JPS6245121A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［技術分野］ 本発明は、処理技術、特に、ウェハに付着したフォトレ
ジストを酸化除去する技術に適用で有効な技術に関する
。

［背景技術］ たとえば、半導体装置の製造においては、ウェハのエツ
チング処理後、ウェハを所定のパターンにマスクしてい
たフォトレジストを除去するため、次のような構造のフ
ォトレジスト除去装置を使用することが考えられる。

すなわち、回転される載置台上にウエノ＼を位置させ、
ｉａ載置台設けられたヒータによってウエノ１を所定の
温度に加熱し、固定されたディスパージョンヘッドから
シャワー状に供給される酸素ガスを紫外線などによって
励起させてオゾンを生成させ、このオゾンおよびオゾン
が解離される際に発生される発生期の酸素によって有機
物などからなるフォトレジストを酸化し、ガス化させて
除去するものである。

この場合、ウェハが載置台とともに回転されるため、ウ
ェハの各部と酸素ガスとの接触が均一となり、比較的均
一な処理結果が得られるが、Ｒ置台が回転される構造で
あるため、外部からｉ５！置装に設けられたヒータや温
度センサに接続される配線などに起因して、載置台の回
転運動が制約されたり、載置台の構造が複雑化されるな
どの欠点があり、載置台を複数設けることによって装置
の処理能力の向上を図る際には、上記の欠点はさらに顕
著となることを本発明者は見いだした。

半導体装置の製造におけるウェハ処理技術について説明
されている文献としては、株式会社工業調査会昭和５６
年１１月１０日発行「電子材料」１９８１年別冊、Ｐ９
５〜Ｐ１０２がある。

［発明の目的］ 本発明の目的は、構造が簡単で、複数の被処理物に対し
て同時に均一な処理を施すことが可能な処理技術を提供
することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
。

［発明の概要］ 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。

すなわち、載置台上に位置されて所定の温度に加熱され
る被処理物に処理流体を供給することによって所定の処
理を行う処理装置の、前記！！載置台静止され、前記被
処理物に前記処理流体をシャワー状に供給する複数の処
理流体噴出孔が設けられた処理流体供給部が前記被処理
物に対して回転される構造とすることにより、前記被処
理物に対する前記処理流体の均一な接触を損なうことな
（、載置台の構造を簡単化することを可能にして、構造
が簡単で、複数の被処理物に均一な処理を施すことがで
きるようにしたものである。

［実施例］ 第１図は、本発明の一実施例であるフォトレジスト除去
装置の断面図であり、第２図は、第１図において線■−
■で示される方向より見た断面図である。

基体部１には蓋体２が着脱自在に設けられ、処理室３が
構成されている。

基体部１の内部には、複数のサセプタ４が固定されて設
けられ、除去されるべきフォトレジストが表面に付着さ
れたウェハ５が載置されるように構成されている。

さらに、サセプタ４にはヒータ６が装着され、サセプタ
４の上に載置されるウェハ５が所定の温度に加熱される
ように構成されている。

一方、Ｈ４Ｃ２には、ディスパージョンヘッド７（処理
流体供給部）が、サセプタ４に載置されるウェハ５の平
面に対向されるように設けられ、月間面には、第３図に
示されるように複数の酸素ガス噴出孔８が、ディスパー
ジョンヘッド７の直径方向にほぼ同一の密度で配設形成
されている。

この酸素ガス噴出孔８は、ディスパージョンヘッド７の
内部に形成された流体通路９に連通されており、外部か
ら流体通路９の内部に供給される、たとえば酸素ガス１
０（処理流体）がシャワー状にウェハ５の表面に供給さ
れるものである。

この場合、ディスパージョンヘッド７は蓋体２を貫通す
る軸１１を中心として回転自在に構成されており、所定
の回転機構（図示せず）によって所定の速さで回転され
る構造とされている。

このため、ディスパージョンヘッド７の酸素ガス噴出孔
８から処理室３の内部に供給される酸素ガスがサセプタ
４の上に載置されたウェハ５の表面に均一に接触される
ものである。

このように、ウェハ５が載置されるサセプタ４が基体部
ｌに固定されて設けられ、ディスパージョンヘッド７が
回転される構造であるため、ウェハ５に供給される酸素
ガスとウェハ５の表面との均一な接触を損なうことなく
、ヒータ６などが装着されるサセプタ４を回転させるこ
とに起因する構造の複雑化が回避され、簡単な構造で複
数のウェハ５を同時に均一に処理することが可能となる
。

さらに、前記ディスパージョンヘッド７とサセプタ４に
＠置されるウェハ５との間には、紫外線ランプ１２が設
けられており、ディスパージョンヘッド７から処理室３
の内部に供給される酸素ガス１０に所定の波長の紫外線
を照射することによって励起させ、処理室３の内部には
オゾン（０２）が生成され、このオゾンおよびオゾンが
解離して生成される化学的に活性な発生期の酸素（０）
によってウェハ５の表面に付着した、有ａ？１などから
なるフォトレジストが酸化され、水蒸気や炭酸ガスなど
となってウェハ５の表面から除去されるように構成され
ている。

そして、前記の過程で発生されたガスは基体部１の底部
に設けられた排気ノズル１３を通じて処理室３の外部に
排除されるものである。

以下、本実施例の作用について説明する。

はじめに、蓋体２が開放され、基体部１の内部に設けら
れた複数のサセプタ４にフォトレジストが付着されたウ
ェハ５が載置される。

次に、蓋体２基体部１に装着され、処理室３が構成され
るとともに、サセプタ４に装着されたヒータ６によって
ウェハ５は所定の温度の加熱され、さらに紫外線ランプ
１２が点灯される。

そして、ディスパージョンヘッド７が所定の速度で回転
され、ディスパージョン−・ノド７の流体通路９には、
外部から酸素ガス１０が流入され、酸素ガス噴出孔８か
ら処理室３の内部に供給される酸素ガス１０は、紫外線
ランプ１２から処理室３の内部に放射される所定の波長
の紫外線によって励起され、処理室３の内部にオゾン（
０，）が生成され、このオゾンおよびオゾンが解離して
生成される化学的に活性な発生期の酸素（０）によって
ウェハ５の表面に付着したフォトレジストが酸化され、
水蒸気や炭酸ガスなどとして気化されてウェハ５の表面
から離脱され、排気ノズル１３を通じて処理室３の外部
に排除される。

このように、ウェハ５が載置されるサセプタ４が基体部
１に固定されて設けられ、ディスパージョンヘッド７が
回転される構造であるため、ウェハ５に供給される酸素
ガスとウェハ５の表面との接触が均一に行われ、ウェハ
５の表面におけるフォトレジスト５の除去処理がウェハ
５の各部で均一に進行されるとともに、ヒータ６などが
装着されるサセプタ４を回転させることに起因する構造
の複雑化が回避され、簡単な構造で複数のサセプタ４を
９容易に処理室３の内部に設けることができ、同時に複
数のウェハ５に対してフォトレジスト除去処理を均一に
施すことができる。

所定の時間経過後、処理室３の内部への酸素ガス１０の
供給が停止されるとともにディスパージョンヘッド７の
回転が停止され、さらに紫外線ランプ１２が清澄され、
ヒータ６による加熱が停止される。

そして、蓋体２が開放され、付着したフォトレジストが
除去されたウェハ５が処理室３の外部に取り出される。

上記の一連の操作を操り返すことによって、多数のウェ
ハ５のフォトレジスト除去処理が効率良く行われる。

なお、ディスパージョンヘッド７に形成される酸素ガス
噴出孔８の配設方法としては、第３図に示されるものに
限らず、第４図に示されるようにディスパージョンヘッ
ド７の回転中心を中心とする渦巻き状に配設することも
可能である。

［効果コ （１）、載置台上に位置されて所定の温度に加熱される
被処理物に処理流体を供給することによって所定の処理
を行う処理装置の、前記載置台が静止され、前記被処理
物に前記処理流体をシャワー状に供給する複数の処理流
体噴出孔が設けられた処理流体供給部が前記被処理物に
対して回転される構造であるため、前記被処理物に対す
る前記処理流体の接触が均一に行われ、被処理物の表面
における処理が被処理物の各部で均一に進行されるとと
もに、加熱機構などが装着される載置台を回転させるこ
とに起因する構造の？ｊｌｌ雑化が回避され、簡単な構
造で複数の載置台を容易に設けることができ、同時に複
数の被処理物に対して均一に処理を施すことができる。

（２）、前記（１）の結果、単位時間にフォトレジスト
の除去処理が行われるウェハの数量が増加でき、ウェハ
のフォトレジスト除去処理における生産性が向上される
。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

［利用分野］ 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハのフォトレジ
スト除去処理に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、処理流体を被処理物に供給
することによって所定の処理を行う技術に広く適用でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の一実施例であるフォトレジスト除去
装置の断面図、 第２図は、第１図においてｂｉ　ｎ　−ｎで示される方
向より見た断面図、 第３図は、ディスパージョンヘッドに配設された酸素ガ
ス噴出孔の配設状態を示す図、第４図は、同様にディス
パージョンヘッドに配設された酸素ガス噴出孔の配設状
態を示す図である。 １・・・基体部、２・・・蓋体、３・・・処理室、４・
・・サセプタ（載置台）、５・・・ウェハ（被処理物）
、６・・・ヒータ、７・・・ディスパージョンヘッド（
処理流体供給部）、８・・・酸素ガス噴出孔、（処理流
体噴出孔）、９・・・流体通路、１０・・・酸素ガス（
処理流体）、１１・・・軸、】２・・・紫外線ランプ、
１３・・・排気ノズル。 第　　１　　図 第　　２　　図 第　　３ＦＸＪ 第　　４　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、載置台上に位置されて所定の温度に加熱される被処
   理物に処理流体を供給することによって所定の処理を行
   う処理装置であって、前記載置台が静止され、前記被処
   理物に前記処理流体をシャワー状に供給する複数の処理
   流体噴出孔が設けられた処理流体供給部が前記被処理物
   に対して回転されるように構成されてなることを特徴と
   する処理装置。 ２、前記処理流体噴出孔が、前記処理流体供給部の直径
   方向に同一の密度で配設されてなることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ３、前記処理流体噴出孔が、前記処理流体供給部の回転
   中心を中心として渦巻き状に配設されてなることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の処理装置。 ４、前記処理流体および前記被処理物が、それぞれ酸素
   ガスおよびウェハであり、前記処理装置がフォトレジス
   ト除去装置であることを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の処理装置。