シリコン層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン酸化物層が、メタルコンタクト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン酸化物層が、SiN層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、シリコン窒化物層である;
・そのシリコン窒化物層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン窒化物層が、パターン化されたフォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン窒化物層が、p−Si層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン窒化物層が、結晶質シリコン層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン窒化物層が、メタルコンタクト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン窒化物層が、シリコン酸化物層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、SiON層である;
・そのSiON層が、フォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、SiCOH層である;
・そのSiCOH層が、チタン窒化物層から選択的にエッチングされる;
・そのSiCOH層が、a−C層から選択的にエッチングされる;
・そのSiCOH層が、フォトレジスト層から選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、シリコン酸化物層とシリコン窒化物層との交互の層である;
・シリコン酸化物層とシリコン窒化物層との両方が、同程度のエッチング速度でエッチングされる;
・シリコン層からシリコン酸化物層とシリコン窒化物層の両方が、選択的にエッチングされる;
・p−Si層からシリコン酸化物層とシリコン窒化物層の両方が、選択的にエッチングされる;
・結晶質シリコン層からシリコン酸化物層とシリコン窒化物層の両方が、選択的にエッチングされる;
・a−C層からシリコン酸化物層とシリコン窒化物層の両方が、選択的にエッチングされる;
・そのシリコン含有膜が、シリコン酸化物層とp−Si層との交互の層である;
・シリコン酸化物層とp−Si層の両方が、同程度のエッチング速度でエッチングされる;
・a−C層からシリコン酸化物層とp−Si層の両方が、選択的にエッチングされる;
・シリコン窒化物層からシリコン酸化物層とp−Si層の両方が、選択的にエッチングされる;
・シリコン含有膜の中に、約(10:1)から約(200:1)までの間のアスペクト比を有する開口を作成する;
・ゲートトレンチを作成する;
・階段状のコンタクト(staircase contact)を作成する;
・チャネルホールを作成する;
・約(60:1)から約(100:1)までの間のアスペクト比を有するチャネルホールを作成する;
・約5nm〜約100nmの範囲の直径を有するチャネルホールを作成する;
・約10nm〜約50nmの範囲の直径を有するチャネルホールを作成する;
・反応チャンバの中にエッチングガスを導入することによって選択性を改良する;
・そのエッチングガスが、cC4F8、C4F8、C4F6、CF4、CH3F、CF3H、CH2F2、COS、CF3I、C2F3I、C2F5I、F−C≡N、CS2、SO2、trans−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(trans−C4H2F6)、cis−1,1,1,4,4,4−ヘキサフルオロ−2−ブテン(cis−C4H2F6)、ヘキサフルオロイソブテン(C4H2F6)、trans−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(trans−C4H2F6)、1,1,2,2,3−ペンタフルオロシクロブタン(C4H3F5)、1,1,2,2−テトラフルオロシクロブタン(C4H4F4)、またはcis−1,1,2,2,3,4−ヘキサフルオロシクロブタン(cis−C4H2F6)からなる群より選択される;
・そのエッチングガスが、cC5F8である;
・そのエッチングガスが、cC4F8である;
・そのエッチングガスが、C4F6である;
・窒素含有エッチング化合物の蒸気とエッチングガスとを、反応チャンバの中に導入する前に混合しておく;
・その窒素含有エッチング化合物の蒸気を、エッチングガスとは別に、反応チャンバの中に導入する;
・反応チャンバの中に約0.01%(v/v)〜約99.99%(v/v)のエッチングガスを導入する;
・RF出力を印加することによってプラズマを活性化させる;
・約25W〜約10,000Wの範囲のRF出力によってプラズマを活性化させる;
・その反応チャンバが、約1mトール〜約10トールの範囲の圧力を有する;
・その反応チャンバの中へ窒素含有エッチング化合物の蒸気を、約0.1sccm〜約1slmの範囲の流速で導入する;
・その基材を約−196℃〜約500℃の温度範囲に維持する;
・その基材を約−120℃〜約300℃の温度範囲に維持する;
・その基材を約−100℃〜約50℃の温度範囲に維持する;
・その基材を約−10℃〜約40℃の温度範囲に維持する;そして
・活性化された窒素含有エッチング化合物を、四重極質量分析計、発光分析計、FTIR、またはその他のラジカル/イオン測定器によって測定する。
・その有機フッ素化合物が、C≡N官能基を含む;
・その有機フッ素化合物が、式N≡C−R1を有し、ここでR1が式HaFbCcを有し、そしてa=1〜11、b=1〜11、およびc=1〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、式(N≡C−)−(R2)−(−C≡N)を有し、ここでR2は式HaFbCcを有し、a=0、b=1〜11、およびc=1〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、式(N≡C−)−(R2)−(−C≡N)を有し、ここでR2は式HaFbCcを有し、a=1〜11、b=1〜11、およびc=1〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、C=N官能基を含む;
・その有機フッ素化合物が、式R1 x[−C=N(R2 z)]yを有し、ここで、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3、であり、そしてそれぞれのR1およびR2は独立して、式HaFbCcであり、a=0、b=0〜11、およびc=0〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、式R1 x[−C=N(R2 z)]yを有し、ここで、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3、であり、そしてそれぞれのR1およびR2は独立して、式HaFbCcであり、a=1〜11、b=0〜11、およびc=0〜5である;
・その有機フッ素化合物が、次式
・その有機フッ素化合物が、次式
・容積で約95%〜約99.999%の範囲の純度を有する;
・容積で約10ppt〜約5%の間の微量のガス不純物を含む;
