JP2928550B2 - レジストアッシング装置およびレジストアッシング方法 - Google Patents
レジストアッシング装置およびレジストアッシング方法Info
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- JP2928550B2 JP2928550B2 JP22066489A JP22066489A JP2928550B2 JP 2928550 B2 JP2928550 B2 JP 2928550B2 JP 22066489 A JP22066489 A JP 22066489A JP 22066489 A JP22066489 A JP 22066489A JP 2928550 B2 JP2928550 B2 JP 2928550B2
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、レジストアッシング装置に関し、特にレジ
ストが被覆された大型基板のアッシングに適した装置に
係わる。
ストが被覆された大型基板のアッシングに適した装置に
係わる。
（従来の技術） 従来、基板上に被覆されたレジストを除去するアッシ
ング装置としては、レジストが被覆された基板を載置す
るための基台と、このが基台の上方に配置された紫外線
を照射するための低圧水銀ランプと、前記基板と低圧水
銀ランプの間に吹き出し口を有するオゾンガスを供給す
るためのオゾン供給部材とから構成されたものが知られ
れている。かかる装置によれば、基台上の基板のレジス
トに前記低圧水銀ランプから紫外線を照射すると共に前
記オゾン供給部材から高濃度のオゾンガスを横方向から
吹きき付けることによりレジストを除去することができ
る。こうした装置によるアッシングの原理は、レジスト
への紫外線照射によりレジストの分子鎖を切断し、この
切断により生じた分子鎖のＣ、Ｈ等をオゾンへの紫外線
照射で発生した励起酸素原子を係合させて揮発成分とし
て除去するものである。
ング装置としては、レジストが被覆された基板を載置す
るための基台と、このが基台の上方に配置された紫外線
を照射するための低圧水銀ランプと、前記基板と低圧水
銀ランプの間に吹き出し口を有するオゾンガスを供給す
るためのオゾン供給部材とから構成されたものが知られ
れている。かかる装置によれば、基台上の基板のレジス
トに前記低圧水銀ランプから紫外線を照射すると共に前
記オゾン供給部材から高濃度のオゾンガスを横方向から
吹きき付けることによりレジストを除去することができ
る。こうした装置によるアッシングの原理は、レジスト
への紫外線照射によりレジストの分子鎖を切断し、この
切断により生じた分子鎖のＣ、Ｈ等をオゾンへの紫外線
照射で発生した励起酸素原子を係合させて揮発成分とし
て除去するものである。
しかしながら、上述した従来のレジストアッシング装
置では、大型の基板（例えば300mm角）上のレジストに
対して均一な速度のオゾン気流を吹き付けることが困難
であるため、基板上のレジスト全体を均一かる迅速にア
ッシングできない問題があった。
置では、大型の基板（例えば300mm角）上のレジストに
対して均一な速度のオゾン気流を吹き付けることが困難
であるため、基板上のレジスト全体を均一かる迅速にア
ッシングできない問題があった。
（発明が解決しようとする課題） 本発明は、上記従来の課題を解決するためになされた
もので大型の基板上のレジストを均一かつ迅速に除去し
得るレジストアッシング装置を提供しようとするもので
ある。
もので大型の基板上のレジストを均一かつ迅速に除去し
得るレジストアッシング装置を提供しようとするもので
ある。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明に係わるレジストアッシング装置は、レジスト
が被覆された基板が載置される基台と、 前記基台の上方に前記基板に対して所望のギャップを
あけて配置される紫外線透過性プレートと、 前記プレート上方に配置され、前記基板上のレジスト
に紫外線を照射するための紫外線照射源と、 前記基板と前記プレートのギャップに向けて帯状のオ
ゾンガスを供給するためのスリット状ガス吹き出し口を
有する細長状のオゾン供給部材と を具備したことを特徴とするものである。
が被覆された基板が載置される基台と、 前記基台の上方に前記基板に対して所望のギャップを
あけて配置される紫外線透過性プレートと、 前記プレート上方に配置され、前記基板上のレジスト
に紫外線を照射するための紫外線照射源と、 前記基板と前記プレートのギャップに向けて帯状のオ
ゾンガスを供給するためのスリット状ガス吹き出し口を
有する細長状のオゾン供給部材と を具備したことを特徴とするものである。
本発明に係わるレジストアッシング方法は、レジスト
が被覆された基板を基台上に載置する工程と、 前記基台上の前記基板とこの基板に対向して配置され
た紫外線透過性プレートとで形成された所望のギャップ
に向けて細長状のオゾン供給部材から帯状のオゾンガス
を供給する工程と、 前記基板上のレジストに紫外線を前記紫外線透過性プ
