JPH05152309A - 半導体基板の熱処理方法 - Google Patents
半導体基板の熱処理方法Info
- Publication number
- JPH05152309A JPH05152309A JP31060191A JP31060191A JPH05152309A JP H05152309 A JPH05152309 A JP H05152309A JP 31060191 A JP31060191 A JP 31060191A JP 31060191 A JP31060191 A JP 31060191A JP H05152309 A JPH05152309 A JP H05152309A
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- JP
- Japan
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- tube
- furnace
- heat
- treatment method
- heat treatment
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】炉外のＣｕによるシリコンウェーハの汚染を防
止できる熱処理方法を提供する。 【構成】炉芯管を二重構造とし、内管と外管との間に酸
素を２０％以上含有するガスを流しながら、内管内で還
元性ガス又は不活性ガスの雰囲気でウェーハを熱処理す
る。
止できる熱処理方法を提供する。 【構成】炉芯管を二重構造とし、内管と外管との間に酸
素を２０％以上含有するガスを流しながら、内管内で還
元性ガス又は不活性ガスの雰囲気でウェーハを熱処理す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板の熱処理方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、シリコンウェーハを水素を含
有する還元性ガス雰囲気中で熱処理することにより、欠
陥やきずを除去してウェーハ特性を高める方法が知られ
ている（例えば特開昭５１−１３４０７１号公報）。
有する還元性ガス雰囲気中で熱処理することにより、欠
陥やきずを除去してウェーハ特性を高める方法が知られ
ている（例えば特開昭５１−１３４０７１号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、シリコンウェ
ーハを水素含有還元性ガス雰囲気中で熱処理する場合、
炉外のＣｕが石英製炉芯管中を拡散して炉内に侵入し、
熱処理されるシリコンウェーハを汚染するという問題が
あった。本発明は前記問題点を解決するためになされた
ものであり、炉外のＣｕによるシリコンウェーハの汚染
を防止できる熱処理方法を提供することを目的とする。
ーハを水素含有還元性ガス雰囲気中で熱処理する場合、
炉外のＣｕが石英製炉芯管中を拡散して炉内に侵入し、
熱処理されるシリコンウェーハを汚染するという問題が
あった。本発明は前記問題点を解決するためになされた
ものであり、炉外のＣｕによるシリコンウェーハの汚染
を防止できる熱処理方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板の熱
処理方法は、炉芯管を二重構造とし、内管と外管との間
にガスを流しながら、内管内で水素含有還元性ガス雰囲
気中でウェーハを熱処理することを特徴とするものであ
る。
処理方法は、炉芯管を二重構造とし、内管と外管との間
にガスを流しながら、内管内で水素含有還元性ガス雰囲
気中でウェーハを熱処理することを特徴とするものであ
る。
【０００５】本発明において、内管と外管との間に流さ
れるガスは、酸素を２０％以上含有し、圧力は大気圧以
上であることが好ましい。内管と外管との間に流される
ガスは速やかに排気され、新たなガスが供給されること
が好ましい。
れるガスは、酸素を２０％以上含有し、圧力は大気圧以
上であることが好ましい。内管と外管との間に流される
ガスは速やかに排気され、新たなガスが供給されること
が好ましい。
【０００６】本発明において、内管内での水素含有還元
性ガス雰囲気中での熱処理は、常圧で４００〜１３００
℃、５分〜１００時間の条件で行われる。ここで、水素
含有還元性ガス雰囲気とは、１００％水素ガス雰囲気、
又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスであ
る雰囲気をいう。
性ガス雰囲気中での熱処理は、常圧で４００〜１３００
℃、５分〜１００時間の条件で行われる。ここで、水素
含有還元性ガス雰囲気とは、１００％水素ガス雰囲気、
又は水素ガスを１０％以上含有し残部が不活性ガスであ
る雰囲気をいう。
【０００７】アニール温度が４００℃未満ではウェーハ
の酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ること
ができない。アニール温度が１３００℃を超えると石英
治具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。
より好ましい温度範囲は、１０００〜１３００℃であ
る。
の酸化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ること
ができない。アニール温度が１３００℃を超えると石英
治具、ヒータなどの炉まわりの寿命が大幅に短くなる。
より好ましい温度範囲は、１０００〜１３００℃であ
る。
【０００８】アニール時間が５分未満ではウェーハの酸
化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることがで
きない。１００時間を超えてアニールしても、効果の向
上は期待できない。
化誘起積層欠陥の発生を少なくする効果を得ることがで
きない。１００時間を超えてアニールしても、効果の向
上は期待できない。
【０００９】
【作用】本発明において、炉芯管を二重構造にするの
は、水素と例えば酸素を含有するガスとが混在するよう
な場合、爆発の危険があるためである。内管と外管との
間に酸素を含有するガスを流すと、炉外のＣｕは内管と
外管との間で酸化される。Ｃｕは石英炉芯管中を自由に
拡散できるが、ＣｕＯなど銅の酸化物は石英炉芯管中を
拡散できない。したがって、炉外のＣｕによるシリコン
ウェーハの汚染を防止できる。
は、水素と例えば酸素を含有するガスとが混在するよう
