JPH06177093A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH06177093A JPH06177093A JP32660192A JP32660192A JPH06177093A JP H06177093 A JPH06177093 A JP H06177093A JP 32660192 A JP32660192 A JP 32660192A JP 32660192 A JP32660192 A JP 32660192A JP H06177093 A JPH06177093 A JP H06177093A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジストのアッシングにおいて、高スループ
ットでかつエッチング均一性の良い半導体製造装置を実
現する。 【構成】 レジストが塗布されている半導体基板１２を
回転しながら、無数の穴の開いた石英の反応ガス吹き付
け板１５ｂからオゾンガス２１を半導体基板１２上に吹
き付ける。同時に、ＫｒＦエキシマレーザ光２６を石英
の窓１４と反応ガス吹き付け板１５ｂを通して半導体基
板１２上のレジスト表面に全面照射し、レジストをアッ
シングする。またＣＯ2濃度モニター１６によりエッチ
ング終点検出を行う。これにより、エッチングの均一性
と安定性が向上した。本装置は大気圧状態でエッチング
可能であるため、スループットが向上した。
ットでかつエッチング均一性の良い半導体製造装置を実
現する。 【構成】 レジストが塗布されている半導体基板１２を
回転しながら、無数の穴の開いた石英の反応ガス吹き付
け板１５ｂからオゾンガス２１を半導体基板１２上に吹
き付ける。同時に、ＫｒＦエキシマレーザ光２６を石英
の窓１４と反応ガス吹き付け板１５ｂを通して半導体基
板１２上のレジスト表面に全面照射し、レジストをアッ
シングする。またＣＯ2濃度モニター１６によりエッチ
ング終点検出を行う。これにより、エッチングの均一性
と安定性が向上した。本装置は大気圧状態でエッチング
可能であるため、スループットが向上した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスのプロ
セス技術に関するものであり、特に、レジストのアッシ
ングを行う半導体製造装置に関するものである。
セス技術に関するものであり、特に、レジストのアッシ
ングを行う半導体製造装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】レジストのアッシングの方法としては、
酸素プラズマを用いたエッチングや酸素ガスを用いた光
アシストエッチングなどがある。本発明は、この光アシ
ストエッチングによるレジストのアッシング装置に関す
るものであるが、従来の装置を図を用いて説明する。
酸素プラズマを用いたエッチングや酸素ガスを用いた光
アシストエッチングなどがある。本発明は、この光アシ
ストエッチングによるレジストのアッシング装置に関す
るものであるが、従来の装置を図を用いて説明する。
【０００３】従来の半導体製造装置の断面図を図３に示
す。構成は大きく分けて光源の水銀ランプ１７と反応室
１１に分けられる。反応室１１は、水銀ランプ１７から
のＤＵＶ光（遠紫外線）２０を透過させるための石英で
できた窓１４と、半導体基板１２を支持固定するための
ステージ１３と、反応ガスであるオゾンガス２１を導入
する導入口２３と、真空ポンプを用いて反応生成ガス２
２を排気する排気口２４とで構成されている。
す。構成は大きく分けて光源の水銀ランプ１７と反応室
１１に分けられる。反応室１１は、水銀ランプ１７から
のＤＵＶ光（遠紫外線）２０を透過させるための石英で
できた窓１４と、半導体基板１２を支持固定するための
ステージ１３と、反応ガスであるオゾンガス２１を導入
する導入口２３と、真空ポンプを用いて反応生成ガス２
２を排気する排気口２４とで構成されている。
【０００４】次に動作について、レジストのアッシング
を例にとって説明する。導入口２３からオゾンガス２１
を導入し、ステージ１３に固定されたレジストが塗布さ
れている半導体基板１２上にオゾンガス２１を流し、水
銀ランプ１７からのＤＵＶ光２０が窓１４を通して半導
体基板１２上のレジスト表面に照射される。半導体基板
１２上に塗布されたレジストはＤＵＶ光２０からエネル
ギーを吸収し、オゾンガス２１と反応しレジストはアッ
シングされる。反応生成ガス２２として二酸化炭素が生
成され、排気口２４から真空ポンプで排気される。この
ときの反応室１１内の圧力は１０Ｐａ程度で減圧状態で
ある。
を例にとって説明する。導入口２３からオゾンガス２１
を導入し、ステージ１３に固定されたレジストが塗布さ
れている半導体基板１２上にオゾンガス２１を流し、水
銀ランプ１７からのＤＵＶ光２０が窓１４を通して半導
体基板１２上のレジスト表面に照射される。半導体基板
１２上に塗布されたレジストはＤＵＶ光２０からエネル
ギーを吸収し、オゾンガス２１と反応しレジストはアッ
シングされる。反応生成ガス２２として二酸化炭素が生
成され、排気口２４から真空ポンプで排気される。この
ときの反応室１１内の圧力は１０Ｐａ程度で減圧状態で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような構成で
は、主に３つの問題点を有している。
は、主に３つの問題点を有している。
【０００６】第１に反応室を真空に保たなければならな
いので、試料の出し入れには反応室を大気圧にするかあ
るいは予備排気室を設けて大気圧にしなければならな
い。大気圧にする時間と大気圧状態から減圧状態にする
時間がかかるため、半導体基板の処理速度が遅くなる。
つまり、従来の装置ではスループットが悪いという問題
点がある。
いので、試料の出し入れには反応室を大気圧にするかあ
るいは予備排気室を設けて大気圧にしなければならな
い。大気圧にする時間と大気圧状態から減圧状態にする
時間がかかるため、半導体基板の処理速度が遅くなる。
つまり、従来の装置ではスループットが悪いという問題
点がある。
【０００７】第２に反応ガスの流れる方向が図３に示す
ように半導体基板に水平方向であるため、ほとんど排気
口から排気されるため、実際にエッチングに寄与するガ
スの量が少ない。つまり、反応ガスの流量の効率が悪い
という問題点がある。また、図３の様なガスの導入の仕
方では半導体基板上における反応ガス密度のむらが大き
い。従って、エッチングの均一性が悪いという問題点が
ある。
ように半導体基板に水平方向であるため、ほとんど排気
口から排気されるため、実際にエッチングに寄与するガ
スの量が少ない。つまり、反応ガスの流量の効率が悪い
という問題点がある。また、図３の様なガスの導入の仕
方では半導体基板上における反応ガス密度のむらが大き
い。従って、エッチングの均一性が悪いという問題点が
ある。
【０００８】第３にエッチングの終点検出機能がないた
め、エッチングの安定性に欠けるという問題点があっ
た。
め、エッチングの安定性に欠けるという問題点があっ
た。
【０００９】以上より、従来の装置では低スループット
でしかも、エッチングの効率、均一性、安定性が悪いと
いう問題点を有していた。
でしかも、エッチングの効率、均一性、安定性が悪いと
いう問題点を有していた。
【００１０】本発明は、上記課題を解決するもので、レ
ジストのアッシングにおいて高スループットでかつエッ
チング均一性の良い半導体製造装置を提供することを目
的としている。
ジストのアッシングにおいて高スループットでかつエッ
チング均一性の良い半導体製造装置を提供することを目
的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、半導体基板に対して平行に位置する反応ガスの吹き
出し口を兼ねた石英板と、前記半導体基板を支持し回転
させるステージとを有する大気圧の反応室と、前記半導
体基板全面に放射線を照射する光源とを備えて成る。
は、半導体基板に対して平行に位置する反応ガスの吹き
出し口を兼ねた石英板と、前記半導体基板を支持し回転
させるステージとを有する大気圧の反応室と、前記半導
体基板全面に放射線を照射する光源とを備えて成る。
【００１２】本発明の半導体製造装置は上述の半導体製
造装置において、さらに反応生成ガスの検出器を設けた
ことを特徴とする。
造装置において、さらに反応生成ガスの検出器を設けた
ことを特徴とする。
