JPH0729880A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0729880A JPH0729880A JP15405293A JP15405293A JPH0729880A JP H0729880 A JPH0729880 A JP H0729880A JP 15405293 A JP15405293 A JP 15405293A JP 15405293 A JP15405293 A JP 15405293A JP H0729880 A JPH0729880 A JP H0729880A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- magazine
- substrate
- load lock
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】基板上のアルミニウムまたはアルミニウム合金
膜のエッチング後に発生する残留塩素等によるアフター
コロージョンを防止する。 【構成】プラズマエッチング装置のエッチング処理室１
もしくはエッチング処理室１に続くレジスト剥離処理室
９につながるロードロック２内のパターニングされた基
板５を収納するマガジン４に、この基板５を加熱処理す
るヒータ８および温度コントローラ１０を備える。これ
により、エッチング後の基板のマガジン内放置中および
大気解放後のアフターコロージョンの発生を抑制でき
る。
膜のエッチング後に発生する残留塩素等によるアフター
コロージョンを防止する。 【構成】プラズマエッチング装置のエッチング処理室１
もしくはエッチング処理室１に続くレジスト剥離処理室
９につながるロードロック２内のパターニングされた基
板５を収納するマガジン４に、この基板５を加熱処理す
るヒータ８および温度コントローラ１０を備える。これ
により、エッチング後の基板のマガジン内放置中および
大気解放後のアフターコロージョンの発生を抑制でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置に関し、
特に半導体基板（以下、単に基板という）上のアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金膜のエッチング後に発生す
るアフターコロージョンを防止する手段を備えた半導体
製造装置に関する。
特に半導体基板（以下、単に基板という）上のアルミニ
ウムまたはアルミニウム合金膜のエッチング後に発生す
るアフターコロージョンを防止する手段を備えた半導体
製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のアフターコロージョン防止技術を
図面を用いて説明する。図３および図４はそれぞれ従来
のエッチング装置の要部構成図である。すなわち、特開
昭６２−１８０３２号公報に示すように、基板上のアル
ミニウムまたはアルミニウム合金膜をドライエッチング
した後、この基板をマガジンに収納する構造となってい
る。
図面を用いて説明する。図３および図４はそれぞれ従来
のエッチング装置の要部構成図である。すなわち、特開
昭６２−１８０３２号公報に示すように、基板上のアル
ミニウムまたはアルミニウム合金膜をドライエッチング
した後、この基板をマガジンに収納する構造となってい
る。
【０００３】基板５は、図３に示すように、エッチング
処理室１において塩素系もしくは臭素系作用ガスにより
アルミニウムまたはアルミニウム合金膜がパターニング
された後、あるいは図４に示すように、レジスト剥離処
理室９においてエッチングに続いてレジスト剥離処理を
行った後、搬送アーム３により水分の除去されたロード
ロック２内のマガジン４に収納される。ロードロック２
は所定枚数の収納が終ったところで大気に解放される。
このロードロック２は水分の除去された雰囲気となって
おり、この雰囲気は減圧（例えば１ｔｏｒｒ程度）状態
でもドライ窒素ガスでもよい。
処理室１において塩素系もしくは臭素系作用ガスにより
アルミニウムまたはアルミニウム合金膜がパターニング
された後、あるいは図４に示すように、レジスト剥離処
理室９においてエッチングに続いてレジスト剥離処理を
行った後、搬送アーム３により水分の除去されたロード
ロック２内のマガジン４に収納される。ロードロック２
は所定枚数の収納が終ったところで大気に解放される。
このロードロック２は水分の除去された雰囲気となって
おり、この雰囲気は減圧（例えば１ｔｏｒｒ程度）状態
でもドライ窒素ガスでもよい。
【０００４】また、図５は、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金膜を塩素系もしくは臭素系作用ガスを用いて
エッチングした後の残留塩素もしくは臭素を除去する方
法を示す説明図である。特開昭６３−５８８３５号公報
および特開昭６４−１５９３２号公報に示すように、基
板５は塩素系もしくは臭素系作用ガスによりアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金膜がプラズマエッチングされ
た後に大気解放され、別のレジスト剥離装置（アッシン
グ装置）内もしくはオーブン内にて、レジスト剥離後あ
るいはレジスト剥離と同時に熱処理される。処理温度は
１８０℃以上、処理時間は３〜３０分程度である。
ニウム合金膜を塩素系もしくは臭素系作用ガスを用いて
エッチングした後の残留塩素もしくは臭素を除去する方
法を示す説明図である。特開昭６３−５８８３５号公報
および特開昭６４−１５９３２号公報に示すように、基
板５は塩素系もしくは臭素系作用ガスによりアルミニウ
ムまたはアルミニウム合金膜がプラズマエッチングされ
た後に大気解放され、別のレジスト剥離装置（アッシン
グ装置）内もしくはオーブン内にて、レジスト剥離後あ
るいはレジスト剥離と同時に熱処理される。処理温度は
１８０℃以上、処理時間は３〜３０分程度である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング装置
においては、基板５をマガジン４へ収納する際、基板５
を大気解放してから残留塩素もしくは残留臭素除去工程
へ移すまでの所要時間を短縮することはできるが、アフ
ターコロージョンは大気解放と同時に進行するのです速
く次工程に進めなければならない。
においては、基板５をマガジン４へ収納する際、基板５
を大気解放してから残留塩素もしくは残留臭素除去工程
へ移すまでの所要時間を短縮することはできるが、アフ
ターコロージョンは大気解放と同時に進行するのです速
く次工程に進めなければならない。
【０００６】ロードロック２は通常はＯリング６でシー
ルされているが、Ｏリングは消耗品であるため常に外部
リークを起す危険性があり、また、エッチング処理室１
とロードロック２をつなぐゲートバルブ７の開閉時にエ
ッチング処理室１よりエッチングガスである塩素もしく
は臭素ガスがロードロック２内に拡散し、すでにエッチ
ング処理の終了したマガジン４内の基板５に再付着する
ので、エッチング処理に続くレジスト剥離処理の有無に
かかわらず、アフターコロージョンがロードロック２内
での待機中または大気解放直後に発生するという問題点
があった。
ルされているが、Ｏリングは消耗品であるため常に外部
リークを起す危険性があり、また、エッチング処理室１
とロードロック２をつなぐゲートバルブ７の開閉時にエ
ッチング処理室１よりエッチングガスである塩素もしく
は臭素ガスがロードロック２内に拡散し、すでにエッチ
ング処理の終了したマガジン４内の基板５に再付着する
ので、エッチング処理に続くレジスト剥離処理の有無に
かかわらず、アフターコロージョンがロードロック２内
での待機中または大気解放直後に発生するという問題点
があった。
【０００７】また、エッチング後における１８０℃以上
の加熱処理は、残留塩素または残留臭素の除去には効果
はあるが、基板５を大気解放後レジスト剥離装置やオー
ブンなどの別装置に移して加熱処理を行ったのでは、加
熱処理前にアフターコロージョンが発生してしまい、熱
処理の効果を充分に発揮することができないという問題
点があった。
の加熱処理は、残留塩素または残留臭素の除去には効果
はあるが、基板５を大気解放後レジスト剥離装置やオー
ブンなどの別装置に移して加熱処理を行ったのでは、加
熱処理前にアフターコロージョンが発生してしまい、熱
処理の効果を充分に発揮することができないという問題
点があった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
は、プラズマエッチングを行うエッチング処理室もしく
はエッチング処理室に続くレジスト剥離処理室につなが
るロードロック内のエッチング後の基板を収納するマガ
ジンに、この基板を加熱処理するヒータ機構を備えてい
る。
は、プラズマエッチングを行うエッチング処理室もしく
はエッチング処理室に続くレジスト剥離処理室につなが
るロードロック内のエッチング後の基板を収納するマガ
ジンに、この基板を加熱処理するヒータ機構を備えてい
る。
【０００９】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例の要部構成図、また、図２