な場合、爆発の危険があるためである。内管と外管との
間に酸素を含有するガスを流すと、炉外のＣｕは内管と
外管との間で酸化される。Ｃｕは石英炉芯管中を自由に
拡散できるが、ＣｕＯなど銅の酸化物は石英炉芯管中を
拡散できない。したがって、炉外のＣｕによるシリコン
ウェーハの汚染を防止できる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１１】図１は本発明の実施例において用いられた
縦型の二重炉芯管の断面図である。この二重炉芯管は、
内管１と外管２とからなっている。炉蓋３上に反射テー
ブル４及びボート５が載せられ、ボート５にＳｉウェ−
ハ６がセットされて炉蓋３ごと内管内に装入される。 実施例１
縦型の二重炉芯管の断面図である。この二重炉芯管は、
内管１と外管２とからなっている。炉蓋３上に反射テー
ブル４及びボート５が載せられ、ボート５にＳｉウェ−
ハ６がセットされて炉蓋３ごと内管内に装入される。 実施例１
【００１２】図１の二重炉芯管を用い、内管と外管との
間にＯ2 を１０ｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 を１０ｌ／ｍｉｎの流
量（Ｏ2 含有量５０％）で流し、内管内にＨ2 を２８ｌ
／ｍｉｎの流量で流しながら、シリコンウェーハを１２
００℃で１時間熱処理した。 比較例１ 図１の二重炉芯管を用い、内管と外管との間にＮ2 を１
０ｌ／ｍｉｎの流量で流した以外は実施例１と同一の条
件で、シリコンウェーハを熱処理した。 比較例２ 単管の炉芯管（図示せず）を用いた以外は実施例１と同
一の条件で、シリコンウェーハを熱処理した。
間にＯ2 を１０ｌ／ｍｉｎ、Ｎ2 を１０ｌ／ｍｉｎの流
量（Ｏ2 含有量５０％）で流し、内管内にＨ2 を２８ｌ
／ｍｉｎの流量で流しながら、シリコンウェーハを１２
００℃で１時間熱処理した。 比較例１ 図１の二重炉芯管を用い、内管と外管との間にＮ2 を１
０ｌ／ｍｉｎの流量で流した以外は実施例１と同一の条
件で、シリコンウェーハを熱処理した。 比較例２ 単管の炉芯管（図示せず）を用いた以外は実施例１と同
一の条件で、シリコンウェーハを熱処理した。
【００１３】以上の各条件で熱処理されたウェーハ表面
のＣｕによる汚染を調べた。その結果、ウェーハ表面の
Ｃｕ濃度は、実施例では１×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2
以下、比較例１では５００×１０10ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ2 、比較例２では５００×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2
であった。
のＣｕによる汚染を調べた。その結果、ウェーハ表面の
Ｃｕ濃度は、実施例では１×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2
以下、比較例１では５００×１０10ａｔｏｍｓ／ｃ
ｍ2 、比較例２では５００×１０10ａｔｏｍｓ／ｃｍ2
であった。
【００１４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明の方法を用い
れば、炉外のＣｕによるシリコンウェーハの汚染を防止
できる。
れば、炉外のＣｕによるシリコンウェーハの汚染を防止
できる。
【図１】本発明の実施例において用いられた二重炉芯管
の断面図。
の断面図。
１…内管、２…外管、３…炉蓋、４…反射テーブル、５
…ボート、６…Ｓｉウェ−ハ。
…ボート、６…Ｓｉウェ−ハ。
Claims (1)
- 【請求項１】 炉芯管を二重構造とし、内管と外管との
間にガスを流しながら、内管内で水素含有還元性ガス雰
囲気中でウェーハを熱処理することを特徴とする半導体
基板の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31060191A JPH05152309A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 半導体基板の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31060191A JPH05152309A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 半導体基板の熱処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05152309A true JPH05152309A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18007220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31060191A Pending JPH05152309A (ja) | 1991-11-26 | 1991-11-26 | 半導体基板の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05152309A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407367B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus, heat treatment process employing the same, and process for producing semiconductor article |
-
1991
- 1991-11-26 JP JP31060191A patent/JPH05152309A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6407367B1 (en) | 1997-12-26 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Heat treatment apparatus, heat treatment process employing the same, and process for producing semiconductor article |
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