JP2966419B2 - 有機物除去装置及び有機物除去方法 - Google Patents
有機物除去装置及び有機物除去方法Info
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- JP2966419B2 JP2966419B2 JP63228682A JP22868288A JP2966419B2 JP 2966419 B2 JP2966419 B2 JP 2966419B2 JP 63228682 A JP63228682 A JP 63228682A JP 22868288 A JP22868288 A JP 22868288A JP 2966419 B2 JP2966419 B2 JP 2966419B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、有機物に活性酸素原子を反応させて灰化除
去する装置に関する。
去する装置に関する。
従来の装置は、特開昭62−274727号に記載されている
ように、オゾンガスの供給は、被処理物の中央部付近か
ら供給されるか、横から供給するのみであつた。
ように、オゾンガスの供給は、被処理物の中央部付近か
ら供給されるか、横から供給するのみであつた。
上記従来技術は、オゾンを、被処理物上の中心近く又
は、被処理物の表面上のいくつかの点から周辺方向にむ
けて流す方法により供給していた。このため、オゾンの
供給位置から離れるに従つて、被処理物表面上の単位面
積当りのオゾンの濃度が低下し、周辺部ほど除去速度が
低下し、除去の均一性が悪く、従つてスループツトが低
いという問題があつた。
は、被処理物の表面上のいくつかの点から周辺方向にむ
けて流す方法により供給していた。このため、オゾンの
供給位置から離れるに従つて、被処理物表面上の単位面
積当りのオゾンの濃度が低下し、周辺部ほど除去速度が
低下し、除去の均一性が悪く、従つてスループツトが低
いという問題があつた。
本発明は、有機物の均一な除去を目的とし、さらに、
全体の除去時間を短縮し高スループツトの有機物灰化除
去装置を提供することを目的としてなされたものであ
る。
全体の除去時間を短縮し高スループツトの有機物灰化除
去装置を提供することを目的としてなされたものであ
る。
上記目的を達成するために、本発明においてはオゾン
の供給を被処理物の周辺部から行い、オゾンの流れを周
辺部から中央に向つて流れるようにしたものである。
の供給を被処理物の周辺部から行い、オゾンの流れを周
辺部から中央に向つて流れるようにしたものである。
また、供給したオゾンを活性酸素原子に変えるため
に、特に250nm付近に強い光を放射する紫外線ランプを
使用したものである。
に、特に250nm付近に強い光を放射する紫外線ランプを
使用したものである。
さらに、灰化除去を効率よく行うために被処理物を加
熱するようにしたものである。
熱するようにしたものである。
さらにまた、紫外線が被処理物表面によく到達するよ
うにオゾンを流すフローギヤツプすなわち被処理物表面
上のオゾンのフローの厚さを0.5mm以下とするようにし
たものである。
うにオゾンを流すフローギヤツプすなわち被処理物表面
上のオゾンのフローの厚さを0.5mm以下とするようにし
たものである。
オゾンは、紫外線や熱によつて分解し励起酸素原子に
なる。該励起酸素原子は、有機物構成原子の炭素や水素
と反応して、CO2,CO,H2O等を生成し、有機物を気化させ
る働きがある。
なる。該励起酸素原子は、有機物構成原子の炭素や水素
と反応して、CO2,CO,H2O等を生成し、有機物を気化させ
る働きがある。
また紫外線は、有機物の化学結合を切断する働きがあ
る。
る。
供給するオゾンは、供給口から遠くなるに従つて消費
されるために次第にその濃度が低下するので、オゾンを
被処理物周辺から中央に向かつて流れるようにすること
により、表面全体にわたつてオゾンの濃度を均一化する
させる。
されるために次第にその濃度が低下するので、オゾンを
被処理物周辺から中央に向かつて流れるようにすること
により、表面全体にわたつてオゾンの濃度を均一化する
させる。
また、オゾンを流すギヤツプを狭くすることにより、
表面上のオゾンの流速が早くなり、表面上に来るオゾン
の単位時間当りの個数が増加する。
表面上のオゾンの流速が早くなり、表面上に来るオゾン
の単位時間当りの個数が増加する。
これらによつて、灰化処理の均一化がはかられかつ、
除去速度を高めることができる。
除去速度を高めることができる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。ウ
エーハ等の被処理物５は、上下、回転可能な加熱源付ス
テージ11上に真空吸着によつて固定されており、被処理
物５の表面の上側には、紫外線を透過させる合成石英等
のガラス板３が配置され、該ガラス板３には、被処理物
の中心もしくは中心近くに排気用のパイプ４が接続され
ている。上記ガラス板３の下で、被処理物５の周辺部に
は、オゾンを吹き出す多数個の穴を有した水冷されたオ
ゾン供給器10が配置され、該供給器10には、１ケ所以上
のオゾン供給口、7,8から、オゾンが供給される。前記
ガラス板３のウエーハ５の反対側には、紫外線ランプが
配置されている。記紫外線ランプを収納しているランプ
ハウス１内はN2ガス等によりパージされている。オゾン
の流れるウエーハ５とガラス板３との間のギヤツプは、
0.5mm以下となるようにコントロールされる。
エーハ等の被処理物５は、上下、回転可能な加熱源付ス
テージ11上に真空吸着によつて固定されており、被処理
物５の表面の上側には、紫外線を透過させる合成石英等
のガラス板３が配置され、該ガラス板３には、被処理物
の中心もしくは中心近くに排気用のパイプ４が接続され
ている。上記ガラス板３の下で、被処理物５の周辺部に
は、オゾンを吹き出す多数個の穴を有した水冷されたオ
ゾン供給器10が配置され、該供給器10には、１ケ所以上
のオゾン供給口、7,8から、オゾンが供給される。前記
ガラス板３のウエーハ５の反対側には、紫外線ランプが
配置されている。記紫外線ランプを収納しているランプ
ハウス１内はN2ガス等によりパージされている。オゾン
の流れるウエーハ５とガラス板３との間のギヤツプは、
0.5mm以下となるようにコントロールされる。
本発明の具体的な実施例の内容とその結果について以
下に記す。
下に記す。
直径６インチのウエーハの表面に、ホトレジスト１μ
ｍを塗布して、90℃×20分間のプリベークしたレジスト
をサンプルとした。ステージ11の温度を250℃として、
