JPS63237420A - 灰化方法 - Google Patents
灰化方法Info
- Publication number
- JPS63237420A JPS63237420A JP7026287A JP7026287A JPS63237420A JP S63237420 A JPS63237420 A JP S63237420A JP 7026287 A JP7026287 A JP 7026287A JP 7026287 A JP7026287 A JP 7026287A JP S63237420 A JPS63237420 A JP S63237420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- resist film
- wafer
- ultraviolet rays
- moisture
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004380 ashing Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
ＬＳＩなどの半導体デバイスの生産方法において、リゾ
グラフィを利用する場合、レジスト膜の形成や除去の必
要がともなう。本発明は、特に、１ウエハー上に残され
た不要レジスト膜を、灰化によって除去する方法に関す
る。
グラフィを利用する場合、レジスト膜の形成や除去の必
要がともなう。本発明は、特に、１ウエハー上に残され
た不要レジスト膜を、灰化によって除去する方法に関す
る。
現在の生産プロセスにおいて、レジスト膜の灰化方法は
、大体において酸素プラズマシステムが実用化されてい
る。長所としては、処理速度が大きいという特徴を具え
ているが、デバイスに対する荷電粒子による損傷が欠点
とされている。
、大体において酸素プラズマシステムが実用化されてい
る。長所としては、処理速度が大きいという特徴を具え
ているが、デバイスに対する荷電粒子による損傷が欠点
とされている。
デバイスの高集積化が急速に進むなかで、デバイスの電
気特性に与える影響が少な（ないことからこのウェハー
に対する損傷の問題が無視し得なくなり、最近では、損
傷の少ない紫外線による灰化方法が提案され研究されて
いるが、処理速度と汚染の問題があり実用化するには、
尚、改善／改良が要求されている。
気特性に与える影響が少な（ないことからこのウェハー
に対する損傷の問題が無視し得なくなり、最近では、損
傷の少ない紫外線による灰化方法が提案され研究されて
いるが、処理速度と汚染の問題があり実用化するには、
尚、改善／改良が要求されている。
本発明は、上記背景に鑑み、なされたものであって、そ
の目的とするところは、紫外線による処理よりも処理速
度の大きい、′改善／改良された新規な灰化方法を提供
することにある。
の目的とするところは、紫外線による処理よりも処理速
度の大きい、′改善／改良された新規な灰化方法を提供
することにある。
〔目°的を達成するための方法とその作用〕上記目的を
達成するため、本発明においては、活性化酸素と水蒸気
とを含有する雰囲気内に配置された、有機レジスト膜を
有するウェハーに、紫外線を照射して、活性化酸素と紫
外線と水との協働によって該レジスト膜を灰化する。
達成するため、本発明においては、活性化酸素と水蒸気
とを含有する雰囲気内に配置された、有機レジスト膜を
有するウェハーに、紫外線を照射して、活性化酸素と紫
外線と水との協働によって該レジスト膜を灰化する。
上記方法を採用すれば、ウェハー上のレジスト膜は、活
性化された酸素にさらされながら、紫外線の照射を受け
ることになり、この酸素と紫外線との協働によって灰化
が進行するのにともなって、水によってもレジストの架
橋結合の破壊が進行するので、灰化速度が大きく、しか
も、紫外線照射によるクリーン効果も大である。
性化された酸素にさらされながら、紫外線の照射を受け
ることになり、この酸素と紫外線との協働によって灰化
が進行するのにともなって、水によってもレジストの架
橋結合の破壊が進行するので、灰化速度が大きく、しか
も、紫外線照射によるクリーン効果も大である。
第一図は、本発明を実行するための灰化装置の要部の概
略説明図である。１は装置の外壁で、１ａ１１ｂ、 ｌ
ｃに示す如く、３分割され、ポルドナ７）等の固定手段
２で連結される。３は、ロングアーク型の高圧水銀灯で
あって、平面状に、平行に２〜４本配置し、ランプホル
ダー４で保持する。上記の如く外壁を分割形式にしであ
るので、外壁の一部１ａをはずすと、高圧水銀灯の交換
、保守等は便利である。５はウェハー６の保持台であっ
て、必要に応じて、温度制御手段例えばヒーター１０や
水冷パイプなどが埋設される。尚、ウェハー６上のレジ
スト膜は図示から省略しである。ここにおいても、外壁
の一部１ａと１ｂとを一緒にしてはずすと、保持台５の
保守等は便利である。７ａと７ｂは、高周波電源１１か
ら電気エネルギーが供給される一対の放電用電極であり
、これらの間隙８に向けて、ガスを供給する。９は、ウ
ェハー６の近傍に水分を供給するためのパイプであって
、分圧で１５％の水分を含むアルゴンガスを０．５ト一
ル程度流してやる。活性化酸素は、間隙８における放電
