JPH0330315A - 被処理体処理装置 - Google Patents
被処理体処理装置Info
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- JPH0330315A JPH0330315A JP16509989A JP16509989A JPH0330315A JP H0330315 A JPH0330315 A JP H0330315A JP 16509989 A JP16509989 A JP 16509989A JP 16509989 A JP16509989 A JP 16509989A JP H0330315 A JPH0330315 A JP H0330315A
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Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、例えば半導体ウェーｌ＼やＬＣＤ（液晶表
示素子）基板のような被処理体の被処理装置に関する。
示素子）基板のような被処理体の被処理装置に関する。
半導体製造工程において、フォトレジスト膜を介して下
地のエツチングが行われて微細加工の終了した半導体ウ
ェーハやＬＣＤ基板等の被処理基板については、マスク
に用いた上記レジスト膜を、この基板表面から除去する
必要がある。このような場合のフォトレジスト膜の除去
処理例として、従来から、アッシング処理が行われてい
る。 このアッシング処理は、露出される下）Ｉ！！膜を傷め
ることなく不要なレジスト膜を選択的に除去できる点で
実用される。また、このアッシング処理は、レジストの
除去、シリコンウェーハ、マスクの洗浄の他、インクの
除去、溶剤残留物の除去などにも使用され、半導体プロ
セスのドライクリーニング処理を行う場合にも適するも
のである。 この種のアッシング装置のうち、オゾンを含汀するガス
を用いたものとして、例えば特開昭５２−２０７８８号
広報に開示された装置が知られている。 これは、例えば半導体ウェー／％をチャンバー内の加熱
板上に載置し、これを例えば抵抗加熱ヒータによって加
熱するとともに、半導体ウエーノ１の上方に複数のアッ
シングガス噴出口を備えたガス拡散板を設け、上記アッ
シングガス噴出口から半導体ウェーハ表面にアッシング
ガスを噴射して、このガスを半導体ウェーハに被着され
た有機高分子のフォトレジストに作用させ、灰化して除
去するものである。
地のエツチングが行われて微細加工の終了した半導体ウ
ェーハやＬＣＤ基板等の被処理基板については、マスク
に用いた上記レジスト膜を、この基板表面から除去する
必要がある。このような場合のフォトレジスト膜の除去
処理例として、従来から、アッシング処理が行われてい
る。 このアッシング処理は、露出される下）Ｉ！！膜を傷め
ることなく不要なレジスト膜を選択的に除去できる点で
実用される。また、このアッシング処理は、レジストの
除去、シリコンウェーハ、マスクの洗浄の他、インクの
除去、溶剤残留物の除去などにも使用され、半導体プロ
セスのドライクリーニング処理を行う場合にも適するも
のである。 この種のアッシング装置のうち、オゾンを含汀するガス
を用いたものとして、例えば特開昭５２−２０７８８号
広報に開示された装置が知られている。 これは、例えば半導体ウェー／％をチャンバー内の加熱
板上に載置し、これを例えば抵抗加熱ヒータによって加
熱するとともに、半導体ウエーノ１の上方に複数のアッ
シングガス噴出口を備えたガス拡散板を設け、上記アッ
シングガス噴出口から半導体ウェーハ表面にアッシング
ガスを噴射して、このガスを半導体ウェーハに被着され
た有機高分子のフォトレジストに作用させ、灰化して除
去するものである。
しかし、酸素ガスに無声放電や沿面放電なとを行い、オ
ゾン気体を発生させても、酸素ガス中１０〜１５ｗｔ％
オゾン含有のものしか得られず、このため反応性が低く
、また、処理速度も比較的遅いという問題があった。 この発明は以上の点にかんがみ、極めて反応性が高く、
高速処理を可能にした被処理体処理装置を提供すること
を目的とする。
ゾン気体を発生させても、酸素ガス中１０〜１５ｗｔ％
オゾン含有のものしか得られず、このため反応性が低く
、また、処理速度も比較的遅いという問題があった。 この発明は以上の点にかんがみ、極めて反応性が高く、
高速処理を可能にした被処理体処理装置を提供すること
を目的とする。
この発明は、被処理体に所定の反応ガスを供給して所定
の処理を行う被処理体処理装置において、上記被処理体
を、上記所定の反応ガスがこの被処理体表面において凝
縮する温度まで冷却して、上記被処理体を上記反応ガス
が液化された液体によって処理するようにしたことを特
徴とする。
の処理を行う被処理体処理装置において、上記被処理体
を、上記所定の反応ガスがこの被処理体表面において凝
縮する温度まで冷却して、上記被処理体を上記反応ガス
が液化された液体によって処理するようにしたことを特
徴とする。
上記の構成によれば、被処理体が冷却されており、反応
ガスは、被処理体の表面で凝縮して液化し、この液化物
により被処理体が処理される。（。 たがって、極めて反応性が高く、高速の処理が可能にな
る。 【実施例］ 以下、この発明による被処理体処理装置をアッシング処
理装置に適用した場合の一実施例を図を参照しながら説
明する。 第１図で、１はアッシング処理用反応チャンバーで、こ
の反応チャンバー１内には、被処理体としての例えば半
導体ウェーハ２が載置される載置台３と、この載置台３
に対向するようにガス拡散板４が設けられている。 載置台３は、例えばＳＵＳやアルミニウムからなる金属
板からなり、例えばジャケット構造をしており、これに
冷却装置５からの液体窒素が流されて、載置台３が冷却
され、これに載置される被処理体である半導体ウェーハ
２が冷却される。この場合、載置台３、したがって半導
体ウェーハ２は、その表面にオゾンが凝縮する温度にま
で冷却されるようにされている。すなわち、液体オゾン
の沸点は−１１１，９℃であるから、被処理体である半
導体ウェーハ２の表面ハ、−１１１，９℃以下にまで冷
却されるものである。 また、載置台３には、基板昇降装置６に接続された複数
本例えば３本のビン７が載置台３を貫通する如く設けら
れており、半導体ウェーハ２のロード拳アンロード時に
は、これらのビン７上に半導体ウェーハ２を保持するよ
う構成されている。 また、ガス拡散板４には、図示しないが処理ガス（オゾ
ンを含むガス）を噴出させるための開口の例としての図
示しない噴出用スリットと、排気ガスを排出させるため
の開口の例として、図示しない排気用スリットとが交互
に多数設けられている。そして、二のガス拡散板４に対
しても、冷却装置ｆ８が接続され、これによりガス拡散
板４は、上記液体オゾンの沸点以上であるが、沸点に近
い温度まで冷却されるようにされている。 そして、ガス拡散板４の噴出用スリットには、ガス流Ｊ
Ｌ５１ｍ装置９が接続されている。このガス流量調節装
置９には、オゾン発生装置１０が接続され、このオゾン
発生装置１０には酸素供給装置１１が接続されている。 オゾン発生装置１０としては、例えば無肖放７さ、コロ
ナ放電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置
等を用いることができる。 一方、ガス拡散板４の排気用スリットは、排気装置１２
を介して例えば工場排気系等に接続されている。 以上のような構成の装置において、この実施例では次の
ようにして半導体ウェーハ２などの、！！仮のアッシン
グ処理が行われる。 先ず、図示しないセンダーから図示しない搬送装置によ
り半導体ウェーハ２などの基板は、アッシング用反応チ
ャンバー１内に搬入される。 この搬入時、アッシング用チャンバー１では、基板昇降
装置６によりビン７を載置台３上に突出させておき、図
示しない基板搬送装置からピン７上に半導体ウェーハ２
等の基板を受は渡す。この後、基板搬送装置の搬送アー
ムを後退させ、基板昇降装置６によりビン７を下降させ
て載置台３上に半導体ウェーハ２等の基板を載置する。 こうして、半導体ウェーハ２等の被処理基板をアッシン
グ用チャンバー１内に搬入したらアッシング処理を開始
する。 アッシング用反応チャンバー１では、載置台３を、冷却
装置５により−１１１，９℃以下のオゾンの凝縮温度ま
で冷却し、これにより半導体つ工−ハ２の表面の温度を
上記凝縮温度にまで冷却するようにする。また、ガス拡
散板４を、冷却装置８により−１１１，９℃より若干高
い温度にまで冷却する。なお、反応チャンバー１内は、
例えば＝３０〜３０℃に保たれている。 そして、酸素供給装置１１から供給される酸素からオゾ
ン発生装置１０によってオゾンを発生し、このオゾンを
含む酸素ガスを、流量調節装置９により例えば３〜３０
．ｅ／ｓｉｎの流量に調節しながらガス拡散板４の噴出
用スリットから半導体つ工−ハ２等の基板に向けて噴出
すると共に、排気用スリットから排気する。 この場合、オゾンは、ガス拡散板４によって、凝縮温度
近傍まで冷やされた後、半導体ウェーハ２の表面に到達
することになる。半導体ウェーハ２の表面は、オゾンの
凝縮温度以下になっているので、半導体ウェーハ２の表
面に到達したオゾンは、この表面において液体となる。 そして、この液体オゾンが半導体ウェーハ２の表面のレ
ジスト等の有機物に対し作用し、これら有機物を灰化し
て除去する。液体オゾンは、オゾン１００ｖｔ％である
から、極めて反応性の高い、高速アッシングが行われる
ものである。このとき、液体オゾンは、Ｈ２ＳＯ，等の
ような通常のウェット洗浄液と同様に、無機物を洗い落
とす効果も認められる。もっとも、その後必要があれば
、通常の洗浄液、例えばＨ２ＳＯ，、Ｈ２Ｏ２、ＨＣ１
，ＨＦ等を含有した洗浄液で、さらに洗浄を行っても良
い。 なお、排気装置１２は、反応生成物や余剰のガス等を排
気して反応チャンバー１内の気体圧力を調整する。 そして、例えば所定時間の処理あるいは排出ガス中の成
分を検出することにより、処理終了を検知する等してア
ッシング処理の終了を検知すると、アッシング終了処理
を行なう。 なお、実施例では、アッシング対象としてフォトレジス
ト膜の場合について説明したが、インクの除去を始め、
溶剤の除去等、酸化して除去できるものであれば各種の
ものに適用することができる。また、オゾンを含むガス
は酸素に限らず、オゾンと反応しないガス、特にＮ ２
、 Ａ ｒ ＋ Ｎ ｅなどのような不活性ガスにオ
ゾンを含有させて使用することができる。 また、被処理体はｌ（導体ウェーハに限らず、ＬＣＤ、
Ｍ板のほか、ガラス基板上に設けるフォトマスク、プリ
ント基板等種々適用可能であることはいうまでもない。 また、さらに、この発明は以上のようなアッシング処理
に限らず、例えばＴＥ０１とオゾンとを用いて成、膜す
るＣＶＤ装置や、酸化膜形成装置にも適用することがで
きるものである。 【′９！明の効果］ この発明によれば、被処理体を反応ガスの凝縮温度以下
に冷却しておき、反応ガスを被処理体の表面で液化させ
て、この液化後の液体によって被処理体に対し所定の処
理を行う。したがって、重量％が１００ｗｔ％の液体で
反応処理が行われるので、極めて反応性の高い処理がで
きると共に、高速処理ができる。 しかも、反応ガスを被処理体表面で液化するものであり
、被処理体までの供給経路はガスを吸えば良いので、装
置の構成が、供給経路で液体を扱う場合に比してｗｒＩ
ｔＩｉになる。
ガスは、被処理体の表面で凝縮して液化し、この液化物
により被処理体が処理される。（。 たがって、極めて反応性が高く、高速の処理が可能にな
る。 【実施例］ 以下、この発明による被処理体処理装置をアッシング処
理装置に適用した場合の一実施例を図を参照しながら説
明する。 第１図で、１はアッシング処理用反応チャンバーで、こ
の反応チャンバー１内には、被処理体としての例えば半
導体ウェーハ２が載置される載置台３と、この載置台３
に対向するようにガス拡散板４が設けられている。 載置台３は、例えばＳＵＳやアルミニウムからなる金属
板からなり、例えばジャケット構造をしており、これに
冷却装置５からの液体窒素が流されて、載置台３が冷却
され、これに載置される被処理体である半導体ウェーハ
２が冷却される。この場合、載置台３、したがって半導
体ウェーハ２は、その表面にオゾンが凝縮する温度にま
で冷却されるようにされている。すなわち、液体オゾン
の沸点は−１１１，９℃であるから、被処理体である半
導体ウェーハ２の表面ハ、−１１１，９℃以下にまで冷
却されるものである。 また、載置台３には、基板昇降装置６に接続された複数
本例えば３本のビン７が載置台３を貫通する如く設けら
れており、半導体ウェーハ２のロード拳アンロード時に
は、これらのビン７上に半導体ウェーハ２を保持するよ
う構成されている。 また、ガス拡散板４には、図示しないが処理ガス（オゾ
ンを含むガス）を噴出させるための開口の例としての図
示しない噴出用スリットと、排気ガスを排出させるため
の開口の例として、図示しない排気用スリットとが交互
に多数設けられている。そして、二のガス拡散板４に対
しても、冷却装置ｆ８が接続され、これによりガス拡散
板４は、上記液体オゾンの沸点以上であるが、沸点に近
い温度まで冷却されるようにされている。 そして、ガス拡散板４の噴出用スリットには、ガス流Ｊ
Ｌ５１ｍ装置９が接続されている。このガス流量調節装
置９には、オゾン発生装置１０が接続され、このオゾン
発生装置１０には酸素供給装置１１が接続されている。 オゾン発生装置１０としては、例えば無肖放７さ、コロ
ナ放電、グロー放電等によってオゾンを発生させる装置
等を用いることができる。 一方、ガス拡散板４の排気用スリットは、排気装置１２
を介して例えば工場排気系等に接続されている。 以上のような構成の装置において、この実施例では次の
ようにして半導体ウェーハ２などの、！！仮のアッシン
グ処理が行われる。 先ず、図示しないセンダーから図示しない搬送装置によ
り半導体ウェーハ２などの基板は、アッシング用反応チ
ャンバー１内に搬入される。 この搬入時、アッシング用チャンバー１では、基板昇降
装置６によりビン７を載置台３上に突出させておき、図
示しない基板搬送装置からピン７上に半導体ウェーハ２
等の基板を受は渡す。この後、基板搬送装置の搬送アー
ムを後退させ、基板昇降装置６によりビン７を下降させ
て載置台３上に半導体ウェーハ２等の基板を載置する。 こうして、半導体ウェーハ２等の被処理基板をアッシン
グ用チャンバー１内に搬入したらアッシング処理を開始
する。 アッシング用反応チャンバー１では、載置台３を、冷却
装置５により−１１１，９℃以下のオゾンの凝縮温度ま
で冷却し、これにより半導体つ工−ハ２の表面の温度を
上記凝縮温度にまで冷却するようにする。また、ガス拡
散板４を、冷却装置８により−１１１，９℃より若干高
い温度にまで冷却する。なお、反応チャンバー１内は、
例えば＝３０〜３０℃に保たれている。 そして、酸素供給装置１１から供給される酸素からオゾ
ン発生装置１０によってオゾンを発生し、このオゾンを
含む酸素ガスを、流量調節装置９により例えば３〜３０
．ｅ／ｓｉｎの流量に調節しながらガス拡散板４の噴出
用スリットから半導体つ工−ハ２等の基板に向けて噴出
すると共に、排気用スリットから排気する。 この場合、オゾンは、ガス拡散板４によって、凝縮温度
近傍まで冷やされた後、半導体ウェーハ２の表面に到達
することになる。半導体ウェーハ２の表面は、オゾンの
凝縮温度以下になっているので、半導体ウェーハ２の表
面に到達したオゾンは、この表面において液体となる。 そして、この液体オゾンが半導体ウェーハ２の表面のレ
ジスト等の有機物に対し作用し、これら有機物を灰化し
て除去する。液体オゾンは、オゾン１００ｖｔ％である
から、極めて反応性の高い、高速アッシングが行われる
ものである。このとき、液体オゾンは、Ｈ２ＳＯ，等の
ような通常のウェット洗浄液と同様に、無機物を洗い落
とす効果も認められる。もっとも、その後必要があれば
、通常の洗浄液、例えばＨ２ＳＯ，、Ｈ２Ｏ２、ＨＣ１
，ＨＦ等を含有した洗浄液で、さらに洗浄を行っても良
い。 なお、排気装置１２は、反応生成物や余剰のガス等を排
気して反応チャンバー１内の気体圧力を調整する。 そして、例えば所定時間の処理あるいは排出ガス中の成
分を検出することにより、処理終了を検知する等してア
ッシング処理の終了を検知すると、アッシング終了処理
を行なう。 なお、実施例では、アッシング対象としてフォトレジス
ト膜の場合について説明したが、インクの除去を始め、
溶剤の除去等、酸化して除去できるものであれば各種の
ものに適用することができる。また、オゾンを含むガス
は酸素に限らず、オゾンと反応しないガス、特にＮ ２
、 Ａ ｒ ＋ Ｎ ｅなどのような不活性ガスにオ
ゾンを含有させて使用することができる。 また、被処理体はｌ（導体ウェーハに限らず、ＬＣＤ、
Ｍ板のほか、ガラス基板上に設けるフォトマスク、プリ
ント基板等種々適用可能であることはいうまでもない。 また、さらに、この発明は以上のようなアッシング処理
に限らず、例えばＴＥ０１とオゾンとを用いて成、膜す
るＣＶＤ装置や、酸化膜形成装置にも適用することがで
きるものである。 【′９！明の効果］ この発明によれば、被処理体を反応ガスの凝縮温度以下
に冷却しておき、反応ガスを被処理体の表面で液化させ
て、この液化後の液体によって被処理体に対し所定の処
理を行う。したがって、重量％が１００ｗｔ％の液体で
反応処理が行われるので、極めて反応性の高い処理がで
きると共に、高速処理ができる。 しかも、反応ガスを被処理体表面で液化するものであり
、被処理体までの供給経路はガスを吸えば良いので、装
置の構成が、供給経路で液体を扱う場合に比してｗｒＩ
ｔＩｉになる。
第１図は、この発明による被処理体処理装置の一実施例
の構成を示す図である。 １；反応チャンバー ２；半導体ウェーハ ３：載置台 ４；ガス拡散板 ５．８；冷却装置 ９ ； 流量調節装置 １０；オゾン発生装置 １１；酸素供給装置
の構成を示す図である。 １；反応チャンバー ２；半導体ウェーハ ３：載置台 ４；ガス拡散板 ５．８；冷却装置 ９ ； 流量調節装置 １０；オゾン発生装置 １１；酸素供給装置
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体に所定の反応ガスを供給して所定の処理を行う
処理装置において、 上記被処理体を、上記所定の反応ガスがこの被処理体表
面において凝縮する温度まで冷却して、上記被処理体を
上記反応ガスが液化された液体によって処理するように
したことを特徴とする被処理体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16509989A JPH0330315A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 被処理体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16509989A JPH0330315A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 被処理体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330315A true JPH0330315A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15805872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16509989A Pending JPH0330315A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 被処理体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330315A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5269952A (en) * | 1992-12-21 | 1993-12-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Antistatic finish for dyeable surfactant-containing poly(m-phenylene isophthalamide) fibers |
| US5555902A (en) * | 1993-04-26 | 1996-09-17 | Sematech, Inc. | Submicron particle removal using liquid nitrogen |
| US5857474A (en) * | 1995-12-28 | 1999-01-12 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for washing a substrate |
| JP2006529057A (ja) * | 2003-05-22 | 2006-12-28 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 少なくとも一つの光学要素を洗浄する方法および装置 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16509989A patent/JPH0330315A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5269952A (en) * | 1992-12-21 | 1993-12-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Antistatic finish for dyeable surfactant-containing poly(m-phenylene isophthalamide) fibers |
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