JPS6167919A - 基板後処理装置 - Google Patents
基板後処理装置Info
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- JPS6167919A JPS6167919A JP18951684A JP18951684A JPS6167919A JP S6167919 A JPS6167919 A JP S6167919A JP 18951684 A JP18951684 A JP 18951684A JP 18951684 A JP18951684 A JP 18951684A JP S6167919 A JPS6167919 A JP S6167919A
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- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、基板後処理装置に係り、特にガスプラズマを
利用してエツチングされた基板を、その後、防食のため
に加熱処理するのに好適な基板後処理装置に関するもの
である。
利用してエツチングされた基板を、その後、防食のため
に加熱処理するのに好適な基板後処理装置に関するもの
である。
ガスプラズマを利用して基板をエツチングした後、この
基板を空気中に取り出すと、エツチングに使用したガス
成分がエツチング後の基板に付着しているため、そのガ
ス成分によっては、空気中の水分と反応し、この反応生
成物によってエツチングされた基板が腐食されるように
なる。そこで、このようなエツチングされた基板の腐食
な防止するため、エツチングされた基板は、反応室が空
気中に取り出す前に、基板を腐食する反応生成物が生じ
ないように加熱処理される。
基板を空気中に取り出すと、エツチングに使用したガス
成分がエツチング後の基板に付着しているため、そのガ
ス成分によっては、空気中の水分と反応し、この反応生
成物によってエツチングされた基板が腐食されるように
なる。そこで、このようなエツチングされた基板の腐食
な防止するため、エツチングされた基板は、反応室が空
気中に取り出す前に、基板を腐食する反応生成物が生じ
ないように加熱処理される。
このような基板の加熱処理技術としては、例えば、米国
特許第４，４３６，９８５号明細書に記載のような、エ
ツチングされた基板を反応室から大気中に取り出して加
熱処理するようなものや、例えば、特開昭５９−３９２
７号公報に記載のような、エツチングされた基板な反応
室から真空室に搬入しここでマイクロ波を基板に照射し
て加熱処理するようなものが知られている。
特許第４，４３６，９８５号明細書に記載のような、エ
ツチングされた基板を反応室から大気中に取り出して加
熱処理するようなものや、例えば、特開昭５９−３９２
７号公報に記載のような、エツチングされた基板な反応
室から真空室に搬入しここでマイクロ波を基板に照射し
て加熱処理するようなものが知られている。
しかし、ｎｏｒ ｆ’ｒの加熱処理技術では、加熱する
までの間にエツチング後の基板に付着したガス成分と空
気中の水分との反応が進行し、この反応生成物によって
基板が腐食されるという問題がある。
までの間にエツチング後の基板に付着したガス成分と空
気中の水分との反応が進行し、この反応生成物によって
基板が腐食されるという問題がある。
また、後者の加熱処理技術では、基板の加熱温度が２０
０℃と高く、配線膜をパターニングするために基板に形
成されたレジストが軟化、変質するようになり、例えば
、エツチング不充分等の理由により同一基板を再度エツ
チングする必要がある場合には、大きな障害となる。
０℃と高く、配線膜をパターニングするために基板に形
成されたレジストが軟化、変質するようになり、例えば
、エツチング不充分等の理由により同一基板を再度エツ
チングする必要がある場合には、大きな障害となる。
本発明の目的は、レジスト１軟化、変質させることなし
にエツチングされた基板を充分に防食処理できる基板後
処理装置を提供することにある。
にエツチングされた基板を充分に防食処理できる基板後
処理装置を提供することにある。
本発明は、ガスプラズマを利用して基板がエツチングさ
れる反応室に真空間ゲートを介して置設された真空室と
、該真空室をエツチングされた基板（以下、処理済み基
板と略）に付着したガス成分の蒸気圧以下の圧力に減圧
排気する真空排気手段と、該手段で減圧排気された真空
室に反応室からｔ４空間ゲートを介して搬入された処理
済み基板を真空室内で保持する基板保持手段と、該手段
で保持された処理済み基板を被エツチング面から加熱す
る基板加熱手段とを具備したこ凄を特徴とするもので、
レジストの軟化、変質な生じる二となしに処理済み基板
に付着したガス成分を充分除去しようとしたものである
。
れる反応室に真空間ゲートを介して置設された真空室と
、該真空室をエツチングされた基板（以下、処理済み基
板と略）に付着したガス成分の蒸気圧以下の圧力に減圧
排気する真空排気手段と、該手段で減圧排気された真空
室に反応室からｔ４空間ゲートを介して搬入された処理
済み基板を真空室内で保持する基板保持手段と、該手段
で保持された処理済み基板を被エツチング面から加熱す
る基板加熱手段とを具備したこ凄を特徴とするもので、
レジストの軟化、変質な生じる二となしに処理済み基板
に付着したガス成分を充分除去しようとしたものである
。
本発明の一実施例を第１図、第２図により説明する。
ηＳ１図、第２図で、ガスプラズマを利用して基板がエ
ツチングされる反応室ｍには、真空間ゲート、例えば、
ゲートバルブ刃を介して真空室菊が置設されている。真
空室旬には、真空室４０’Ｊ−減圧排気する真空排気手
段間が途中にバルブ５１が設けられた排気管５２で連結
されている。真空室切には、真空室切に反応室美からゲ
ートバルブ３０１介して搬入された処理済み基板１０を
真空室切内で保持する基板保持手段印が設けられている
。真空室φには、基板保持手段印で保持された処理済み
基板１０な被エツチング面から加熱する基板加熱手段π
が設けられている。
ツチングされる反応室ｍには、真空間ゲート、例えば、
ゲートバルブ刃を介して真空室菊が置設されている。真
空室旬には、真空室４０’Ｊ−減圧排気する真空排気手
段間が途中にバルブ５１が設けられた排気管５２で連結
されている。真空室切には、真空室切に反応室美からゲ
ートバルブ３０１介して搬入された処理済み基板１０を
真空室切内で保持する基板保持手段印が設けられている
。真空室φには、基板保持手段印で保持された処理済み
基板１０な被エツチング面から加熱する基板加熱手段π
が設けられている。
第１図、第２図で、基板保持手段印は、この場合、処理
済み基板ｌＯの保持部に凹６１が形成された保持台６２
である。保持台６２は凹６１が形成された面な、この場
合、上面とし、かつ、略水平面として真空室ψの底壁に
底部な固定され真空室切に内股されている。保持台６２
と対応する位置で真空室切外曝こ往復動＊置（資）が設
けられている。往復動装置間には、往復動軸８１が設け
られ、往復動軸８１は、保持台６２に気密な保持し往復
動可能に挿設されている。往復動軸８１の凹６１側に突
出する端部には。
済み基板ｌＯの保持部に凹６１が形成された保持台６２
である。保持台６２は凹６１が形成された面な、この場
合、上面とし、かつ、略水平面として真空室ψの底壁に
底部な固定され真空室切に内股されている。保持台６２
と対応する位置で真空室切外曝こ往復動＊置（資）が設
けられている。往復動装置間には、往復動軸８１が設け
られ、往復動軸８１は、保持台６２に気密な保持し往復
動可能に挿設されている。往復動軸８１の凹６１側に突
出する端部には。
テーブル８２が略水平に設けられている。テーブル８２
の大きさは、凹６１に収容可能な大きさであり、凹６１
の大きさは、処理済み基板ｌＯよりも小さい。
の大きさは、凹６１に収容可能な大きさであり、凹６１
の大きさは、処理済み基板ｌＯよりも小さい。
テーブル８２は、その上面を保持台６２の上面と同等か
若しくは低（、また、保持台６２の上面より高く６２の
処理済み基板ＩＯの保持部憂こ対応しその上方の位置で
真空室４０に内設されている。電源πは真空室の外に設
けられており、赤外線ランプ７１は真空導入端子（図示
省略）を介して電源ｎに接続されている。
若しくは低（、また、保持台６２の上面より高く６２の
処理済み基板ＩＯの保持部憂こ対応しその上方の位置で
真空室４０に内設されている。電源πは真空室の外に設
けられており、赤外線ランプ７１は真空導入端子（図示
省略）を介して電源ｎに接続されている。
第１図、４に２図で、真空室菊には、処理済み基板１０
１を真空室菊内に搬入する、例えば、ベルト搬送装ｆｉ
９Ｇがゲートバルブ（９）と対応して設けられている。
１を真空室菊内に搬入する、例えば、ベルト搬送装ｆｉ
９Ｇがゲートバルブ（９）と対応して設けられている。
真空室４０には、例えば、ゲートバルブ３１を介してア
ンロード室１００が置設されている。アンロード室１０
０は、例えば、カセット１１０を収容可能で加熱された
処理済み基板１０’を順次収納するためにカセット１１
０を昇降させるのに必要な容積を有している。真空室荀
には、加熱された処理済み基板１０′をアンロード室１
００側に搬送する、例えば、対 ベルト撮送装Ｗ、 ９１がゲートバルブ３１と〆応して
設けられている。アンロード室１００には、ゲートバル
ブ３１を介してベルト搬送装！！９１から加熱された処
理済み基板１０”ｌ受は取りアンロード室！００内に搬
入してカセット１１０に収納する、例えば、ベルト搬送
装置ｉＷ ９２がゲートバルブ３１に対応して設けられ
ている。真空室４０には、ベルト搬送装置（イ）で搬入
された処理済み基板ｌＯを保持台６２の保持部に対応す
る位置まで搬送し、加熱された処理済み基板１０′を保
持台６２の保持部に対応する位置からベルト搬送装置９
１まで搬送する、例えば、アーム搬送装置９３が設けら
れている。
ンロード室１００が置設されている。アンロード室１０
０は、例えば、カセット１１０を収容可能で加熱された
処理済み基板１０’を順次収納するためにカセット１１
０を昇降させるのに必要な容積を有している。真空室荀
には、加熱された処理済み基板１０′をアンロード室１
００側に搬送する、例えば、対 ベルト撮送装Ｗ、 ９１がゲートバルブ３１と〆応して
設けられている。アンロード室１００には、ゲートバル
ブ３１を介してベルト搬送装！！９１から加熱された処
理済み基板１０”ｌ受は取りアンロード室！００内に搬
入してカセット１１０に収納する、例えば、ベルト搬送
装置ｉＷ ９２がゲートバルブ３１に対応して設けられ
ている。真空室４０には、ベルト搬送装置（イ）で搬入
された処理済み基板ｌＯを保持台６２の保持部に対応す
る位置まで搬送し、加熱された処理済み基板１０′を保
持台６２の保持部に対応する位置からベルト搬送装置９
１まで搬送する、例えば、アーム搬送装置９３が設けら
れている。
ブ。
：ｙＪ１図、第２図で、真空室切内はパル＃５１を開放
し真空排気手段間を作動させることで、処理済み基板１
０に付着したガス成分の蒸気圧以下の圧力に減圧排気さ
れる。処理済み基板１０は反応室加よりゲートバルブ刃
を介してベルト搬送装置９０に渡された後に、アーム搬
送装置９３で受は取り可能な位置まで搬送される。例え
ば、処理済み基板１０に付着したガス成分がｋｌ：ｃｌ
！、等の塩素化合物である場合には、真空室切内は１０
−’Ｔｏｒｒ以下の圧力に減圧排気されている。その後
、処理済み基板１０はベルト搬送装置美からアーム搬送
装置９３に受は取られ、この状態で、保持台６２の保持
部に対応する位置までアーム搬送装置１９３により搬送
される。
し真空排気手段間を作動させることで、処理済み基板１
０に付着したガス成分の蒸気圧以下の圧力に減圧排気さ
れる。処理済み基板１０は反応室加よりゲートバルブ刃
を介してベルト搬送装置９０に渡された後に、アーム搬
送装置９３で受は取り可能な位置まで搬送される。例え
ば、処理済み基板１０に付着したガス成分がｋｌ：ｃｌ
！、等の塩素化合物である場合には、真空室切内は１０
−’Ｔｏｒｒ以下の圧力に減圧排気されている。その後
、処理済み基板１０はベルト搬送装置美からアーム搬送
装置９３に受は取られ、この状態で、保持台６２の保持
部に対応する位置までアーム搬送装置１９３により搬送
される。
その後、この処理済み基板１０は上昇したテーブル８２
に受は取られ、テーブル８２を凹６１に収容するように
下降させることで保持台６２の保持部に載置される。ま
た、処理済み基板ＩＯを渡したアーム搬送装置９３は、
保持台６２外に退避させられる。その後、電源７２より
通電することで赤外線ランプ７１が発熱させられ、この
発熱により処理済み基板１０は被エツチング面から加熱
される。この加熱により処理済み基板ｌＯは温度８０°
Ｃ〜１２０℃に昇温させられ、この温度で約６０秒間保
持される。この間、られる。その後、加熱された処理済
み基板１０′は、テーブル８２を上昇させることで、保
持合口から除去され、アーム搬送装置９３に受は取られ
る。その後、アーム搬送装置λ９３によりベルト搬送装
置９１に渡された後にゲートバルブ３１１介してアンロ
ード室１００にベルト搬送装５Ｈｙで搬入されカセット
１１Ｇに収納される。以上のような操作１順次繰り返し
実施することで、反応室四からの処理済み基板１０は、
その付着したガス成分な蒸発除去させられ、加熱された
処理済み基板１０’はカセット１１０に順次収納される
。
に受は取られ、テーブル８２を凹６１に収容するように
下降させることで保持台６２の保持部に載置される。ま
た、処理済み基板ＩＯを渡したアーム搬送装置９３は、
保持台６２外に退避させられる。その後、電源７２より
通電することで赤外線ランプ７１が発熱させられ、この
発熱により処理済み基板１０は被エツチング面から加熱
される。この加熱により処理済み基板ｌＯは温度８０°
Ｃ〜１２０℃に昇温させられ、この温度で約６０秒間保
持される。この間、られる。その後、加熱された処理済
み基板１０′は、テーブル８２を上昇させることで、保
持合口から除去され、アーム搬送装置９３に受は取られ
る。その後、アーム搬送装置λ９３によりベルト搬送装
置９１に渡された後にゲートバルブ３１１介してアンロ
ード室１００にベルト搬送装５Ｈｙで搬入されカセット
１１Ｇに収納される。以上のような操作１順次繰り返し
実施することで、反応室四からの処理済み基板１０は、
その付着したガス成分な蒸発除去させられ、加熱された
処理済み基板１０’はカセット１１０に順次収納される
。
本実施例では、真空並びに加熱の作用により処理済み基
板に付着したガス成分を蒸発除去させているので、加熱
温度を低くでき、レジストを軟化。
板に付着したガス成分を蒸発除去させているので、加熱
温度を低くでき、レジストを軟化。
変質させることなしに処理済み基板１充分に防食処理で
きる。
きる。
本発明の他の実施例１第３図に示す。第３図で。
上記した本発明の一実施例な示す第１図と異なる点は、
真空室切に基板保持手段ωと共に他の基板保持手段Ｗ１
設け、他の基板保持手段ω′の保持台６２′の保持部に
対応する上方の位置で他の基板加熱手段（図示省略）を
構成する他の赤外線ランプ（図示省略）を設けた点であ
る。第３図で他の基板保持手段ω′は第１図の基板加熱
手段印と同一であＣ）説明含省略する。また、その他案
１図と同−装置等は同一符号で示し説明を省略する。
真空室切に基板保持手段ωと共に他の基板保持手段Ｗ１
設け、他の基板保持手段ω′の保持台６２′の保持部に
対応する上方の位置で他の基板加熱手段（図示省略）を
構成する他の赤外線ランプ（図示省略）を設けた点であ
る。第３図で他の基板保持手段ω′は第１図の基板加熱
手段印と同一であＣ）説明含省略する。また、その他案
１図と同−装置等は同一符号で示し説明を省略する。
本実施例では、上記した一実施例で得られた効果の他に
、例えば、真空室での処理済み基板の加熱保持時間が、
反応室での基板のエツチング時間の２倍必要である場合
には、反応室での基板の二つランプ時間に合せることが
できるので、全体のスループブトを阻害せずに処理済み
基板の加熱処理１実施することができる。
、例えば、真空室での処理済み基板の加熱保持時間が、
反応室での基板のエツチング時間の２倍必要である場合
には、反応室での基板の二つランプ時間に合せることが
できるので、全体のスループブトを阻害せずに処理済み
基板の加熱処理１実施することができる。
本発明は、以上説明したように、ガスプラズマを利用し
て基板がエツチングされる反応室に真空間ゲートを介し
て置設された真空室と、該真空室を処理済み基°板に付
着したガス成分の蒸気圧以下の圧力に減圧排気する真空
排気手段と、該手段で減圧排気された真空室に反応室か
ら真空間ゲートを介して搬入された処理済み基板を真空
室内で保持する基板保持手段と、該手段で保持された処
理済み基板な被エツチング面から加熱する基板加熱手段
とを７％ ｆ４１ｉ Ｌ／たことで、真空並びに加熱の
作用により処理済み基板に付着したガス成分１蒸発除去
できるので、加熱温度を低４できレジストを軟化、変質
させることなしに処理済み基板１充分に防食処理できる
という効果がある。
て基板がエツチングされる反応室に真空間ゲートを介し
て置設された真空室と、該真空室を処理済み基°板に付
着したガス成分の蒸気圧以下の圧力に減圧排気する真空
排気手段と、該手段で減圧排気された真空室に反応室か
ら真空間ゲートを介して搬入された処理済み基板を真空
室内で保持する基板保持手段と、該手段で保持された処
理済み基板な被エツチング面から加熱する基板加熱手段
とを７％ ｆ４１ｉ Ｌ／たことで、真空並びに加熱の
作用により処理済み基板に付着したガス成分１蒸発除去
できるので、加熱温度を低４できレジストを軟化、変質
させることなしに処理済み基板１充分に防食処理できる
という効果がある。
第１図は、本発明による基板後処理装置の一実施例を示
す真空室内部の平面図、第２図は、＠１図のＡ−Ａ視断
面図、第３図は、本発明による基板後処理装置の他の実
施例を示す真空室内部の平面図である。 頷・・・・・・反応室、（９）・・・・・・ゲートバル
ブ、４０・・・・・・真空室、関・・・・・・真空排気
手段、ω・・・・・・基板保持手段、７０・・・・・・
基板加熱手段 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 ｌ
す真空室内部の平面図、第２図は、＠１図のＡ−Ａ視断
面図、第３図は、本発明による基板後処理装置の他の実
施例を示す真空室内部の平面図である。 頷・・・・・・反応室、（９）・・・・・・ゲートバル
ブ、４０・・・・・・真空室、関・・・・・・真空排気
手段、ω・・・・・・基板保持手段、７０・・・・・・
基板加熱手段 代理人 弁理士 高 橋 明 夫 ｌ
Claims (1)
- １、反応室でガスプラズマを利用してエッチングされた
基板を、その後加熱処理する装置において、前記反応室
に真空間ゲートを介して具設された真空室と、該真空室
を前記基板に付着したガス成分の蒸気圧以下の圧力に減
圧排気する真空排気手段と、該手段で減圧排気された真
空室に反応室から真空間ゲートを介して搬入された前記
基板を真空室内で保持する基板保持手段と、該手段で保
持された基板を被エッチング面から加熱する基板加熱手
段とを具備したことを特徴とする基板後処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18951684A JPS6167919A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 基板後処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18951684A JPS6167919A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 基板後処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6167919A true JPS6167919A (ja) | 1986-04-08 |
Family
ID=16242586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18951684A Pending JPS6167919A (ja) | 1984-09-12 | 1984-09-12 | 基板後処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6167919A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442583A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-14 | Nec Corp | Dry etching device |
| JPH03153885A (ja) * | 1989-09-26 | 1991-07-01 | Applied Materials Inc | ウェーハの粒子汚染を減少する方法及び装置 |
| JPH0729880A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-31 | Nec Corp | 半導体製造装置 |
-
1984
- 1984-09-12 JP JP18951684A patent/JPS6167919A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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