JPH06236864A - エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備 - Google Patents
エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備Info
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- JPH06236864A JPH06236864A JP5342731A JP34273193A JPH06236864A JP H06236864 A JPH06236864 A JP H06236864A JP 5342731 A JP5342731 A JP 5342731A JP 34273193 A JP34273193 A JP 34273193A JP H06236864 A JPH06236864 A JP H06236864A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング処理により材料の表面に付着され
たポリマー及びダメージ層を除去して、次工程の処理時
間の短縮及びエッチングの再現性を良好にする。 【構成】 ＳｉＯ2 膜３１及びフォトレジスト層３２が
形成された半導体ウエハＷが搬入された処理容器内に、
ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒを混合したエッチングガスを供
給すると共に、プラズマにより半導体ウエハＷのＳｉＯ
2 膜３１及びフォトレジスト層３２をエッチングする。
エッチング処理後、処理容器内を減圧状態にすると共
に、Ｏ2 を含む処理ガスを供給して、エッチング処理に
より半導体ウエハＷの表面に形成されたポリマー３４と
フォトレジスト層３２を除去し、このアッシング処理が
実質的に終了後、ＣＦ4 ＋Ｏ2 を混合した処理ガスを供
給すると共に、プラズマ化して、エッチング孔３３の底
部に付着するダメージ層３５を除去する。
たポリマー及びダメージ層を除去して、次工程の処理時
間の短縮及びエッチングの再現性を良好にする。 【構成】 ＳｉＯ2 膜３１及びフォトレジスト層３２が
形成された半導体ウエハＷが搬入された処理容器内に、
ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒを混合したエッチングガスを供
給すると共に、プラズマにより半導体ウエハＷのＳｉＯ
2 膜３１及びフォトレジスト層３２をエッチングする。
エッチング処理後、処理容器内を減圧状態にすると共
に、Ｏ2 を含む処理ガスを供給して、エッチング処理に
より半導体ウエハＷの表面に形成されたポリマー３４と
フォトレジスト層３２を除去し、このアッシング処理が
実質的に終了後、ＣＦ4 ＋Ｏ2 を混合した処理ガスを供
給すると共に、プラズマ化して、エッチング孔３３の底
部に付着するダメージ層３５を除去する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、エッチング処理方法
及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備に関
するものである。
及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】マイクロエレクトロニクスの中核をなす
集積回路の集積度は年々増加しており、集積度の増加と
共に、パターン幅が次第に小さく、かつ深くなってい
る。これに対応することができる薄膜加工技術として、
低圧（高真空）下でのドライエッチング方法が開発され
ている。このドライエッチングは、真空中で反応ガスを
用いてプラズマを生成し、そのプラズマ中のイオン，中
性ラジカル，原子，分子を用いて、半導体基板上の種々
の材料をエッチングするものである。このようなドライ
エッチングでは、エッチングすべき材料に応じて種々の
ガスが用いられており、エッチングガスの選択がドライ
エッチングにおける極めて重要な要素となっている。
集積回路の集積度は年々増加しており、集積度の増加と
共に、パターン幅が次第に小さく、かつ深くなってい
る。これに対応することができる薄膜加工技術として、
低圧（高真空）下でのドライエッチング方法が開発され
ている。このドライエッチングは、真空中で反応ガスを
用いてプラズマを生成し、そのプラズマ中のイオン，中
性ラジカル，原子，分子を用いて、半導体基板上の種々
の材料をエッチングするものである。このようなドライ
エッチングでは、エッチングすべき材料に応じて種々の
ガスが用いられており、エッチングガスの選択がドライ
エッチングにおける極めて重要な要素となっている。
【０００３】例えば、被処理体のエッチングすべき材料
がシリコン（Ｓｉ），酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等にお
いてはフッ素（Ｆ）系あるいはフッ素−水素（Ｆ−Ｈ）
系のエッチングガスが使用されており、一般に四フッ化
炭素（ＣＦ4 ）が広く用いられている。これは、シリコ
ン酸化膜のエッチングにおいて、炭素（Ｃ）の存在とフ
ッ素イオンを多量に生成することが重要であるためであ
る。
がシリコン（Ｓｉ），酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等にお
いてはフッ素（Ｆ）系あるいはフッ素−水素（Ｆ−Ｈ）
系のエッチングガスが使用されており、一般に四フッ化
炭素（ＣＦ4 ）が広く用いられている。これは、シリコ
ン酸化膜のエッチングにおいて、炭素（Ｃ）の存在とフ
ッ素イオンを多量に生成することが重要であるためであ
る。
【０００４】また、ＳｉＯ2 膜のエッチングで最大の問
題は、下地シリコンに対するエッチング選択比をいかに
して高い値にするかということである。そこで、エッチ
ングガスに水素（Ｈ2 ）を添加することが提案され、具
体的にはトリフルオルメタン（ＣＨＦ3 ）［フロン２
３］が使用されている。このＣＨＦ3 を使用することに
より、イオンが表面を叩いても除去できないほどの堆積
膜をシリコン表面上に形成するので、シリコン基板（ウ
エハ）が殆どエッチングされない一方、ＳｉＯ2膜は、
加速されたフッ素イオンで叩かれた際に酸素を発生し、
これによってその上のＣ−Ｈで形成されたポリマーを除
去できるため、十分にエッチングされる。
題は、下地シリコンに対するエッチング選択比をいかに
して高い値にするかということである。そこで、エッチ
ングガスに水素（Ｈ2 ）を添加することが提案され、具
体的にはトリフルオルメタン（ＣＨＦ3 ）［フロン２
３］が使用されている。このＣＨＦ3 を使用することに
より、イオンが表面を叩いても除去できないほどの堆積
膜をシリコン表面上に形成するので、シリコン基板（ウ
エハ）が殆どエッチングされない一方、ＳｉＯ2膜は、
加速されたフッ素イオンで叩かれた際に酸素を発生し、
これによってその上のＣ−Ｈで形成されたポリマーを除
去できるため、十分にエッチングされる。
【０００５】そして、エッチング処理の際に、エッチン
グ孔の底部に不純物が混入したダメージ層を除去してい
る。
グ孔の底部に不純物が混入したダメージ層を除去してい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
ングガスにＣＨＦ3 を使用すると、エッチングされた材
料の表面にポリマーが付着し易く、このポリマーの存在
によってエッチング処理を行った後、次工程例えばアッ
シング処理やライトエッチング処理に多くの時間を要す
ると共に、エッチングの再現性に困難が伴うという問題
があった。
ングガスにＣＨＦ3 を使用すると、エッチングされた材
