JPH01179327A - 灰化方法 - Google Patents
灰化方法Info
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- JPH01179327A JPH01179327A JP35288A JP35288A JPH01179327A JP H01179327 A JPH01179327 A JP H01179327A JP 35288 A JP35288 A JP 35288A JP 35288 A JP35288 A JP 35288A JP H01179327 A JPH01179327 A JP H01179327A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、有機物の灰化除去に係り、特に低温での灰化
速度を増すのに好適な灰化方法に関する。
速度を増すのに好適な灰化方法に関する。
従来の方法は、特開昭６２−１６５９２３号に記載のよ
うに、オゾンを含む酸素ガスと熱によって灰化除去する
ようになっていた。
うに、オゾンを含む酸素ガスと熱によって灰化除去する
ようになっていた。
上記従来技術は、低温での灰化速度を向上させる点につ
いて配慮されておらず、特に高集積化した半導体のレジ
スト除去には、問題があった。
いて配慮されておらず、特に高集積化した半導体のレジ
スト除去には、問題があった。
本発明の目的は、レジスト除去をより低温で可能にし、
しかも実用上満足しうる高い速度で灰化除去する方法を
提供することにある。
しかも実用上満足しうる高い速度で灰化除去する方法を
提供することにある。
上記目的は、紫外光とともに酸素ラジカルとヒドロキシ
ラジカルを有機物にさらすことにより、達成される。
ラジカルを有機物にさらすことにより、達成される。
紫外光のうち、たとえば１８５ｎｍや１９４ｎｍの波長
の光は、酸素を分解してオゾンを作る効果、Ｈ２Ｏを分
解してＨＯラジカルを作る効果、トＩ２０２を分解して
Ｈ○ラジカル（ヒドロキシラジカル）を作る効果がある
。また、２５４ｎｍの波長の光は、オゾンを分解して酸
素ラジカルを作る効果がある。さらにこれらの紫外光は
、そのエネルギーによって有機物の化学結合を切断する
効果がある。上記酸素ラジカルや、ヒドロキシラジカル
は、有機物の組成原子と反応して、水や炭素ガスを生成
し有機物をガス化する働きがある。そして、有機物を加
熱することは、上記各ラジカルと有機物組成原子との反
応を促進する働きがある。
の光は、酸素を分解してオゾンを作る効果、Ｈ２Ｏを分
解してＨＯラジカルを作る効果、トＩ２０２を分解して
Ｈ○ラジカル（ヒドロキシラジカル）を作る効果がある
。また、２５４ｎｍの波長の光は、オゾンを分解して酸
素ラジカルを作る効果がある。さらにこれらの紫外光は
、そのエネルギーによって有機物の化学結合を切断する
効果がある。上記酸素ラジカルや、ヒドロキシラジカル
は、有機物の組成原子と反応して、水や炭素ガスを生成
し有機物をガス化する働きがある。そして、有機物を加
熱することは、上記各ラジカルと有機物組成原子との反
応を促進する働きがある。
以下、本発明の一実施例を第１，２図により説明する。
レジスト等有機物の存在する表面をもったウェーハ１は
、回転、上下可動なステージ２の上に固定されており、
該ステージ２は、ヒータ３によって加熱される。上記ウ
ェーハ１には、紫外線ランプ５の光が、紫外線を透過可
能な石英ガラス４を透過して照射される。該石英ガラス
４には、ウェーハ１の表面上にガスを供給するノズル６
が複数ヶ取りつけられている。該ノズル６からは、たと
えば、第１図（ａ）のように、水または過酸化水素或は
、その両方８を霧状にしてガス（酸素又はオゾンを含む
酸素）とともにウェーハ１の表面上に供給できる。他の
方法としては、第２図のように供給することもよい。或
は、第１図の（ｂ）のように、ガスを、水または過酸化
水素或はその両方１２の中に泡状にして通してこれらを
ガスとともにウェーハ１の表面に供給することも効果が
ある。
、回転、上下可動なステージ２の上に固定されており、
該ステージ２は、ヒータ３によって加熱される。上記ウ
ェーハ１には、紫外線ランプ５の光が、紫外線を透過可
能な石英ガラス４を透過して照射される。該石英ガラス
４には、ウェーハ１の表面上にガスを供給するノズル６
が複数ヶ取りつけられている。該ノズル６からは、たと
えば、第１図（ａ）のように、水または過酸化水素或は
、その両方８を霧状にしてガス（酸素又はオゾンを含む
酸素）とともにウェーハ１の表面上に供給できる。他の
方法としては、第２図のように供給することもよい。或
は、第１図の（ｂ）のように、ガスを、水または過酸化
水素或はその両方１２の中に泡状にして通してこれらを
ガスとともにウェーハ１の表面に供給することも効果が
ある。
ヒーター３によって加熱されたウェーハの温度を変えて
、ガス（酸素又はオゾンを含む酸素）に、第２図の方法
によって、水または過酸化水素と水を霧状に加えたとき
のレジスト（ノボラック系のホトレジスト）を除去した
ときのレジスト除去速度と、ガスの条件との関係を示す
結果を第３，４図に示す。横軸のＡは、ガスとして、オ
ゾンを含む酸素ガス（第３図）のみまたは、酸素ガスの
み第４図のＡのときを示し、Ｂは、上記ガスに水を露状
に加えたときを示し、Ｃは、上記ガスに水と過酸化水素
（３０％）を霧状に加えたときを示したものである。縦
軸は、レジストの除去速度を −μｍ７分の単位で
示したものである。
、ガス（酸素又はオゾンを含む酸素）に、第２図の方法
によって、水または過酸化水素と水を霧状に加えたとき
のレジスト（ノボラック系のホトレジスト）を除去した
ときのレジスト除去速度と、ガスの条件との関係を示す
結果を第３，４図に示す。横軸のＡは、ガスとして、オ
ゾンを含む酸素ガス（第３図）のみまたは、酸素ガスの
み第４図のＡのときを示し、Ｂは、上記ガスに水を露状
に加えたときを示し、Ｃは、上記ガスに水と過酸化水素
（３０％）を霧状に加えたときを示したものである。縦
軸は、レジストの除去速度を −μｍ７分の単位で
示したものである。
紫外光のうち２５４ｎｍのウェーハ面上での平面照度は
、１３０ｍｗ／ｃｍ２であり、これに対して１８５ｎｍ
と１９４ｎｍの合計の照度は、２５４ｎｍに対して２８
％すなわち３６ ｍｍ／Ｃｍ ２であった。また、ガス
の流量は、全体で５Ｑ／分であり、オゾンを含有した場
合のオゾンの濃度は、５％（体積比）であった。
、１３０ｍｗ／ｃｍ２であり、これに対して１８５ｎｍ
と１９４ｎｍの合計の照度は、２５４ｎｍに対して２８
％すなわち３６ ｍｍ／Ｃｍ ２であった。また、ガス
の流量は、全体で５Ｑ／分であり、オゾンを含有した場
合のオゾンの濃度は、５％（体積比）であった。
本発明によれば、紫外線と熱とオゾンを含む酸素ガス又
は、酸素ガスのみの場合よりも、水または水と過酸化水
素をオゾンを含む酸素ガス又は酸素ガスに加えた方がヒ
