JPH01189122A - アツシング方法 - Google Patents
アツシング方法Info
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- JPH01189122A JPH01189122A JP1252288A JP1252288A JPH01189122A JP H01189122 A JPH01189122 A JP H01189122A JP 1252288 A JP1252288 A JP 1252288A JP 1252288 A JP1252288 A JP 1252288A JP H01189122 A JPH01189122 A JP H01189122A
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- JP
- Japan
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- wafer
- ultraviolet light
- plate
- reaction gas
- gas containing
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- Pending
Links
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アッシング方法に係り、特にウェーハ表面の
アッシングと同時に裏面の洗浄を行うに好適なアッシン
グ方法に係る。
アッシングと同時に裏面の洗浄を行うに好適なアッシン
グ方法に係る。
従来のアッシング方式については、たとえば。
特開昭６２−１６５９２３に論じられている。
上記従来技術は、ウェーハの裏面の汚れをアッシングの
工程で同時に行う点については配慮がされておらず、別
に裏面の洗浄を必要とする問題があった。
工程で同時に行う点については配慮がされておらず、別
に裏面の洗浄を必要とする問題があった。
本発明の目的は、アッシングの工程でウェーハ裏面の洗
浄を同時に行うことにある。
浄を同時に行うことにある。
上記目的は、ウェーハの加熱を輻射熱による間接加熱と
して、ウェーハ裏面にもオゾンを含むガスを流すと同時
にＵＶ光を当てることによって達成される。
して、ウェーハ裏面にもオゾンを含むガスを流すと同時
にＵＶ光を当てることによって達成される。
ウェーハの加熱を輻射熱による熱源としては。
ハロゲンランプにより行い、洗浄にはＵＶ光とオゾンを
含む反応ガスによって生ずる活性酸化原子あるいは１分
子によって行われる。
含む反応ガスによって生ずる活性酸化原子あるいは１分
子によって行われる。
ウェーハ表面にあるＶシスト等の有機物は、ＵＶ光とオ
ゾンを含む反応ガスによって生ずる活性酸化性ガスとＵ
Ｖ光エネルギーによってアッシングされる。このアッシ
ング速度の向上には、ウェーハを加熱する必要がある。
ゾンを含む反応ガスによって生ずる活性酸化性ガスとＵ
Ｖ光エネルギーによってアッシングされる。このアッシ
ング速度の向上には、ウェーハを加熱する必要がある。
ウェーハの加熱は、ウェーハ裏側に配置されたハロゲン
ランプ等による輻射熱によって行われる。輻射熱とする
ことによってつ王−ハ裏面にオゾンを含む反応ガスを流
すギャップを設けることができる。裏面側に配置する熱
源のハロゲンランプの間に一部ＵＶ光を配置すれば、前
記のギャップに流す反応ガスをラジカル化させることが
できるので、ウェーハの裏面の有機物の汚れも洗浄でき
る。
ランプ等による輻射熱によって行われる。輻射熱とする
ことによってつ王−ハ裏面にオゾンを含む反応ガスを流
すギャップを設けることができる。裏面側に配置する熱
源のハロゲンランプの間に一部ＵＶ光を配置すれば、前
記のギャップに流す反応ガスをラジカル化させることが
できるので、ウェーハの裏面の有機物の汚れも洗浄でき
る。
このようにしてアッシング工程で同時にウェーハの裏面
の洗浄ができるので、別にウェーハの裏面の汚れを洗浄
する工程を必要としないですむ。
の洗浄ができるので、別にウェーハの裏面の汚れを洗浄
する工程を必要としないですむ。
以下本発明の一実施例を第１図により説明する。
ウェーハ１は、３〜４点の支え点２によす支持され、ウ
ェーハ１の表側には、Ｖシスト等が塗布されており、表
側方向には、狭いギャップを介して。
ェーハ１の表側には、Ｖシスト等が塗布されており、表
側方向には、狭いギャップを介して。
ＵＶ光を透過する石英（合成石英）板３があり。
該石英板の上には１強力なＵＶ光源４が配置されている
。また、該石英板３には、ウェーハ表面に反応ガスを供
給するノズル５が複数個配置しである。前記支え点２は
１石英板６に固定してあり。
。また、該石英板３には、ウェーハ表面に反応ガスを供
給するノズル５が複数個配置しである。前記支え点２は
１石英板６に固定してあり。
該石英板６の下にはウェーハ１への熱供給用のノ・ログ
ンランプ７とＵＶ光源８が配置しである。該石英板６に
は、ウェーハ裏面に反厄ガスを吹きつけるノズル９が配
置しである。
ンランプ７とＵＶ光源８が配置しである。該石英板６に
は、ウェーハ裏面に反厄ガスを吹きつけるノズル９が配
置しである。
本発明によれば、ウェーハ表面のＶシスト等有機物のア
ッシングと裏面の汚れの洗浄とが同時にできる効果が得
られる。
ッシングと裏面の汚れの洗浄とが同時にできる効果が得
られる。
本発明によれば、ウェーハの表面のアッシングと同時に
裏面の汚れを洗浄できるので、新たに裏面を洗浄する別
の工程を必要としない効果がある。
裏面の汚れを洗浄できるので、新たに裏面を洗浄する別
の工程を必要としない効果がある。
第１図は１本発明の一実施態様を示す要部断面図である
。
。
Claims (1)
- １、ウェーハの表面に紫外（ＵＶ）光とオゾンを含む反
応ガスを与えると同時にウェーハの裏面に輻射熱源から
の輻射熱とＵＶ光とオゾンを含む反応ガスを与えること
を特徴としたアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252288A JPH01189122A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | アツシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252288A JPH01189122A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | アツシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189122A true JPH01189122A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11807670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1252288A Pending JPH01189122A (ja) | 1988-01-25 | 1988-01-25 | アツシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189122A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620525A (en) * | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
| US5830279A (en) * | 1995-09-29 | 1998-11-03 | Harris Corporation | Device and method for improving corrosion resistance and etch tool integrity in dry metal etching |
| US5843233A (en) * | 1990-07-16 | 1998-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus |
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| US8232538B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-31 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure |
| US8525139B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal |
-
1988
- 1988-01-25 JP JP1252288A patent/JPH01189122A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620525A (en) * | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
| US5843233A (en) * | 1990-07-16 | 1998-12-01 | Novellus Systems, Inc. | Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus |
| US5882417A (en) * | 1990-07-16 | 1999-03-16 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for preventing deposition on frontside peripheral region and edge of wafer in chemical vapor deposition apparatus |
| US5925411A (en) * | 1990-07-16 | 1999-07-20 | Siliconix Incorporated | Gas-based substrate deposition protection |
| US5830279A (en) * | 1995-09-29 | 1998-11-03 | Harris Corporation | Device and method for improving corrosion resistance and etch tool integrity in dry metal etching |
| DE19924058A1 (de) * | 1999-05-26 | 2000-11-30 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung |
| US8232538B2 (en) | 2009-10-27 | 2012-07-31 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal using optimal ozone and UV exposure |
| US8525139B2 (en) | 2009-10-27 | 2013-09-03 | Lam Research Corporation | Method and apparatus of halogen removal |
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