【００１３】また望ましくは、上記石英板は前記半導体
基板の大きさよりも大きくかつ一様に複数の吹き出し口
を有する。
基板の大きさよりも大きくかつ一様に複数の吹き出し口
を有する。
【００１４】特に、上記反応ガスはオゾンガス叉は酸素
ガスである。また特に、上記反応生成ガスの検出器は二
酸化炭素のガス濃度検出器である。
ガスである。また特に、上記反応生成ガスの検出器は二
酸化炭素のガス濃度検出器である。
【００１５】更に上記半導体基板全面に放射線を照射す
る光源はエキシマレーザを用いる。
る光源はエキシマレーザを用いる。
【００１６】
【作用】本発明では、半導体基板上部に反応ガスの吹き
出し口を兼ねた石英板を設けることにより、その石英板
を通して光源からの光が照射され、同時に反応ガスが半
導体基板に吹き付けられる。半導体基板上にレジスト層
がある場合には、レジストが光からエネルギーを吸収し
反応ガス（オゾン）と反応し、レジスト層がエッチング
される。半導体基板上部から反応ガスを吹き付けるた
め、従来の装置のガスフローに比べて効率が良くなる。
また、反応室は半導体基板を支持し回転させるステージ
を有しているため、エッチングの均一性が良くなる。従
来装置では減圧状態で動作するが、本半導体製造装置の
反応室は大気圧で動作するという理由と半導体基板全面
に光を照射するという理由から半導体基板の処理速度が
向上する。
出し口を兼ねた石英板を設けることにより、その石英板
を通して光源からの光が照射され、同時に反応ガスが半
導体基板に吹き付けられる。半導体基板上にレジスト層
がある場合には、レジストが光からエネルギーを吸収し
反応ガス（オゾン）と反応し、レジスト層がエッチング
される。半導体基板上部から反応ガスを吹き付けるた
め、従来の装置のガスフローに比べて効率が良くなる。
また、反応室は半導体基板を支持し回転させるステージ
を有しているため、エッチングの均一性が良くなる。従
来装置では減圧状態で動作するが、本半導体製造装置の
反応室は大気圧で動作するという理由と半導体基板全面
に光を照射するという理由から半導体基板の処理速度が
向上する。
【００１７】また、反応生成ガスの検出器を設けること
により、エッチングの終点検出が可能となり、エッチン
グの再現性と安定性が向上する。
により、エッチングの終点検出が可能となり、エッチン
グの再現性と安定性が向上する。
【００１８】特に、上述した石英板は半導体基板の大き
さよりも大きくかつ一様に多数の吹き出し口を有する場
合には、ウエハ全面において反応ガス密度が均一になる
ため、さらにエッチング均一性が向上する。
さよりも大きくかつ一様に多数の吹き出し口を有する場
合には、ウエハ全面において反応ガス密度が均一になる
ため、さらにエッチング均一性が向上する。
【００１９】光源としてエキシマレーザを用いることに
よって、エッチングレートが速くなり、スループットが
向上する。
よって、エッチングレートが速くなり、スループットが
向上する。
【００２０】従って、本発明を用いることによって、レ
ジストのアッシングにおいて、高スループットでかつエ
ッチング均一性と安定性の良い半導体製造装置を実現す
ることができ、半導体デバイスのプロセス技術に有効に
作用する。
ジストのアッシングにおいて、高スループットでかつエ
ッチング均一性と安定性の良い半導体製造装置を実現す
ることができ、半導体デバイスのプロセス技術に有効に
作用する。
【００２１】
（実施例１）図１は本発明の第一の実施例における半導
体製造装置の断面図を示すものである。まず装置の構成
について述べる。構成は大きく分けて光源と反応室１１
に分けられる。光源は、水銀ランプ１７とフライアイレ
ンズ１８とレンズ１９で構成されている。一方反応室１
１は、水銀ランプ１７からのＤＵＶ光（遠紫外線）２０
を透過させるための石英でできた窓１４と、半導体基板
１２を支持し回転するためのステージ１３と、反応ガス
であるオゾンガス２１を導入する導入口２３と、反応生
成ガス２２を排気する排気口２４と、半導体基板上にオ
ゾンガス２１を吹き付けるための石英でできた反応ガス
吹き付け板１５ａと、エッチング終点検出器であるＣＯ
2濃度モニター１６とで構成されている。
体製造装置の断面図を示すものである。まず装置の構成
について述べる。構成は大きく分けて光源と反応室１１
に分けられる。光源は、水銀ランプ１７とフライアイレ
ンズ１８とレンズ１９で構成されている。一方反応室１
１は、水銀ランプ１７からのＤＵＶ光（遠紫外線）２０
を透過させるための石英でできた窓１４と、半導体基板
１２を支持し回転するためのステージ１３と、反応ガス
であるオゾンガス２１を導入する導入口２３と、反応生
成ガス２２を排気する排気口２４と、半導体基板上にオ
ゾンガス２１を吹き付けるための石英でできた反応ガス
吹き付け板１５ａと、エッチング終点検出器であるＣＯ
2濃度モニター１６とで構成されている。
【００２２】光源は、水銀ランプ１７からのＤＵＶ光２
０はフライアイレンズ１８で拡大され、レンズ１９で平
行光線を作り、半導体基板１２全面に照明するように構
成されている。また、石英でできた窓１４と反応ガス吹
き付け板１５ａの大きさは半導体基板１２の大きさより
大きくしてある。反応ガス吹き付け板１５ａにはステー
ジの中心に相当する位置に直径２ｃｍ程度の穴を設けて
いる。
０はフライアイレンズ１８で拡大され、レンズ１９で平
行光線を作り、半導体基板１２全面に照明するように構
成されている。また、石英でできた窓１４と反応ガス吹
き付け板１５ａの大きさは半導体基板１２の大きさより
大きくしてある。反応ガス吹き付け板１５ａにはステー
ジの中心に相当する位置に直径２ｃｍ程度の穴を設けて
いる。
【００２３】次に動作について、レジストのアッシング
を例として説明する。導入口２３からオゾンガス２１を
導入し、ステージ１３に固定されたレジストが塗布され
ている半導体基板１２上に反応ガス吹き付け板１５ａか
らオゾンガス２１を吹き付ける。同時に、水銀ランプ１
７からのＤＵＶ光２０が石英でできた窓１４と反応ガス
吹き付け板１５ａを通して半導体基板１２上のレジスト
表面に照射される。半導体基板１２上に塗布されたレジ
ストはＤＵＶ光２０からエネルギーを吸収し、オゾンガ
ス２１と反応しレジストはエッチングされる。反応生成
ガス２２として二酸化炭素が生成され、排気口２４から
排気される。エッチングで発生した二酸化炭素をＣＯ2
濃度モニター１６で検出し、エッチング終点検出を行
う。このときの反応室１１内の圧力は大気圧状態であ
る。また、半導体基板１２上へのオゾンガス２１吹き付
けと同時に半導体基板１２を固定しているステージ１３
を回転させる。
を例として説明する。導入口２３からオゾンガス２１を
導入し、ステージ１３に固定されたレジストが塗布され
ている半導体基板１２上に反応ガス吹き付け板１５ａか
らオゾンガス２１を吹き付ける。同時に、水銀ランプ１
７からのＤＵＶ光２０が石英でできた窓１４と反応ガス
吹き付け板１５ａを通して半導体基板１２上のレジスト
表面に照射される。半導体基板１２上に塗布されたレジ
ストはＤＵＶ光２０からエネルギーを吸収し、オゾンガ
ス２１と反応しレジストはエッチングされる。反応生成
ガス２２として二酸化炭素が生成され、排気口２４から
排気される。エッチングで発生した二酸化炭素をＣＯ2
濃度モニター１６で検出し、エッチング終点検出を行
う。このときの反応室１１内の圧力は大気圧状態であ
る。また、半導体基板１２上へのオゾンガス２１吹き付
けと同時に半導体基板１２を固定しているステージ１３
を回転させる。
【００２４】以上のように、本実施例によれば、従来装
置の様に真空に排気する必要がなく、大気圧で動作可能
であるため、試料の交換に時間がかからないためスルー
プットが向上した。半導体基板を回転しながら、半導体
基板の直上部から反応ガスが吹き付けられ、しかも光源
からＤＵＶ光が全面照射されるため、エッチングの均一
性と安定性が向上した。しかも反応ガスフローに無駄が
ないため、反応ガスの消費効率が向上した。さらに、二
酸化炭素濃度検出器１６を設けたため、エッチングの終
点検出が可能となり、エッチングの再現性と安定性がよ
り向上した。
置の様に真空に排気する必要がなく、大気圧で動作可能
であるため、試料の交換に時間がかからないためスルー
プットが向上した。半導体基板を回転しながら、半導体
基板の直上部から反応ガスが吹き付けられ、しかも光源
からＤＵＶ光が全面照射されるため、エッチングの均一
性と安定性が向上した。しかも反応ガスフローに無駄が
ないため、反応ガスの消費効率が向上した。さらに、二
酸化炭素濃度検出器１６を設けたため、エッチングの終
点検出が可能となり、エッチングの再現性と安定性がよ
り向上した。
【００２５】なお、本実施例において、光源に水銀ラン
プからのＤＵＶ光を用いたが他の光源を用いてもよい。
反応ガスとしてオゾンガスを用いたが、酸素ガスあるい
は他のガスでもよい。終点検出器として二酸化炭素濃度
検出器を用いたが、反応生成ガスの他の検出器を用いて
もよい。また本実施例では、反応ガス吹き付け板１５ａ
にはステージの中心に相当する位置に直径２ｃｍ程度の
穴を設けたが、半導体基板全面において反応ガス密度が
均一になるような条件であれば穴の位置と大きさは任意
である。
プからのＤＵＶ光を用いたが他の光源を用いてもよい。
反応ガスとしてオゾンガスを用いたが、酸素ガスあるい
は他のガスでもよい。終点検出器として二酸化炭素濃度
検出器を用いたが、反応生成ガスの他の検出器を用いて
もよい。また本実施例では、反応ガス吹き付け板１５ａ
にはステージの中心に相当する位置に直径２ｃｍ程度の
穴を設けたが、半導体基板全面において反応ガス密度が
均一になるような条件であれば穴の位置と大きさは任意
である。
【００２６】なお、本実施例ではレジストのアッシング
を例にとって説明したが、レジストのドライ現像につい
ても本製造装置は使用可能である。
を例にとって説明したが、レジストのドライ現像につい
ても本製造装置は使用可能である。
【００２７】（実施例２）図２は本発明の第二の実施例
における半導体製造装置の断面図を示すものである。ま
ず装置の構成について述べる。構成は大きく分けて光源
と反応室１１に分けられる。光源は、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光源２５とフライアイレンズ１８とレンズ１９で構
成されている。一方反応室１１は、ＫｒＦエキシマレー
ザ光源２５からのＫｒＦエキシマレーザ光２６を透過さ
せるための石英でできた窓１４と、半導体基板１２を支
持し回転するためのステージ１３と、反応ガスであるオ
ゾンガス２１を導入する導入口２３と、反応生成ガス２
２を排気する排気口２４と、半導体基板上にオゾンガス
２１を吹き付けるための石英でできた反応ガス吹き付け
板１５ｂと、エッチング終点検出器であるＣＯ2濃度モ
ニター１６とで構成されている。
における半導体製造装置の断面図を示すものである。ま
ず装置の構成について述べる。構成は大きく分けて光源
と反応室１１に分けられる。光源は、ＫｒＦエキシマレ
ーザ光源２５とフライアイレンズ１８とレンズ１９で構
成されている。一方反応室１１は、ＫｒＦエキシマレー
ザ光源２５からのＫｒＦエキシマレーザ光２６を透過さ
せるための石英でできた窓１４と、半導体基板１２を支
持し回転するためのステージ１３と、反応ガスであるオ
ゾンガス２１を導入する導入口２３と、反応生成ガス２
２を排気する排気口２４と、半導体基板上にオゾンガス
２１を吹き付けるための石英でできた反応ガス吹き付け
板１５ｂと、エッチング終点検出器であるＣＯ2濃度モ
ニター１６とで構成されている。
【００２８】光源は、ＫｒＦエキシマレーザ光源２５か
らのＫｒＦエキシマレーザ光２６はフライアイレンズ１
８で拡大され、レンズ１９で平行光線を形成し、半導体
基板１２全面に照明するように構成されている。また、
石英でできた窓１４と反応ガス吹き付け板１５ｂの大き
さは半導体基板１２の大きさより大きくしてある。反応
ガス吹き付け板１５ｂには一様でかつ多数の小さい穴を
設けている。
らのＫｒＦエキシマレーザ光２６はフライアイレンズ１
８で拡大され、レンズ１９で平行光線を形成し、半導体
基板１２全面に照明するように構成されている。また、
石英でできた窓１４と反応ガス吹き付け板１５ｂの大き
さは半導体基板１２の大きさより大きくしてある。反応
ガス吹き付け板１５ｂには一様でかつ多数の小さい穴を
設けている。
【００２９】次に動作について、レジストのアッシング
を例として説明する。導入口２３からオゾンガス２１を
導入し、ステージ１３に固定されたレジストが塗布され
ている半導体基板１２上に反応ガス吹き付け板１５ｂか
らオゾンガス２１を吹き付ける。同時に、ＫｒＦエキシ
マレーザ光源２５からのＫｒＦエキシマレーザ光２６が
石英でできた窓１４と反応ガス吹き付け板１５ｂを通し
て半導体基板１２上のレジスト表面に照射される。半導
体基板１２上に塗布されたレジストはＫｒＦエキシマレ
ーザ光２６からエネルギーを吸収し、オゾンガス２１と
反応しレジストはアッシングされる。反応生成ガス２２
として二酸化炭素が生成され、排気口２４から排気され
る。エッチングで発生した二酸化炭素をＣＯ2濃度モニ
ター１６で検出し、エッチング終点検出を行う。このと
きの反応室１１内の圧力は大気圧状態である。また、半
導体基板１２上へのオゾンガス２１吹き付けと同時に半
導体基板１２を固定しているステージ１３を回転させ
る。
を例として説明する。導入口２３からオゾンガス２１を
導入し、ステージ１３に固定されたレジストが塗布され
ている半導体基板１２上に反応ガス吹き付け板１５ｂか
らオゾンガス２１を吹き付ける。同時に、ＫｒＦエキシ
マレーザ光源２５からのＫｒＦエキシマレーザ光２６が
石英でできた窓１４と反応ガス吹き付け板１５ｂを通し
て半導体基板１２上のレジスト表面に照射される。半導
体基板１２上に塗布されたレジストはＫｒＦエキシマレ
ーザ光２６からエネルギーを吸収し、オゾンガス２１と
反応しレジストはアッシングされる。反応生成ガス２２
として二酸化炭素が生成され、排気口２４から排気され
る。エッチングで発生した二酸化炭素をＣＯ2濃度モニ
ター１６で検出し、エッチング終点検出を行う。このと
きの反応室１１内の圧力は大気圧状態である。また、半
導体基板１２上へのオゾンガス２１吹き付けと同時に半
導体基板１２を固定しているステージ１３を回転させ
る。
【００３０】以上のように、本実施例によれば、従来装
置の様に真空に排気する必要がなく、大気圧で動作可能
であるため、試料の交換に時間がかからないためスルー
プットが向上した。半導体基板を回転しながら、半導体
基板の直上部から反応ガスが吹き付けられ、しかも光源
からＤＵＶ光が全面照射されるため、エッチングの均一
性と安定性が向上した。さらに、反応ガス吹き付け板１
５ｂに一様でかつ多数の小さい穴を設けることによっ
て、半導体基板全面において反応ガス密度が均一になっ
たため、エッチングの均一性がさらに向上した。しかも
反応ガスフローに無駄がないため、反応ガスの消費効率
が向上した。さらに、二酸化炭素濃度検出器１６を設け
たため、エッチングの終点検出が可能となり、エッチン
グの再現性と安定性がより向上した。
置の様に真空に排気する必要がなく、大気圧で動作可能
であるため、試料の交換に時間がかからないためスルー
プットが向上した。半導体基板を回転しながら、半導体
基板の直上部から反応ガスが吹き付けられ、しかも光源
からＤＵＶ光が全面照射されるため、エッチングの均一
性と安定性が向上した。さらに、反応ガス吹き付け板１
５ｂに一様でかつ多数の小さい穴を設けることによっ
て、半導体基板全面において反応ガス密度が均一になっ
たため、エッチングの均一性がさらに向上した。しかも
反応ガスフローに無駄がないため、反応ガスの消費効率
が向上した。さらに、二酸化炭素濃度検出器１６を設け
たため、エッチングの終点検出が可能となり、エッチン
グの再現性と安定性がより向上した。
【００３１】なお、本実施例において、光源にＫｒＦエ
キシマレーザ光を用いたが他の光源を用いてもよい。反
応ガスとしてオゾンガスを用いたが、酸素ガスあるいは
他のガスでもよい。終点検出器として二酸化炭素濃度検
出器１６を用いたが、反応生成ガスの他の検出器を用い
てもよい。また本実施例では、反応ガス吹き付け板１５
ｂに一様でかつ多数の小さい穴を設けたが、穴の位置と
数と大きさは半導体基板全面において反応ガス密度が均
一になるような条件であればよい。
キシマレーザ光を用いたが他の光源を用いてもよい。反
応ガスとしてオゾンガスを用いたが、酸素ガスあるいは
他のガスでもよい。終点検出器として二酸化炭素濃度検
出器１６を用いたが、反応生成ガスの他の検出器を用い
てもよい。また本実施例では、反応ガス吹き付け板１５
ｂに一様でかつ多数の小さい穴を設けたが、穴の位置と
数と大きさは半導体基板全面において反応ガス密度が均
一になるような条件であればよい。
【００３２】なお、本実施例ではレジストのアッシング
を例にとって説明したが、レジストのドライ現像につい
ても本製造装置は使用可能である。
を例にとって説明したが、レジストのドライ現像につい
ても本製造装置は使用可能である。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体製
造装置によれば、従来装置の様に真空に排気する必要が
なく、大気圧で動作可能であるため、試料の交換に時間
がかからないのでスループットが向上した。また本発明
では、半導体基板を回転しながら、半導体基板の直上部
から反応ガスを吹き付け、しかも光源からＤＵＶ光を全
面照射するため、エッチングの均一性と安定性が向上し
た。
造装置によれば、従来装置の様に真空に排気する必要が
なく、大気圧で動作可能であるため、試料の交換に時間
がかからないのでスループットが向上した。また本発明
では、半導体基板を回転しながら、半導体基板の直上部
から反応ガスを吹き付け、しかも光源からＤＵＶ光を全
面照射するため、エッチングの均一性と安定性が向上し
た。
【００３４】特に本発明では、反応ガス吹き付け板に一
様でかつ多数の小さい穴を設けることによって、半導体
基板全面において反応ガス密度が均一になるため、エッ
チングの均一性がさらに向上した。さらに本発明におい
て、二酸化炭素濃度検出器を設けたため、エッチングの
終点検出が可能となり、エッチングの再現性と安定性が
より向上した。
様でかつ多数の小さい穴を設けることによって、半導体
基板全面において反応ガス密度が均一になるため、エッ
チングの均一性がさらに向上した。さらに本発明におい
て、二酸化炭素濃度検出器を設けたため、エッチングの
終点検出が可能となり、エッチングの再現性と安定性が
より向上した。
【００３５】従って、本発明の半導体製造装置を用いる
ことによって、特に、高スループットでかつエッチング
均一性と安定性の良いレジストのアッシング技術に有効
に作用するので、半導体集積回路の製造に大きく寄与す
ることができる。
ことによって、特に、高スループットでかつエッチング
均一性と安定性の良いレジストのアッシング技術に有効
に作用するので、半導体集積回路の製造に大きく寄与す
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体製造装置
の断面図
の断面図
【図２】本発明の第２の実施例における半導体製造装置
の断面図
の断面図
【図３】従来の半導体製造装置の断面図
１１ 反応室 １２ 半導体基板 １３ ステージ １４ 窓 １５ 反応ガス吹き付け板 １６ ＣＯ2濃度モニター １７ 水銀ランプ ２０ ＤＵＶ光 ２１ オゾンガス ２２ 反応生成ガス ２５ ＫｒＦエキシマレーザ光源 ２６ ＫｒＦエキシマレーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹子 勝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 遠藤 政孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】半導体基板に対して平行に位置する、反応
ガスの吹き出し口を兼ねた石英板と、前記半導体基板を
支持し回転させるステージとを有する大気圧の反応室
と、 前記半導体基板全面に放射線を照射する光源とを備えた
半導体製造装置。 - 【請求項２】請求項１記載の半導体製造装置において、
さらに反応生成ガスの検出器を設けたことを特徴とする
半導体製造装置。 - 【請求項３】請求項１記載の石英板は半導体基板の大き
さよりも大きくかつ一様に複数の吹き出し口を有するこ
とを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】請求項１記載の反応ガスはオゾンガスであ
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】請求項１記載の反応ガスは酸素ガスである
ことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】請求項２記載の反応生成ガスの検出器は二
酸化炭素のガス濃度検出器であることを特徴とする半導
体製造装置。 - 【請求項７】請求項１記載の半導体基板全面に放射線を
照射する光源はエキシマレーザを用いることを特徴とす
る半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32660192A JPH06177093A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32660192A JPH06177093A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177093A true JPH06177093A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18189641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32660192A Pending JPH06177093A (ja) | 1992-12-07 | 1992-12-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177093A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030082729A (ko) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | 주식회사 디엠에스 | 노광 시스템 |
| KR20040028388A (ko) * | 2002-09-30 | 2004-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조에서 애싱 방법 및 장치 |
| US20100328809A1 (en) * | 2009-06-24 | 2010-12-30 | Jo Inagaki | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
| US8206549B2 (en) | 2007-07-19 | 2012-06-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Etching apparatus |
| JP2017188617A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線処理装置 |
-
1992
- 1992-12-07 JP JP32660192A patent/JPH06177093A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030082729A (ko) * | 2002-04-18 | 2003-10-23 | 주식회사 디엠에스 | 노광 시스템 |
| KR20040028388A (ko) * | 2002-09-30 | 2004-04-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 제조에서 애싱 방법 및 장치 |
| US8206549B2 (en) | 2007-07-19 | 2012-06-26 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Etching apparatus |
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| US8679732B2 (en) * | 2009-06-24 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Method for removing resist and for producing a magnetic recording medium, and systems thereof |
| JP2017188617A (ja) * | 2016-04-08 | 2017-10-12 | ウシオ電機株式会社 | 紫外線処理装置 |
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