ドロキシラジカルの生成によって、灰化の促進ができる
のでレジストの除去速度を向上させる効果がある。特に
、水と過酸化水素の両方を加えた場合には、低温でも実
用に供しうるレジスト除去速度が得られる効果があり、
高集積化半導体デバイスの製造に有益な灰化方法である
。
は、酸素ガスのみの場合よりも、水または水と過酸化水
素をオゾンを含む酸素ガス又は酸素ガスに加えた方がヒ
ドロキシラジカルの生成によって、灰化の促進ができる
のでレジストの除去速度を向上させる効果がある。特に
、水と過酸化水素の両方を加えた場合には、低温でも実
用に供しうるレジスト除去速度が得られる効果があり、
高集積化半導体デバイスの製造に有益な灰化方法である
。
第１，２図は１本発明の実施例の構成を示す概念図、第
３，４図は本発明の実施例の結果を示す図である。 １・・・ウェーハ、２・・・回転上下可動ステージ、３
・・・ヒータ、４・・・石英ガラス、５・・・紫外線ラ
ンプ、６・・・ノズル（ガス用）、７・・・ノズル（水
、過酸化水素水用）。
３，４図は本発明の実施例の結果を示す図である。 １・・・ウェーハ、２・・・回転上下可動ステージ、３
・・・ヒータ、４・・・石英ガラス、５・・・紫外線ラ
ンプ、６・・・ノズル（ガス用）、７・・・ノズル（水
、過酸化水素水用）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、オゾンを含む酸素ガスに、水または過酸化水素或は
その両方を含有させて、紫外線とともにレジスト等有機
物の存在する加熱された表面に当てることを特徴とする
灰化方法。 ２、酸素ガスに、水または過酸化水素或はその両方を含
有させて、紫外線とともに、レジスト等有機物の存在す
る加熱された表面に当てることを特徴とする灰化方法。 ３、酸素又は、オゾンを含む酸素ガスとともに、霧状の
水または過酸化水素或はその両方をレジスト等有機物の
存在する加熱された表面に供給すると同時に紫外線を照
射することを特徴とする灰化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35288A JPH01179327A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 灰化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35288A JPH01179327A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 灰化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01179327A true JPH01179327A (ja) | 1989-07-17 |
Family
ID=11471439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35288A Pending JPH01179327A (ja) | 1988-01-06 | 1988-01-06 | 灰化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01179327A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239933A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
| US5503708A (en) * | 1992-11-27 | 1996-04-02 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for removing an organic film |
| JP2002083803A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Yac Co Ltd | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 |
| US6412498B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low temperature plasma strip process |
| US6817370B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-11-16 | Semitool, Inc. | Method for processing the surface of a workpiece |
| US7364839B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a pattern and substrate-processing apparatus |
-
1988
- 1988-01-06 JP JP35288A patent/JPH01179327A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239933A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Tokyo Electron Ltd | アッシング方法 |
| US5503708A (en) * | 1992-11-27 | 1996-04-02 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for removing an organic film |
| US6817370B2 (en) | 1997-05-09 | 2004-11-16 | Semitool, Inc. | Method for processing the surface of a workpiece |
| US6412498B1 (en) * | 2000-03-24 | 2002-07-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | Low temperature plasma strip process |
| JP2002083803A (ja) * | 2000-09-07 | 2002-03-22 | Yac Co Ltd | エッチング装置やアッシング装置といったようなドライプロセッシング装置 |
| US7364839B2 (en) | 2002-07-24 | 2008-04-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for forming a pattern and substrate-processing apparatus |
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