JPH03159237A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH03159237A JPH03159237A JP29923689A JP29923689A JPH03159237A JP H03159237 A JPH03159237 A JP H03159237A JP 29923689 A JP29923689 A JP 29923689A JP 29923689 A JP29923689 A JP 29923689A JP H03159237 A JPH03159237 A JP H03159237A
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- JP
- Japan
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- ozone
- lamps
- cleaning
- substrate
- destruction
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体装置等の製造工程においてオゾンの酸化
分解作用を用いマスク、基板等を清洗化する洗浄装置に
於いて洗浄効果を高めることを目的とする。
分解作用を用いマスク、基板等を清洗化する洗浄装置に
於いて洗浄効果を高めることを目的とする。
［従来の技術］
第２図は従来の洗浄装置の概略断面図である。
図において、２は反応チャンバー ３はガラス基板、５
は低圧水銀ランプ、８は反射板、９はＡＬスタンドであ
る。
は低圧水銀ランプ、８は反射板、９はＡＬスタンドであ
る。
このように、従来のＵＶランプを用いた洗浄装置におい
ては常温下でのオゾンの発生及び酸化分解反応を利用し
ており積極的な基板温度の制御は行われていなかった。
ては常温下でのオゾンの発生及び酸化分解反応を利用し
ており積極的な基板温度の制御は行われていなかった。
［発明が解決しようとする課題］
従来の方法によれば基板表面に付着した有機物の酸化分
解反応の進行が遅いため洗浄効果が充分でな（、又洗浄
時間も長時間を要する等の問題があった。
解反応の進行が遅いため洗浄効果が充分でな（、又洗浄
時間も長時間を要する等の問題があった。
［課題を解決するための手段］
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり
オゾンを発生させるためのＵＶランプと共に基板表面を
加熱するための赤外線ランプを備え加熱と同時にオゾン
による酸化分解反応を行わせることにより洗浄効果を向
上させる事ができた以下実施例により本発明の詳細につ
いて説明を行う。
オゾンを発生させるためのＵＶランプと共に基板表面を
加熱するための赤外線ランプを備え加熱と同時にオゾン
による酸化分解反応を行わせることにより洗浄効果を向
上させる事ができた以下実施例により本発明の詳細につ
いて説明を行う。
［実施例コ
第１図に本発明による方法を用いたガラス基板洗浄装置
の機構概略図を示す。図中、１は洗浄装置の容器であり
オゾン等に対する耐触性を持たせるため内部を陽極酸化
皮膜で覆ったＡＬ茶容器ある。２は溶融石英で作られた
反応チャンバーであり内部にガラス基板３を収納する。
の機構概略図を示す。図中、１は洗浄装置の容器であり
オゾン等に対する耐触性を持たせるため内部を陽極酸化
皮膜で覆ったＡＬ茶容器ある。２は溶融石英で作られた
反応チャンバーであり内部にガラス基板３を収納する。
４は基板加熱のためのハロゲンランプを示す。さらに５
は波長１８４９Ｘ七２．５５７Ｘの両方を多く有する溶
融石英から出来ている低圧水銀ランプであり反応チャン
バー内でオゾンの連続的な生成と分解を起こす。特にオ
ゾンの生成と分解の過程で発生する中間生成物は原子状
の酸素でありこれは強力な酸化剤として作用する。６に
ついては酸素の供給口であり反応チャンバー内に酸素を
供給する。反応チャンバー内で反応した残ガスは排気ロ
アより排出される。本実施例においては基板は垂直に保
持されているが水平に保持される構造をとっても同様な
効果が得られた。
は波長１８４９Ｘ七２．５５７Ｘの両方を多く有する溶
融石英から出来ている低圧水銀ランプであり反応チャン
バー内でオゾンの連続的な生成と分解を起こす。特にオ
ゾンの生成と分解の過程で発生する中間生成物は原子状
の酸素でありこれは強力な酸化剤として作用する。６に
ついては酸素の供給口であり反応チャンバー内に酸素を
供給する。反応チャンバー内で反応した残ガスは排気ロ
アより排出される。本実施例においては基板は垂直に保
持されているが水平に保持される構造をとっても同様な
効果が得られた。
又、本実施例においては枚葉処理方式を取り装置の簡易
化を図ると同時にプロセスの７レキシビリテイを得てい
る。本装置を用いて有機膜残渣を処理したとき基板自体
が高温になることにより表面の有機膜の分解が促進され
かつ反応チャンバー内でのオゾン発生も高温時に促進さ
れることにより分解が進む。第２図に示したような従来
の構造を採ったＵＶ洗浄装置ではオゾンの発生°効率及
び基板表面での有機膜の分解が進まず洗浄効果が期待し
たほどには得られていない。
化を図ると同時にプロセスの７レキシビリテイを得てい
る。本装置を用いて有機膜残渣を処理したとき基板自体
が高温になることにより表面の有機膜の分解が促進され
かつ反応チャンバー内でのオゾン発生も高温時に促進さ
