JPH04230018A - ホトレジストの光灰化装置 - Google Patents

ホトレジストの光灰化装置

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JPH04230018A
JPH04230018A JP2418605A JP41860590A JPH04230018A JP H04230018 A JPH04230018 A JP H04230018A JP 2418605 A JP2418605 A JP 2418605A JP 41860590 A JP41860590 A JP 41860590A JP H04230018 A JPH04230018 A JP H04230018A
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JP
Japan
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ashing
ozone
slit
photoresist
substrate
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JP2418605A
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English (en)
Inventor
Norio Ishibashi
紀雄 石橋
Izumi Serizawa
和泉 芹澤
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Orc Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Orc Manufacturing Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42Stripping or agents therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に半導体集積回路
等を形成する一連の工程中、ホトレジストを除去する際
に使用される光灰化装置、特に基板表面に施したホトレ
ジストの光化学的酸化分解反応を基板全面に渡って均一
に起こさせ得るホトレジストの光灰化装置に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】シリコンウエハ等の基板に施したホトレ
ジストを光灰化させる装置として図5及び図6に示すも
のがある。この装置は下方が開放した中空のチャンバー
1と、このチャンバー1内に回転自在に配置され且つ上
部に基板2を載置した円形のテーブル3と、前記テーブ
ル3の上面に相対するように前記チャンバー1内に配設
した紫外線ランプ4と、前記テーブル3の上面に近接し
て配置した多数のオゾン供給口5、5、5・・・・等か
らなり、この装置によると紫外線ランプ4が2種類の波
長(253.7ナノメートル及び184.9ナノメート
ル)の遠紫外線を同時に照射し且つオゾン供給口5、5
、5・・・・がテーブル3に近接して配置されているの
で酸素ラジカルO*によるホトレジストの光化学的酸化
分解反応が促進されるという利点がある。(詳細は実開
平1〜84427号参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記の装置に
よると、オゾン供給口5の直下を通過するレジスト部分
の酸化分解反応が局所的に促進され、これ以外の部分の
反応が比較的活発でないため、基板全体の光灰化反応が
完了するまでに長時間を必要とし、その結果、オゾンの
消費量が増大するという問題点があった。
【0004】前記の問題点を解決するため、図7ないし
図9に示す装置が本願と同一の出願人によって提案され
ている(詳細は実開平1−135732号参照)。この
装置は図8に示すように、スリット状の流路6を有し且
つ先端側をフレア状に拡大させたオゾン供給用ノズル7
を基板2の上面に近接させて配置したもので、この装置
によるとノズル7から吹き出したオゾンガスが図7に示
すように基板2の上面に沿ってテーブル3の半径方向に
、又は図8に示すように円周方向に流れるので、従来の
装置に比べて光灰化反応を均一に起こさせることができ
る。
【0005】しかし、この装置を実施した結果、更に改
良を必要とする点が認められた。すなわち基板上面の凹
凸のためオゾンの流れが下流側で剥離しやすく、また一
旦、剥離したオゾンの流れ(矢印b)は上方に配設した
紫外線ランプ4の間に取り込まれるので、再び酸化反応
に関与する機会が少なく、そのためオゾンが無駄に消費
される。
【0006】本発明は前記の問題点に鑑み、基板全面に
渡ってホトレジストに均一な光灰化反応を起こさせるこ
とによって処理時間を短縮することができ且つオゾンを
有効に利用できるホトレジストの光灰化装置を提供する
ことを課題とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め本発明では次の手段を構成した。 (1)基板上面に施したホトレジストを紫外線とオゾン
を利用して光化学的に酸化分解するホトレジストの光灰
化装置において、基板を載置して水平面内で回転する円
形のテーブルと、前記テーブルの周縁部に近接してテー
ブルを取り囲み且つテーブル上面とほぼ同じレベルにあ
る平らな部分にオゾン供給用スリット及びオゾン排出用
スリットをそれぞれ開口させたアッシング台と、前記ア
ッシング台の上部を密閉及び開放し得るようにアッシン
グ台に取り付けられ且つ上部に設けた箱体の内部に紫外
線ランプを、更に前記紫外線ランプの直下に透明な窓板
を装着したアッシング上蓋とを備え、各スリットの開口
は前記テーブルを挟んでその両側に配設されており、前
記アッシング上蓋が密閉位置にあるときに、前記アッシ
ング台とアッシング上蓋間に偏平な空間が形成され且つ
前記偏平な空間が前記テーブルの上面及び各スリットの
開口を覆っていることを特徴とするホトレジストの光灰
化装置。 (2)オゾン供給用スリットの入口側にオゾン溜が設け
てある請求項1に記載のホトレジストの光灰化装置。
【0008】
【作用】(1)  オゾン供給用スリットから供給され
たオゾンガスは基板を載置したテーブル上方の偏平な空
間を通ってオゾン排出用スリットから排出される。従っ
て基板の上面に沿って均一なオゾンガスの流れが形成さ
れる。従って、光化学的酸化分解反応を均一に起こさせ
ることができる。 (2)  基板上面で剥離したオゾンガスの流れは偏平
な空間の天井に突き当ったのち再び基板上面に降下して
酸化分解反応に関与する。従ってオゾンの利用度が向上
し、オゾンガスの消費量が節減される。
【0009】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図1及び図2は本発明の第1の実施例を示すもの
で、この実施例の主要部は基板11を載置して水平面内
で回転する円形のテーブル12と、このテーブル12の
周縁部に近接してテーブル12を取り囲み且つテーブル
上面とほぼ同じレベルにある平坦な部分13にオゾン供
給用スリット14及びオゾン排出用スリット15をそれ
ぞれ開口させたアッシング台16と、ヒンジ機構17を
介してアッシング台16の上部を密閉及び開放し得るよ
うにアッシング台16に取り付けたアッシング上蓋18
等からなり、このアッシング上蓋18の上部に設けた箱
体19の内部には紫外線ランプ20が、更に前記紫外線
ランプ20の直下には透明なアクリル材又は石英ガラス
でつくった窓板22が装着されている。
【0010】テーブルには電熱線(図示せず)を内部に
組み込んだ本体23と、この本体23の頂部に取り付け
られ且つ基板11を受け入れる凹所を花弁状に配設した
円板状の受皿24(図2参照)等からなり、前記本体2
3の下面の中心部には中空の駆動軸25が固定されてお
り、この駆動軸25は歯車26、27を介して減速機付
モーター28によって駆動されるようになっている。
【0011】更に、駆動軸25の下端には給電用の回転
式コネクター29が取り付けられており、この回転式コ
ネクター29の入力側は給電線30に、また出力側はリ
ード線31、32にそれぞれ接続しており、前記リード
線31、32は駆動軸25の中空部を貫通して上方に延
び、その末端は前記の電熱線(図示せず)に接続してい
る。尚、回転式コネクター29は公知のものを使用する
ので説明を省略する。
【0012】アッシング台16はテーブル12を取り囲
む碗状の凹状部33と、この凹状部33の上部に一体に
取り付けた円板状部34と、前記凹状部33の下部に固
定した筒状部35等からなり、この筒状部35はその内
側に設けた軸受36、37を介して駆動軸25を回転自
在に支承している。尚、図中の38、38、39、40
はオゾンガスの漏洩を防止するシール装置(Oリング)
である。
【0013】先に述べたスリット14、15は図2に示
すように、テーブル12を挟んで左右対称に配設されて
おり、また図1に示すように円板状部34を上下方向に
貫通してその下端は長方体状のオゾン溜42、43に連
通している。尚、図2に示すように各スリット14、1
5の開口はいずれも直線状に且つ相互に平行に配置して
あるが、開口の形状を直線状に形成する代りに、例えば
円弧状に形成して左右対称に配置してもよい。
【0014】アッシング上蓋18上のヒンジ機構の反対
側には、開閉用把手44が取り付けられており、またア
ッシング上蓋18の下面中央部には長方形をした底の浅
い凹所45が穿設されており、この凹所45は、図示し
ていない締付装置によってアッシング上蓋18をアッシ
ング台16に締め付けた際、アッシング台16とアッシ
ング上蓋18との間に偏平な空間46を形成し、この偏
平な空間46は図2に示すように、テーブル12の上面
及びスリット14、15の開口を覆うようになっている
【0015】尚、箱体19の上部には紫外線ランプ20
を冷却するための窒素ガスの供給管47及び排出管48
が、また箱体19をアッシング上蓋18に取り付けるフ
ランジ部49にはシール用パッキン50が装着されてい
る。
【0016】次のこの実施例の装置の取扱要領及び作動
について説明する。先ず、テーブル12上の受皿24に
基板11を載置し、アッシング上蓋18でアッシング台
16の上部を密閉すると、基板11及びスリット14、
15の開口は偏平な空間46によって覆われる。
【0017】次に、モーター28を起動してテーブル1
2を定速度で回転すると共に紫外線ランプ20を点灯し
、オゾン供給源52から供給側のオゾン溜42にオゾン
ガスを供給すると、オゾンガスはオゾン供給用スリット
14を通って偏平な空間46内に吹き出し、基板11の
上面に沿ってオゾン排出用スリット15に向って矢印a
方向に向って流れ、紫外線ランプ20から照射された遠
紫外線と共同して基板上面のレジスト(図示せず)を光
化学的に酸化分解し、更に排出側のオゾン溜43を通っ
て外部に排出される。
【0018】供給側のオゾン溜42によって均圧された
オゾンガスがスリット14から吹き出し、またスリット
14、15がテーブル12を挟んでその両側に配置され
ているので、偏平な空間46内のオゾンの流れ(矢印a
)はスリット14、15の長さ方向に均等に分布してい
る。従ってホトレジストの光灰化反応が均一に進行する
。またホトレジストの表面から剥離したオゾンガスの流
れは凹所45の天井に衝突したのち再び降下して酸化分
解作用に関与するのでオゾンの利用度が向上し、オゾン
の消費量を節減することができる。
【0019】本発明の第2の実施例を図3に示す。この
実施例はアッシング上蓋18に凹部を設ける代りに、ア
ッシング台16の上面に同形の凹所45aを設け、アッ
シング上蓋18の下面を平坦に形成したもので、それ以
外は第1の実施例と変わるところはない。
【0020】本発明の第3の実施例を図4に示す。この
実施例はアッシング台16又はアッシング上蓋18に凹
所を設ける代りに、アッシング台16とアッシング上蓋
18間のシール装置38a、38aの形状及び断面の高
さ等を増大させてアッシング台16とアッシング上蓋1
8間に偏平な空間46aを形成したもので、それ以外は
第1の実施例と変わるところはない。
【0021】尚、本発明は前述の実施例にのみ限定され
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変更を加え得ることは勿論である。
【0022】
【発明の効果】以上に述べたように本発明は次の優れた
効果を発揮する。 (1)  テーブルを挟んでその両側にオゾン提供用ス
リット及びオゾン排出用スリットを配置し、各スリット
の開口及びテーブル上面を偏平な空間で覆うようにした
ので、テーブル上に載置した基板上面のホトレジストに
対しその全面に渡って光化学的酸化分解反応を均一に起
こさせることが可能になり、処理時間の短縮とオゾン消
費量の節減を図ることができる。 (2)  スリットのオゾン供給側にオゾン溜を配置す
ることによって、偏平な空間内のオゾンの流れを更に平
均化することが可能になり、酸化分解反応を均一に起こ
させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である光灰化装置の切断側面
図である。
【図2】図1におけるA−A方向からの矢視図である。
【図3】本発明の第2の実施例である光灰化装置の部分
を示す切断側面図(この図は横長に図示されている)で
ある。
【図4】本発明の第3の実施例である光灰化装置の部分
を示す切断側面図(この図は横長に図示されている)で
ある。
【図5】従来の光灰化装置の切断側面図である。
【図6】図5に示す装置の部分を示す斜視図である。
【図7】従来の別の光灰化装置の切断側面図である。
【図8】図7に示す装置の部分を示す斜視図である。
【図9】図7に示すオゾン供給用ノズルの切断図である
【符号の説明】
11  基板 12  テーブル 13  平坦な部分 14  オゾン供給用スリット 15      〃    排出用    〃16  
アッシング台 18  アッシング上蓋 19  箱体 20  紫外線ランプ 21  窓板 42、43  オゾン溜 46、46a  偏平な空間

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  基板上面に施したホトレジストを紫外
    線とオゾンを利用して光化学的に酸化分解するホトレジ
    ストの光灰化装置において、基板を載置して水平面内で
    回転する円形のテーブルと、前記テーブルの周縁部に近
    接してテーブルを取り囲み且つテーブル上面とほぼ同じ
    レベルにある平らな部分にオゾン供給用スリット及びオ
    ゾン排出用スリットをそれぞれ開口させたアッシング台
    と、前記アッシング台の上部を密閉及び開放し得るよう
    にアッシング台に取り付けられ且つ上部に設けた箱体の
    内部に紫外線ランプを、更に前記紫外線ランプの直下に
    透明な窓板を装着したアッシング上蓋とを備え、各スリ
    ットの開口は前記テーブルを挟んでその両側に配設され
    ており、前記アッシング上蓋が密閉位置にあるときに、
    前記アッシング台とアッシング上蓋間に偏平な空間が形
    成され且つ前記偏平な空間が前記テーブルの上面及び各
    スリットの開口を覆っていることを特徴とするホトレジ
    ストの光灰化装置。
  2. 【請求項2】  オゾン供給用スリットの入口側にオゾ
    ン溜が設けてある請求項1に記載のホトレジストの光灰
    化装置。
JP2418605A 1990-12-27 1990-12-27 ホトレジストの光灰化装置 Pending JPH04230018A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218971A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Tdk Corp レジストパターン処理装置及びレジストパターン処理方法
WO2015108184A1 (ja) * 2014-01-20 2015-07-23 ウシオ電機株式会社 デスミア処理装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109674A (ja) * 1991-10-18 1993-04-30 Ushio Inc レジスト膜の灰化方法と灰化装置
KR970019156U (ko) * 1995-10-10 1997-05-26 오존 애셔장치
US20030017359A1 (en) * 2001-07-17 2003-01-23 American Air Liquide, Inc. Increased stability low concentration gases, products comprising same, and methods of making same
EP1412551B1 (en) * 2001-07-17 2011-03-02 L'AIR LIQUIDE, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude Method of making a passivated surface
US7832550B2 (en) * 2001-07-17 2010-11-16 American Air Liquide, Inc. Reactive gases with concentrations of increased stability and processes for manufacturing same
US20030192570A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US20030192577A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for wafer cleaning
US20040159335A1 (en) * 2002-05-17 2004-08-19 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus for removing organic layers
KR100923941B1 (ko) 2002-05-29 2009-10-29 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 산 기체 및 매트릭스 기체를 포함하는 수분 감소된 조성물, 상기 조성물을 포함하는 제품 및 이의 제조 방법
US6797971B2 (en) * 2002-07-18 2004-09-28 Fusion Uv Systems, Inc. Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation
US6649921B1 (en) 2002-08-19 2003-11-18 Fusion Uv Systems, Inc. Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation
US6717161B1 (en) 2003-04-30 2004-04-06 Fusion Uv Systems, Inc. Apparatus and method providing substantially uniform irradiation of surfaces of elongated objects with a high level of irradiance
US20050279453A1 (en) * 2004-06-17 2005-12-22 Uvtech Systems, Inc. System and methods for surface cleaning

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6379323A (ja) * 1986-09-24 1988-04-09 Hitachi Ltd 処理装置
JPS6421925A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Hitachi Ltd Resist removing method
JPH0272621A (ja) * 1988-09-07 1990-03-12 Teru Kyushu Kk アッシング装置
JPH0278224A (ja) * 1988-09-14 1990-03-19 Hitachi Ltd 有機物除去装置及び有機物除去方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4885047A (en) * 1986-08-11 1989-12-05 Fusion Systems Corporation Apparatus for photoresist stripping
JPS6484427A (en) * 1987-09-28 1989-03-29 Sanyo Electric Co Magnetic recording medium
GB8724971D0 (en) * 1987-10-24 1987-11-25 Bp Chem Int Ltd Separation process
US5071485A (en) * 1990-09-11 1991-12-10 Fusion Systems Corporation Method for photoresist stripping using reverse flow

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6379323A (ja) * 1986-09-24 1988-04-09 Hitachi Ltd 処理装置
JPS6421925A (en) * 1987-07-17 1989-01-25 Hitachi Ltd Resist removing method
JPH0272621A (ja) * 1988-09-07 1990-03-12 Teru Kyushu Kk アッシング装置
JPH0278224A (ja) * 1988-09-14 1990-03-19 Hitachi Ltd 有機物除去装置及び有機物除去方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008218971A (ja) * 2007-03-07 2008-09-18 Tdk Corp レジストパターン処理装置及びレジストパターン処理方法
WO2015108184A1 (ja) * 2014-01-20 2015-07-23 ウシオ電機株式会社 デスミア処理装置

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