JPH04114431A - 酸化法 - Google Patents
酸化法Info
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- JPH04114431A JPH04114431A JP23378790A JP23378790A JPH04114431A JP H04114431 A JPH04114431 A JP H04114431A JP 23378790 A JP23378790 A JP 23378790A JP 23378790 A JP23378790 A JP 23378790A JP H04114431 A JPH04114431 A JP H04114431A
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- Japan
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- oxide film
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- silicon oxide
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はシリコン・ウエーノ・の湿式酸化法に関−する
。
。
従来、シリ′−１７・ウエーノ・の酸化法とり、−Ｃ，
乾式酸化法と湿式酸化法があり、乾式酸化法には炉内に
設置し、たシリコン・ウニ、−ノ・に酸素ガスやオゾン
・ガスを供給し１、加熱酸化す”る方法が用いられで居
り、湿式酸化法には、炉内に装置Ｅ７たシリフン・つｘ
−ｙ□＋に水蒸気ガスや酸素と水素を混合（１，て燃
焼した水蒸気ガスを供給して、加熱酸化する方法が用い
られていた。
乾式酸化法と湿式酸化法があり、乾式酸化法には炉内に
設置し、たシリコン・ウニ、−ノ・に酸素ガスやオゾン
・ガスを供給し１、加熱酸化す”る方法が用いられで居
り、湿式酸化法には、炉内に装置Ｅ７たシリフン・つｘ
−ｙ□＋に水蒸気ガスや酸素と水素を混合（１，て燃
焼した水蒸気ガスを供給して、加熱酸化する方法が用い
られていた。
１′発明が解決しようとする課題〕
し７かし、手記従来技術によると酸化温度が高（、且つ
生成された酸化膜のｇ？質が悪いと云う課題があ）た。
生成された酸化膜のｇ？質が悪いと云う課題があ）た。
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、常温から８
００℃程度以丁の温度で良質の酸化膜を形成するノコ法
を提供する事を目的とする。
００℃程度以丁の温度で良質の酸化膜を形成するノコ法
を提供する事を目的とする。
上記課題を解決するために本発明は、酸化法に関し、オ
ゾンを添加し、た水又は水蒸気中で酸化する手段を取る
事を基本とする。
ゾンを添加し、た水又は水蒸気中で酸化する手段を取る
事を基本とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
いま、純水中にシリコン・ウェーハを浸漬すると共に、
オゾン・ガスを純水中に供給する事により、自然酸化膜
の生成速度の約６倍の速さで、常温から沸点（１００℃
）迄の温度で無欠陥且つ、界面準位密度がＩＱＬＯ／−
以下の良質のシリコン酸化膜を形成する事ができる。尚
、純水容器を石英容器となし、外部から紫外線を照射し
て純水中の酸素ガスをオゾン化する方法を用いても同等
の効果がある。
オゾン・ガスを純水中に供給する事により、自然酸化膜
の生成速度の約６倍の速さで、常温から沸点（１００℃
）迄の温度で無欠陥且つ、界面準位密度がＩＱＬＯ／−
以下の良質のシリコン酸化膜を形成する事ができる。尚
、純水容器を石英容器となし、外部から紫外線を照射し
て純水中の酸素ガスをオゾン化する方法を用いても同等
の効果がある。
次に、炉内にシリコン・ウエーノ・を設置すると共に、
水蒸気とオゾン・ガスを炉内に供給する事によっても、
常温から８００℃程度迄、湿式の熱酸化膜の生成速度の
約３倍の速さで、無欠陥、且つ、界面単位密度が１０”
／１１！以下の良質のシリコン酸化膜を形成する事がで
きる。尚、石英炉内に水蒸気と酸素ガスを供給すると共
に、外部から紫外線を照射して酸素ガスをオゾン化する
方法を用いても同等の効果がある。
水蒸気とオゾン・ガスを炉内に供給する事によっても、
常温から８００℃程度迄、湿式の熱酸化膜の生成速度の
約３倍の速さで、無欠陥、且つ、界面単位密度が１０”
／１１！以下の良質のシリコン酸化膜を形成する事がで
きる。尚、石英炉内に水蒸気と酸素ガスを供給すると共
に、外部から紫外線を照射して酸素ガスをオゾン化する
方法を用いても同等の効果がある。
尚、硝酸中あるいは酸化窒素雰囲気中にてシリコン・ウ
ェーハを酸化する方法があるが、この場合にもオゾンを
添加する事により、上記実施例と同等の効果がある。
ェーハを酸化する方法があるが、この場合にもオゾンを
添加する事により、上記実施例と同等の効果がある。
本発明により、無欠陥且つ界面準位密度の少なる良質の
シリコン酸化膜を高速で生成する事ができる効果がある
。
シリコン酸化膜を高速で生成する事ができる効果がある
。
以上
Claims (1)
- オゾンを添加した水又は水蒸気中で酸化する事を特徴と
する酸化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23378790A JPH04114431A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 酸化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23378790A JPH04114431A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 酸化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114431A true JPH04114431A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16960565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23378790A Pending JPH04114431A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 酸化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04114431A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586345B1 (en) | 1998-02-23 | 2003-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device wiring layer having an oxide layer between the polysilicon and silicide layers |
| WO2004036620A3 (en) * | 2002-10-14 | 2007-12-21 | Sez Ag | Method for generating oxide layers on semiconductor substrates |
| JP2013012566A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Kyocera Corp | 酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置および酸化膜の形成装置 |
| CN108447782A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-24 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 栅介质层的制造方法 |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23378790A patent/JPH04114431A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6586345B1 (en) | 1998-02-23 | 2003-07-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device wiring layer having an oxide layer between the polysilicon and silicide layers |
| WO2004036620A3 (en) * | 2002-10-14 | 2007-12-21 | Sez Ag | Method for generating oxide layers on semiconductor substrates |
| JP2013012566A (ja) * | 2011-06-29 | 2013-01-17 | Kyocera Corp | 酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法、半導体装置および酸化膜の形成装置 |
| CN108447782A (zh) * | 2018-03-21 | 2018-08-24 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 栅介质层的制造方法 |
| CN108447782B (zh) * | 2018-03-21 | 2020-06-12 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 栅介质层的制造方法 |
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