は本発明の応用例を示す要部構成図である。
る。図１は本発明の一実施例の要部構成図、また、図２
は本発明の応用例を示す要部構成図である。
【００１０】図１に示す装置は、図３に示した従来装置
のマガジン４にヒータ８を設けたものである。ヒータ８
は温度コントローラ１０により温度制御される。エッチ
ング処理室１にてアルミニウムまたはアルミニウム合金
膜がパターニングされた基板５は、水分の除去された雰
囲気、すなわち減圧またはドライ窒素ガス雰囲気のロー
ドロック２内のマガジン４に収納される。マガジン４は
ヒータ８で１８０℃以上に加熱されており、ロードロッ
ク２はマガジン４に所定枚数が収納されたところで大気
に解放される。
のマガジン４にヒータ８を設けたものである。ヒータ８
は温度コントローラ１０により温度制御される。エッチ
ング処理室１にてアルミニウムまたはアルミニウム合金
膜がパターニングされた基板５は、水分の除去された雰
囲気、すなわち減圧またはドライ窒素ガス雰囲気のロー
ドロック２内のマガジン４に収納される。マガジン４は
ヒータ８で１８０℃以上に加熱されており、ロードロッ
ク２はマガジン４に所定枚数が収納されたところで大気
に解放される。
【００１１】通常は、先にエッチング処理された基板程
ロードロック内での待機時間が長くなり、ロードロック
２の外部リークによる水分の侵入や、ゲートバルブ７の
開閉によるエッチング処理室１からの塩素、臭素といっ
たエッチングガスのロードロック２内への拡散によりア
フターコロージョンが発生し易い。しかし、本実施例は
マガジン４が１８０℃以上に加熱されているため、基板
５の待機中に残留塩素や残留臭素が除去され、また、そ
れらエッチングガスの基板５への再付着も防止されるの
で、ロードロック２の大気解放以前または直後にアフタ
ーコロージョンが発生することはない。
ロードロック内での待機時間が長くなり、ロードロック
２の外部リークによる水分の侵入や、ゲートバルブ７の
開閉によるエッチング処理室１からの塩素、臭素といっ
たエッチングガスのロードロック２内への拡散によりア
フターコロージョンが発生し易い。しかし、本実施例は
マガジン４が１８０℃以上に加熱されているため、基板
５の待機中に残留塩素や残留臭素が除去され、また、そ
れらエッチングガスの基板５への再付着も防止されるの
で、ロードロック２の大気解放以前または直後にアフタ
ーコロージョンが発生することはない。
【００１２】本実施例の装置を用いてアルミニウムまた
はアルミニウム合金膜のエッチング処理を行った例を説
明する。まず、シリコン基板上の酸化膜（０．３μｍ
厚）上に、Ｔｉ（０．０５μｍ厚）、ＴｉＮ（０．１〜
０．２μｍ厚）、Ａｌ−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５
％）合金（１μｍ厚）をスパッタ法により順次成長さ
せ、さらにその上にレジストパターン（ラインアンドス
ペース＝０．８μｍ／０．８〜１０μｍ）を形成し、Ｂ
Ｃｌ3 ガスもしくはＣｌ2 ガスにより１０-2ｔｏｒｒの
真空中で反応性イオンエッチングを行った。その時、マ
ガジン４を加熱しない場合はロードロック２を大気解放
後１０分でアフターコロージョンが発生したのに対し、
マガジン４を１８０℃で加熱した場合は１２時間以上ア
フターコロージョンが発生しなかった。
はアルミニウム合金膜のエッチング処理を行った例を説
明する。まず、シリコン基板上の酸化膜（０．３μｍ
厚）上に、Ｔｉ（０．０５μｍ厚）、ＴｉＮ（０．１〜
０．２μｍ厚）、Ａｌ−Ｓｉ（１％）−Ｃｕ（０．５
％）合金（１μｍ厚）をスパッタ法により順次成長さ
せ、さらにその上にレジストパターン（ラインアンドス
ペース＝０．８μｍ／０．８〜１０μｍ）を形成し、Ｂ
Ｃｌ3 ガスもしくはＣｌ2 ガスにより１０-2ｔｏｒｒの
真空中で反応性イオンエッチングを行った。その時、マ
ガジン４を加熱しない場合はロードロック２を大気解放
後１０分でアフターコロージョンが発生したのに対し、
マガジン４を１８０℃で加熱した場合は１２時間以上ア
フターコロージョンが発生しなかった。
【００１３】図２は、エッチング処理室１とロードロッ
ク２との間にレジスト剥離処理室９を介在させた場合の
応用例である。本応用例はレジスト剥離処理室９を設け
た以外は前記実施例と同様であるので説明は省略する。
すなわち、レジスト剥離処理室９を介在させた場合で
も、ヒータ機構を有することによって前記実施例と同様
の効果が得られた。
ク２との間にレジスト剥離処理室９を介在させた場合の
応用例である。本応用例はレジスト剥離処理室９を設け
た以外は前記実施例と同様であるので説明は省略する。
すなわち、レジスト剥離処理室９を介在させた場合で
も、ヒータ機構を有することによって前記実施例と同様
の効果が得られた。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、プラズマ
エッチング装置のエッチング処理室もしくはエッチング
室に続くレジスト剥離処理室につながるロードロック内
のエッチング後の基板を収納するマガジンに、この基板
を加熱処理するヒータ機構を備えたことにより、パター
ニングされた基板のマガジン内放置中および大気解放後
のアフターコロージョンの発生を抑制できるという効果
を有する。
エッチング装置のエッチング処理室もしくはエッチング
室に続くレジスト剥離処理室につながるロードロック内
のエッチング後の基板を収納するマガジンに、この基板
を加熱処理するヒータ機構を備えたことにより、パター
ニングされた基板のマガジン内放置中および大気解放後
のアフターコロージョンの発生を抑制できるという効果
を有する。
【図１】本発明の一実施例の要部構成図である。
【図２】本発明の応用例の要部構成図である。
【図３】従来の製造装置の要部構成図である。
【図４】従来の他の製造装置の要部構成図である。
【図５】従来のコロージョン防止処理の説明図である。
１ エッチング処理室 ２ ロードロック ３ 搬送アーム ４ マガジン ５ 基板 ６ Ｏリング ７ ゲートバルブ ８ ヒータ ９ レジスト剥離処理室 １０ 温度コントローラ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板上のアルミニウムまたはアル
ミニウム合金膜をプラズマエッチングによりパターニン
グする半導体製造装置において、プラズマエッチングを
行うエッチング処理室につながるロードロック内の前記
パターニングされた半導体基板を収納するマガジンに、
この半導体基板を加熱処理するヒータ機構を備えたこと
を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15405293A JPH0729880A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15405293A JPH0729880A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0729880A true JPH0729880A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15575866
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15405293A Pending JPH0729880A (ja) | 1993-06-25 | 1993-06-25 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0729880A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047679A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167919A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Hitachi Ltd | 基板後処理装置 |
| JPS6442583A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-14 | Nec Corp | Dry etching device |
-
1993
- 1993-06-25 JP JP15405293A patent/JPH0729880A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6167919A (ja) * | 1984-09-12 | 1986-04-08 | Hitachi Ltd | 基板後処理装置 |
| JPS6442583A (en) * | 1987-08-06 | 1989-02-14 | Nec Corp | Dry etching device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016047679A1 (ja) * | 2014-09-26 | 2016-03-31 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960702 |