JPH0927468A - ウェハ表面の処理方法及びその装置 - Google Patents
ウェハ表面の処理方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH0927468A JPH0927468A JP17317795A JP17317795A JPH0927468A JP H0927468 A JPH0927468 A JP H0927468A JP 17317795 A JP17317795 A JP 17317795A JP 17317795 A JP17317795 A JP 17317795A JP H0927468 A JPH0927468 A JP H0927468A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- heater
- stage
- heating mechanism
- wafer surface
- Prior art date
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- Pending
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】大口径ウェハでも有機物の除去速度の低下が少
ない、かつウェハ全体でばらつきの少ない有機物の除去
方法とその装置を提供する。 【構成】ウェハを載置するステージに内蔵した加熱機構
の他に少なくとも一個の補助加熱機構を用いる。
ない、かつウェハ全体でばらつきの少ない有機物の除去
方法とその装置を提供する。 【構成】ウェハを載置するステージに内蔵した加熱機構
の他に少なくとも一個の補助加熱機構を用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェハを加熱してその表
面を処理する方法とその装置に関する。
面を処理する方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、オゾンガスを利用した有機物除去
装置は、図２に示すように、ステージに内蔵したヒータ
を用いてウェハを加熱していた。従って、ウェハの大口
径化に伴ってこの内蔵ヒータのパワーアップが必要とな
る。例えば、ウェハの直径が６インチから８インチにな
るとウェハの厚みの増大とも合わせてその重量は約2.4
倍となり、また温度の均一性を確保する面からも益々大
きなヒータが必要となる。しかし、ウェハの大口径化に
合わせて、ステージの内蔵ヒータに電力を供給するスリ
ップリング（回転軸に電力供給する仕掛け）の大電力化
は極めて困難であった。
装置は、図２に示すように、ステージに内蔵したヒータ
を用いてウェハを加熱していた。従って、ウェハの大口
径化に伴ってこの内蔵ヒータのパワーアップが必要とな
る。例えば、ウェハの直径が６インチから８インチにな
るとウェハの厚みの増大とも合わせてその重量は約2.4
倍となり、また温度の均一性を確保する面からも益々大
きなヒータが必要となる。しかし、ウェハの大口径化に
合わせて、ステージの内蔵ヒータに電力を供給するスリ
ップリング（回転軸に電力供給する仕掛け）の大電力化
は極めて困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ハの大口径化に伴う内蔵ヒータのパワーアップを軽減す
ること、また装置の可動部分であるスリップリングへの
電力負担を軽減し信頼性を向上すること、さらに大口径
ウェハでも温度均一性の優れた装置を提供し、ウェハ全
体でばらつきの少ない有機物の除去方法とその装置を提
供することにある。
ハの大口径化に伴う内蔵ヒータのパワーアップを軽減す
ること、また装置の可動部分であるスリップリングへの
電力負担を軽減し信頼性を向上すること、さらに大口径
ウェハでも温度均一性の優れた装置を提供し、ウェハ全
体でばらつきの少ない有機物の除去方法とその装置を提
供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のウェハ加熱方法
及びその装置では、ウェハを載置するステージに内蔵し
た加熱機構の他に少なくとも一個の補助加熱機構を用い
る。
及びその装置では、ウェハを載置するステージに内蔵し
た加熱機構の他に少なくとも一個の補助加熱機構を用い
る。
【０００５】
【作用】補助加熱機構を用いることにより、内蔵ヒータ
の負担は軽減され、スリップリングの信頼性も向上す
る。この様にするとメインヒータばかりでなく、補助ヒ
ータからもウェハを加熱出来、ウェハの昇温速度を速く
出来る。またウェハ近くの温度勾配が小さくなりウェハ
温度の均一性が向上するため、ウェハ全体でばらつきの
少ない有機物の除去速度が得られる。
の負担は軽減され、スリップリングの信頼性も向上す
る。この様にするとメインヒータばかりでなく、補助ヒ
ータからもウェハを加熱出来、ウェハの昇温速度を速く
出来る。またウェハ近くの温度勾配が小さくなりウェハ
温度の均一性が向上するため、ウェハ全体でばらつきの
少ない有機物の除去速度が得られる。
【０００６】
（実施例１）図１に本発明のウェハ表面処理装置の説明
図を示す。同装置で、ウェハを加熱するメインヒータは
容器１内のウェハを載置するステージ２（回転かつ上下
移動できる）に内蔵されている。補助ヒータは容器１の
側壁，天板，底板に設けられる。容器１内の上部は、容
器１内の下部にオゾンを供給するためのノズル６と、ノ
ズル６下側はウェハ４の表面に面している。また、ノズ
ル６下側には仕切りを兼ねたノズル板５が設けられてい
る。ノズル板５の下側面とウェハ４の上面の空隙はステ
ージ２の上下駆動機構（図示せず）により、０.２〜１.
０mmの所望の値に調節されるようになっている。また、
容器１内の上部は、必要に応じて紫外線をウェハ４に照
射する複数個の紫外線ランプ７が配設されている。その
ため、ノズル板５は紫外線を透過し易い合成石英等の材
料で構成されている。
図を示す。同装置で、ウェハを加熱するメインヒータは
容器１内のウェハを載置するステージ２（回転かつ上下
移動できる）に内蔵されている。補助ヒータは容器１の
側壁，天板，底板に設けられる。容器１内の上部は、容
器１内の下部にオゾンを供給するためのノズル６と、ノ
ズル６下側はウェハ４の表面に面している。また、ノズ
ル６下側には仕切りを兼ねたノズル板５が設けられてい
る。ノズル板５の下側面とウェハ４の上面の空隙はステ
ージ２の上下駆動機構（図示せず）により、０.２〜１.
０mmの所望の値に調節されるようになっている。また、
容器１内の上部は、必要に応じて紫外線をウェハ４に照
射する複数個の紫外線ランプ７が配設されている。その
ため、ノズル板５は紫外線を透過し易い合成石英等の材
料で構成されている。
【０００７】上記装置によるウェハ４の清浄のための表
面処理は次のように行われる。まず、ステージ２の上下
機構（図示せず）によりステージ２が下がり、ウェハ４
が搬送アーム（図示せず）によりステージ２上に載置さ
れる。次にステージ２の上下駆動機構（図示せず）によ
りウェハ４とノズル板５とのギャップが０.２〜１.０mm
の所望の値に調節され、ノズル６からオゾンを供給する
と共にステージ２を回転し、処理を行う。ウェハ表面の
不要な有機物はオゾンと反応し、炭酸ガス，水蒸気とな
り、これを排気口８より排気する。必要に応じて紫外線
ランプ７により紫外線をウェハに照射することにより、
オゾンと有機物の反応を促進する。
面処理は次のように行われる。まず、ステージ２の上下
機構（図示せず）によりステージ２が下がり、ウェハ４
が搬送アーム（図示せず）によりステージ２上に載置さ
れる。次にステージ２の上下駆動機構（図示せず）によ
りウェハ４とノズル板５とのギャップが０.２〜１.０mm
の所望の値に調節され、ノズル６からオゾンを供給する
と共にステージ２を回転し、処理を行う。ウェハ表面の
不要な有機物はオゾンと反応し、炭酸ガス，水蒸気とな
り、これを排気口８より排気する。必要に応じて紫外線
ランプ７により紫外線をウェハに照射することにより、
オゾンと有機物の反応を促進する。
【０００８】ウェハの設定温度３００℃の場合、補助ヒ
ータによって側壁，天板，底板を１５０〜２００℃に保
った場合、ウェハ温度の均一性は補助ヒータなしに比べ
３０〜５０％改善された。また、有機物の除去速度のウ
ェハ面内均一性も２０〜３０％改善された。
ータによって側壁，天板，底板を１５０〜２００℃に保
った場合、ウェハ温度の均一性は補助ヒータなしに比べ
３０〜５０％改善された。また、有機物の除去速度のウ
ェハ面内均一性も２０〜３０％改善された。
【０００９】（実施例２）本発明の第２の実施例を図３
に示す。同図には補助加熱機構に赤外線ランプを用いた
場合を示した。この場合も実施例１の場合と同様の効果
があった。
に示す。同図には補助加熱機構に赤外線ランプを用いた
場合を示した。この場合も実施例１の場合と同様の効果
があった。
【００１０】（実施例３）本発明の第３の実施例を図４
に示す。同図には石英ノズル板にスクリーン印刷法によ
り形成したセラミックヒータを用いた。この場合も実施
例１の場合と同様の効果があった。
に示す。同図には石英ノズル板にスクリーン印刷法によ
り形成したセラミックヒータを用いた。この場合も実施
例１の場合と同様の効果があった。
【００１１】
【発明の効果】本発明によれば、補助ヒータを用いるこ
とによりステージに内蔵されるヒータの負担は軽減さ
れ、内蔵ヒータに電力を供給するスリップリングの信頼
性も向上した。また、この様にするとメインヒータばか
りでなく、補助ヒータからもウェハを加熱出来、ウェハ
の昇温速度を速く出来た。また、ウェハ近くの温度勾配
が小さくなりウェハ温度の均一性が向上した。さらにウ
ェハ全体でばらつきの少ない有機物の除去速度が得られ
た。また、側壁，天板，底板を加熱することにより、レ
ジストの未分解成分のこれらの面への付着も少なく出来
た。
とによりステージに内蔵されるヒータの負担は軽減さ
れ、内蔵ヒータに電力を供給するスリップリングの信頼
性も向上した。また、この様にするとメインヒータばか
りでなく、補助ヒータからもウェハを加熱出来、ウェハ
の昇温速度を速く出来た。また、ウェハ近くの温度勾配
が小さくなりウェハ温度の均一性が向上した。さらにウ
ェハ全体でばらつきの少ない有機物の除去速度が得られ
た。また、側壁，天板，底板を加熱することにより、レ
ジストの未分解成分のこれらの面への付着も少なく出来
た。
【図１】本発明の実施例１の装置構成を示す平面図およ
び断面図。
び断面図。
【図２】従来技術の装置構成を示す平面図および断面
図。
図。
【図３】本発明の実施例２の装置構成を示す断面図。
【図４】本発明の実施例３の装置構成を示す断面図。
１…容器、２…ステージ、３…ヒータ、４…ウェハ、５
…ノズル板、６…ノズル、７…紫外線ランプ、８…排気
口、９…補助ヒータ、１０…セラミックヒータ。
…ノズル板、６…ノズル、７…紫外線ランプ、８…排気
口、９…補助ヒータ、１０…セラミックヒータ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山口 純男 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日立 製作所熱器ライティング事業部内
Claims (10)
- 【請求項１】ウェハを加熱してその表面を処理する方法
において、ウェハを載置するステージに内蔵した加熱機
構の他に少なくとも一個の補助加熱機構を用いることを
特徴とするウェハ表面の処理方法。 - 【請求項２】請求項１において、オゾンガスを用いるウ
ェハ表面の処理方法。 - 【請求項３】請求項１において、紫外線とオゾンガスを
用いるウェハ表面の処理方法。 - 【請求項４】請求項１の前記補助加熱機構に赤外線ラン
プを用いるウェハ表面の処理方法。 - 【請求項５】請求項１の前記ステージに内蔵した加熱機
構あるいは補助加熱機構にセラミックヒータを用いるウ
ェハ表面の処理方法。 - 【請求項６】ウェハを加熱してその表面を処理する装置
方法において、ウェハを載置するステージに内蔵した加
熱機構の他に少なくとも一個の補助加熱機構を有するこ
とを特徴とするウェハ表面の処理装置。 - 【請求項７】請求項１において、オゾンガスを用いるウ
ェハ表面の処理装置。 - 【請求項８】請求項１において、紫外線とオゾンガスを
用いるウェハ表面の処理装置。 - 【請求項９】請求項１の前記補助加熱機構に赤外線ラン
プを用いるウェハ表面の処理方法。 - 【請求項１０】請求項１の前記ステージに内蔵した前記
加熱機構あるいは前記補助加熱機構にセラミックヒータ
を用いるウェハ表面の処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17317795A JPH0927468A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | ウェハ表面の処理方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17317795A JPH0927468A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | ウェハ表面の処理方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0927468A true JPH0927468A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15955524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17317795A Pending JPH0927468A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | ウェハ表面の処理方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0927468A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11102956A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｕｖ照射装置及び該ｕｖ照射装置を搭載したダイシング装置 |
| WO2001027984A1 (fr) * | 1998-01-23 | 2001-04-19 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Appareil emetteur de rayonnement ultraviolet |
| US6787787B1 (en) | 1998-01-23 | 2004-09-07 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Ultraviolet radiation producing apparatus |
| JP4795935B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する処理システムおよび方法 |
| JP5079145B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2012-11-21 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17317795A patent/JPH0927468A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11102956A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | Ｕｖ照射装置及び該ｕｖ照射装置を搭載したダイシング装置 |
| WO2001027984A1 (fr) * | 1998-01-23 | 2001-04-19 | Ushio Denki Kabushiki Kaisya | Appareil emetteur de rayonnement ultraviolet |
| US6787787B1 (en) | 1998-01-23 | 2004-09-07 | Ushiodenki Kabushiki Kaisha | Ultraviolet radiation producing apparatus |
| JP4795935B2 (ja) * | 2003-03-17 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板を処理する処理システムおよび方法 |
| JP5079145B2 (ja) * | 2009-12-18 | 2012-11-21 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
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