れることにより分解が進む。第２図に示したような従来
の構造を採ったＵＶ洗浄装置ではオゾンの発生°効率及
び基板表面での有機膜の分解が進まず洗浄効果が期待し
たほどには得られていない。
［発明の効果］
上記実施例による洗浄装置を用いてガラス基板を洗浄し
た結果基板温度を約８０度に上げた場合基板温度を常温
に保った場合に比較して洗浄時間を約１／２に短縮する
ことができた。又従来は非常に洗浄効果を得に（かった
段差部コーナ一部に於いても有機物の残渣がな（洗浄効
果は非常に高いといえる。
た結果基板温度を約８０度に上げた場合基板温度を常温
に保った場合に比較して洗浄時間を約１／２に短縮する
ことができた。又従来は非常に洗浄効果を得に（かった
段差部コーナ一部に於いても有機物の残渣がな（洗浄効
果は非常に高いといえる。
第１図は本発明の実施例による洗浄装置の構造概略断面
図。 第２図は従来の方法によるＵＶ洗浄器の構造概略断面図
。 １・・・・・・・・・洗浄装置容器 ２・・・・・・・・・反応チャンバー ３・・・・・・・・・ガラス基板 ４・・・・・・・・・ハロゲンランプ ５・・・・・・・・・低圧水銀ランプ ６・・・・・・・・・酸素供給口 ア・・・・・・・・・排気口 ８・・・・・・・・・反射板 ９・・・・・・・・・ＡＬスタンド
図。 第２図は従来の方法によるＵＶ洗浄器の構造概略断面図
。 １・・・・・・・・・洗浄装置容器 ２・・・・・・・・・反応チャンバー ３・・・・・・・・・ガラス基板 ４・・・・・・・・・ハロゲンランプ ５・・・・・・・・・低圧水銀ランプ ６・・・・・・・・・酸素供給口 ア・・・・・・・・・排気口 ８・・・・・・・・・反射板 ９・・・・・・・・・ＡＬスタンド
Claims (1)
- マスク、ガラス基板等の表面を清浄化する洗浄装置に
おいて、ＵＶランプ及び赤外線ランプを同時又は交互に
用いて被洗浄物を照射することにより洗浄効果を高める
機能を有することを特徴とする洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29923689A JPH03159237A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29923689A JPH03159237A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03159237A true JPH03159237A (ja) | 1991-07-09 |
Family
ID=17869911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29923689A Pending JPH03159237A (ja) | 1989-11-17 | 1989-11-17 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03159237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6116254A (en) * | 1995-03-30 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Cleaning method and system of semiconductor substrate and production method of cleaning solution |
| US7141123B2 (en) * | 2001-03-28 | 2006-11-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for removing contaminants from surface of a substrate |
| US8450836B2 (en) | 2010-01-15 | 2013-05-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
-
1989
- 1989-11-17 JP JP29923689A patent/JPH03159237A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6116254A (en) * | 1995-03-30 | 2000-09-12 | Nec Corporation | Cleaning method and system of semiconductor substrate and production method of cleaning solution |
| US7141123B2 (en) * | 2001-03-28 | 2006-11-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of and apparatus for removing contaminants from surface of a substrate |
| US8450836B2 (en) | 2010-01-15 | 2013-05-28 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
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