オゾンの濃度を110g/Nm3、オゾンのキヤリアガスとして
酸素を５／分流した。ウエーハ５周辺に配設したオゾ
ンの吹き出し口の直径は、0.2〜0.3mmで、ウエーハ５周
辺にほぼ均等な間隔に20ケ設けた。ステージ11は、毎分
15回転した。オゾンフローギヤツプは、0.2mmとして、
オゾンは、強制的に排気管４より排気した。このとき
の、ウエーハ５の半径方向に対するレジストの除去速度
分布は、第２図の曲線Ｂであつた。
ｍを塗布して、90℃×20分間のプリベークしたレジスト
をサンプルとした。ステージ11の温度を250℃として、
オゾンの濃度を110g/Nm3、オゾンのキヤリアガスとして
酸素を５／分流した。ウエーハ５周辺に配設したオゾ
ンの吹き出し口の直径は、0.2〜0.3mmで、ウエーハ５周
辺にほぼ均等な間隔に20ケ設けた。ステージ11は、毎分
15回転した。オゾンフローギヤツプは、0.2mmとして、
オゾンは、強制的に排気管４より排気した。このとき
の、ウエーハ５の半径方向に対するレジストの除去速度
分布は、第２図の曲線Ｂであつた。
除去方法では、ガラス板３に設けたオゾン供給用ノズ
ル３ケ（図示略、ウエーハ半径上、中心から15,40,53m
m）からオゾンを供給した場合のウエーハ半径方向のレ
ジスト除去速度分布は第２図のＡであつた。
ル３ケ（図示略、ウエーハ半径上、中心から15,40,53m
m）からオゾンを供給した場合のウエーハ半径方向のレ
ジスト除去速度分布は第２図のＡであつた。
本発明によれば、第２図の効果に示したようにウエー
ハ半径方向に対する、レジスト除去分布速度が大幅に改
善されるので除去の均一化の効果がある。
ハ半径方向に対する、レジスト除去分布速度が大幅に改
善されるので除去の均一化の効果がある。
また、最終除去時間が早くなるので装置のスループツ
トの大幅な向上が達成できた。
トの大幅な向上が達成できた。
第１図は、本発明の一実施の装置の概念的断面図、第２
図は、本発明の効果を示すレジスト除去速度分布を示す
図である。 ２……紫外線ランプ、３……石英板、４……排気筒、５
……ウエーハ、９……オゾン吹き出し穴。
図は、本発明の効果を示すレジスト除去速度分布を示す
図である。 ２……紫外線ランプ、３……石英板、４……排気筒、５
……ウエーハ、９……オゾン吹き出し穴。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤戸 利昭 東京都青梅市藤橋888番地 株式会社日 立製作所青梅工場内 (56)参考文献 特開 昭62−274727（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−182135（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−133729（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/027
Claims (2)
- 【請求項１】ウエハを設置する台と、 前記台の外周部に設けられた、オゾンガスを導入する導
入口と、 前記台と対向して設けられ、前記台と共に前記オゾンガ
スの流路を形成する、前記台から0.5mm以内の距離に設
けられた板と、 前記台の略中央上部に設けられ、前記オゾンガスを排出
する１つの排出口とを有することを特徴とする有機物除
去装置。 - 【請求項２】ウエハ外周部から中心部に向けて、流路の
幅が0.5mm以内で、オゾンガスを流して、前記ウエハ上
に形成された有機物を除去し、 その後、前記オゾンガスを、前記中心部上部の１つの排
出口から排出させることを特徴とする有機物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228682A JP2966419B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63228682A JP2966419B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0278224A JPH0278224A (ja) | 1990-03-19 |
| JP2966419B2 true JP2966419B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=16880158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63228682A Expired - Fee Related JP2966419B2 (ja) | 1988-09-14 | 1988-09-14 | 有機物除去装置及び有機物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2966419B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04230018A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-19 | Orc Mfg Co Ltd | ホトレジストの光灰化装置 |
| WO2015037573A1 (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-19 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| WO2023008316A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | キヤノン株式会社 | 活性酸素による処理装置及び活性酸素による処理方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182135A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
| JPH0830821B2 (ja) * | 1986-05-23 | 1996-03-27 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
-
1988
- 1988-09-14 JP JP63228682A patent/JP2966419B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0278224A (ja) | 1990-03-19 |
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