レートを通して照射する工程と を具備したことを特徴とするものである。
が被覆された基板を基台上に載置する工程と、 前記基台上の前記基板とこの基板に対向して配置され
た紫外線透過性プレートとで形成された所望のギャップ
に向けて細長状のオゾン供給部材から帯状のオゾンガス
を供給する工程と、 前記基板上のレジストに紫外線を前記紫外線透過性プ
レートを通して照射する工程と を具備したことを特徴とするものである。
前記基台としては、例えば加熱機構を備えたホットプ
レート等を用いることができる。
レート等を用いることができる。
前記紫外線透過性プレートは、例えば合成石英ガラス
等から形成される。かかるプレートは、前記基台の上方
に前記基板とのギャップが15mm以下となるように配置さ
せることがより好ましい。
等から形成される。かかるプレートは、前記基台の上方
に前記基板とのギャップが15mm以下となるように配置さ
せることがより好ましい。
（作用） 本発明によれば、基台の上方に紫外線透過性プレート
を該基台上の基板に対して所望のギャップをあけて配置
し、このプレート上方に前記基板上のレジストに紫外線
を照射するための紫外線照射源を配置し、更に前記基板
と前記プレートのギャップに向けて帯状のオゾンガスを
供給するためのスリット状ガス吹き出し口を有する細長
状のオゾン供給部材を設けることによって、オゾンガス
を前記基板上のレジストに層流状態で供給できると共
に、レジスト表面の各箇所での風速を一定にできる。そ
の結果、紫外線とオゾンによるレジストの酸化分解を急
速に進行させることができると共に、生成した酸化分解
成分をレジスト表面全体から均一かつ効率よく除去でき
る。従って、大型の基板を処理対象としても、その上の
レジストを均一かつ迅速にアッシングすることができ
る。
を該基台上の基板に対して所望のギャップをあけて配置
し、このプレート上方に前記基板上のレジストに紫外線
を照射するための紫外線照射源を配置し、更に前記基板
と前記プレートのギャップに向けて帯状のオゾンガスを
供給するためのスリット状ガス吹き出し口を有する細長
状のオゾン供給部材を設けることによって、オゾンガス
を前記基板上のレジストに層流状態で供給できると共
に、レジスト表面の各箇所での風速を一定にできる。そ
の結果、紫外線とオゾンによるレジストの酸化分解を急
速に進行させることができると共に、生成した酸化分解
成分をレジスト表面全体から均一かつ効率よく除去でき
る。従って、大型の基板を処理対象としても、その上の
レジストを均一かつ迅速にアッシングすることができ
る。
また、本発明によればレジストが被覆された基板を基
台上に載置し、この基台上の前記基板とこの基板に対向
して配置された紫外線透過性プレートとで形成された所
望のギャップに向けて細長状のオゾン供給部材から帯状
のオゾンガスを供給するとともに、前記基板上のレジス
トに紫外線を前記紫外線透過性プレートを通して照射す
ることによって、オゾンガスを前記基板上のレジストの
層流状態で供給できると共に、レジスト表面の各箇所で
の風速を一定にできる。その結果、前述したのと同様に
大型の基板を処理対象としても、その上のレジストを均
一かつ迅速にアッシングすることができる。
台上に載置し、この基台上の前記基板とこの基板に対向
して配置された紫外線透過性プレートとで形成された所
望のギャップに向けて細長状のオゾン供給部材から帯状
のオゾンガスを供給するとともに、前記基板上のレジス
トに紫外線を前記紫外線透過性プレートを通して照射す
ることによって、オゾンガスを前記基板上のレジストの
層流状態で供給できると共に、レジスト表面の各箇所で
の風速を一定にできる。その結果、前述したのと同様に
大型の基板を処理対象としても、その上のレジストを均
一かつ迅速にアッシングすることができる。
（実施例） 以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明す
る。
る。
ホットプレート１は、図示しないヒータが内蔵されて
いる。合成石英ガラス製プレート２は、前記ヒータプレ
ート１の上方に該プレート１上に設置される基板表面に
対して例えば10mmのギャップをあけて配置されている。
管長が700mmのＵ字状低圧水銀ランプ3a、3bは、前記プ
レート２の上方にそれぞれ配置されている。細長状のオ
ゾン供給部材４は、例えば0.15mmのスリット状ガス吹き
出し口（図示せず）が前記ホットプレート１とプレート
２のギャップに一定の距離で対向するように配置されて
いる。図示しないオゾナイザ（コーヨーテックス社製商
品名;KW−703）は、導入管５を介して前記オゾン供給部
材４に連結されている。
いる。合成石英ガラス製プレート２は、前記ヒータプレ
ート１の上方に該プレート１上に設置される基板表面に
対して例えば10mmのギャップをあけて配置されている。
管長が700mmのＵ字状低圧水銀ランプ3a、3bは、前記プ
レート２の上方にそれぞれ配置されている。細長状のオ
ゾン供給部材４は、例えば0.15mmのスリット状ガス吹き
出し口（図示せず）が前記ホットプレート１とプレート
２のギャップに一定の距離で対向するように配置されて
いる。図示しないオゾナイザ（コーヨーテックス社製商
品名;KW−703）は、導入管５を介して前記オゾン供給部
材４に連結されている。
次に、上述したレジストアッシング装置の作用を説明
する。
する。
まず、寸法が300mm×300mm×1.2mmのガラス基板上に
ポジ型レジスオ（東京応化社製商品名;OFPR−800）を塗
布して厚さ1.5μｍのレジスト膜を形成した。つづい
て、前記基板６を200℃に調節されたホットプレート１
上に設置すると共に、低圧水銀ランプ3a、3bから紫外線
を合成石英ガラス製プレート２を通して前記基板６上の
レジスト膜に照射する。同時に、オゾナイザを作動して
オゾンガスを発生させ、そのオゾンガスを導入管５を通
してオゾン供給部材４に導入し、該供給部材４の吹き出
し口からオゾンガスを前記基板６と合成石英ガラス製プ
レート２のギャップに対して一定の方向に供給すると、
オゾンガスを前記基板６上のレジスト膜に層流状態で、
かつレジスト膜表面の各箇所にて一定の風速で流れる。
このような紫外線の照射とオゾン気流の供給により基板
６上のレジストの酸化分解が急速に進行されると共に、
生成した酸化分解成分はレジスト膜表面全体から均一か
つ効率よく除去される。その結果、300mm×300mm×1.2m
mという大型の基板６上のレジスト膜を均一かつ迅速に
アッシングすることができる。
ポジ型レジスオ（東京応化社製商品名;OFPR−800）を塗
布して厚さ1.5μｍのレジスト膜を形成した。つづい
て、前記基板６を200℃に調節されたホットプレート１
上に設置すると共に、低圧水銀ランプ3a、3bから紫外線
を合成石英ガラス製プレート２を通して前記基板６上の
レジスト膜に照射する。同時に、オゾナイザを作動して
オゾンガスを発生させ、そのオゾンガスを導入管５を通
してオゾン供給部材４に導入し、該供給部材４の吹き出
し口からオゾンガスを前記基板６と合成石英ガラス製プ
レート２のギャップに対して一定の方向に供給すると、
オゾンガスを前記基板６上のレジスト膜に層流状態で、
かつレジスト膜表面の各箇所にて一定の風速で流れる。
このような紫外線の照射とオゾン気流の供給により基板
６上のレジストの酸化分解が急速に進行されると共に、
生成した酸化分解成分はレジスト膜表面全体から均一か
つ効率よく除去される。その結果、300mm×300mm×1.2m
mという大型の基板６上のレジスト膜を均一かつ迅速に
アッシングすることができる。
事実、上述したアッシング装置によるオゾン供給部材
４を吹き出し口よりオゾンガスを20/minの条件で基板
６と合成石英ガラス製プレート２のギャップに供給し、
前記吹き出し口から離れたレジスト膜箇所の風速を測定
したところ、第２図のＡに示す特性線を得た。なお、同
第２図の特性線Ｂは合成石英ガラス製プレートを配置し
ない時の同風速を示す。第２図から明らかなように合成
石英ガラス製プテート２を配置して基板６の間にギャッ
プを形成した本発明のアッシング装置では、プレートを
配置しない場合に比べてレジスト膜表面の各箇所にて一
定の風速でオゾンガスを流すことができることがわか
る。
４を吹き出し口よりオゾンガスを20/minの条件で基板
６と合成石英ガラス製プレート２のギャップに供給し、
前記吹き出し口から離れたレジスト膜箇所の風速を測定
したところ、第２図のＡに示す特性線を得た。なお、同
第２図の特性線Ｂは合成石英ガラス製プレートを配置し
ない時の同風速を示す。第２図から明らかなように合成
石英ガラス製プテート２を配置して基板６の間にギャッ
プを形成した本発明のアッシング装置では、プレートを
配置しない場合に比べてレジスト膜表面の各箇所にて一
定の風速でオゾンガスを流すことができることがわか
る。
また、上記条件で吹き出し口から300mm離れたレジス
ト膜の各点でのアッシング速度を測定した。その結果を
下記第１表に示した。
ト膜の各点でのアッシング速度を測定した。その結果を
下記第１表に示した。
上記第１表から明らかなようにプレートを配置して基
板との間にギャップを形成することによって、吹き出し
口から離れたレジスト膜の点でも効率よくアッシングで
きることがわかる。
板との間にギャップを形成することによって、吹き出し
口から離れたレジスト膜の点でも効率よくアッシングで
きることがわかる。
なお、上記実施例において基板を低圧水銀ランプ下を
一定速度で搬送させれば、更に効果適にアッシングする
ことができる。
一定速度で搬送させれば、更に効果適にアッシングする
ことができる。
上記実施例においてO3ガスにN2O、CF4、SF6等のガス
を添加しても同様な効果を達成できる。
を添加しても同様な効果を達成できる。
［発明の効果］ 以上詳述した如く、本発明によれば大型の基板上のレ
ジストを均一かつ迅速に除去し得るレジストアッシング
装置を提供できる。
ジストを均一かつ迅速に除去し得るレジストアッシング
装置を提供できる。
第１図は、本発明の一実施例を示すレジストアッシング
装置の概略斜視図、第２図は合成石英ガラス製プレート
を配置した場合と、配置しない場合でのオゾン吹き出し
口からの距離と、その箇所の風速を示す特性図である。 １……ホットプレート、２……合成石英ガラス製プレー
ト、3a、3b……低圧水銀ランプ、４……オゾン供給部
材、６……ガラス基板。
装置の概略斜視図、第２図は合成石英ガラス製プレート
を配置した場合と、配置しない場合でのオゾン吹き出し
口からの距離と、その箇所の風速を示す特性図である。 １……ホットプレート、２……合成石英ガラス製プレー
ト、3a、3b……低圧水銀ランプ、４……オゾン供給部
材、６……ガラス基板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−274727（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−290134（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23F 4/00 H01L 21/027,21/3065 G03F 7/42
Claims (3)
- 【請求項１】レジストが被覆された基板が載置される基
台と、 前記基台の上方に前記基板に対して所望のギャップをあ
けて配置される紫外線透過性プレートと、 前記プレート上方に配置され、前記基板上のレジストに
紫外線を照射するための紫外線対照源と、 前記基板と前記プレートのギャップに向けて帯状のオゾ
ンガスを供給するためのスリット状ガス吹き出し口を有
する細長状のオゾン供給部材と を具備したことを特徴とするレジストアッシング装置。 - 【請求項２】前記紫外線透過性プレートは、石英ガラス
からなり、かつこのプレートを前記基台の上方に前記基
板とのギャップが15mm以下となるように配置させたこと
を特徴とする請求項１記載のレジストアッシング装置。 - 【請求項３】レジストが被覆された基板を基台上に載置
する工程と、 前記基台上の前記基板とこの基板に対向して配置された
紫外線透過性プレートとで形成された所望のギャップに
向けて細長状のオゾン供給部材から帯状のオゾンガスを
供給する工程と、 前記基板上のレジストに紫外線を前記紫外線透過性プレ
ートを通して照射する工程と を具備したことを特徴とするレジストアッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066489A JP2928550B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | レジストアッシング装置およびレジストアッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22066489A JP2928550B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | レジストアッシング装置およびレジストアッシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382782A JPH0382782A (ja) | 1991-04-08 |
| JP2928550B2 true JP2928550B2 (ja) | 1999-08-03 |
Family
ID=16754518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22066489A Expired - Fee Related JP2928550B2 (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | レジストアッシング装置およびレジストアッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2928550B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5417826A (en) * | 1992-06-15 | 1995-05-23 | Micron Technology, Inc. | Removal of carbon-based polymer residues with ozone, useful in the cleaning of plasma reactors |
| US20160330846A1 (en) * | 2014-01-20 | 2016-11-10 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Desmear treatment device |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP22066489A patent/JP2928550B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0382782A (ja) | 1991-04-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |