JPH0319319A - アッシング処理装置および方法 - Google Patents
アッシング処理装置および方法Info
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- JPH0319319A JPH0319319A JP15411889A JP15411889A JPH0319319A JP H0319319 A JPH0319319 A JP H0319319A JP 15411889 A JP15411889 A JP 15411889A JP 15411889 A JP15411889 A JP 15411889A JP H0319319 A JPH0319319 A JP H0319319A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、被処理体処理装置に関する。
゛ｒ導体製造Ｌ程において、フォトレジスト膜を介（３
て下地のエッチングが行われて微細加工の終ｒＬた゛１
′導体ウエー・＼やＬＣＤ基板等の被処理基板について
は、マスクに用いた上記レジスト膜を、この基板表面か
ら除去する必要がある。このために、従来から、アッシ
ング処理が行われている。 従来、このアソシング処理は、例えば半導体ウ工’＼や
ＬＣＤ基板等の被処理基板をチャンバー内に収容し、例
えば抵抗加熱ヒータによって加熱するとともに、このチ
ャンバー内を所定の処理ガス例えばオゾンを含むガスの
常圧雰囲気あるいは減圧雰囲気として、上記処理ガスを
例えば被処理基板上に彼着された有機高分子のフォトレ
ジストに作用させ、灰化して除去する等の方法によって
行われている。
て下地のエッチングが行われて微細加工の終ｒＬた゛１
′導体ウエー・＼やＬＣＤ基板等の被処理基板について
は、マスクに用いた上記レジスト膜を、この基板表面か
ら除去する必要がある。このために、従来から、アッシ
ング処理が行われている。 従来、このアソシング処理は、例えば半導体ウ工’＼や
ＬＣＤ基板等の被処理基板をチャンバー内に収容し、例
えば抵抗加熱ヒータによって加熱するとともに、このチ
ャンバー内を所定の処理ガス例えばオゾンを含むガスの
常圧雰囲気あるいは減圧雰囲気として、上記処理ガスを
例えば被処理基板上に彼着された有機高分子のフォトレ
ジストに作用させ、灰化して除去する等の方法によって
行われている。
ところが、常圧雰囲気あるいは減圧雰囲気中で半導体ウ
エー八等の被処理基板にオゾン等の所定の処理ガスを作
用させる従来のアッシング処理の場含、処理速度が比較
的遅い欠点があった。 そこで、本出願人は、先に特願昭６３−２８４６３８号
（昭和６３年１１月１０日付出願）として、オゾン等の
処理ガスを高圧雰囲気下で被処理基板に作用させてアッ
シング処理を行ない、高密度の処理ガス雰囲気により処
理速度の高速化を図ったアッシング処理方法を提案した
。 ところで、アッシング処理は、反応ガスを被処理基板を
加熱した状態で作用させて行なうが、その前処理として
、フォトレジスト中の溶剤等を除去するとともに、予め
被処理基板を予備加熱するプリヒート処理を施す。この
ブリヒート処理によりアッシング処理のスループットを
向上させることができるものである。 また、アッシング処理の後処理として、加熱された被処
理基板を冷却させるクーリングが行われる。 このため、アッシング処理のためのアツシング用チャン
バーの前には、ブリヒート用チャンバーが設けられると
ともにアッシング用チャンバーの後には、冷却用のクー
リングユニットが設けられる。 ところが、これらアッシング用チャンバー、ブリヒート
用チャンバー クーリングユニットが独立している場合
、アッシング用チャンバーでは、枚葉式の場合には、被
処理基板を、この反応チャンバー内に搬入する毎に、昇
圧、降圧の作業を行なわなければならず、スルーブット
が悪化するという問題がある。 この発明は、以上の欠点に鑑み、高圧雰囲気下で処理ガ
スを反応させて所定の処理を行なう装置において、より
スルーブットの向上を図った被処理体処理装置を提供し
ようとするものである。
エー八等の被処理基板にオゾン等の所定の処理ガスを作
用させる従来のアッシング処理の場含、処理速度が比較
的遅い欠点があった。 そこで、本出願人は、先に特願昭６３−２８４６３８号
（昭和６３年１１月１０日付出願）として、オゾン等の
処理ガスを高圧雰囲気下で被処理基板に作用させてアッ
シング処理を行ない、高密度の処理ガス雰囲気により処
理速度の高速化を図ったアッシング処理方法を提案した
。 ところで、アッシング処理は、反応ガスを被処理基板を
加熱した状態で作用させて行なうが、その前処理として
、フォトレジスト中の溶剤等を除去するとともに、予め
被処理基板を予備加熱するプリヒート処理を施す。この
ブリヒート処理によりアッシング処理のスループットを
向上させることができるものである。 また、アッシング処理の後処理として、加熱された被処
理基板を冷却させるクーリングが行われる。 このため、アッシング処理のためのアツシング用チャン
バーの前には、ブリヒート用チャンバーが設けられると
ともにアッシング用チャンバーの後には、冷却用のクー
リングユニットが設けられる。 ところが、これらアッシング用チャンバー、ブリヒート
用チャンバー クーリングユニットが独立している場合
、アッシング用チャンバーでは、枚葉式の場合には、被
処理基板を、この反応チャンバー内に搬入する毎に、昇
圧、降圧の作業を行なわなければならず、スルーブット
が悪化するという問題がある。 この発明は、以上の欠点に鑑み、高圧雰囲気下で処理ガ
スを反応させて所定の処理を行なう装置において、より
スルーブットの向上を図った被処理体処理装置を提供し
ようとするものである。
この発明による被処理体処理装置は、
肢処理体を加熱するとともに、高圧雰囲気下で、所定の
処理ガスを作用させて所定の処理を行なう装置であって
、 処理用チャンバーの前後に、前処理用チャンバーと後処
理用チャンバーをロードロック室として構成したことを
特徴とする。
処理ガスを作用させて所定の処理を行なう装置であって
、 処理用チャンバーの前後に、前処理用チャンバーと後処
理用チャンバーをロードロック室として構成したことを
特徴とする。
処理用チャンバーの前後に、前処理用チャンバーと後処
理用チャンバーとが、ロードロック室４Ｍ成に連結して
設けられているから、前処理用チャンバー内を高圧状態
にして処理用メインチャンバ一内に被処理体を搬送し、
また、処理用メインチャンバーから後処理用チャンバー
に被処理体を搬送する場合にも後処理用チャンバーを高
圧雰囲気にして行なうことにより、処理用メインチャン
バー内の圧力を等しくした状態で、被処理体を処理する
ことができる。したがって、処理用メインチャンバー内
の圧力を、被処理体毎に、昇圧、降圧作業を行なう必要
はなく、スルーブットの向上を図ることができる。
理用チャンバーとが、ロードロック室４Ｍ成に連結して
設けられているから、前処理用チャンバー内を高圧状態
にして処理用メインチャンバ一内に被処理体を搬送し、
また、処理用メインチャンバーから後処理用チャンバー
に被処理体を搬送する場合にも後処理用チャンバーを高
圧雰囲気にして行なうことにより、処理用メインチャン
バー内の圧力を等しくした状態で、被処理体を処理する
ことができる。したがって、処理用メインチャンバー内
の圧力を、被処理体毎に、昇圧、降圧作業を行なう必要
はなく、スルーブットの向上を図ることができる。
以下、この発明の被処理体処理装置の一実施例を、アッ
シング処理装置に適用した場合を例にとって、装置全体
を示す第１図及び動作説明のための第２図を参照しなが
ら説明する。 アッシング用メインチャンバー１内には、被処理体とし
て例えば半導体ウェーハ２などの基板が載置される加熱
板３と、この加熱板３に対向するようにガス拡散板４が
設けられている。 加熱板３は、例えばＳＵＳやアルミニウムからなる金属
板からなり、加熱手段として例えば図示しない抵抗発熱
ヒータが内蔵されており、その上面に載置された半導体
ウエ／＼２等の基板を加島可能に構成されている。そし
て、この加熱板３には、基板昇降装置１４に接続された
複数本例えば３本のピン１５が加熱板３を貫通する如く
設けられており、半導体ウェーハ２等の基板のロード・
アンロード時には、これらのピン１５上に半導体ウェー
ハ２等の基板を保持するよう構成されている。 また、ガス拡散板４には、半導体ウエーハ２専の被処理
基板との間隔を所望の距離に設定可能とするように拡散
板昇降装置５が接続されている。 また、このガス拡散板４には、図示しないが処理ガス（
オゾンを含むガス）を噴出させるための開口の例として
の図示しない噴出用スリットと、排気ガスを排出させる
ための開口の例として、図示しない排気用スリットとが
交互に多数設けられている。 そして、その噴出用スリットには、流量，凋節装置６を
介して、昇圧装置７が接続されている。この昇圧装置７
としては、例えばブランジャー・ボンブ、ベローズボン
ブ、ダイヤフラムボンブ等の昇圧ボンブが使用できる。 そして、この昇圧装置７には、酸素供給装置８から供給
される酸素からオゾンを発生させるオゾン発生装置つと
、２次ガス供給装置１０から供給される２次ガスを励起
する２次ガス励起装置１１が接続されている。 オゾン発生装置９としては、例えば無声放電、コロナ放
電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置等を
用いることができる。 一万、ガス拡散板４の排気用スリットは、圧力調節装置
１２及び排ガス除外装置１３を介して例えば上場排気系
等に接続されている。 そして、アッシング用メインチャンバー１の両側には、
ブリヒート用チャンバー３０と、クーリングユニット４
０とが、ロードロック室として構成されている。 ブリヒート用チャンバー３０は、矢印で示す半導体ウエ
ーハ２等の基板の搬送方向からみると、アッシング用メ
インチャンバー１の前に設けられ、クーリングユニット
４０はアッシング用メインチャンバー１の後に設けられ
ていることになる。 そして、アッンング用メインチャンバー１とブリヒート
用チャンバー３０との間及びアッシング用メインチャン
バー１とクーリングユニット４０との間には、ロード・
アンロード用開閉機構１６及び１７が設けられている。 また、ブリヒート用チャンバー３０の側部には、ロード
用開閉機＃ｌＩＩ３１が設けられ、さらに、クーリング
ユニット４０の側部には、アンロード用開閉機構４１が
設けられる。 さらに、ブリヒート用チャンバー３０及びクリングユニ
ット４０のそれぞれに対しては、昇圧装置３２及び４２
が接続され、それぞれプリヒート用チャンバー３０内及
びクーリングユニット４０内の圧力が高圧に調整可能と
されている。 また、ブリヒート用チャンバー３０内には、前述の加熱
板３と同様に構成された加熱板３３が設けられる。そし
て、アッシング用メインチャンバー１内と同様に、基板
昇降装置３４に接続された複数本、例えば３本のビン３
５が、この加熱板３３を貫通するように設けられ、半導
体ウエー！）２等の基板のロード◆アンロード時には、
これらのピン３５上に半導体ウェーハを保持するよう構
成されている。 クーリングユニット４０内には、クーリングプレート４
３が設けられ、基板昇降装置４４に接続された複数本、
例えば３本のビン４５が、このクーリングプレートを貫
通するように設けられ、半導体ウエーハ２等の基板のロ
ード・アンロード時には、これらピン４５上に半導体ウ
エーハを保持するように構成されている。 なお、ブリヒート用チャンバー３０の側部のロード用開
閉機構３１の側方には図示しない基板搬送装置及びセン
ダーなどが設けられている。 以上のような構成の装置において、この実施例では次の
ようにして半導体ウェーハ２などの基板のアッシング処
理が行われる。 すなわち、先ず、図示しないセンダーから図示しない搬
送装置により半導体ウェーハ２などの基板をブリヒート
用チャンバー３０のロード用開閉機構３１の側方へ搬送
する（第２図のステップ１０１）。 そして、予め、ブリヒート用チャンバー３０内の加熱板
３３を所定温度例えば５０〜１ ５ ０ ”Ｃに加熱し
、ブリヒート条件を整えておき（同、１０２）、ブリヒ
ート条件が整うと、ロード用開閉機構３１を開として、
ブリヒート用チャンバー３０内へ半導体ウエーハ２など
の基板を搬入し、加熱板３３上に載置する（同、１０３
）。このとき、基板昇降装置３４により、予めビン３５
を加熱板３３上に突出させておく。そして、搬送装置の
搬送アームを挿入して半導体ウェーハ２などの基板をこ
のピン３５上に載置し、搬送アームを後退させた後、ビ
ン３５を下降させて加熱板３３上に半導体ウェーハ２な
どの基板を載置する。 そして、例えば約１０Ｔｏｒｒ程度の減圧下で、半導体
ウェーハ２などの基板に対し、前述したようなブリヒー
ト処理を行なう（同、１０４）。このブリヒート処理に
より、例えば半導体ウエーハ２などの基板表面に被着さ
れたフォトレジスト中の溶剤を効率良く短時間で除去す
ることができるとともに、基板を予め加熱しておくこと
で、後述するアッシング処理における基板加熱時間を短
縮することができる。このブリヒート処理は、例えばャ
ンバー３０内をアツシング処理中のア・ンシング用メイ
ンチャンバー１内と同じ圧力、例えば２〜２０ａ ｔ
ａ程度にしておく。 ブリヒート処理が完了し（同、１０５）、アツシング川
メインチャンバー１で次のウエーノ＼２等の基板の受入
準備が完了している場合には、すなわち１枚前の半導体
ウエーＩ＼２等の基板のアツシング処理が完了して、そ
の処理済みの基板がクーリングユニット４０に搬出され
て、アツシング用メインチャンバー１が待機状！！（そ
の内部圧力はブリヒート用チャンバー３０内と同じ２〜
２０ａｔａとなっている）になっている場合には（同、
１０６）、ロード・アンロード用開閉機構１６を開とし
て、プリヒート処理を終了した半導体ウ工一ハ２等の基
板をこのアッシング用メインチャンバー１内に搬入する
（同、１０７）。 この搬入時、アッシング用メインチャンバー１では、予
め拡散板昇降装置５によりガス拡散板４を上昇させてお
き、加熱板３とガス拡散板４との間に十分な間隙を設け
ておく。そして、基板昇降装置１４によりピン１５を加
熱板３上に突出させておき、図示しない基板搬送装置か
らピン１５上に半導体ウェーハ２等の基板を受け渡す。 この後、前記基板搬送装置の搬送アームを後退させ、基
板昇降装ｗ１４によりビン１５を下降させて加熱板３上
に半導体ウエーハ２等の基板を載置し、拡散板昇降装置
５によりガス拡散板４と半導体ウエーハ２等の基板との
間隔を所定間隔に設定する。 また、このとき、メインチャンバー１内の圧力は、前記
のように、アッシング処理時と同じとなっており、また
、加熱板３は所定温度例えば１５０〜２５０℃に加熱さ
れている。したがって、ブリヒート用チャンバー３０内
の圧力とアッシング用メインチャンバー１内の圧力が等
しく、メインチャンバー１内の圧力に変動はないので、
即座にアッシング処理に移ることができる状態になって
いる。 こうして、半導体ウェーハ２等の基板をアツシング用メ
インチャンバー１内に搬入したらロードやアンロード用
開閉機構１６を閉じる。 そして、プリヒート用チャンバー３０では、加圧下のガ
スをチャンバー外部へ排気して、圧力を常圧まで減圧し
た後、ロード用開閉機構３１が開けられて、次の半導体
ウェーハ２等の基板が搬入され、前述したブリヒート処
理が行われる。 一方、アッシング用メインチャンバー１では、加熱板３
により半導体ウェーＩ＼２等の基板を加熱するとともに
、オゾン発生装置９から供給されるオゾンを含むガスと
、２次ガス励起装置１１から供給される励起された２次
ガスとを、昇圧装置７によって例えば２〜２Ｑａ ｔ
ａ程度に昇圧し、流量調節装置６により例えば３〜３０
Ｎ／■１ｎの流量に調節しながらガス拡散板４の噴出用
スリットから半導体ウェーハ２等の基板に向けて噴出さ
せるとともに、排気用スリットから排気し、高圧アッシ
ング処理を行なう（同、１０８）。 なお、排ガス内に残存するオゾンは、排ガス除去装置１
３によって分解された後、工場排気系等に送られる。ま
た、排気は、圧力調節装置１２によってアッシング用メ
インチャンバー１内の圧力を上記所定圧力（例えば２〜
２０ａ ｔ ａ）に保持するように制御しながら行なう
。 そして、例えば所定時間の処理あるいは排出ガス中の成
分を検出することにより、処理終了を検知する等して高
圧アッシング処理の終了を検知すると（同、１０９）、
高圧アッシング終了処理を行なう（同、１１０）。 そして、クーリングチャンパー４０が、次の半導体ウエ
ーハ２等の基板の受入準備が完了している状態の場合、
つまり、前の半導体ウエーハ２等の基板が、クーリング
処理が完了しアンロード用開閉機構４１を介して外部に
搬出されているとともに、チャンバー４０内の圧力が圧
力調整装置４２により、アッシング用メインチャンバー
１内と同しにされている状態となっている場合には（同
、１− １． １． ） 、ロード・アンロード用開閉
機構１７が開とされて、アッシング処理が完アした半導
体ウ工一ハ２等の基板がクーリングチャンパー４０内に
搬入される（同、１１２）。この場合においても、昇降
装置４４により、ピン４５が突出されていて、その上に
搬入された基板が載置され、しかる後、昇降装置４４に
よってピン４５が下特して、クーリングプレート４３上
に基板が載置される。 その後、ロード・アンロード用開閉機構１７は閉じ、ア
ッシング用メインチャンバー１は、ブリヒート用チャン
バー３０から次の半導体ウエーｌ＼２等の基板の搬入の
受入準備状態とされる。 一方、クーリングユニット４０では、その高圧状態で半
導体ウエーノ＼２等の基板がクーリング処裡され、冷却
される（同、１１３）。 そして、クーリング処理が終了すると（同、１１４）、
図示しない搬送装置により半導体ウエーハ２等の基板を
図示しないレシーバへ搬送し（同、１．１５）、１枚の
半導体ウエーハ２等の基板についての処理を終了する。 なお、アッシング用メインチャンバー１内の汚染を防止
するために、このアッンング用メインチャンバー１内の
圧力は、プリヒート用チャンバー３０及びクーリングユ
ニット４０の処理室内の圧力よりも、高めに設定してお
く方が奸ましい。 なお、実施例では、アッシング対象としてフォトレジス
ト膜の場合について説明したが、インクの除去を始め、
溶剤の除去等、酸化して除夫できるものであれば各種の
ものに適用することができる。また、アッシング処理用
ガスとしてのオゾンを含むガスは酸素に限らず、オゾン
と反応しないガス、特にＮ２，Ａｒ，Ｎｅなどのような
不活性ガスにオゾンを含有させて使用することができる
。 また、被処理体は半導体ウエーハに限らず、ＬＣＤ基板
のほか、ガラス基板上に設けるフォトマスク、プリント
基板等種々適用可能であることはいうまでもない。 また、さらに、この発明は以上のようなアソシング処理
に限らず、例えばＴＥＯＳとオゾンとを用いて成膜する
ＣＶＤｖｅＷや、酸化膜形戊装置にも適用することがで
きるものである。
シング処理装置に適用した場合を例にとって、装置全体
を示す第１図及び動作説明のための第２図を参照しなが
ら説明する。 アッシング用メインチャンバー１内には、被処理体とし
て例えば半導体ウェーハ２などの基板が載置される加熱
板３と、この加熱板３に対向するようにガス拡散板４が
設けられている。 加熱板３は、例えばＳＵＳやアルミニウムからなる金属
板からなり、加熱手段として例えば図示しない抵抗発熱
ヒータが内蔵されており、その上面に載置された半導体