によって作られ、それがウェハー近傍へ移動してくるの
で、結局、ウェハー６に設けられている有機レジスト膜
は、水分と活性化酸素と紫外線とに露呈される。
略説明図である。１は装置の外壁で、１ａ１１ｂ、 ｌ
ｃに示す如く、３分割され、ポルドナ７）等の固定手段
２で連結される。３は、ロングアーク型の高圧水銀灯で
あって、平面状に、平行に２〜４本配置し、ランプホル
ダー４で保持する。上記の如く外壁を分割形式にしであ
るので、外壁の一部１ａをはずすと、高圧水銀灯の交換
、保守等は便利である。５はウェハー６の保持台であっ
て、必要に応じて、温度制御手段例えばヒーター１０や
水冷パイプなどが埋設される。尚、ウェハー６上のレジ
スト膜は図示から省略しである。ここにおいても、外壁
の一部１ａと１ｂとを一緒にしてはずすと、保持台５の
保守等は便利である。７ａと７ｂは、高周波電源１１か
ら電気エネルギーが供給される一対の放電用電極であり
、これらの間隙８に向けて、ガスを供給する。９は、ウ
ェハー６の近傍に水分を供給するためのパイプであって
、分圧で１５％の水分を含むアルゴンガスを０．５ト一
ル程度流してやる。活性化酸素は、間隙８における放電
によって作られ、それがウェハー近傍へ移動してくるの
で、結局、ウェハー６に設けられている有機レジスト膜
は、水分と活性化酸素と紫外線とに露呈される。
第一図においては、高圧水銀灯３等、のための電源系と
その制御系及びウェハー搬送システムは省略しであるが
、これら個々の電源回路、制御回路等は、従来の技術、
多数の文献に開示されている技術等が利用できる。例え
ば、図示はしていないが、ウェハーの搬送をカセット・
ツウ・カセットにする場合、ウェハー保持台より少し高
い位置に対応した装置の外壁にゲートバルブを設け、ア
ームによる自動搬送によるウェハーの肌着機構を設ける
ことで容易に実現できる。
その制御系及びウェハー搬送システムは省略しであるが
、これら個々の電源回路、制御回路等は、従来の技術、
多数の文献に開示されている技術等が利用できる。例え
ば、図示はしていないが、ウェハーの搬送をカセット・
ツウ・カセットにする場合、ウェハー保持台より少し高
い位置に対応した装置の外壁にゲートバルブを設け、ア
ームによる自動搬送によるウェハーの肌着機構を設ける
ことで容易に実現できる。
ところで放電によって活性化酸素を生成させる条件の一
例を示すと、 ガス ０． １トール 放電電力 ３００ ワット 周波数 １００キロヘルツ である。ウェハー６に塗布されたレジストは１．５μｍ
の厚さのＴ Ｓ Ｍ Ｒ８８００であって、高圧水銀灯
から放射される波長２００ｎｍ乃至５００ｎｍの光を６
００ｍＷ／ｃＩＡの強度で受ける。
例を示すと、 ガス ０． １トール 放電電力 ３００ ワット 周波数 １００キロヘルツ である。ウェハー６に塗布されたレジストは１．５μｍ
の厚さのＴ Ｓ Ｍ Ｒ８８００であって、高圧水銀灯
から放射される波長２００ｎｍ乃至５００ｎｍの光を６
００ｍＷ／ｃＩＡの強度で受ける。
上記条件で、レジスト膜の除去速度は大体５０ｎｍ／分
程度で、酸素プラズマシステムに比べると、処理速度は
遅いが、紫外線処理よりかは早いし、残渣のないクリー
ンな表面が得られる特徴がある。
程度で、酸素プラズマシステムに比べると、処理速度は
遅いが、紫外線処理よりかは早いし、残渣のないクリー
ンな表面が得られる特徴がある。
活性化酸素を生成するガスとしては、前記実施例の他に
キャリアーガスとしてＮｚＯ、Ｎ（ｈ 、Ｃｏｔを用い
、ＮＺ、Ｈｅ等のガスを混入したものでも良い。
キャリアーガスとしてＮｚＯ、Ｎ（ｈ 、Ｃｏｔを用い
、ＮＺ、Ｈｅ等のガスを混入したものでも良い。
第二図は、他の実施例の説明図であって、石英ガラス製
の円筒状の容器１２の内に、ウェハー保持台５を配置し
、一対の放電灯用電極７ａ、 ７ｂは、前記容器１２の
外側に配置しである。紫外線放射光源１３は球状をして
いて、マイクロウェーブで励起される無電極放電型であ
って、ミラー１４に取り囲まれ、光源１３の直射光とミ
ラー１４からの反射光との両者がウェハー６を照射する
。尚、図示はしていないが、同一の思想でプラズマの発
生源が２．４５Ｇ）Ｉ２のマイクロ波放電のタイプのも
のでも使用することが可能である。
の円筒状の容器１２の内に、ウェハー保持台５を配置し
、一対の放電灯用電極７ａ、 ７ｂは、前記容器１２の
外側に配置しである。紫外線放射光源１３は球状をして
いて、マイクロウェーブで励起される無電極放電型であ
って、ミラー１４に取り囲まれ、光源１３の直射光とミ
ラー１４からの反射光との両者がウェハー６を照射する
。尚、図示はしていないが、同一の思想でプラズマの発
生源が２．４５Ｇ）Ｉ２のマイクロ波放電のタイプのも
のでも使用することが可能である。
上記実施例からも理解されるように、本発明は、有機レ
ジストの架橋結合の破壊を促進する水分と、活性化酸素
とダメージのない紫外線照射方法とを組み合わせること
によって、半導体装置の生産工程におけるレジスト膜の
灰化を効率良く実行し、しかも最近の高集積化に対応し
て生じているウェハーダメージの問題を解決することが
できる利点を有する。
ジストの架橋結合の破壊を促進する水分と、活性化酸素
とダメージのない紫外線照射方法とを組み合わせること
によって、半導体装置の生産工程におけるレジスト膜の
灰化を効率良く実行し、しかも最近の高集積化に対応し
て生じているウェハーダメージの問題を解決することが
できる利点を有する。
第一図と第二図は本発明を実行するための灰化装置の要
部の概略説明図である。 図において、３は高圧水銀灯、４はランプホルダ−１５
は保持台、６はウェハー、７ａと７ｂは一対の電極をそ
れぞれ示す。
部の概略説明図である。 図において、３は高圧水銀灯、４はランプホルダ−１５
は保持台、６はウェハー、７ａと７ｂは一対の電極をそ
れぞれ示す。
Claims (1)
- 活性化酸素と水蒸気とを含有する雰囲気内に配置された
、有機レジスト膜を有するウェハーに、紫外線を照射し
て、活性化酸素と紫外線と水との協働によって該レジス
ト膜を灰化することを特徴とする灰化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026287A JPS63237420A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 灰化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7026287A JPS63237420A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 灰化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63237420A true JPS63237420A (ja) | 1988-10-03 |
Family
ID=13426445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7026287A Pending JPS63237420A (ja) | 1987-03-26 | 1987-03-26 | 灰化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63237420A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263436A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-26 JP JP7026287A patent/JPS63237420A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02263436A (ja) * | 1989-04-03 | 1990-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 活性化学種発生方法及び電子部材の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006229198A (ja) | 紫外線内設洗浄器具のための方法および装置 | |
| JP2008294168A (ja) | レジスト除去方法及びその装置 | |
| JP2009157355A (ja) | レジスト除去方法及びその装置 | |
| US20080296258A1 (en) | Plenum reactor system | |
| JPS6245122A (ja) | 処理装置 | |
| JP3150509B2 (ja) | 有機物除去方法及びその方法を使用するための装置 | |
| JPS63237420A (ja) | 灰化方法 | |
| JPS61223839A (ja) | レジスト除去方法 | |
| JPS63178528A (ja) | 灰化方法 | |
| JP2011192764A (ja) | 膜の除去方法及び膜除去用装置 | |
| JPH01179327A (ja) | 灰化方法 | |
| JPH04307734A (ja) | アッシング装置 | |
| JPH03125428A (ja) | 半導体基板洗浄装置 | |
| JP2579346Y2 (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JPH0429220B2 (ja) | ||
| JPS62245634A (ja) | ポジ型レジスト膜の除去方法とその装置 | |
| JPH01248528A (ja) | Ｓｏｇ膜の硬化方法 | |
| JPS6236668A (ja) | アツシング方法 | |
| JPH07308567A (ja) | 容器の洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPS6127635A (ja) | フオトレジストの高能率乾式除去装置 | |
| JPH0713215Y2 (ja) | 半導体のレジストアッシング装置 | |
| JP3214154B2 (ja) | 誘電体バリヤ放電ランプを使用した洗浄方法 | |
| JP2001217216A (ja) | 紫外線照射方法及び装置 | |
| JPH05198498A (ja) | レジスト膜のアッシング装置 | |
| JPS61154038A (ja) | ドライアツシング装置 |