JPS59143318A - 光アニ−ル法 - Google Patents
光アニ−ル法Info
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- JPS59143318A JPS59143318A JP1655183A JP1655183A JPS59143318A JP S59143318 A JPS59143318 A JP S59143318A JP 1655183 A JP1655183 A JP 1655183A JP 1655183 A JP1655183 A JP 1655183A JP S59143318 A JPS59143318 A JP S59143318A
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- hydrogen
- semiconductor
- quartz tube
- gas
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体の水素アニール処理法に関する従来、半
導体の水素アニール処理法としては、（１） Ｓｉ −
Ｓ ｉ Ｏ、界面の界面準位密度を下げる目的で、４０
０℃程度の水素雰囲気中で３０分程度の水素アニールを
施す方法、および（２）アモルファスＳ１または多結晶
Ｓ１の移動度を上げる目的で、水素プラズマ雰囲気中に
半導体と晒す方法等が用いられていた。
導体の水素アニール処理法としては、（１） Ｓｉ −
Ｓ ｉ Ｏ、界面の界面準位密度を下げる目的で、４０
０℃程度の水素雰囲気中で３０分程度の水素アニールを
施す方法、および（２）アモルファスＳ１または多結晶
Ｓ１の移動度を上げる目的で、水素プラズマ雰囲気中に
半導体と晒す方法等が用いられていた。
しかし、上記従来技術では、水素アニール時間が長い事
や、水素アニール温度が高い事、およびプラズマ処理に
よる放射線損傷が発生する等の欠点があった。
や、水素アニール温度が高い事、およびプラズマ処理に
よる放射線損傷が発生する等の欠点があった。
本発明はかかる従来技術の欠点をなくシ、低温、高温で
、かつ放射線損傷のない半導体の水素アニール処理法を
提供することを目的とする。
、かつ放射線損傷のない半導体の水素アニール処理法を
提供することを目的とする。
上記目的を達成するための本発明の基本的な構成は、光
アニール法において、半導体を水素を含む雰囲気あるい
は水素化合物を含む雰囲気に晒し、かつ該雰囲気に紫外
線あるいは遠紫外線を照射し、半導体を活性水素でアニ
ールすることを特徴とする。
アニール法において、半導体を水素を含む雰囲気あるい
は水素化合物を含む雰囲気に晒し、かつ該雰囲気に紫外
線あるいは遠紫外線を照射し、半導体を活性水素でアニ
ールすることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図は本発明による水素アニール処理法の一例を示す
模式図であり、石英管１内には支持台２が設置され、そ
の上に酸化膜４が形成された８１ウエーハ３がおかれ、
該Ｓ１ウエーハ３はヒータ、−５により２００℃程度迄
加熱できるようにされている。石英管１内には水素ガス
及び窒素ガスがコツクロ、フロー・メーター７を通して
供給され、Ｘｓ−Ｈｇランプ８からの遠紫外光により水
素ガスは活性な水素（Ｈ＊ ラジカル水素）となり、
Ｓｉウェーハ３を水素アニールする。石英管内のガスは
排水口９より排出される。尚活性水素を多量に効率よく
生成するために、Ｈｇ蒸気等の増感ガスを導入する場合
もある。更に、活性水素の発生は水素ガスの励起のみな
らず、メタン、ガス等水素化合物の光化学分解によって
も得られる。
模式図であり、石英管１内には支持台２が設置され、そ
の上に酸化膜４が形成された８１ウエーハ３がおかれ、
該Ｓ１ウエーハ３はヒータ、−５により２００℃程度迄
加熱できるようにされている。石英管１内には水素ガス
及び窒素ガスがコツクロ、フロー・メーター７を通して
供給され、Ｘｓ−Ｈｇランプ８からの遠紫外光により水
素ガスは活性な水素（Ｈ＊ ラジカル水素）となり、
Ｓｉウェーハ３を水素アニールする。石英管内のガスは
排水口９より排出される。尚活性水素を多量に効率よく
生成するために、Ｈｇ蒸気等の増感ガスを導入する場合
もある。更に、活性水素の発生は水素ガスの励起のみな
らず、メタン、ガス等水素化合物の光化学分解によって
も得られる。
本発明による水素アニール処理は、２００℃程度迄の低
温で、且つ活性水素によるために、５分程度の短時間に
、放射線損傷なく牛導体の水素アニールをすることがで
きる効果がある。その結果、５ｉ−８ｉＯ，界面準位密
度は１０１＋１／−以下、多結晶８１等の表面移動度を
１０〜４０ ｃｔｌ ／ Ｖ・庶から１００〜４００ｄ
／Ｖ・をへ上げることができる。
温で、且つ活性水素によるために、５分程度の短時間に
、放射線損傷なく牛導体の水素アニールをすることがで
きる効果がある。その結果、５ｉ−８ｉＯ，界面準位密
度は１０１＋１／−以下、多結晶８１等の表面移動度を
１０〜４０ ｃｔｌ ／ Ｖ・庶から１００〜４００ｄ
／Ｖ・をへ上げることができる。
第１図は本発明による光アニール法の一実施例を模式的
に示したものである。 １・・・・・・石英管 ２・・・・・・支持台 ３ ・・・ ・・・ Ｓ ｉ ウ エ − ノ１４・・
・・・・酸化膜 ５・・・・・・ヒーター ６・・・・・・コック ７・・・・・・フロー・メーター ８・・・・・・ｘｅあるいはＸ ｅ −Ｈｇランプ９・
・・・・・排出口 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
に示したものである。 １・・・・・・石英管 ２・・・・・・支持台 ３ ・・・ ・・・ Ｓ ｉ ウ エ − ノ１４・・
・・・・酸化膜 ５・・・・・・ヒーター ６・・・・・・コック ７・・・・・・フロー・メーター ８・・・・・・ｘｅあるいはＸ ｅ −Ｈｇランプ９・
・・・・・排出口 以上 出願人 株式会社諏訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務
Claims (1)
- 半導体を水素を含む雰囲気あるいは水素化合物を含む雰
囲気中に晒し、かつ、該雰囲気に紫外線あるいは遠紫外
線を照射し、半導体を活性水素でアニールすることを特
徴とする光アニール法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1655183A JPS59143318A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 光アニ−ル法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1655183A JPS59143318A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 光アニ−ル法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59143318A true JPS59143318A (ja) | 1984-08-16 |
Family
ID=11919410
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1655183A Pending JPS59143318A (ja) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | 光アニ−ル法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59143318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160037A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5543336A (en) * | 1993-11-30 | 1996-08-06 | Hitachi, Ltd. | Removing damage caused by plasma etching and high energy implantation using hydrogen |
-
1983
- 1983-02-03 JP JP1655183A patent/JPS59143318A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01160037A (ja) * | 1987-12-17 | 1989-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2558765B2 (ja) * | 1987-12-17 | 1996-11-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US5543336A (en) * | 1993-11-30 | 1996-08-06 | Hitachi, Ltd. | Removing damage caused by plasma etching and high energy implantation using hydrogen |
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