・その微量のガス不純物が、水を含む;
・その微量のガス不純物が、CO2を含む;
・その微量のガス不純物が、N2を含む;そして
・その窒素含有エッチング化合物が、20ppmw未満の水含量を有する。
以下の詳細な説明および請求項において、多くの略号、符号、および用語を使用するが、それらは当技術分野においては周知のものである。わかりやすいように、典型的には、定義にはそれぞれの頭字語の第一字を採用しているが、使用される略号、符号、および用語のリストをそれぞれの定義と共に表1に列記する。
N≡C−R1 (I)
(N≡C−)(R2)(−C≡N) (II)
式中、R1は、式HaFbCc(ここで、a=1〜11、b=1〜11、およびc=0〜5)を有する官能基であり、そしてR2は、式HaFbCc(ここで、a=0〜11、b=1〜11、およびc=0〜5)を有する官能基である。そのHaFbCc官能基は、直鎖状、分岐状もしくは環状、そして飽和もしくは不飽和であってよい。本願出願人の確信するところでは、そのC≡N官能基が、CxFyポリマー(ここで、xは0.01〜1の範囲、yは0.01〜4の範囲である)に比較して、エッチ抵抗性のポリマーデポジションの点において改良を与えることができる。その有機フッ素化合物に少なくとも1個のHが含まれている場合には、マスク層に対する高い選択性を維持しながらも、SiNのエッチング速度を高くすることができる。
R1 x[−C=N(R2 z)]y (III)
式中、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3であり、それぞれのR1およびR2は独立して、式HaFbCc(ここで、a=0〜11、b=0〜11、およびc=0〜5)を有している。そのHaFbCc官能基は、直鎖状、分岐状もしくは環状、そして飽和もしくは不飽和であってよい。本願出願人の確信するところでは、そのC=N官能基が、CxFyポリマー(ここで、xは0.01〜1の範囲、yは0.01〜4の範囲である)に比較して、シリコン層の間での改良された選択性を与えることができる。その有機フッ素化合物に少なくとも1個のHが含まれ、好ましくはR2がHである場合には、マスク層に対する高い選択性を維持しながらも、SiNのエッチング速度を高くすることができる。
1.酸化物(すなわち、SiO)のエッチング速度が、高くなければならない;
2.他の物質、典型的にはSiNに対するSiOの選択性が、高くあるべきである;
3.他の物質、典型的にはp−Siまたはa−Cに対するSiOの選択性が、高くあるべきである。
図5は、C3HF4Nについての電子衝撃イオン化データを示すグラフである。図5においては、x軸は、電子エネルギーを表し、y軸は、フラグメント種の分圧を表している。図5は、C3HF4Nの主なフラグメントが、CF3およびC2HFNであることを示している。C2HFNフラグメントは、1:2のF/C比を有しており、基材に到達すると容易に重合することができる。
図6は、C2HF2Nについての電子衝撃イオン化データを示すグラフである。図6においては、x軸は、電子エネルギーを表し、y軸は、フラグメント種の分圧を表している。図6は、C2HF2N主なフラグメントが、CF2およびC2F2Nであることを示している。C2F2Nフラグメントは低いF/C比を有していて、基材に到達すると容易に重合するであろう。
デポジション試験は、ブランケット1×1cm2Si試験片について実施される実験であって、その場合、電源出力(750W@27MHz)が、バイアス出力なしで印加される。バイアス出力が存在しないために、基材に到達するイオンは、エッチングするのに十分なエネルギーは有していない。それに加えて、表面に到達する中性および活性な種が、それらの付着係数に基づいて、その表面に粘着し、薄いポリマー層としてデポジットする。この薄いポリマー層が、サイドウォールを不動態化させる原因となって、多くの場合選択性を付与する。デポジション試験の実験条件によって、表面上およびサイドウォール上両方のパターンのプラズマ加工の際に形成されるポリマー層をシミュレートすることができるようになる。
図8は、C2HF2NおよびO2を用いたときのSiO、SiN、p−Si、およびa−Cのエッチング速度を示すグラフである。図8において、y軸のプラス側がエッチング速度を表すのに対して、y軸のマイナス側はデポジション速度を表しており、x軸はO2流量(単位:sccm)であり、C2HF2N流量を15sccmに固定しているのに対して、O2流量は0〜15sccmで変化させている。
図9は、C3HF4NおよびO2を用いたときのSiO、SiN、p−Si、およびa−Cのエッチング速度を示すグラフである。図9において、y軸のプラス側がエッチング速度を表すのに対して、y軸のマイナス側はデポジション速度を表しており、x軸はO2流量(単位:sccm)であり、C3HF4N流量を15sccmに固定しているのに対して、O2流量は0〜15sccmで変化させている。
図10は、C3HF4NおよびCF4を用いたときのSiO、SiN、p−Si、およびa−Cのエッチング速度を示すグラフである。図10においては、y軸は、エッチング速度を表し、x軸は、CF4流量(単位:sccm)を表している。C3HF4N流量を15sccmに固定し、O2流量を5sccmに固定するが、CF4流量は、10〜15sccmで変化させる。
図11は、C3HF4N、C2HF2N、C5F5N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスのシリコン酸化物のエッチング速度を比較して示すグラフである。図11においては、y軸のプラス側がエッチング速度を表すのに対して、y軸のマイナス側はデポジション速度を表しており、x軸は、比較する化合物を表している。図11から、窒素含有化合物のC2HF2NおよびC2F3Nが、C3HF4NおよびC5F5Nよりも高いエッチング速度を有していることがわかる。
図12は、C3HF4N、C2HF2N、C5F5N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスを使用し、酸素を添加しない場合の、シリコン酸化物対シリコン窒化物の選択性を比較して示すグラフである。図12において、y軸は、SiO:SiNの選択性を表し、x軸は、比較する化合物を表している。図12は、酸素添加0sccmでは、C2HF2NおよびC5F5Nが、シリコン酸化物対シリコン窒化物で無限大の選択性(150として表されている)を有していることを示している。
図13は、5sccmの酸素を添加した場合の、C3HF4N、C2HF2N、C5F5N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスでのシリコン酸化物のエッチング速度を比較して示すグラフである。図13において、y軸は、エッチング速度をあらわし、x軸は、比較する化合物を表している。図13に見られるように、5sccmの酸素を添加した場合のエッチング速度の順位は以下のとおりである:cC4F8>C2F3N>C3HF4N>C2HF2N>C4F6>C5F5N。
図14は、5sccmの酸素を添加した場合の、C3HF4N、C2HF2N、C5F5N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスの選択性(SiO/SiN)を比較して示すグラフである。図14において、y軸は、SiO:SiNの選択性を表し、そしてx軸は、比較する化合物を表している。図14は、5sccmの酸素添加では、C3HF4N、C2HF2N、およびC5F5Nが、酸化物対窒化物で無限大の選択性(150として表されている)を有していることを示している。
図15は、10sccmの酸素を添加した場合の、C3HF4N、C2HF2N、C5F5N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスでのシリコン酸化物のエッチング速度を比較して示すグラフである。図15において、y軸は、エッチング速度をあらわし、x軸は、比較する化合物を表している。図15に見られるように、10sccmの酸素を添加した場合のエッチング速度の順位は以下のとおりである:cC4F8>C4F6>C3HF4N>C2F3N>C2HF2N>C5F5N。
図16は、10sccmの酸素を添加した場合の、C3HF4N、C2HF2N、C5F5N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスの選択性(SiO/SiN)を比較して示すグラフである。図16において、y軸は、(SiO:SiN)の選択性を表し、そしてx軸は、比較する化合物を表している。図16は、10sccmの酸素添加では、C3HF4N、C2HF2N、およびC5F5Nが、酸化物対窒化物で無限大の選択性(150として表されている)を有していることを示している。
図17は、15sccmの酸素を添加した場合の、C3HF4N、C2HF2N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスでのシリコン酸化物のエッチング速度を比較して示すグラフである。図17において、y軸は、エッチング速度をあらわし、x軸は、比較する化合物を表している。図17に見られるように、15sccmの酸素を添加した場合のエッチング速度の順位は以下のとおりである:C4F6>cC4F8>C3HF4N>C2F3N>C2HF2N。
図18は、15sccmの酸素を添加した場合の、C3HF4N、C2HF2N、C2F3N、cC4F8、およびC4F6のエッチングガスの選択性(SiO/SiN)を比較して示すグラフである。図18において、y軸は、エッチング速度をあらわし、x軸は、比較する化合物を表している。図18は、15sccmの酸素を添加した場合、C2HF2Nだけが、酸化物対窒化物で無限大の選択性(150として表されている)を有していることを示している。
N2をエッチングガス混合物(cC4F8を含む)に添加して、エッチング速度および選択性に及ぼすN2の効果を調べた。エッチング試験は30mトールで実施し、電源出力を750W(27MHz)とし、バイアス出力を1500W(2MHz)とした。そのフィード混合物には、250sccmのAr、15sccmのcC4F8、10sccmのO2が含まれていたが、それに対してN2は、0sccm〜20sccmの量で変化させた。図19は、各種の基材物質のエッチング速度に及ぼす、N2添加の効果を示すグラフである。図19において、y軸は、エッチング速度をあらわし、x軸はN2の流量を表している。
NH3をエッチングガス混合物に添加して、エッチング速度および選択性に及ぼす窒素の効果を調べた。エッチング試験は30mトールで実施し、電源出力を750W(27MHz)とし、バイアス出力を1500W(2MHz)とした。そのフィード混合物には、250sccmのAr、15sccmのcC4F8、15sccmのNH3が含まれていたが、それに対してO2は、0sccm〜15sccmの量で変化させた。図20は、各種の基材物質のエッチング速度に及ぼす、O2添加の効果を示すグラフである。図20においては、y軸のプラス側がエッチング速度を表すのに対して、y軸のマイナス側はデポジション速度を表しており、x軸は、O2の流量を表している。
図21は、C2F3Nについての電子衝撃イオン化データを示すグラフである。図21においては、x軸は、電子エネルギーを表し、y軸は、フラグメント種の分圧を表している。図21は、C2F3Nからの主たるフラグメントがCF3およびC2F2Nであることを示している。C2F2Nフラグメントは低いF/C比を有していて、基材に到達すると容易に重合するであろう。
図22は、C2F3NおよびO2を用いたときのSiO、SiN、p−Si、およびa−Cのエッチング速度を示すグラフである。図22においては、y軸のプラス側がエッチング速度を表すのに対して、y軸のマイナス側はデポジション速度を表しており、x軸は、O2の流量(単位:sccm)である。C2F3Nの流量を15sccmに固定するに対して、O2の流量は0〜15sccmで変化させる。
図23は、C3H3F6N(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロイソプロピルアミン
図24は、酸素なしで、各種の基材物質にC3H3F6Nを添加したときの、エッチング速度の結果を示すグラフである。デポジション試験の条件では、それは、210nm/minの速度でデポジットして、サイドウォール保護を与えることができる。この分子は、p−Siおよびa−Cに対しては良好な選択性を与えるが、SiN膜に対しては、たとえ酸素を全く添加しない場合であっても、選択性が低下している。
Claims (13)
- シリコン含有膜をエッチングするための方法であって、前記方法が以下の工程、
基材の上のシリコン含有膜を含む反応チャンバの中に窒素含有エッチング化合物の蒸気を導入する工程であって、前記窒素含有エッチング化合物が、N≡C−R1[式中、R1は、式HaFbCc(ここで、a=1〜11、b=1〜11、c=1〜5である)を有する];(N≡C−)−(R2)−(−C≡N)[式中、R2は、式HaFbCc(ここで、a=0、b=1〜11、c=1〜5である)を有する];ならびに、R1 x[−C=N(R2 z)]y[ここで、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3であり、それぞれのR1およびR2は独立して、式HaFbCc(ここで、a=0〜11、b=0〜11、c=0〜5である)を有する]からなる群より選択される式を有する有機フッ素化合物を含む、工程;
不活性ガスを前記反応チャンバの中に導入する工程、ならびに
プラズマを活性化させて、前記基材から前記シリコン含有膜をエッチングすることが可能な、活性化された窒素含有エッチング化合物を形成させる工程、
を含む方法。 - 前記反応チャンバから揮発性の副生物(前記活性化された窒素含有エッチング化合物が前記シリコン含有膜と反応して、前記揮発性の副生物が生成する)を除去する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記C≡N官能基を含む前記有機フッ素化合物が、式N≡C−R1[式中、それぞれのR1は独立して、式HaFbCc(ここで、a=1〜11、b=1〜11、c=1〜5である)を有する官能基である]を含む、請求項2に記載の方法。
- C≡N官能基を含む前記有機フッ素化合物が、式(N≡C−)−(R1)−(−C≡N)[式中、それぞれのR1は独立して、式HaFbCc(ここで、a=0、b=1〜11、c=1〜5である)を有する官能基である]を含む、請求項2に記載の方法。