料の表面にポリマーが付着し易く、このポリマーの存在
によってエッチング処理を行った後、次工程例えばアッ
シング処理やライトエッチング処理に多くの時間を要す
ると共に、エッチングの再現性に困難が伴うという問題
があった。
【０００７】また、エッチング処理後にダメージ層をフ
ッ素ラジカルで除去しようとする場合に、ポリマー及び
レジストの影響により、フッ素ラジカルがレジストと化
学反応し、ダメージ層を有効に除去することができない
という問題がある。
ッ素ラジカルで除去しようとする場合に、ポリマー及び
レジストの影響により、フッ素ラジカルがレジストと化
学反応し、ダメージ層を有効に除去することができない
という問題がある。
【０００８】この問題を解決するために、エッチング処
理後にポリマーとレジストを除去した後、大気雰囲気に
戻し、再び真空雰囲気の下でダメージ層を除去する方法
が考えられるが、この方法を用いた場合には処理に多く
の時間を要すると共に、多くの設備を要するという問題
がある。
理後にポリマーとレジストを除去した後、大気雰囲気に
戻し、再び真空雰囲気の下でダメージ層を除去する方法
が考えられるが、この方法を用いた場合には処理に多く
の時間を要すると共に、多くの設備を要するという問題
がある。
【０００９】これらの問題は、特に被処理体である半導
体ウエハが６インチから８インチに移行している現在に
おいて、処理時間の遅延化をもたらしている。
体ウエハが６インチから８インチに移行している現在に
おいて、処理時間の遅延化をもたらしている。
【００１０】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、その目的は、エッチング工程により被処理体の表面
に付着されたポリマー及びダメージ層をその後の後工程
により短時間で有効に除去することができ、良好なエッ
チング再現性、高いスループット及び設備の小型化を図
ることができるエッチング処理方法及びエッチングの後
処理方法並びにエッチング設備を提供するものである。
で、その目的は、エッチング工程により被処理体の表面
に付着されたポリマー及びダメージ層をその後の後工程
により短時間で有効に除去することができ、良好なエッ
チング再現性、高いスループット及び設備の小型化を図
ることができるエッチング処理方法及びエッチングの後
処理方法並びにエッチング設備を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
にこの発明のエッチング処理方法は、エッチングマスク
としてのレジスト膜を有する被処理体をエッチングガス
のプラズマにより主エッチングする工程と、上記主エッ
チング後の上記被処理体を後処理して被処理体に残存す
るレジスト膜、被処理体表面に付着したポリマー及び主
エッチングにより生成された不純物層を除去する工程と
を備え、上記後処理工程は、Ｏ2 ガスを含むガスをプラ
ズマ化し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記
被処理体表面に付着したポリマーを除去する第１工程
と、実質的に第１工程が終了後ハロゲン含有ガスとＯ2
ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより
上記不純物層を除去する第２工程とを有することを特徴
とするものである。
にこの発明のエッチング処理方法は、エッチングマスク
としてのレジスト膜を有する被処理体をエッチングガス
のプラズマにより主エッチングする工程と、上記主エッ
チング後の上記被処理体を後処理して被処理体に残存す
るレジスト膜、被処理体表面に付着したポリマー及び主
エッチングにより生成された不純物層を除去する工程と
を備え、上記後処理工程は、Ｏ2 ガスを含むガスをプラ
ズマ化し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記
被処理体表面に付着したポリマーを除去する第１工程
と、実質的に第１工程が終了後ハロゲン含有ガスとＯ2
ガスとを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより
上記不純物層を除去する第２工程とを有することを特徴
とするものである。
【００１２】この発明のエッチング処理方法において、
上記被処理体はＳｉ基板とその上に形成された被エッチ
ング膜とを有している。被エッチング膜は酸化膜又は窒
化膜である。また、被エッチング層は例えば１〜２μｍ
の厚さを有する。
上記被処理体はＳｉ基板とその上に形成された被エッチ
ング膜とを有している。被エッチング膜は酸化膜又は窒
化膜である。また、被エッチング層は例えば１〜２μｍ
の厚さを有する。
【００１３】また、上記第１工程で用いられるＯ2 ガス
を含むガスは、例えばＯ2 ガスのみか、あるいは、Ｏ2
ガスと不活性ガスとで構成される。Ｏ2 ガスを含むガス
がＯ2 ガスと不活性ガスとで構成される場合は、Ｏ2 ガ
スの供給量は全体の５０％以上である方が好ましい。ま
た、不活性ガスとしては例えばＮ2ガスが使用される。
を含むガスは、例えばＯ2 ガスのみか、あるいは、Ｏ2
ガスと不活性ガスとで構成される。Ｏ2 ガスを含むガス
がＯ2 ガスと不活性ガスとで構成される場合は、Ｏ2 ガ
スの供給量は全体の５０％以上である方が好ましい。ま
た、不活性ガスとしては例えばＮ2ガスが使用される。
【００１４】また、上記第２工程で用いられるハロゲン
含有ガスは、Ｆ含有ガスが好ましく、更に好ましくはＣ
Ｆ4 ガスである方がよい。また、ハロゲン含有ガスとＯ
2 ガスとを含むガスは、更に不活性ガスを含む。この場
合、不活性ガスとしては例えばＮ2 ガスが使用されるま
た、上記後処理工程の第１工程と第２工程とは別の処理
容器内で行っても差し支えないが、好ましくは同一の処
理容器内で連続して行う方がよい。
含有ガスは、Ｆ含有ガスが好ましく、更に好ましくはＣ
Ｆ4 ガスである方がよい。また、ハロゲン含有ガスとＯ
2 ガスとを含むガスは、更に不活性ガスを含む。この場
合、不活性ガスとしては例えばＮ2 ガスが使用されるま
た、上記後処理工程の第１工程と第２工程とは別の処理
容器内で行っても差し支えないが、好ましくは同一の処
理容器内で連続して行う方がよい。
【００１５】また、この発明のエッチングの後処理方法
は、レジスト膜をエッチングマスクとしてエッチング処
理された被処理体に対して後処理を行うエッチングの後
処理方法であって、Ｏ2 ガスを含むガスをプラズマ化
し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理
体表面に付着したポリマーを除去する第１工程と、実質
的に第１工程が終了後ハロゲン含有ガスとＯ2 ガスとを
含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより不純物層
を除去する第２工程とを有することを特徴とするもので
ある。
は、レジスト膜をエッチングマスクとしてエッチング処
理された被処理体に対して後処理を行うエッチングの後
処理方法であって、Ｏ2 ガスを含むガスをプラズマ化
し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理
体表面に付着したポリマーを除去する第１工程と、実質
的に第１工程が終了後ハロゲン含有ガスとＯ2 ガスとを
含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより不純物層
を除去する第２工程とを有することを特徴とするもので
ある。
【００１６】この発明ののエッチングの後処理方法にお
いて、被処理体の処理時の温度は任意であっても差し支
えないが、好ましくは被処理体を加熱して処理する方が
よい。
いて、被処理体の処理時の温度は任意であっても差し支
えないが、好ましくは被処理体を加熱して処理する方が
よい。
【００１７】また、この発明のエッチングの後処理方法
において、上記エッチング処理方法の後処理工程におけ
る第１工程で使用されるＯ2 ガスを含むガス、第２工程
で使用されるハロゲン含有ガス、ハロゲン含有ガスとＯ
2 ガスとを含むガスと同じものを使用することができ
る。
において、上記エッチング処理方法の後処理工程におけ
る第１工程で使用されるＯ2 ガスを含むガス、第２工程
で使用されるハロゲン含有ガス、ハロゲン含有ガスとＯ
2 ガスとを含むガスと同じものを使用することができ
る。
【００１８】また、この発明のエッチング設備は、エッ
チングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体をエ
ッチングガスのプラズマにより主エッチングするエッチ
ング装置と、主エッチング後の上記被処理体に対してＯ
2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行っ
て被処理体に残存するレジスト膜及び被処理体表面に付
着したポリマーを除去し、かつハロゲン含有ガスとＯ2
ガスとを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行っ
て主エッチングにより生成された不純物を除去する後処
理装置と、上記エッチング装置から上記後処理装置へ被
処理体を搬送する搬送手段と、上記後処理装置において
Ｏ2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理が実
質的に終了後、処理ガスをハロゲン含有ガスとＯ2 ガス
とを含むガスに切換える切換手段とを具備することを特
徴とするものである。
チングマスクとしてのレジスト膜を有する被処理体をエ
ッチングガスのプラズマにより主エッチングするエッチ
ング装置と、主エッチング後の上記被処理体に対してＯ
2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行っ
て被処理体に残存するレジスト膜及び被処理体表面に付
着したポリマーを除去し、かつハロゲン含有ガスとＯ2
ガスとを含むガスのプラズマによるプラズマ処理を行っ
て主エッチングにより生成された不純物を除去する後処
理装置と、上記エッチング装置から上記後処理装置へ被
処理体を搬送する搬送手段と、上記後処理装置において
Ｏ2 ガスを含むガスのプラズマによるプラズマ処理が実
質的に終了後、処理ガスをハロゲン含有ガスとＯ2 ガス
とを含むガスに切換える切換手段とを具備することを特
徴とするものである。
【００１９】この発明のエッチング設備において、上記
切換手段は、後処理装置におけるＯ2 ガスを含むガスの
プラズマによるプラズマ処理が実質的に終了したことを
検出する終点検出装置を有し、この終点検出装置からの
指令に基づいてガスの切換えを行うようにすることが好
ましい。
切換手段は、後処理装置におけるＯ2 ガスを含むガスの
プラズマによるプラズマ処理が実質的に終了したことを
検出する終点検出装置を有し、この終点検出装置からの
指令に基づいてガスの切換えを行うようにすることが好
ましい。
【００２０】
【作用】エッチングマスクとしてのレジスト膜を有する
被処理体にエッチングガスを供給すると共に、プラズマ
により被処理体をエッチングする。エッチング処理後、
Ｏ2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマによ
りレジスト膜及び被処理体表面に付着したポリマーを除
去し（第１工程）、実質的に第１工程が終了後ハロゲン
含有ガスとＯ2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、この
プラズマによりエッチングにより生成された不純物層を
除去する。
被処理体にエッチングガスを供給すると共に、プラズマ
により被処理体をエッチングする。エッチング処理後、
Ｏ2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマによ
りレジスト膜及び被処理体表面に付着したポリマーを除
去し（第１工程）、実質的に第１工程が終了後ハロゲン
含有ガスとＯ2 ガスとを含むガスをプラズマ化し、この
プラズマによりエッチングにより生成された不純物層を
除去する。
【００２１】したがって、エッチング工程により被処理
体の表面に付着されたポリマー及びダメージ層をその後
の後工程により短時間で有効に除去することができ、良
好なエッチング再現性、高いスループット及び設備の小
型化を図ることができる。
体の表面に付着されたポリマー及びダメージ層をその後
の後工程により短時間で有効に除去することができ、良
好なエッチング再現性、高いスループット及び設備の小
型化を図ることができる。
【００２２】
【実施例】以下に、この発明の実施例を添付図面に基づ
いて詳細に説明する。図１はこの発明の主エッチング処
理を行う第１の処理装置の一例の概略断面図、図２は図
１に示した第１の処理装置を有するエッチング設備の概
略平面図、図３はエッチングの後処理としてのアッシン
グ処理及びライトエッチング処理を行う第２の処理装置
の断面図が示されている。
いて詳細に説明する。図１はこの発明の主エッチング処
理を行う第１の処理装置の一例の概略断面図、図２は図
１に示した第１の処理装置を有するエッチング設備の概
略平面図、図３はエッチングの後処理としてのアッシン
グ処理及びライトエッチング処理を行う第２の処理装置
の断面図が示されている。
【００２３】上記第１の処理装置は、ガス供給口１ａと
排気口１ｂとを有する処理容器１と、この処理容器１内
に配置される一対の電極２，３と、高周波電源４とで主
要部が構成されている。
排気口１ｂとを有する処理容器１と、この処理容器１内
に配置される一対の電極２，３と、高周波電源４とで主
要部が構成されている。
【００２４】処理容器１は、その内で被処理体例えば半
導体ウエハＷ（以下にウエハという）をエッチング処理
するためのものであり、その側部下方に設けられた排気
口１ｂを介して排気手段としての真空ポンプ６０により
排気することによって、その中が真空に保持され、ガス
供給口１ａから処理ガスがその中に供給されるようにな
っている。
導体ウエハＷ（以下にウエハという）をエッチング処理
するためのものであり、その側部下方に設けられた排気
口１ｂを介して排気手段としての真空ポンプ６０により
排気することによって、その中が真空に保持され、ガス
供給口１ａから処理ガスがその中に供給されるようにな
っている。
【００２５】上記処理容器１内に配置される一対の電極
２，３は、上下に対向配置されている。処理容器１の上
壁側に位置する上部電極２は処理容器１を介してアース
側に接地され、処理容器１の底壁側に位置する下部電極
３は、この下部電極３と処理容器１の側壁との間に介在
される絶縁部材５によって絶縁されると共に、上記高周
波電源４に接続されている。また、下部電極３はその上
部中央に円板状の凸部（サセプタ）６を有し、このサセ
プタ６上にウエハＷが支持されるようになっている。サ
セプタ６上にはウエハＷを静電吸着するための静電チャ
ック６１が設けられており、これによってウエハＷが吸
着支持される。
２，３は、上下に対向配置されている。処理容器１の上
壁側に位置する上部電極２は処理容器１を介してアース
側に接地され、処理容器１の底壁側に位置する下部電極
３は、この下部電極３と処理容器１の側壁との間に介在
される絶縁部材５によって絶縁されると共に、上記高周
波電源４に接続されている。また、下部電極３はその上
部中央に円板状の凸部（サセプタ）６を有し、このサセ
プタ６上にウエハＷが支持されるようになっている。サ
セプタ６上にはウエハＷを静電吸着するための静電チャ
ック６１が設けられており、これによってウエハＷが吸
着支持される。
【００２６】ガス供給口１ａにはガス供給ライン６２を
介してエッチング処理用のガス処理容器１内に供給する
ためのガス供給源６３，６４，６５が接続されている。
これらガス供給源６３，６４，６５には、例えばそれぞ
れＣＦ4 ガス、ＣＨＦ3 ガス、Ａｒガスが収容されてお
り、これらが所定の割合で処理容器１に供給される。ガ
スライン６２には、ガスライン開閉用のメインバルブ６
６、各ガス供給源６３〜６５に対応するバルブ６７，６
８，６９及び各ガスの流量を制御するマスフローコント
ローラ７０，７１，７２が設けられており、ガスの切換
え及び流量制御が可能となっている。なお、エッチング
処理用のガスは特に限定されるものではなく、通常のエ
ッチングに用いられるガスを採用することができる。
介してエッチング処理用のガス処理容器１内に供給する
ためのガス供給源６３，６４，６５が接続されている。
これらガス供給源６３，６４，６５には、例えばそれぞ
れＣＦ4 ガス、ＣＨＦ3 ガス、Ａｒガスが収容されてお
り、これらが所定の割合で処理容器１に供給される。ガ
スライン６２には、ガスライン開閉用のメインバルブ６
６、各ガス供給源６３〜６５に対応するバルブ６７，６
８，６９及び各ガスの流量を制御するマスフローコント
ローラ７０，７１，７２が設けられており、ガスの切換
え及び流量制御が可能となっている。なお、エッチング
処理用のガスは特に限定されるものではなく、通常のエ
ッチングに用いられるガスを採用することができる。
【００２７】上記のように構成される第１の処理装置を
具備するエッチング設備は、図２に示すように、ウエハ
Ｗを収納するための収納部８と、収納部８からウエハＷ
を搬出・搬入するための多関節アームにて形成される搬
送部９と、搬送部９から送られてきたウエハＷの位置合
せを行うアライメント部１０と、アライメント部１０で
位置合せされたウエハＷに対して減圧下で処理を行う処
理部２０と、処理部２０にガス及び電力を供給するガス
源・電源ユニット１１とで構成されている。
具備するエッチング設備は、図２に示すように、ウエハ
Ｗを収納するための収納部８と、収納部８からウエハＷ
を搬出・搬入するための多関節アームにて形成される搬
送部９と、搬送部９から送られてきたウエハＷの位置合
せを行うアライメント部１０と、アライメント部１０で
位置合せされたウエハＷに対して減圧下で処理を行う処
理部２０と、処理部２０にガス及び電力を供給するガス
源・電源ユニット１１とで構成されている。
【００２８】この場合、処理部２０は、真空下でウエハ
Ｗの主エッチングを行う第１の処理装置２１と、エッチ
ング後処理としてのアッシング処理及びライトエッチン
グ処理を行う第２の処理装置２２とを具備してなる。
Ｗの主エッチングを行う第１の処理装置２１と、エッチ
ング後処理としてのアッシング処理及びライトエッチン
グ処理を行う第２の処理装置２２とを具備してなる。
【００２９】上記第１の処理装置２１及び第２の処理装
置２２はそれぞれ大気との遮断を行うことを目的とする
第１及び第２のロードロック室２３，２４と連結され、
また、第１の処理装置２１と第２の処理装置２２との間
にも第３のロードロック室２５が連結されて、全体が平
面コ字状に連結されており、その中央部にウエハを一時
的に載置するための上下移動可能な載置台２６を有する
受け渡しステージ２７が配設されている。なお、これら
各ロードロック室２３〜２５の大気側及び処理装置側に
はそれぞれゲートバルブ２８が配設されている。
置２２はそれぞれ大気との遮断を行うことを目的とする
第１及び第２のロードロック室２３，２４と連結され、
また、第１の処理装置２１と第２の処理装置２２との間
にも第３のロードロック室２５が連結されて、全体が平
面コ字状に連結されており、その中央部にウエハを一時
的に載置するための上下移動可能な載置台２６を有する
受け渡しステージ２７が配設されている。なお、これら
各ロードロック室２３〜２５の大気側及び処理装置側に
はそれぞれゲートバルブ２８が配設されている。
【００３０】上記第２の処理装置２２は、図３に示すよ
うに、処理容器４０と、この処理容器４０の上部に設け
られた一対の電極４４，４５と、処理容器４０内の底部
近傍に設けられたウエハ載置台４１と、高周波電源４３
とを備えている。
うに、処理容器４０と、この処理容器４０の上部に設け
られた一対の電極４４，４５と、処理容器４０内の底部
近傍に設けられたウエハ載置台４１と、高周波電源４３
とを備えている。
【００３１】処理容器４０は、シリカガラスなどの絶縁
体で形成され、小径の上部４０Ａと大径の下部４０Ｂと
で構成されており、頂部にガス供給口４０ａが、底部に
ガス排気口４０ｂを有している。一対の電極４４，４５
は処理容器４０の上部４１Ａに巻き掛けられており、上
部電極としての電極４４はマッチング回路４２を介して
高周波電源４３に接続されている。一方、下部電極とし
ての電極４５は接地されている。
体で形成され、小径の上部４０Ａと大径の下部４０Ｂと
で構成されており、頂部にガス供給口４０ａが、底部に
ガス排気口４０ｂを有している。一対の電極４４，４５
は処理容器４０の上部４１Ａに巻き掛けられており、上
部電極としての電極４４はマッチング回路４２を介して
高周波電源４３に接続されている。一方、下部電極とし
ての電極４５は接地されている。
【００３２】ウエハ載置台４１は昇降装置４９によって
昇降可能となっており、その内部にはヒーター５１が内
蔵されている。ヒーター５１は加熱電源５０に接続され
ており、この加熱電源５０から給電される。ウエハ載置
台４１上には静電チャック４１ａが設けられており、こ
の静電チャック４１ａによりウエハＷが吸着支持され
る。
昇降可能となっており、その内部にはヒーター５１が内
蔵されている。ヒーター５１は加熱電源５０に接続され
ており、この加熱電源５０から給電される。ウエハ載置
台４１上には静電チャック４１ａが設けられており、こ
の静電チャック４１ａによりウエハＷが吸着支持され
る。
【００３３】ガス供給口４０ａには、ガスライン７３を
介してアッシング用のＯ2 を含むガスを処理容器４０内
に供給するためのガス供給源７４及びライトエッチング
用のハロゲン含有ガスを処理容器４０内に供給するため
のガス供給源７５が接続されている。ガスライン７３に
は、ガスライン開閉用のメインバルブ７６、各ガス供給
源７４，７５に対応するバルブ７７，７８及び各ガスの
流量を制御するマスフローコントローラ７９，８０が設
けられており、ガスの切換え及び流量制御が可能となっ
ている。これらバルブ７６，７７，７８及びマスフロー
コントローラ７９，８０は制御装置８１によって制御さ
れる。
介してアッシング用のＯ2 を含むガスを処理容器４０内
に供給するためのガス供給源７４及びライトエッチング
用のハロゲン含有ガスを処理容器４０内に供給するため
のガス供給源７５が接続されている。ガスライン７３に
は、ガスライン開閉用のメインバルブ７６、各ガス供給
源７４，７５に対応するバルブ７７，７８及び各ガスの
流量を制御するマスフローコントローラ７９，８０が設
けられており、ガスの切換え及び流量制御が可能となっ
ている。これらバルブ７６，７７，７８及びマスフロー
コントローラ７９，８０は制御装置８１によって制御さ
れる。
【００３４】処理容器４０の側壁のウエハＷに対応する
位置には、耐熱性の透明体、例えばシリカガラスで構成
された窓８２が設けられており、ウエハＷからの光学情
報が凸レンズ８３を介して終点検出装置８４に出力され
るようになっている。終点検出装置８４はウエハＷから
の光学情報に基づいてアッシングが終了したことを検出
し、この検出情報が制御装置８１に出力される。制御装
置８１はこの情報を入力した際に、バルブ７７，７８及
びマスフローコントローラ７９，８０に制御信号を出力
して、処理容器４０内に供給されるガスの組成及び流量
をアッシング用からライトエッチング用に切り換える。
位置には、耐熱性の透明体、例えばシリカガラスで構成
された窓８２が設けられており、ウエハＷからの光学情
報が凸レンズ８３を介して終点検出装置８４に出力され
るようになっている。終点検出装置８４はウエハＷから
の光学情報に基づいてアッシングが終了したことを検出
し、この検出情報が制御装置８１に出力される。制御装
置８１はこの情報を入力した際に、バルブ７７，７８及
びマスフローコントローラ７９，８０に制御信号を出力
して、処理容器４０内に供給されるガスの組成及び流量
をアッシング用からライトエッチング用に切り換える。
【００３５】このような終点検出装置８４を設ける代わ
りに、アッシングレートを予め求め、その値を制御装置
８１にプログラミングしておき、アッシング開始後、そ
の値から計算した所定時間経過後、制御装置８１からバ
ルブ７６〜７８及びマスフローコントローラ７９，８０
にガスの組成及び流量をアッシング用からライトエッチ
ング用に切換えるように出力するようにしてもよい。
りに、アッシングレートを予め求め、その値を制御装置
８１にプログラミングしておき、アッシング開始後、そ
の値から計算した所定時間経過後、制御装置８１からバ
ルブ７６〜７８及びマスフローコントローラ７９，８０
にガスの組成及び流量をアッシング用からライトエッチ
ング用に切換えるように出力するようにしてもよい。
【００３６】ここで、アッシング用のガスとしては、Ｏ
2 を含むガスが用いられる。このようなガスとしてはＯ
2 ガス単独であってもよいし、Ｏ2 ガスと不活性ガスと
の混合ガスであってもよい。この場合に、Ｏ2 ガスは全
体の５０％以上の供給量であることが好ましい。不活性
ガスとしてはＮ2ガスが好適である。
2 を含むガスが用いられる。このようなガスとしてはＯ
2 ガス単独であってもよいし、Ｏ2 ガスと不活性ガスと
の混合ガスであってもよい。この場合に、Ｏ2 ガスは全
体の５０％以上の供給量であることが好ましい。不活性
ガスとしてはＮ2ガスが好適である。
【００３７】また、ライトエッチング用のガスとして
は、ハロゲン含有ガスとＯ2 ガスとを含むガスが用いら
れる。ハロゲン含有ガスとしては、Ｆ含有ガスが好まし
く、例えばＣＦ4 ガス、ＳＦ6 ガスなとが挙げられる。
その中でもＣを含むＦ系ガス例えばＣＦ4 ガスが特に好
ましい。他のハロゲン例えばＣｌ，Ｂｒを含むガスを用
いることもできる。ライトエッチング用ガスもアッシン
グ用ガスと同様、不活性ガス例えばＮ2 ガスを含んでい
てもよく、この場合に、ハロゲン含有ガスとＯ2ガスは
全体の５０％以上の供給量であることが好ましい。
は、ハロゲン含有ガスとＯ2 ガスとを含むガスが用いら
れる。ハロゲン含有ガスとしては、Ｆ含有ガスが好まし
く、例えばＣＦ4 ガス、ＳＦ6 ガスなとが挙げられる。
その中でもＣを含むＦ系ガス例えばＣＦ4 ガスが特に好
ましい。他のハロゲン例えばＣｌ，Ｂｒを含むガスを用
いることもできる。ライトエッチング用ガスもアッシン
グ用ガスと同様、不活性ガス例えばＮ2 ガスを含んでい
てもよく、この場合に、ハロゲン含有ガスとＯ2ガスは
全体の５０％以上の供給量であることが好ましい。
【００３８】一方、排気口４０ｂには排気手段としての
真空ポンプ４８が接続されており、これにより処理容器
４０内を所定の真空度まで排気することができる。
真空ポンプ４８が接続されており、これにより処理容器
４０内を所定の真空度まで排気することができる。
【００３９】上記のように構成されるエッチング設備を
用いてウエハＷのエッチング処理を行うに際しては、ま
ず、搬送部９の多関節アームによって収納部８のウエハ
カセット８ａから取出したウエハＷをアライメント部１
０で位置合せ（オリエンテーションフラットの位置合
せ）を行った後、処理部２０の受け渡しステージ２７に
受け渡す。次に、第１のロードロック室２３と第１の処
理装置２１内をほぼ同じ真空度、例えば１×１０-3Torr
以下になるように排気しておき、第１のロードロック室
２３のゲートバルブ２８を開いて第１のロードロック室
２３から第１の処理装置２１内にウエハＷを搬入し、そ
の後第１のロードロック室２３と第１の処理装置２１間
のゲートバルブ２８を閉じる。
用いてウエハＷのエッチング処理を行うに際しては、ま
ず、搬送部９の多関節アームによって収納部８のウエハ
カセット８ａから取出したウエハＷをアライメント部１
０で位置合せ（オリエンテーションフラットの位置合
せ）を行った後、処理部２０の受け渡しステージ２７に
受け渡す。次に、第１のロードロック室２３と第１の処
理装置２１内をほぼ同じ真空度、例えば１×１０-3Torr
以下になるように排気しておき、第１のロードロック室
２３のゲートバルブ２８を開いて第１のロードロック室
２３から第１の処理装置２１内にウエハＷを搬入し、そ
の後第１のロードロック室２３と第１の処理装置２１間
のゲートバルブ２８を閉じる。
【００４０】そして、第１の処理装置２１でのエッチン
グ処理においては、まず、第１の処理装置２１（処理容
器１）内にエッチングガス、例えばＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋
Ａｒを供給すると共に、処理容器１内を所定の真空度、
例えば３００mTorr まで排気する。次いで、電極２，３
間に高周波電力、例えば１３００Wattを印加すると、処
理容器１内にエッチングガスのプラズマが生成され、そ
の中のイオンとラジカルにより、ウエハＷの所定部分が
エッチングされる。
グ処理においては、まず、第１の処理装置２１（処理容
器１）内にエッチングガス、例えばＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋
Ａｒを供給すると共に、処理容器１内を所定の真空度、
例えば３００mTorr まで排気する。次いで、電極２，３
間に高周波電力、例えば１３００Wattを印加すると、処
理容器１内にエッチングガスのプラズマが生成され、そ
の中のイオンとラジカルにより、ウエハＷの所定部分が
エッチングされる。
【００４１】ここで被処理体としては、エッチング工程
の後、後処理としてアッシング及びライトエッチングを
行う必要があるものであればこの発明が適用可能である
が、この発明はＳｉ基板上にＳｉＯ2 などの酸化膜又は
Ｓｉ3 Ｎ4 などの窒化膜が形成されたものに対して特に
有効である。
の後、後処理としてアッシング及びライトエッチングを
行う必要があるものであればこの発明が適用可能である
が、この発明はＳｉ基板上にＳｉＯ2 などの酸化膜又は
Ｓｉ3 Ｎ4 などの窒化膜が形成されたものに対して特に
有効である。
【００４２】ここでは、被処理体として、Ｓｉ基板３０
の表面に酸化膜例えばＳｉＯ2 膜３１が形成され、この
ＳｉＯ2 膜３１上にフォトレジスト層３２が形成された
ウエハＷのエッチング処理を例にとって示す。この場合
のウエハＷのエッチングパターンは、例えば図４（ａ）
に示すように形成される。フォトレジスト層３２は図４
（ａ）に示すように、フォトエッチングされてマスクが
形成され、マスクされていない部分がエッチングされて
コントクトホールなどのエッチング孔３３が形成され
る。
の表面に酸化膜例えばＳｉＯ2 膜３１が形成され、この
ＳｉＯ2 膜３１上にフォトレジスト層３２が形成された
ウエハＷのエッチング処理を例にとって示す。この場合
のウエハＷのエッチングパターンは、例えば図４（ａ）
に示すように形成される。フォトレジスト層３２は図４
（ａ）に示すように、フォトエッチングされてマスクが
形成され、マスクされていない部分がエッチングされて
コントクトホールなどのエッチング孔３３が形成され
る。
【００４３】ここで、酸化膜（ＳｉＯ2 膜）の厚さは、
１〜２μｍ程度である。また、コンタクトホール孔径
は、ウエハＷが４Ｍの場合には０．４〜０．８μｍ程度
であり、１６Ｍの場合には０．２〜０．４μｍ程度であ
る。
１〜２μｍ程度である。また、コンタクトホール孔径
は、ウエハＷが４Ｍの場合には０．４〜０．８μｍ程度
であり、１６Ｍの場合には０．２〜０．４μｍ程度であ
る。
【００４４】この場合に、上述したようにエッチングガ
スにＦ系及びＦ−Ｈ系のガス、例えばＣＦ4 ＋ＣＨＦ3
＋Ａｒの混合ガスを使用することにより、エッチング処
理効率を高めることができると共に、微細加工が可能と
なるが、水素（Ｈ）の存在によってウエハ表面にエッチ
ング処理の際にＣ−Ｈで生成されたポリマー３４が付着
すると共に、エッチング孔３３の底部すなわちＳｉ基板
３０の表面層に不純物が混入してタメージ層３５を形成
する。このポリマー３４は、第２の処理装置２２におけ
るアッシング処理時間の遅延（ラグタイム）をもたらす
ばかりか、エッチングの再現性を低下させる虞れがあ
る。
スにＦ系及びＦ−Ｈ系のガス、例えばＣＦ4 ＋ＣＨＦ3
＋Ａｒの混合ガスを使用することにより、エッチング処
理効率を高めることができると共に、微細加工が可能と
なるが、水素（Ｈ）の存在によってウエハ表面にエッチ
ング処理の際にＣ−Ｈで生成されたポリマー３４が付着
すると共に、エッチング孔３３の底部すなわちＳｉ基板
３０の表面層に不純物が混入してタメージ層３５を形成
する。このポリマー３４は、第２の処理装置２２におけ
るアッシング処理時間の遅延（ラグタイム）をもたらす
ばかりか、エッチングの再現性を低下させる虞れがあ
る。
【００４５】そこで、この発明においては、上記エッチ
ング処理を行なった後、第３のロードロック室２５を介
してウエハＷを第２の処理装置２２の処理容器４０内に
搬入し、アッシング処理及びライトエッチング処理を行
なう。まず、処理容器４０内を例えば１Torrの減圧状態
にすると共に、処理容器４０内のウエハ載置台４１の温
度をヒーター５１により約２５０℃にする。そして、ア
ッシング用の処理ガスとしてＯ2 ガスを３０００Ｓｃｃ
ｍの流量で供給すると共に、高周波電力、例えば７００
Wattを印加して処理ガスをプラズマ化することによっ
て、図４（ｂ）に示すように、Ｃ−Ｈで形成されるポリ
マー３４とフォトレジスト層３２を除去する。なお、こ
のアッシング時間は２〜３分間が好ましい。また、処理
容器４０内の圧力は１〜３Torrの範囲が好ましい。
ング処理を行なった後、第３のロードロック室２５を介
してウエハＷを第２の処理装置２２の処理容器４０内に
搬入し、アッシング処理及びライトエッチング処理を行
なう。まず、処理容器４０内を例えば１Torrの減圧状態
にすると共に、処理容器４０内のウエハ載置台４１の温
度をヒーター５１により約２５０℃にする。そして、ア
ッシング用の処理ガスとしてＯ2 ガスを３０００Ｓｃｃ
ｍの流量で供給すると共に、高周波電力、例えば７００
Wattを印加して処理ガスをプラズマ化することによっ
て、図４（ｂ）に示すように、Ｃ−Ｈで形成されるポリ
マー３４とフォトレジスト層３２を除去する。なお、こ
のアッシング時間は２〜３分間が好ましい。また、処理
容器４０内の圧力は１〜３Torrの範囲が好ましい。
【００４６】アッシング処理が実質的に終了後、処理ガ
スのみをライトエッチング用のガスであるＣＦ4 とＯ2
の混合ガスに切換えて処理容器４０内に供給し、このガ
スをプラズマ化し、このプラズマによりウエハＷをライ
トエッチングする。これによって、図４（ｃ）に示すよ
うに、エッチング孔３３の底部に付着するダメージ層３
５が除去される。なお、このライトエッチング時間は１
分３０秒以内が好ましい。
スのみをライトエッチング用のガスであるＣＦ4 とＯ2
の混合ガスに切換えて処理容器４０内に供給し、このガ
スをプラズマ化し、このプラズマによりウエハＷをライ
トエッチングする。これによって、図４（ｃ）に示すよ
うに、エッチング孔３３の底部に付着するダメージ層３
５が除去される。なお、このライトエッチング時間は１
分３０秒以内が好ましい。
【００４７】上記のように、この発明ではエッチング処
理されたウエハＷを２５０℃の高温におき、アッシング
用ガスとしてのＯ2 を含むガスをプラズマ化してウエハ
Ｗに供給し、このプラズマによりフォトレジスト層３２
とポリマー３４を除去した後、このアッシング工程と同
じ高温下で、処理ガスをライトエッチング用のハロゲン
含有ガスとＯ2 ガスとを含む混合ガス、例えばＣＦ4 ＋
Ｏ2 に切換え、このガスをプラズマ化してウエハＷに供
給し、これによりエッチング孔３３の底部に付着したダ
メージ層３５を除去する。すなわち、エッチング処理後
のアッシング処理及びライトエッチング処理を同一の第
２の処理装置２２の処理容器４０内で行なうことがで
き、しかもポリマー３４とフォトレジスト層３２を除去
した後にダメージ層３５を除去するので、処理時間の短
縮化及び設備の小型化が図れる。また、このようにポリ
マー３４とフォトレジスト層３２を除去した後にダメー
ジ層３５を除去することにより、ダメージ層３５を確実
に除去することができる。
理されたウエハＷを２５０℃の高温におき、アッシング
用ガスとしてのＯ2 を含むガスをプラズマ化してウエハ
Ｗに供給し、このプラズマによりフォトレジスト層３２
とポリマー３４を除去した後、このアッシング工程と同
じ高温下で、処理ガスをライトエッチング用のハロゲン
含有ガスとＯ2 ガスとを含む混合ガス、例えばＣＦ4 ＋
Ｏ2 に切換え、このガスをプラズマ化してウエハＷに供
給し、これによりエッチング孔３３の底部に付着したダ
メージ層３５を除去する。すなわち、エッチング処理後
のアッシング処理及びライトエッチング処理を同一の第
２の処理装置２２の処理容器４０内で行なうことがで
き、しかもポリマー３４とフォトレジスト層３２を除去
した後にダメージ層３５を除去するので、処理時間の短
縮化及び設備の小型化が図れる。また、このようにポリ
マー３４とフォトレジスト層３２を除去した後にダメー
ジ層３５を除去することにより、ダメージ層３５を確実
に除去することができる。
【００４８】この発明を用いた場合と従来のアッシング
処理を用いた場合とについて、ダメージ層除去でのＳｉ
Ｏ2 膜の横方向への削れ量（最初のエッチング後のエッ
チング孔の孔径−ライトエッチング後の孔径）をウエハ
Ｗの中心位置、中間位置及びエッジ位置について測定し
たところ、従来のアッシング処理においては、中心及び
中間位置が８００オングストローム以下であったが、エ
ッジ位置では１２００オングストローム以上であった。
これに対し、この発明の後処理方法では、中心、中間及
びエッジの各位置において１０００オングストローム以
下でほぼ同程度であり、バラツキの少ない後処理を行う
ことができることが確認された。
処理を用いた場合とについて、ダメージ層除去でのＳｉ
Ｏ2 膜の横方向への削れ量（最初のエッチング後のエッ
チング孔の孔径−ライトエッチング後の孔径）をウエハ
Ｗの中心位置、中間位置及びエッジ位置について測定し
たところ、従来のアッシング処理においては、中心及び
中間位置が８００オングストローム以下であったが、エ
ッジ位置では１２００オングストローム以上であった。
これに対し、この発明の後処理方法では、中心、中間及
びエッジの各位置において１０００オングストローム以
下でほぼ同程度であり、バラツキの少ない後処理を行う
ことができることが確認された。
【００４９】また、アッシング工程でフォトレジスト層
３２とポリマー３４を除去した後、雰囲気気圧：１Tor
r，電極間の高周波電力：８０Watt，ＣＦ4 の流量４９
０Ｓｃｃｍ，Ｏ2 の流量：２１０Ｓｃｃｍ，雰囲気温
度：２５０℃の条件の下でライトエッチング処理を行っ
たところ、ウエハＷの全域においてダメージ層３５を確
実に除去することができた。
３２とポリマー３４を除去した後、雰囲気気圧：１Tor
r，電極間の高周波電力：８０Watt，ＣＦ4 の流量４９
０Ｓｃｃｍ，Ｏ2 の流量：２１０Ｓｃｃｍ，雰囲気温
度：２５０℃の条件の下でライトエッチング処理を行っ
たところ、ウエハＷの全域においてダメージ層３５を確
実に除去することができた。
【００５０】なお、この発明においては、上記エッチン
グ装置及びアッシング・ライトエッチング装置に限らず
種々の装置を用いることが可能である。また、不活性ガ
スとしてＮ2 を用いたが、その他に希ガス例えばＡｒ，
Ｘｅ等も使用可能である。
グ装置及びアッシング・ライトエッチング装置に限らず
種々の装置を用いることが可能である。また、不活性ガ
スとしてＮ2 を用いたが、その他に希ガス例えばＡｒ，
Ｘｅ等も使用可能である。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、エッチング工程により被処理体の表面に付着された
ポリマー及びダメージ層をその後の後工程により短時間
で有効に除去することができ、良好なエッチング再現
性、高いスループット及び設備の小型化を図ることがで
きる。
ば、エッチング工程により被処理体の表面に付着された
ポリマー及びダメージ層をその後の後工程により短時間
で有効に除去することができ、良好なエッチング再現
性、高いスループット及び設備の小型化を図ることがで
きる。
【図１】この発明のエッチング処理方法を行う第１の処
理装置の一例を示す概略断面図である。
理装置の一例を示す概略断面図である。
【図２】この発明のエッチング処理方法を実施するため
のエッチング設備の概略平面図である。
のエッチング設備の概略平面図である。
【図３】この発明のエッチング後処理としてのアッシン
グ処理及びライトエッチング処理を行う第２の処理装置
を示す概略断面図である。
グ処理及びライトエッチング処理を行う第２の処理装置
を示す概略断面図である。
【図４】半導体ウエハのエッチング処理及び後処理工程
を示す説明図である。
を示す説明図である。
Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １ 処理容器 ２ 上部電極 ３ 下部電極 ４ 高周波電源 ２１ 第１の処理装置（エッチング装置） ２２ 第２の処理装置（後処理装置） ２５ 第３のロードロツク室 ３０ Ｓｉ基板 ３１ ＳｉＯ2 膜（酸化膜） ３２ フォトレジスト層（被レジスト膜） ３３ エッチング孔 ３４ ポリマー ３５ ダメージ層 ４０ 処理容器 ４３ 高周波電源 ４４ 上部電極 ４５ 下部電極 ５１ ヒーター ５０ 加熱電源 ７４，７５ ガス供給源 ７６ メインバルブ ７７，７８ バルブ ８１ 制御装置 ８４ 終点検出装置
Claims (5)
- 【請求項１】 エッチングマスクとしてのレジスト膜を
有する被処理体をエッチングガスのプラズマにより主エ
ッチングする工程と、 上記主エッチング後の上記被処理体を後処理して被処理
体に残存するレジスト膜、被処理体表面に付着したポリ
マー及び主エッチングにより生成された不純物層を除去
する工程とを備え、 上記後処理工程は、Ｏ2 ガスを含むガスをプラズマ化
し、このプラズマにより上記レジスト膜及び上記被処理
体表面に付着したポリマーを除去する第１工程と、実質
的に第１工程が終了後ハロゲン含有ガスとＯ2 ガスとを
含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより上記不純
物層を除去する第２工程とを有することを特徴とするエ
ッチング処理方法。 - 【請求項２】 レジスト膜をエッチングマスクとしてエ
ッチング処理された被処理体に対して後処理を行うエッ
チングの後処理方法であって、 Ｏ2 ガスを含むガスをプラズマ化し、このプラズマによ
り上記レジスト膜及び上記被処理体表面に付着したポリ
マーを除去する第１工程と、 実質的に第１工程が終了後ハロゲン含有ガスとＯ2 ガス
とを含むガスをプラズマ化し、このプラズマにより不純
物層を除去する第２工程とを有することを特徴とするエ
ッチングの後処理方法。 - 【請求項３】 請求項２記載のエッチングの後処理方法
において、 被処理体を加熱することを特徴とするエッチングの後処
理方法。 - 【請求項４】 エッチングマスクとしてのレジスト膜を
有する被処理体をエッチングガスのプラズマにより主エ
ッチングするエッチング装置と、 主エッチング後の上記被処理体に対してＯ2 ガスを含む
ガスのプラズマによるプラズマ処理を行って被処理体に
残存するレジスト膜及び被処理体表面に付着したポリマ
ーを除去し、かつハロゲン含有ガスとＯ2 ガスとを含む
ガスのプラズマによるプラズマ処理を行って主エッチン
グにより生成された不純物を除去する後処理装置と、 上記エッチング装置から上記後処理装置へ被処理体を搬
送する搬送手段と、 上記後処理装置においてＯ2 ガスを含むガスのプラズマ
によるプラズマ処理が実質的に終了後、処理ガスをハロ
ゲン含有ガスとＯ2 ガスとを含むガスに切換える切換手
段とを具備することを特徴とするエッチング設備。 - 【請求項５】 請求項４記載のエッチング設備におい
て、 切換手段は、後処理装置におけるＯ2 ガスを含むガスの
プラズマによるプラズマ処理が実質的に終了したことを
検出する終点検出装置を有し、この終点検出装置からの
指令に基づいてガスの切換えを行うことを特徴とするエ
ッチング設備。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5342731A JPH06236864A (ja) | 1969-04-23 | 1993-12-16 | エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備 |
Applications Claiming Priority (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US81881869A | 1969-04-23 | 1969-04-23 | |
| ZA712188A ZA712188B (en) | 1969-04-23 | 1971-04-05 | Catalytic process for manufacture of unsaturated acids and esters |
| CA109758A CA932744A (en) | 1969-04-23 | 1971-04-06 | Catalytic process for manufacture of unsaturated acids and esters |
| DE19712118904 DE2118904A1 (ja) | 1969-04-23 | 1971-04-19 | |
| NL7105542A NL7105542A (ja) | 1969-04-23 | 1971-04-23 | |
| FR7115247A FR2135786A5 (ja) | 1969-04-23 | 1971-04-28 | |