ウエ／＼２等の基板を加島可能に構成されている。そし
て、この加熱板３には、基板昇降装置１４に接続された
複数本例えば３本のピン１５が加熱板３を貫通する如く
設けられており、半導体ウェーハ２等の基板のロード・
アンロード時には、これらのピン１５上に半導体ウェー
ハ２等の基板を保持するよう構成されている。 また、ガス拡散板４には、半導体ウエーハ２専の被処理
基板との間隔を所望の距離に設定可能とするように拡散
板昇降装置５が接続されている。 また、このガス拡散板４には、図示しないが処理ガス（
オゾンを含むガス）を噴出させるための開口の例として
の図示しない噴出用スリットと、排気ガスを排出させる
ための開口の例として、図示しない排気用スリットとが
交互に多数設けられている。 そして、その噴出用スリットには、流量，凋節装置６を
介して、昇圧装置７が接続されている。この昇圧装置７
としては、例えばブランジャー・ボンブ、ベローズボン
ブ、ダイヤフラムボンブ等の昇圧ボンブが使用できる。 そして、この昇圧装置７には、酸素供給装置８から供給
される酸素からオゾンを発生させるオゾン発生装置つと
、２次ガス供給装置１０から供給される２次ガスを励起
する２次ガス励起装置１１が接続されている。 オゾン発生装置９としては、例えば無声放電、コロナ放
電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置等を
用いることができる。 一万、ガス拡散板４の排気用スリットは、圧力調節装置
１２及び排ガス除外装置１３を介して例えば上場排気系
等に接続されている。 そして、アッシング用メインチャンバー１の両側には、
ブリヒート用チャンバー３０と、クーリングユニット４
０とが、ロードロック室として構成されている。 ブリヒート用チャンバー３０は、矢印で示す半導体ウエ
ーハ２等の基板の搬送方向からみると、アッシング用メ
インチャンバー１の前に設けられ、クーリングユニット
４０はアッシング用メインチャンバー１の後に設けられ
ていることになる。 そして、アッンング用メインチャンバー１とブリヒート
用チャンバー３０との間及びアッシング用メインチャン
バー１とクーリングユニット４０との間には、ロード・
アンロード用開閉機構１６及び１７が設けられている。 また、ブリヒート用チャンバー３０の側部には、ロード
用開閉機＃ｌＩＩ３１が設けられ、さらに、クーリング
ユニット４０の側部には、アンロード用開閉機構４１が
設けられる。 さらに、ブリヒート用チャンバー３０及びクリングユニ
ット４０のそれぞれに対しては、昇圧装置３２及び４２
が接続され、それぞれプリヒート用チャンバー３０内及
びクーリングユニット４０内の圧力が高圧に調整可能と
されている。 また、ブリヒート用チャンバー３０内には、前述の加熱
板３と同様に構成された加熱板３３が設けられる。そし
て、アッシング用メインチャンバー１内と同様に、基板
昇降装置３４に接続された複数本、例えば３本のビン３
５が、この加熱板３３を貫通するように設けられ、半導
体ウエー！）２等の基板のロード◆アンロード時には、
これらのピン３５上に半導体ウェーハを保持するよう構
成されている。 クーリングユニット４０内には、クーリングプレート４
３が設けられ、基板昇降装置４４に接続された複数本、
例えば３本のビン４５が、このクーリングプレートを貫
通するように設けられ、半導体ウエーハ２等の基板のロ
ード・アンロード時には、これらピン４５上に半導体ウ
エーハを保持するように構成されている。 なお、ブリヒート用チャンバー３０の側部のロード用開
閉機構３１の側方には図示しない基板搬送装置及びセン
ダーなどが設けられている。 以上のような構成の装置において、この実施例では次の
ようにして半導体ウェーハ２などの基板のアッシング処
理が行われる。 すなわち、先ず、図示しないセンダーから図示しない搬
送装置により半導体ウェーハ２などの基板をブリヒート
用チャンバー３０のロード用開閉機構３１の側方へ搬送
する（第２図のステップ１０１）。 そして、予め、ブリヒート用チャンバー３０内の加熱板
３３を所定温度例えば５０〜１ ５ ０ ”Ｃに加熱し
、ブリヒート条件を整えておき（同、１０２）、ブリヒ
ート条件が整うと、ロード用開閉機構３１を開として、
ブリヒート用チャンバー３０内へ半導体ウエーハ２など
の基板を搬入し、加熱板３３上に載置する（同、１０３
）。このとき、基板昇降装置３４により、予めビン３５
を加熱板３３上に突出させておく。そして、搬送装置の
搬送アームを挿入して半導体ウェーハ２などの基板をこ
のピン３５上に載置し、搬送アームを後退させた後、ビ
ン３５を下降させて加熱板３３上に半導体ウェーハ２な
どの基板を載置する。 そして、例えば約１０Ｔｏｒｒ程度の減圧下で、半導体
ウェーハ２などの基板に対し、前述したようなブリヒー
ト処理を行なう（同、１０４）。このブリヒート処理に
より、例えば半導体ウエーハ２などの基板表面に被着さ
れたフォトレジスト中の溶剤を効率良く短時間で除去す
ることができるとともに、基板を予め加熱しておくこと
で、後述するアッシング処理における基板加熱時間を短
縮することができる。このブリヒート処理は、例えばャ
ンバー３０内をアツシング処理中のア・ンシング用メイ
ンチャンバー１内と同じ圧力、例えば２〜２０ａ ｔ
ａ程度にしておく。 ブリヒート処理が完了し（同、１０５）、アツシング川
メインチャンバー１で次のウエーノ＼２等の基板の受入
準備が完了している場合には、すなわち１枚前の半導体
ウエーＩ＼２等の基板のアツシング処理が完了して、そ
の処理済みの基板がクーリングユニット４０に搬出され
て、アツシング用メインチャンバー１が待機状！！（そ
の内部圧力はブリヒート用チャンバー３０内と同じ２〜
２０ａｔａとなっている）になっている場合には（同、
１０６）、ロード・アンロード用開閉機構１６を開とし
て、プリヒート処理を終了した半導体ウ工一ハ２等の基
板をこのアッシング用メインチャンバー１内に搬入する
（同、１０７）。 この搬入時、アッシング用メインチャンバー１では、予
め拡散板昇降装置５によりガス拡散板４を上昇させてお
き、加熱板３とガス拡散板４との間に十分な間隙を設け
ておく。そして、基板昇降装置１４によりピン１５を加
熱板３上に突出させておき、図示しない基板搬送装置か
らピン１５上に半導体ウェーハ２等の基板を受け渡す。 この後、前記基板搬送装置の搬送アームを後退させ、基
板昇降装ｗ１４によりビン１５を下降させて加熱板３上
に半導体ウエーハ２等の基板を載置し、拡散板昇降装置
５によりガス拡散板４と半導体ウエーハ２等の基板との
間隔を所定間隔に設定する。 また、このとき、メインチャンバー１内の圧力は、前記
のように、アッシング処理時と同じとなっており、また
、加熱板３は所定温度例えば１５０〜２５０℃に加熱さ
れている。したがって、ブリヒート用チャンバー３０内
の圧力とアッシング用メインチャンバー１内の圧力が等
しく、メインチャンバー１内の圧力に変動はないので、
即座にアッシング処理に移ることができる状態になって
いる。 こうして、半導体ウェーハ２等の基板をアツシング用メ
インチャンバー１内に搬入したらロードやアンロード用
開閉機構１６を閉じる。 そして、プリヒート用チャンバー３０では、加圧下のガ
スをチャンバー外部へ排気して、圧力を常圧まで減圧し
た後、ロード用開閉機構３１が開けられて、次の半導体
ウェーハ２等の基板が搬入され、前述したブリヒート処
理が行われる。 一方、アッシング用メインチャンバー１では、加熱板３
により半導体ウェーＩ＼２等の基板を加熱するとともに
、オゾン発生装置９から供給されるオゾンを含むガスと
、２次ガス励起装置１１から供給される励起された２次
ガスとを、昇圧装置７によって例えば２〜２Ｑａ ｔ
ａ程度に昇圧し、流量調節装置６により例えば３〜３０
Ｎ／■１ｎの流量に調節しながらガス拡散板４の噴出用
スリットから半導体ウェーハ２等の基板に向けて噴出さ
せるとともに、排気用スリットから排気し、高圧アッシ
ング処理を行なう（同、１０８）。 なお、排ガス内に残存するオゾンは、排ガス除去装置１
３によって分解された後、工場排気系等に送られる。ま
た、排気は、圧力調節装置１２によってアッシング用メ
インチャンバー１内の圧力を上記所定圧力（例えば２〜
２０ａ ｔ ａ）に保持するように制御しながら行なう
。 そして、例えば所定時間の処理あるいは排出ガス中の成
分を検出することにより、処理終了を検知する等して高
圧アッシング処理の終了を検知すると（同、１０９）、
高圧アッシング終了処理を行なう（同、１１０）。 そして、クーリングチャンパー４０が、次の半導体ウエ
ーハ２等の基板の受入準備が完了している状態の場合、
つまり、前の半導体ウエーハ２等の基板が、クーリング
処理が完了しアンロード用開閉機構４１を介して外部に
搬出されているとともに、チャンバー４０内の圧力が圧
力調整装置４２により、アッシング用メインチャンバー
１内と同しにされている状態となっている場合には（同
、１− １． １． ） 、ロード・アンロード用開閉
機構１７が開とされて、アッシング処理が完アした半導
体ウ工一ハ２等の基板がクーリングチャンパー４０内に
搬入される（同、１１２）。この場合においても、昇降
装置４４により、ピン４５が突出されていて、その上に
搬入された基板が載置され、しかる後、昇降装置４４に
よってピン４５が下特して、クーリングプレート４３上
に基板が載置される。 その後、ロード・アンロード用開閉機構１７は閉じ、ア
ッシング用メインチャンバー１は、ブリヒート用チャン
バー３０から次の半導体ウエーｌ＼２等の基板の搬入の
受入準備状態とされる。 一方、クーリングユニット４０では、その高圧状態で半
導体ウエーノ＼２等の基板がクーリング処裡され、冷却
される（同、１１３）。 そして、クーリング処理が終了すると（同、１１４）、
図示しない搬送装置により半導体ウエーハ２等の基板を
図示しないレシーバへ搬送し（同、１．１５）、１枚の
半導体ウエーハ２等の基板についての処理を終了する。 なお、アッシング用メインチャンバー１内の汚染を防止
するために、このアッンング用メインチャンバー１内の
圧力は、プリヒート用チャンバー３０及びクーリングユ
ニット４０の処理室内の圧力よりも、高めに設定してお
く方が奸ましい。 なお、実施例では、アッシング対象としてフォトレジス
ト膜の場合について説明したが、インクの除去を始め、
溶剤の除去等、酸化して除夫できるものであれば各種の
ものに適用することができる。また、アッシング処理用
ガスとしてのオゾンを含むガスは酸素に限らず、オゾン
と反応しないガス、特にＮ２，Ａｒ，Ｎｅなどのような
不活性ガスにオゾンを含有させて使用することができる
。 また、被処理体は半導体ウエーハに限らず、ＬＣＤ基板
のほか、ガラス基板上に設けるフォトマスク、プリント
基板等種々適用可能であることはいうまでもない。 また、さらに、この発明は以上のようなアソシング処理
に限らず、例えばＴＥＯＳとオゾンとを用いて成膜する
ＣＶＤｖｅＷや、酸化膜形戊装置にも適用することがで
きるものである。
以上説明したように、この発明による被処理体処理装置
では、処理用メインチャンバーにおいて高圧処理ガス雰
囲気下で、処理を行なうから、高密度の処理ガス雰囲気
により短時間で処理を行なうことができるとともに、処
理用メインチャンバ、例えばアッシング用メインチャン
バーの前後に、前処理用チャンバーとしてのブリヒート
用チャンバー及び後処理用チャンバーとしての冷却用ク
ーリングユニットをロードロックとして構或して連桔し
たので、最少限度の基板搬送時間でアッンング処理をす
ることができ、スルーブットを向」ニさせることができ
る。
では、処理用メインチャンバーにおいて高圧処理ガス雰
囲気下で、処理を行なうから、高密度の処理ガス雰囲気
により短時間で処理を行なうことができるとともに、処
理用メインチャンバ、例えばアッシング用メインチャン
バーの前後に、前処理用チャンバーとしてのブリヒート
用チャンバー及び後処理用チャンバーとしての冷却用ク
ーリングユニットをロードロックとして構或して連桔し
たので、最少限度の基板搬送時間でアッンング処理をす
ることができ、スルーブットを向」ニさせることができ
る。
第１図はこの発明による被処理体処理装置の一実施例の
構成を示す図、第２図はその処理手順を説明するための
図である。 １；アッシング用メインチャンバー ２；半導体ウェーハ ３．３３；加熱板 ４：ガス拡散板 ７，３２，４２；昇圧装置 １５，３５，４５；ピン １６，１．７；ロード・アンロ ３０；プリヒート用チャンバー ３１：ロード用開閉機構 ４０；クーリングユニット ４１：アンロード用開閉機構 ４３；クーリングプレート ド用開閉機構
構成を示す図、第２図はその処理手順を説明するための
図である。 １；アッシング用メインチャンバー ２；半導体ウェーハ ３．３３；加熱板 ４：ガス拡散板 ７，３２，４２；昇圧装置 １５，３５，４５；ピン １６，１．７；ロード・アンロ ３０；プリヒート用チャンバー ３１：ロード用開閉機構 ４０；クーリングユニット ４１：アンロード用開閉機構 ４３；クーリングプレート ド用開閉機構
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体を加熱するとともに、高圧雰囲気下で、所定の
処理ガスを作用させて所定の処理を行なう装置であって
、 処理用メインチャンバーの前後に、前処理用チャンバー
と後処理用チャンバーをロードロック室として構成した
ことを特徴とする被処理体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154118A JP2756502B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | アッシング処理装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1154118A JP2756502B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | アッシング処理装置および方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0319319A true JPH0319319A (ja) | 1991-01-28 |
| JP2756502B2 JP2756502B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=15577318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1154118A Expired - Fee Related JP2756502B2 (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | アッシング処理装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2756502B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH084775B2 (ja) * | 1991-05-08 | 1996-01-24 | ナウチュノ・プロイズヴォドストヴェンナヤ フィルマ アクトシオネルノエ オブシェストヴォ ザクリトゴ ティパ“テクノロジア オボルドヴァニエ マテリアリ”（アー／オー“トム”） | 物品の表面に塗った保護用ポリマー被覆剤中の溶液の乾燥方法 |
| US5939241A (en) * | 1997-10-17 | 1999-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of preventing photoresist residue on metal lines |
| KR100270459B1 (ko) * | 1996-05-21 | 2000-12-01 | 니시히라 쥰지 | 멀티챔버 스퍼터링 장치 |
| WO2001072094A1 (en) * | 2000-03-20 | 2001-09-27 | Tokyo Electron Limited | High speed photoresist stripping chamber |
| JP2002343708A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Toshiba Corp | 基板処理装置および熱処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152971A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-26 | Ulvac Corp | Sputtering device |
| JPS61223839A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Fujitsu Ltd | レジスト除去方法 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP1154118A patent/JP2756502B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56152971A (en) * | 1980-04-25 | 1981-11-26 | Ulvac Corp | Sputtering device |
| JPS61223839A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-04 | Fujitsu Ltd | レジスト除去方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH084775B2 (ja) * | 1991-05-08 | 1996-01-24 | ナウチュノ・プロイズヴォドストヴェンナヤ フィルマ アクトシオネルノエ オブシェストヴォ ザクリトゴ ティパ“テクノロジア オボルドヴァニエ マテリアリ”（アー／オー“トム”） | 物品の表面に塗った保護用ポリマー被覆剤中の溶液の乾燥方法 |
| KR100270459B1 (ko) * | 1996-05-21 | 2000-12-01 | 니시히라 쥰지 | 멀티챔버 스퍼터링 장치 |
| US5939241A (en) * | 1997-10-17 | 1999-08-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of preventing photoresist residue on metal lines |
| WO2001072094A1 (en) * | 2000-03-20 | 2001-09-27 | Tokyo Electron Limited | High speed photoresist stripping chamber |
| JP2002343708A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Toshiba Corp | 基板処理装置および熱処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2756502B2 (ja) | 1998-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |