JPS61223839A - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
- Publication number
- JPS61223839A JPS61223839A JP6566185A JP6566185A JPS61223839A JP S61223839 A JPS61223839 A JP S61223839A JP 6566185 A JP6566185 A JP 6566185A JP 6566185 A JP6566185 A JP 6566185A JP S61223839 A JPS61223839 A JP S61223839A
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- JP
- Japan
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- resist
- wafer
- oxygen
- oxygen gas
- rays
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
紫外線照射の下において、酸素ガスと使用済みのレジス
トを接触させて使用済みのレジストを除去する方法（光
化学的酸化分解法）は下地に損傷を与えない利水がある
が、レジストの除去速度が遅いという欠点がある。この
欠点を解消するために、種々実験を繰り返したところ。
トを接触させて使用済みのレジストを除去する方法（光
化学的酸化分解法）は下地に損傷を与えない利水がある
が、レジストの除去速度が遅いという欠点がある。この
欠点を解消するために、種々実験を繰り返したところ。
酸素ガスの気圧を２〜３気圧と高くすると除去速度が上
昇するという現象を発見したので、これを利用して、レ
ジスト除去速度を向上したものである。
昇するという現象を発見したので、これを利用して、レ
ジスト除去速度を向上したものである。
（産業上の利用分野）
本発明は半導体装置の製造において必要なレジストの除
去方法に関する。特に、光化学的酸化分解法を使用して
なす使用済みのレジストの除去方法の除去速度を向上す
る改良に関する。
去方法に関する。特に、光化学的酸化分解法を使用して
なす使用済みのレジストの除去方法の除去速度を向上す
る改良に関する。
フォ′トリソゲラフイー法（荷電粒子線或はＸ線リソグ
ラフィー法でも同様）に使用されたレジストの除去には
、伝統的には有機溶剤による溶解除去法が使用されてい
たが、作業効率の向上を目的として、酸素プラズマ等の
活性ラジカルによるドライ処理法が開発された。すなわ
ち、フレオン（ＣＦ、）、酸素ガス等の中でマイクロ波
放電を発生させたとき発生する活性ラジカルを利用する
手法である。
ラフィー法でも同様）に使用されたレジストの除去には
、伝統的には有機溶剤による溶解除去法が使用されてい
たが、作業効率の向上を目的として、酸素プラズマ等の
活性ラジカルによるドライ処理法が開発された。すなわ
ち、フレオン（ＣＦ、）、酸素ガス等の中でマイクロ波
放電を発生させたとき発生する活性ラジカルを利用する
手法である。
この活性ラジカルを利用する手法におけるレジストの除
去速度は３．０００〜５．０００八／分程度であり、一
応満足すべき状態にあるが、その下地に対する損傷の程
度が無視しえないという欠点がある。特に下地がゲート
絶縁膜等の薄膜である場合、信頼性を低下する原因とな
り、看過し難い欠点である。
去速度は３．０００〜５．０００八／分程度であり、一
応満足すべき状態にあるが、その下地に対する損傷の程
度が無視しえないという欠点がある。特に下地がゲート
絶縁膜等の薄膜である場合、信頼性を低下する原因とな
り、看過し難い欠点である。
そこで、下地に損傷を与えることなく、十分なレジスト
除去速度を実現しうる使用済みのレジスト除去方法とし
て、紫外線照射の下において、酸素ガスと接触させる手
法（光化学的酸化分解法）が開発された。
除去速度を実現しうる使用済みのレジスト除去方法とし
て、紫外線照射の下において、酸素ガスと接触させる手
法（光化学的酸化分解法）が開発された。
この手法は、（イ） １８４．９ｎｍ、 ２５３．
７ｎ＋ｓ等の波長の紫外線のエネルギーが有機高分子化
合物であるレジストのＣ−Ｆ結合やＣ−Ｈ結合を破壊・
切断するに十分である故、紫外線を照射して使用済みレ
ジストを破壊・分解し、（ロ）同時に、上記の紫外線を
もって酸素をオゾン化及び／または単原子化し、このオ
ゾン及び／または単゛原子状の酸素の強力な酸化力を利
用して上記の破壊・分解を促進するとともに、破壊・分
解したレジストの剥ｒａ参飛散を促進するものである。
７ｎ＋ｓ等の波長の紫外線のエネルギーが有機高分子化
合物であるレジストのＣ−Ｆ結合やＣ−Ｈ結合を破壊・
切断するに十分である故、紫外線を照射して使用済みレ
ジストを破壊・分解し、（ロ）同時に、上記の紫外線を
もって酸素をオゾン化及び／または単原子化し、このオ
ゾン及び／または単゛原子状の酸素の強力な酸化力を利
用して上記の破壊・分解を促進するとともに、破壊・分
解したレジストの剥ｒａ参飛散を促進するものである。
この手法にあっては、オゾンにせよ原子状の酸素にせよ
、高速をもってウェーハに衝突するものではないから、
ウェーハを損傷するおそれはない。
、高速をもってウェーハに衝突するものではないから、
ウェーハを損傷するおそれはない。
この光化学的酸化分解法を実施する装置の１例の概略図
を第２図に示す０図において１は処理室であり、酸素供
給口２から酸素ガスが供給され、排気口３から各種のガ
スが排出される。４は紫外線ランプであり、上記の １
８４Ｊｎｍ、 ２５３．７ｎｍの紫外線をウェーハ５に
照射する。ウェーハ５の表面には使用済みレジスト６が
塗布されている。
を第２図に示す０図において１は処理室であり、酸素供
給口２から酸素ガスが供給され、排気口３から各種のガ
スが排出される。４は紫外線ランプであり、上記の １
８４Ｊｎｍ、 ２５３．７ｎｍの紫外線をウェーハ５に
照射する。ウェーハ５の表面には使用済みレジスト６が
塗布されている。
上記の装置において、紫外線照射下に酸素ガスが供給さ
れると、酸素ガスは紫外線のエネルギーによって単原子
化またはオゾン化して、これらの強い酸化力が紫外線そ
のものの分解力と相剰効果を発揮して使用済みレジスト
の除去をなすものである。
れると、酸素ガスは紫外線のエネルギーによって単原子
化またはオゾン化して、これらの強い酸化力が紫外線そ
のものの分解力と相剰効果を発揮して使用済みレジスト
の除去をなすものである。
（発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上記せる紫外線照射下において酸素ガスを供
給してなす、使用済みレジストの除去方法（光化学的酸
化分解法）におけるレジスト除去速度は、８００人／分
程度と実用上不十分である。
給してなす、使用済みレジストの除去方法（光化学的酸
化分解法）におけるレジスト除去速度は、８００人／分
程度と実用上不十分である。
本発明の目的はこの欠点を解消することにあり、紫外線
照射下において酸素ガスと接触させてなす使用済みレジ
ストの除去方法（光化学的酸化分解法）のレジスト除去
速度を向上することにある。
照射下において酸素ガスと接触させてなす使用済みレジ
ストの除去方法（光化学的酸化分解法）のレジスト除去
速度を向上することにある。
上記問題点を解決するために本発明が採用した手段は、
酸素ガスの供給圧力を上昇し、紫外線照射下において、
２〜３気圧の高圧の酸素ガスを使用済みのレジストと接
触させることとしたものである。
酸素ガスの供給圧力を上昇し、紫外線照射下において、
２〜３気圧の高圧の酸素ガスを使用済みのレジストと接
触させることとしたものである。
（作用〕
第２図に示す如き装置を使用して、酸素ガスの供給圧力
と排気圧力を調整して、処理室外箱内の圧力を調整しな
がら実験を繰り返して圧力／レジスト除去速度の関係を
調査せるところ、第１図に示すように、−宇の篩囲にお
いて、圧力の上昇に比例してレジスト除去速度が上昇す
ることが判明した。
と排気圧力を調整して、処理室外箱内の圧力を調整しな
がら実験を繰り返して圧力／レジスト除去速度の関係を
調査せるところ、第１図に示すように、−宇の篩囲にお
いて、圧力の上昇に比例してレジスト除去速度が上昇す
ることが判明した。
そこで、この新しく発見された自然法則を利用し、紫外
線照射下において、２〜３気圧の高圧酸素ガスを使用済
みレジストに接触させて高速をもってレジストの除去を
なすこととしたことにある。
線照射下において、２〜３気圧の高圧酸素ガスを使用済
みレジストに接触させて高速をもってレジストの除去を
なすこととしたことにある。
（実施例）
第２図再参照
図において、１は処理室であり、酸素供給口２から酸素
ガスが供給され、排気口３から各種の気体が排出される
。４は紫外線ランプであり、上記の１８４．９ｎｍ、２
５３．７ｎｍの紫外線をウェーハ５に照射する。ウェー
ハ５の表面には使用済みレジスト６が塗布されている。
ガスが供給され、排気口３から各種の気体が排出される
。４は紫外線ランプであり、上記の１８４．９ｎｍ、２
５３．７ｎｍの紫外線をウェーハ５に照射する。ウェー
ハ５の表面には使用済みレジスト６が塗布されている。
ウェーハ温度を２４０〜２６０℃に保持し、紫外線ラン
プ４とウェーハ５との距離を３〜５■とし、処理室内圧
を２〜３気圧に保持して処理を実行する。その結果、
２，０００〜５．００ＯＡ ／分の除去速度が確認され
た。
プ４とウェーハ５との距離を３〜５■とし、処理室内圧
を２〜３気圧に保持して処理を実行する。その結果、
２，０００〜５．００ＯＡ ／分の除去速度が確認され
た。
〔発明の効果〕
以上説明せるとおり、本発明によれば、紫外線照射下に
おいて、２〜３気圧の高圧の酸素ガスが使用済みレジス
トに接触させられることとされているので、下地に損傷
を与えることなく、しかも、実用上満足しうるレジスト
の除去速度を実現しうる。
おいて、２〜３気圧の高圧の酸素ガスが使用済みレジス
トに接触させられることとされているので、下地に損傷
を与えることなく、しかも、実用上満足しうるレジスト
の除去速度を実現しうる。
第１図は、本発明の詳細な説明するグラフである。
第２図は、本発明の実施に使用される装置の１例の概略
構成図である。 １・・・処理室外箱、 ２・・・酸素吸入口。 ３・・・排気口、 ４・・０紫外線ランプ。 ５ ｅ ａ ＊ウェーハ、 ６・・・使用済みレジス圧
力 ネＪヒ明り屑Ｊ！設ホす２゛ラフ 第１ 図 ム 第２図
構成図である。 １・・・処理室外箱、 ２・・・酸素吸入口。 ３・・・排気口、 ４・・０紫外線ランプ。 ５ ｅ ａ ＊ウェーハ、 ６・・・使用済みレジス圧
力 ネＪヒ明り屑Ｊ！設ホす２゛ラフ 第１ 図 ム 第２図
Claims (1)
- 紫外線照射の下において、常圧よりも高圧の酸素ガス
と接触させて使用済みのレジストを除去することを特徴
とするレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6566185A JPS61223839A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6566185A JPS61223839A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | レジスト除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61223839A true JPS61223839A (ja) | 1986-10-04 |
Family
ID=13293398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6566185A Pending JPS61223839A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | レジスト除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61223839A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01189653A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
| JPH0296765A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Teru Kyushu Kk | アッシング方法 |
| JPH02130554A (ja) * | 1988-11-10 | 1990-05-18 | Teru Kyushu Kk | アッシング装置 |
| US4936940A (en) * | 1987-06-26 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Equipment for surface treatment |
| JPH0319319A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Tokyo Erekutoron Kyushu Kk | アッシング処理装置および方法 |
| JPH0319318A (ja) * | 1989-06-16 | 1991-01-28 | Tokyo Erekutoron Kyushu Kk | 被処理体処理装置 |
| JPH0383065A (ja) * | 1989-08-28 | 1991-04-09 | Masaru Nishikawa | レジストのパターン形成方法、レジストの除去方法及び基板の洗浄方法 |
| JPH05173336A (ja) * | 1990-11-28 | 1993-07-13 | Canon Inc | レジストの除去方法及び除去装置 |
| KR100839147B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2008-06-19 | 삼성전자주식회사 | 감광막 제거 방법 및 이를 위한 감광막 제거 시스템 |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6566185A patent/JPS61223839A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4936940A (en) * | 1987-06-26 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Equipment for surface treatment |
| JPH01189653A (ja) * | 1988-01-25 | 1989-07-28 | Dainippon Printing Co Ltd | フォトマスクの製造方法 |
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| KR100839147B1 (ko) * | 2002-04-15 | 2008-06-19 | 삼성전자주식회사 | 감광막 제거 방법 및 이를 위한 감광막 제거 시스템 |
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