| BE766404A BE766404A (fr) | 1969-04-23 | 1971-04-28 | Procede perfectionne de preparation d'acides et d'esters insatures par deshydrogenation catalytique des acides et esters satures correspondants. |
| JP4-354411 | 1992-12-16 | ||
| JP35441192A JP3275043B2 (ja) | 1969-04-23 | 1992-12-16 | エッチングの後処理方法 |
| JP5342731A JPH06236864A (ja) | 1969-04-23 | 1993-12-16 | エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06236864A true JPH06236864A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=27575689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5342731A Withdrawn JPH06236864A (ja) | 1969-04-23 | 1993-12-16 | エッチング処理方法及びエッチングの後処理方法並びにエッチング設備 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06236864A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0823725A2 (en) * | 1996-08-07 | 1998-02-11 | Matsushita Electronics Corporation | Dry etching post-treatment method and method for manufacturing a semiconductor device |
| US6479397B2 (en) | 2000-10-27 | 2002-11-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for forming isolation regions on semiconductor device |
| KR100373363B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2003-02-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
| US6831018B2 (en) | 2001-08-21 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| JP2005303247A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の素子分離膜形成方法 |
| KR20210035740A (ko) | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 대미지층의 제거 방법, 및 기억 매체 |
| KR20210058954A (ko) | 2018-09-26 | 2021-05-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 에칭 잔사의 제거 방법, 및 기억 매체 |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP5342731A patent/JPH06236864A/ja not_active Withdrawn
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0823725A2 (en) * | 1996-08-07 | 1998-02-11 | Matsushita Electronics Corporation | Dry etching post-treatment method and method for manufacturing a semiconductor device |
| EP0823725A3 (en) * | 1996-08-07 | 1998-09-30 | Matsushita Electronics Corporation | Dry etching post-treatment method and method for manufacturing a semiconductor device |
| US5902134A (en) * | 1996-08-07 | 1999-05-11 | Matsushita Electronics Corporation | Dry etching post-treatment method and method for manufacturing a semiconductor device |
| KR100373363B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2003-02-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 |
| US6479397B2 (en) | 2000-10-27 | 2002-11-12 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for forming isolation regions on semiconductor device |
| US6579807B2 (en) | 2000-10-27 | 2003-06-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for forming isolation regions on semiconductor device |
| US6831018B2 (en) | 2001-08-21 | 2004-12-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor device |
| JP2005303247A (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-27 | Hynix Semiconductor Inc | 半導体素子の素子分離膜形成方法 |
| KR20210058954A (ko) | 2018-09-26 | 2021-05-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 에칭 잔사의 제거 방법, 및 기억 매체 |
| KR20210035740A (ko) | 2019-09-24 | 2021-04-01 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 방법, 대미지층의 제거 방법, 및 기억 매체 |
| CN112635317A (zh) * | 2019-09-24 | 2021-04-09 | 东京毅力科创株式会社 | 蚀刻方法、损伤层的去除方法和存储介质 |
| US11557486B2 (en) | 2019-09-24 | 2023-01-17 | Tokyo Electron Limited | Etching method, damage layer removal method, and storage medium |
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