- C=N官能基を含む前記有機フッ素化合物が、式R1 x[−C=N(R2 z)]y[式中、x=1〜2、y=1〜2、z=0〜1、x+z=1〜3であり、それぞれのR1およびR2は独立して、式HaFbCc(ここで、a=0〜11、b=0〜11、c=0〜5である)を有する]を含む、請求項2に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、2,2,3,3−テトラフルオロプロピオニトリル、2,3,3,3−テトラフルオロプロピオニトリル(C3HF4N)、ジフルオロアセトニトリル(C2HF2N)、ヘキサフルオロアセトンイミン(C3HF6N);4,4,4−トリフルオロクロトノ−ニトリル、3,3,3−トリフルオロプロピオニトリル、フルオロアセトニトリル、オクタフルオロヘキサン−1,6−ジニトリル、1,1−ビス(トリフルオロメチル)−2,2−ジシアノエチレン、N,1,1,1,3,3,3−ヘプタフルオロ−プロパンアミン、および1,1,1,6,6,6−ヘキサフルオロ−3−アザヘキセ−3−エンからなる群より選択される、請求項1に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、2,3,3,3−テトラフルオロプロピオニトリル(C3HF4N)である、請求項6に記載の方法。
- 前記有機フッ素化合物が、ジフルオロアセトニトリル(C2HF2N)である、請求項6に記載の方法。
- 前記反応チャンバの中に酸化剤を導入する工程をさらに含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記シリコン含有膜が、シリコン酸化物、シリコン窒化物、ポリシリコン、結晶質シリコン、low−kSiCOH、SiOCN、SiON、SiaObHcCdNe(ここで、a>0;b、c、dおよびe≧0である)、またはそれらの組合せの層を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記シリコン含有膜が、非晶質カーボン層またはフォトレジスト層から選択的にエッチングされる、請求項10に記載の方法。
- 前記シリコン酸化物層が、シリコン窒化物層、ポリシリコン層、または非晶質カーボン層から選択的にエッチングされる、請求項10に記載の方法。
- 前記方法で、前記シリコン含有膜の中に約(10:1)〜約(200:1)の間のアスペクト比を有する開口が作成される、請求項9に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021069197A JP7079872B2 (ja) | 2015-08-31 | 2021-04-15 | 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/841,271 | 2015-08-31 | ||
US14/841,271 US9659788B2 (en) | 2015-08-31 | 2015-08-31 | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
PCT/US2016/049479 WO2017040518A1 (en) | 2015-08-31 | 2016-08-30 | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021069197A Division JP7079872B2 (ja) | 2015-08-31 | 2021-04-15 | 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018529225A JP2018529225A (ja) | 2018-10-04 |
JP6871233B2 true JP6871233B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=54870307
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018505026A Active JP6871233B2 (ja) | 2015-08-31 | 2016-08-30 | シリコン含有膜をエッチングするための方法 |
JP2021069197A Active JP7079872B2 (ja) | 2015-08-31 | 2021-04-15 | 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021069197A Active JP7079872B2 (ja) | 2015-08-31 | 2021-04-15 | 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9659788B2 (ja) |
EP (1) | EP3345211A1 (ja) |
JP (2) | JP6871233B2 (ja) |
KR (2) | KR102625367B1 (ja) |
CN (2) | CN107924842B (ja) |
TW (2) | TWI745202B (ja) |
WO (1) | WO2017040518A1 (ja) |
Families Citing this family (77)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US20180277387A1 (en) * | 2014-08-06 | 2018-09-27 | American Air Liquide, Inc. | Gases for low damage selective silicon nitride etching |
US9406535B2 (en) | 2014-08-29 | 2016-08-02 | Lam Research Corporation | Ion injector and lens system for ion beam milling |
US10825652B2 (en) | 2014-08-29 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etch without need for wafer tilt or rotation |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US9659788B2 (en) | 2015-08-31 | 2017-05-23 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
US9917097B2 (en) * | 2016-01-07 | 2018-03-13 | Toshiba Memory Corporation | Method of manufacturing semiconductor device |
US9779955B2 (en) | 2016-02-25 | 2017-10-03 | Lam Research Corporation | Ion beam etching utilizing cryogenic wafer temperatures |
US10325779B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-06-18 | Tokyo Electron Limited | Colloidal silica growth inhibitor and associated method and system |
US10515820B2 (en) | 2016-03-30 | 2019-12-24 | Tokyo Electron Limited | Process and apparatus for processing a nitride structure without silica deposition |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
DE102016220248A1 (de) * | 2016-10-17 | 2018-04-19 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und verfahren zum anisotropen drie-ätzen mit fluorgasmischung |
US10692880B2 (en) * | 2016-12-27 | 2020-06-23 | Applied Materials, Inc. | 3D NAND high aspect ratio structure etch |
US10607850B2 (en) * | 2016-12-30 | 2020-03-31 | American Air Liquide, Inc. | Iodine-containing compounds for etching semiconductor structures |
US10347498B2 (en) | 2016-12-31 | 2019-07-09 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Methods of minimizing plasma-induced sidewall damage during low K etch processes |
US20170110336A1 (en) * | 2016-12-31 | 2017-04-20 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges CLuadeq | Methods for minimizing sidewall damage during low k etch processes |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
JP6875152B2 (ja) * | 2017-03-03 | 2021-05-19 | レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード | 多孔質膜封孔方法および多孔質膜封孔用材料 |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
CN110546742B (zh) * | 2017-04-06 | 2023-09-29 | 关东电化工业株式会社 | 干式蚀刻气体组合物及干式蚀刻方法 |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US10242883B2 (en) * | 2017-06-23 | 2019-03-26 | Lam Research Corporation | High aspect ratio etch of oxide metal oxide metal stack |
TW201909264A (zh) | 2017-07-17 | 2019-03-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 氮化物特徵的受控蝕刻 |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
KR102623767B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2024-01-10 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 |
JP6883495B2 (ja) * | 2017-09-04 | 2021-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US10410878B2 (en) * | 2017-10-31 | 2019-09-10 | American Air Liquide, Inc. | Hydrofluorocarbons containing —NH2 functional group for 3D NAND and DRAM applications |
US10847374B2 (en) * | 2017-10-31 | 2020-11-24 | Lam Research Corporation | Method for etching features in a stack |
CN107833842B (zh) * | 2017-11-01 | 2019-03-29 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种3d nand存储器的层叠结构的薄膜层厚度测量方法 |
WO2019108844A1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | Lam Research Corporation | Silicon oxide silicon nitride stack stair step etch |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
CN110010464B (zh) | 2017-12-25 | 2023-07-14 | 东京毅力科创株式会社 | 处理基板的方法 |
JP7067424B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2022-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
US10529581B2 (en) * | 2017-12-29 | 2020-01-07 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | SiN selective etch to SiO2 with non-plasma dry process for 3D NAND device applications |
US10903109B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-01-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming high aspect ratio openings and methods of forming high aspect ratio features |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
US10361092B1 (en) | 2018-02-23 | 2019-07-23 | Lam Research Corporation | Etching features using metal passivation |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
CN112219266B (zh) * | 2018-04-13 | 2024-06-25 | 玛特森技术公司 | 以使用烷基卤化物生成的反应性核素处理工件 |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
KR20190132834A (ko) | 2018-05-21 | 2019-11-29 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
US11011351B2 (en) * | 2018-07-13 | 2021-05-18 | Lam Research Corporation | Monoenergetic ion generation for controlled etch |
SG11202100018XA (en) * | 2018-07-27 | 2021-02-25 | Applied Materials Inc | 3d nand etch |
KR102272823B1 (ko) * | 2018-07-30 | 2021-07-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법 및 에칭 장치 |
WO2020051063A2 (en) * | 2018-09-05 | 2020-03-12 | Tokyo Electron Limited | Surface modification process |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) * | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
CN111048415B (zh) * | 2018-10-11 | 2023-03-14 | 上海新阳半导体材料股份有限公司 | 一种选择性刻蚀液组合物及其制备方法和应用 |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
JP7174634B2 (ja) * | 2019-01-18 | 2022-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法 |
KR20210114509A (ko) * | 2019-01-23 | 2021-09-23 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 드라이 에칭 방법, 드라이 에칭제, 및 그 보존 용기 |
KR20200127101A (ko) | 2019-04-30 | 2020-11-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
KR102675057B1 (ko) * | 2019-10-29 | 2024-06-12 | 오씨아이 주식회사 | 실리콘 질화막 식각 용액 및 이를 사용한 반도체 소자의 제조 방법 |
KR102338512B1 (ko) * | 2019-10-30 | 2021-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
US11967524B2 (en) | 2019-11-08 | 2024-04-23 | Applied Materials, Inc. | 3D NAND gate stack reinforcement |
CN113035694A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-25 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 刻蚀方法 |
JP7403314B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2023-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法及びエッチング装置 |
US11024511B1 (en) * | 2020-04-21 | 2021-06-01 | Winbond Electronics Corp. | Patterning method |
US11329064B2 (en) | 2020-06-16 | 2022-05-10 | Micron Technology, Inc. | Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies |
US11195723B1 (en) * | 2020-12-11 | 2021-12-07 | Tokyo Electron Limited | Non-atomic layer deposition (ALD) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch |
CN112635475B (zh) * | 2020-12-18 | 2024-05-24 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种堆叠结构及其制备方法 |
US20230193460A1 (en) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | American Air Liquide, Inc. | Deposition of iodine-containing carbon films |
US20240096640A1 (en) * | 2022-09-20 | 2024-03-21 | Tokyo Electron Limited | High Aspect Ratio Contact (HARC) Etch |
Family Cites Families (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2730543A (en) | 1950-05-20 | 1956-01-10 | Minnesota Mining & Mfg | Fluorinated nitriles |
US2704769A (en) | 1951-05-31 | 1955-03-22 | Minnesota Mining & Mfg | Preparation of alpha-hydroperfluoronitriles |
US3585218A (en) * | 1967-05-24 | 1971-06-15 | Minnesota Mining & Mfg | Preparation of difluoramines by oxidation with 1,1-bis(fluoroxy)perfluoroalkane |
US3671509A (en) | 1971-03-22 | 1972-06-20 | Du Pont | Copolymers of fluoroketone imines with polymerizable unsaturated compounds |
JPH0597478A (ja) * | 1991-10-04 | 1993-04-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 撥水性ガラス物品およびその製造方法 |
US5242538A (en) | 1992-01-29 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Reactive ion etch process including hydrogen radicals |
US5843847A (en) | 1996-04-29 | 1998-12-01 | Applied Materials, Inc. | Method for etching dielectric layers with high selectivity and low microloading |
US5814563A (en) | 1996-04-29 | 1998-09-29 | Applied Materials, Inc. | Method for etching dielectric using fluorohydrocarbon gas, NH3 -generating gas, and carbon-oxygen gas |
US6387287B1 (en) | 1998-03-27 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxide using a hexafluorobutadiene and manifesting a wide process window |
US6569774B1 (en) | 2000-08-31 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch |
US20020121500A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-09-05 | Rao Annapragada | Method of etching with NH3 and fluorine chemistries |
US6413877B1 (en) | 2000-12-22 | 2002-07-02 | Lam Research Corporation | Method of preventing damage to organo-silicate-glass materials during resist stripping |
JP5589984B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2014-09-17 | ダイキン工業株式会社 | 電極表面被膜形成剤 |
US6777344B2 (en) | 2001-02-12 | 2004-08-17 | Lam Research Corporation | Post-etch photoresist strip with O2 and NH3 for organosilicate glass low-K dielectric etch applications |
US7311852B2 (en) | 2001-03-30 | 2007-12-25 | Lam Research Corporation | Method of plasma etching low-k dielectric materials |
JP2002319551A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Nec Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6508948B2 (en) * | 2001-06-13 | 2003-01-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Cyanuric fluoride and related compounds for anisotropic etching |
US7279239B2 (en) * | 2002-08-07 | 2007-10-09 | Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho | Laminating product including adhesion layer and laminate product including protective film |
JP2004158534A (ja) | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄方法 |
US6693047B1 (en) | 2002-12-19 | 2004-02-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. | Method for recycling semiconductor wafers having carbon doped low-k dielectric layers |
JP2005116801A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4889199B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2012-03-07 | 株式会社アルバック | 低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法 |
US7695590B2 (en) * | 2004-03-26 | 2010-04-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical vapor deposition plasma reactor having plural ion shower grids |
EP1586674A1 (en) * | 2004-04-14 | 2005-10-19 | Nederlandse Organisatie voor Toegepast-Natuuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Coatings, and methods and devices for the manufacture thereof |
US20060062914A1 (en) * | 2004-09-21 | 2006-03-23 | Diwakar Garg | Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas |
US20060183055A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | O'neill Mark L | Method for defining a feature on a substrate |
KR100683400B1 (ko) | 2005-12-28 | 2007-02-15 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 저유전 물질 측정 방법 |
US7540971B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-06-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch process using polymerizing etch gases across a wafer surface and additional polymer managing or controlling gases in independently fed gas zones with time and spatial modulation of gas content |
CN101379608A (zh) * | 2007-03-15 | 2009-03-04 | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 | 用于制造平板显示器的铜互连 |
US20100105595A1 (en) | 2008-10-29 | 2010-04-29 | Wai Mun Lee | Composition comprising chelating agents containing amidoxime compounds |
KR101660488B1 (ko) | 2010-01-22 | 2016-09-28 | 삼성전자주식회사 | 3차원 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP5698558B2 (ja) * | 2011-02-21 | 2015-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び記憶媒体 |
FR2972452B1 (fr) * | 2011-03-09 | 2013-03-15 | Rhodia Operations | Procede de preparation du difluoroacetonitrile et de ses derives |
GB201107737D0 (en) | 2011-05-09 | 2011-06-22 | Univ Birmingham | Extraction from cells |
KR101276258B1 (ko) * | 2011-11-21 | 2013-06-20 | 피에스케이 주식회사 | 반도체 제조 장치 및 반도체 제조 방법 |
US9093389B2 (en) | 2013-01-16 | 2015-07-28 | Applied Materials, Inc. | Method of patterning a silicon nitride dielectric film |
CN104752307B (zh) * | 2013-12-25 | 2018-03-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种浅沟槽隔离结构及其制造方法 |
US9659788B2 (en) | 2015-08-31 | 2017-05-23 | American Air Liquide, Inc. | Nitrogen-containing compounds for etching semiconductor structures |
-
2015
- 2015-08-31 US US14/841,271 patent/US9659788B2/en active Active
-
2016
- 2016-08-30 TW TW109146301A patent/TWI745202B/zh active
- 2016-08-30 KR KR1020187006602A patent/KR102625367B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-30 JP JP2018505026A patent/JP6871233B2/ja active Active
- 2016-08-30 CN CN201680048436.5A patent/CN107924842B/zh active Active
- 2016-08-30 EP EP16770815.5A patent/EP3345211A1/en active Pending
- 2016-08-30 TW TW105127842A patent/TWI716443B/zh active
- 2016-08-30 KR KR1020247001077A patent/KR20240011245A/ko active Application Filing
- 2016-08-30 WO PCT/US2016/049479 patent/WO2017040518A1/en active Application Filing
- 2016-08-30 CN CN202211081337.0A patent/CN115394641A/zh active Pending
-
2017
- 2017-04-26 US US15/497,393 patent/US10256109B2/en active Active
-
2021
- 2021-04-15 JP JP2021069197A patent/JP7079872B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201714873A (zh) | 2017-05-01 |
JP2021108391A (ja) | 2021-07-29 |
KR20180048689A (ko) | 2018-05-10 |
EP3345211A1 (en) | 2018-07-11 |
CN107924842A (zh) | 2018-04-17 |
US10256109B2 (en) | 2019-04-09 |
WO2017040518A1 (en) | 2017-03-09 |
US20150371869A1 (en) | 2015-12-24 |
TW202124361A (zh) | 2021-07-01 |
KR102625367B1 (ko) | 2024-01-15 |
TWI745202B (zh) | 2021-11-01 |
JP2018529225A (ja) | 2018-10-04 |
TWI716443B (zh) | 2021-01-21 |
JP7079872B2 (ja) | 2022-06-02 |
US9659788B2 (en) | 2017-05-23 |
KR20240011245A (ko) | 2024-01-25 |
CN115394641A (zh) | 2022-11-25 |
CN107924842B (zh) | 2022-09-06 |
US20170229316A1 (en) | 2017-08-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7079872B2 (ja) | 半導体構造物上に窒素含有化合物を堆積させる方法 | |
JP7470834B2 (ja) | 半導体構造エッチング用ヨウ素含有化合物 | |
KR102153246B1 (ko) | 규소-함유 필름의 에칭을 위한 방법 및 에칭 가스 | |
JP6974468B2 (ja) | 低誘電率エッチングプロセスの間の側壁ダメージを最小化する方法 | |
JP2023531687A (ja) | 半導体構造エッチング用ヨウ素含有フルオロカーボン及びハイドロフルオロカーボン化合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180301 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20180307 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20180307 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190805 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200923 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201225 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6871233 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |