WO2016047679A1 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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WO2016047679A1
WO2016047679A1 PCT/JP2015/076906 JP2015076906W WO2016047679A1 WO 2016047679 A1 WO2016047679 A1 WO 2016047679A1 JP 2015076906 W JP2015076906 W JP 2015076906W WO 2016047679 A1 WO2016047679 A1 WO 2016047679A1
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substrate
holder
substrate holder
lifter
terminal
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PCT/JP2015/076906
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English (en)
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Inventor
小林　賢一
横山　俊夫
Original Assignee
株式会社荏原製作所
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate such as a semiconductor wafer.
  • bumps protruding shapes that form wiring in fine wiring grooves, holes, or resist openings provided on the surface of a semiconductor wafer, etc., or are electrically connected to the surface of a semiconductor wafer or the like with package electrodes, etc. Forming an electrode).
  • a method for forming the wiring and the bump for example, an electrolytic plating method, an electroless plating method, a vapor deposition method, a printing method, a ball bump method, and the like are known. With the recent increase in the number of I / Os of semiconductor chips and fine pitches, electrolytic plating methods that can be miniaturized and have relatively stable performance have come to be used.
  • the resist formed on the substrate is stripped and the seed layer (or barrier metal) is etched.
  • the resist formed on the substrate is removed by immersing the substrate in a processing solution such as an organic solvent in a processing tank.
  • a processing solution such as an organic solvent in a processing tank.
  • the temperature of the treatment liquid needs to be maintained at a high temperature of about 80 ° C. or higher.
  • the substrate and the substrate holder that holds the substrate are usually maintained at about room temperature, when the substrate and the substrate holder that holds the substrate are immersed in the processing solution, the temperature of the processing solution decreases.
  • the temperature of the treatment liquid is less than 80 ° C., the resist component dissolved in the treatment liquid may be reattached to the substrate.
  • the temperature of the processing liquid needs to be maintained at about 30 ° C. in order to exert a desired etching effect. There is. However, similarly, if a substrate maintained at about room temperature and a substrate holder that holds the substrate are immersed in the processing liquid, the temperature of the processing liquid may decrease and the etching rate may decrease.
  • a plating film is formed on the substrate by immersing the substrate in a plating solution in a treatment tank.
  • the temperature of the plating solution needs to be maintained at a high temperature of about 80 ° C. or higher.
  • the temperature of the plating solution decreases, the film formation rate decreases, and the film The in-plane uniformity of thickness may be deteriorated.
  • the substrate temperature is increased by immersing the substrate in warm water immediately before the plating process, and the substrate temperature is set to a plating bath. It is known that the plating process is performed after the temperature is raised (see Patent Document 1).
  • the present invention has been made in view of the above problems, and its object is to suppress the temperature of the processing solution from being lowered when the substrate and the substrate holder are immersed in the processing solution without reducing the throughput of the substrate processing. It is to be.
  • a substrate processing apparatus is provided.
  • the substrate processing apparatus is provided in a processing tank for storing a substrate holder holding a substrate and processing the substrate, a holder stocker for storing the substrate holder, and the holder stocker.
  • a first heating device configured to heat the substrate holder to be stored.
  • the said substrate holder is the holder for supplying with electricity the 2nd heating apparatus comprised so that the said board
  • the substrate processing apparatus has a first power source for supplying power to the second heating apparatus.
  • the holder stocker has a stocker terminal connected to the first power source and configured to be in contact with the holder terminal of the substrate holder.
  • the stocker terminal is configured to contact the holder terminal while the substrate holder is stored in the holder stocker, whereby power is supplied from the first power source to the second heating device.
  • the substrate processing apparatus includes a transporter that transports the substrate holder holding the substrate, and a second power source for supplying power to the two heating devices.
  • the transport device has a transport device terminal connected to the second power source and configured to be in contact with the holder terminal of the substrate holder.
  • the transport machine terminal is configured to contact the holder terminal while the substrate holder is transported to the transport machine, whereby power is supplied from the second power source to the second heating device. .
  • the substrate processing apparatus supports the substrate holder holding the substrate, stores the substrate holder in the processing tank, or removes the substrate holder from the processing tank;
  • the lifter includes a lifter terminal connected to the third power source and configured to be in contact with the holder terminal of the substrate holder.
  • the lifter terminal is configured to contact the holder terminal while the substrate holder is supported by the lifter, whereby electric power is supplied from the third power source to the second heating device.
  • the substrate processing apparatus has a fourth power source for supplying power to the second heating apparatus.
  • the processing tank has a processing tank terminal connected to the fourth power source and configured to be in contact with the holder terminal of the substrate holder.
  • the processing tank terminal is configured to contact the holder terminal while the substrate holder is housed in the processing tank, whereby power is supplied from the fourth power source to the second heating device. .
  • the substrate processing apparatus has a cover configured to cover the periphery of the substrate holder that is taken in and out of the processing bath.
  • the cover includes a third heating device configured to heat the substrate and the substrate holder before the substrate holder is accommodated in the processing tank.
  • a substrate processing method for processing a substrate held by a substrate holder includes a step of storing the substrate holder in a holder stocker, a step of heating the substrate holder in the holder stocker, a step of holding the substrate by the substrate holder, and the substrate holding the substrate Conveying the holder; storing the substrate holder in a processing tank; and processing the substrate held by the substrate holder in the processing tank.
  • the substrate processing method includes a step of heating the substrate holder while the substrate holder is being transported.
  • a substrate processing method includes a step of supporting the transported substrate holder with a lifter, a step of heating the substrate holder supported by the lifter, and a processing tank for processing the substrate holder with the lifter. And storing in a step.
  • the substrate processing method includes a step of heating the substrate holder while the substrate holder is stored in the processing tank.
  • the present invention it is possible to suppress the temperature of the processing liquid from decreasing when the substrate and the substrate holder are immersed in the processing liquid without reducing the throughput of the substrate processing.
  • FIG. 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 250 includes four cassettes 30a, 30b, 30c, and 30d that store substrates such as semiconductor wafers, and two substrate dryers 31a that dry the processed substrates. 31b and a holder stocker that accommodates the substrate holder, the fixing units 40a and 40b for attaching / detaching the substrate to / from the substrate holder, and the two substrate transfer robots 32a and 32b for transferring the substrate between these units are provided. Is arranged. Note that four substrate dryers may be arranged in the substrate processing apparatus 250 by arranging two substrate dryers in the vertical direction at positions where the substrate dryers 31a and 31b are arranged.
  • the substrate processed by the resist stripping unit 140 described later is taken out from the cassette 30a or the cassette 30b by the substrate transport robot 32a and transported to the fixing unit 40a.
  • the resist is peeled off from the substrate mounted on the substrate holder by the fixing unit 40a after that by the resist peeling unit 140.
  • the substrate from which the resist has been peeled off by the resist peeling unit 140 is taken out from the substrate holder in the fixing unit 40a.
  • the substrate taken out from the substrate holder is transported from the fixing unit 40a to the substrate dryer 31a by the substrate transport robot 32a.
  • the substrate is cleaned and dried by the substrate dryer 31a using IPA (Iso-Propyl Alcohol) and DIW (De-Ionized Water).
  • the dried substrate is returned to the cassette 30a or the cassette 30b by the substrate transport robot 32a.
  • the substrate to be etched by the etching unit 110 described later is taken out from the cassette 30c or the cassette 30d by the substrate transport robot 32b and transported to the fixing unit 40b.
  • the substrate mounted on the substrate holder by the fixing unit 40b is then etched by the etching unit 110.
  • the substrate subjected to the etching process by the etching unit 110 is taken out from the substrate holder in the fixing unit 40b.
  • the substrate taken out from the substrate holder is transported from the fixing unit 40b to the substrate dryer 31b by the substrate transport robot 32b.
  • the substrate is cleaned and dried by the substrate dryer 31b using IPA and DIW.
  • the dried substrate is returned to the cassette 30c or the cassette 30d by the substrate transport robot 32b.
  • the substrate processing apparatus 250 is provided with a resist stripping unit 140 that performs processing for stripping the resist formed on the substrate.
  • the resist stripping unit 140 includes two prewetting tanks 145a and 145b for improving the hydrophilicity of the substrate surface, and three resist stripping modules 150 for stripping the resist formed on the substrate.
  • Each of the resist stripping modules 150 includes a plurality of tanks.
  • the pre-wet tanks 145a and 145b are provided with a horizontally movable lifter 70 for storing and taking out the substrate holder with respect to the pre-wet tanks 145a and 145b along both sides of the tank.
  • the resist stripping module 150 is provided with a horizontally movable lifter 70 that stores or removes the substrate holder from and to a plurality of tanks constituting the resist stripping module 150 along both sides of the tank.
  • the resist stripping unit 140 includes a substrate transport device 50a (as an example of a transporter) that transports a substrate between the fixing unit 40a, the lifter 70 provided in the prewetting tanks 145a and 145b, and the lifter 70 provided in the resist stripping module 150. Equivalent).
  • the substrate holder holding the substrate is transferred from the fixing unit 40a to the substrate transfer device 50a, and transferred to the lifter 70 provided in the pre-wet tanks 145a and 145b by the substrate transfer device 50a.
  • the lifter 70 stores the transferred substrate holder in the vacant tank of the pre-wet tank 145a and the pre-wet tank 145b.
  • the substrate is sprayed with DIW and IPA in the pre-wet tank 145a or the pre-wet tank 145b.
  • the substrate holder is taken out of the pre-wet tank 145a or the pre-wet tank 145b by the lifter 70 and transferred to the substrate transport apparatus 50a.
  • the substrate holder is transferred to the lifter 70 included in one of the resist stripping modules 150 by the substrate transport device 50a, and is stored in the processing tank of the resist stripping module 150 by the lifter 70.
  • the substrate holder is taken out of the processing tank by the lifter 70 included in the resist stripping module 150 and transferred to the substrate transport apparatus 50a.
  • the substrate holder is returned to the fixing unit 40a by the substrate transfer device 50a.
  • the substrate processing apparatus 250 is provided with an etching unit 110 that performs etching of a seed layer formed on the substrate.
  • the etching unit 110 includes two pre-wet tanks 115a and 115b for improving the hydrophilicity of the substrate surface, and three etching modules 120 for etching a seed layer formed on the substrate.
  • Each of the etching modules 120 includes a plurality of tanks.
  • the pre-wet tanks 115a and 115b are provided with lifters 70 along both sides of the tank for storing or removing the substrate holder from the pre-wet tanks 115a and 115b.
  • the etching module 120 includes a lifter 70 that stores or removes the substrate holder from and to the plurality of tanks constituting the etching module 120 along both sides of the tank.
  • the etching unit 110 is a substrate transfer device 50b (corresponding to an example of a transfer machine) that transfers a substrate between the fixing unit 40b, the lifter 70 provided in the prewetting tanks 115a and 115b, and the lifter 70 provided in the etching module 120. ).
  • the substrate holder holding the substrate is transferred from the fixing unit 40b to the substrate transfer device 50b, and is transferred by the substrate transfer device 50b to the lifter 70 provided in the pre-wet tanks 115a and 115b.
  • the lifter 70 stores the transferred substrate holder in the vacant tank of the pre-wet tank 115a and the pre-wet tank 115b.
  • the substrate is sprayed with DIW or IPA in the pre-wet tank 115a or the pre-wet tank 115b.
  • the substrate holder is taken out of the pre-wet tank 115a or the pre-wet tank 115b by the lifter 70 and transferred to the substrate transfer device 50b.
  • the substrate holder is transferred to the lifter 70 included in one of the etching modules 120 by the substrate transfer device 50b, and is stored in the processing tank of the etching module 120 by the lifter 70.
  • the substrate holder is taken out of the processing tank by the lifter 70 included in the etching module 120 and transferred to the substrate transfer device 50b.
  • the substrate holder is returned to the fixing unit 40b by the substrate transfer device 50b.
  • the cassettes 30c and 30d, the substrate dryer 31b, and the substrate are compared with the cassettes 30a and 30b, the substrate dryer 31a, the substrate transfer robot 32a, the fixing unit 40a, and the resist stripping unit 140.
  • the transfer robot 32b, the fixing unit 40b, and the etching unit 110 are configured to have a substantially symmetrical positional relationship.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view showing the fixing unit 40b and the etching unit 110 shown in FIG.
  • the pre-wet tanks 115a and 115b and the two etching modules 120 are not shown for convenience.
  • the fixing unit 40b and the etching unit 110 are arranged in a straight line.
  • the pre-wet tanks 115a and 115b (not shown) and the three etching modules 120 (only one is shown in the figure) are each provided with a lifter 70 arranged along the alignment direction on the side of the tank.
  • Each lifter 70 is configured to be movable in the horizontal direction from one end to the other end of each treatment tank. That is, each lifter 70 can move to the position of the lifter 70 indicated by a broken line in the drawing.
  • the substrate transport device 50b transports the substrate holder 80 so that the substrate holder 80 passes over the fixing unit 40b and the etching unit 110.
  • Each of the lifters 70 includes a cover 90 configured to cover the periphery of the substrate holder 80 supported by the lifter 70. In the drawing, the cover 90 is omitted from the lifter 70 included in the etching module 120.
  • FIG. 3 is a perspective view of the substrate holder.
  • the substrate holder 80 includes a base 81 that is a long and thin plate-like member and two arm portions 82-1 and 82- that are plate-like members that are formed to extend from both ends of the base 81. 2 and two holder parts 83-1 and 83-2 for holding the substrate.
  • the locations where the base 81, the arm portions 82-1 and 82-2 and the holder portions 83-1 and 83-2 intersect are the gripped portions 85-1 and 85-2 of the substrate holder 80, and the gripped portions 85-1 and 85-2 85-2 is held by the substrate transfer apparatuses 50a and 50b.
  • the gripped portions 85-1 and 85-2 of the substrate holder 80 have a pair of holder terminals 86a and 86b for energizing a sheathed heater (see FIG. 5), which will be described later, provided inside the substrate holder 80, respectively. Provided on the surface.
  • a pair of holder terminals 87a and 87b for energizing a later-described sheathed heater (see FIG. 5) provided inside the substrate holder 80 are provided on the lower surface (lifter 70).
  • the arm portions 82-1 and 82-2 are portions that are suspended from the side wall of the processing tank when the substrate holder 80 is immersed in the processing tank, and are portions that are supported by the lifter 70.
  • the holder parts 83-1 and 83-2 are substantially L-shaped plate-like members formed from both ends of the base part 81 in a direction substantially perpendicular to the longitudinal direction of the base part 81.
  • the substrate holder 80 can accommodate and hold a substrate such as a semiconductor wafer in the space 84 between the holder portion 83-1 and the holder portion 83-2.
  • FIG. 4 is an enlarged perspective view of the holder portion 83-1 shown in FIG. In FIG. 4, a state in which the substrate holder 80 holds the substrate W is shown.
  • the holder portion 83-1 has a plurality of slits 84a, 84b, 84c along a surface facing the holder portion 83-2, that is, a surface facing the space 84 shown in FIG.
  • the holder part 83-2 also has a plurality of slits similar to the holder part 83-1 along the surface facing the holder part 83-1.
  • the substrate W is held by the substrate holder 80 by inserting the outer periphery of the substrate W into the slits 84a, 84b, 84c of the holder portion 83-1, and the slit of the holder portion 83-2. Thereby, it can suppress that the board
  • FIG. 5 is a partial front view showing the arm portion 82-1, the holder portion 83-1, and the gripped portion 85-1 shown in FIG.
  • a cross section is partially shown in order to explain a sheathed heater or the like provided inside the substrate holder 80.
  • the substrate holder 80 forms a halved structure in the thickness direction. As shown in FIG. 5, cavities are formed inside the arm portion 82-1, the gripped portion 85-1, and the holder portion 83-1. In the cavity of the holder portion 83-1, a sheathed heater 89 (corresponding to an example of a second heating device) made of nichrome wire or the like for heating the substrate holder 80 and the substrate W held by the substrate holder 80 is provided. . Further, in the cavities of the arm portion 82-1, the gripped portion 85-1, and the holder portion 83-1, a holder terminal 87a and a wiring 88a for connecting the holder terminal 86a (see FIG. 3) and the sheathed heater 89 are provided.
  • Holder terminal 87b and holder terminal 86b (see FIG. 3) and wiring 88b for connecting sheathed heater 89 are provided. Therefore, by supplying electric power to the holder terminals 86a and 86b (see FIG. 3) or the holder terminals 87a and 87b, the sheathed heater 89 generates heat, and the substrate holder 80 and the substrate W can be heated.
  • wirings 88a and 88b and a sheathed heater 89 are similarly provided in the arm part 82-2, the gripped part 85-2, and the holder part 83-2.
  • the fixing unit 40b includes a holder stocker for storing the substrate holder 80 shown in FIG. 3 and the like, and a substrate attaching / detaching device for attaching / detaching the substrate to / from the substrate holder 80 taken out from the holder stocker.
  • the holder stocker will be described in detail.
  • FIG. 6 is a front view of the holder stocker of the fixing unit 40b
  • FIG. 7 is a perspective view of the holder stocker of the fixing unit 40b.
  • the holder stocker 41 accommodates a plurality of substrate holders 80 that do not hold the substrate W (however, one substrate holder 80 is accommodated in FIG. 6 and three substrate holders 80 are accommodated in FIG. 7). ).
  • the holder stocker 41 is configured to receive the substrate holder 80 in a horizontal posture and to align the plurality of substrate holders 80 in the vertical direction.
  • the holder stocker 41 includes four columnar members 42a, 42b, 42c, and 42d.
  • Each columnar member 42a, 42b, 42c, 42d is formed with a plurality of slit-shaped holder receiving portions 43 that open in the horizontal direction.
  • the corresponding four holder receiving portions 43 have the same height.
  • These four holder receiving portions 43 form one holder accommodating portion and accommodate one substrate holder 80.
  • the holder receiving portion 43 When the substrate holder 80 is housed in the holder stocker 41, the end portions of the two arm portions 82-1 and 82-2 and the tip portions of the holder portions 83-1 and 83-2 are received by the holder receiving portion 43. It is done. Since the four holder receiving portions 43 corresponding to each other have the same height, the substrate holder 80 is held in a substantially horizontal posture at four points. However, the substrate holder 80 can be kept horizontal if it is supported at a minimum of three points. For this reason, the holder accommodating part may be a combination of three holder receiving parts 43.
  • the columnar members 42a and 42b of the holder stocker 41 are provided with a heating device 44 (corresponding to an example of a first heating device) along the length direction thereof.
  • the heating device 44 generates heat when power is supplied from a power supply 48 (corresponding to an example of a first power supply), and heats the substrate holder 80 stored in the holder stocker 41 via the columnar members 42a and 42b. .
  • the holder stocker 41 is configured to be in contact with the holder terminals 87a and 87b (see FIGS. 3 and 5) of the substrate holder 80 inside the slits of the holder receiving portions 43 of the columnar members 42a and 42b. 47.
  • the stocker terminal 47 is connected to a power supply 48, and is configured to be able to apply a positive voltage or a negative voltage to each of the holder terminals 87a and 87b.
  • a substrate holder transport mechanism 45 is provided below the holder stocker 41.
  • the substrate holder transport mechanism 45 is for moving the substrate holder 80 in and out of the holder receiving portion 43 and moving the removed substrate holder 80 up and down. Further, the substrate holder transport mechanism 45 is attached to an elevating mechanism and can be moved up and down in the vertical direction.
  • the elevating mechanism includes a linear guide 46a extending linearly in the vertical direction, a screw shaft 46b extending parallel to the linear guide 46a, a ball screw 46c screwed to the screw shaft 46b, and a timing belt. And a drive motor 46d for rotating the screw shaft 46b.
  • the substrate holder transport mechanism 45 transports the substrate holder 80 taken out from the holder receiving portion 43 to a substrate attaching / detaching portion (not shown) provided in the fixing unit 40b.
  • the substrate attaching / detaching unit attaches the substrate W to the substrate holder 80 received from the substrate holder transport mechanism 45.
  • the substrate attaching / detaching unit takes out the processed substrate W from the substrate holder 80, and the substrate holder transport mechanism 45 receives the empty substrate holder 80 from the substrate attaching / detaching unit.
  • the substrate holder transport mechanism 45 accommodates the received substrate holder in the holder receiving portion 43.
  • FIG. 8 is a perspective view of the substrate transfer apparatus 50b shown in FIG.
  • a processing tank 66 is shown for convenience.
  • the processing tank 66 simply shows the pre-wet tanks 115a and 115b or the etching module 120 shown in FIG. 1, and the number of tanks is different from that shown in FIG.
  • the fixing unit 40b is shown in order to explain the positional relationship between the fixing unit 40b and the substrate transport apparatus 50b shown in FIG.
  • the substrate transport apparatus 50 b includes a gripping mechanism 54 (corresponding to an example of a gripping unit) for gripping the substrate holder 80 and a substrate holder 80 gripped by the gripping mechanism 54.
  • a transport mechanism 51 (corresponding to an example of a transport unit).
  • the transport mechanism 51 includes a traveling pedestal 56 to which the gripping mechanism 54 is attached, a guide rail 53 for guiding the traveling pedestal 56, and a traveling motor 52 for traveling the traveling pedestal 56 on the guide rail 53.
  • the gripping mechanism 54 that grips the substrate holder 80 can travel along the guide rail 53 from one end to the other end of the guide rail 53 by the transport mechanism 51.
  • the gripping mechanism 54 grips the substrate holder 80 with the in-plane direction of the substrate W facing the horizontal direction.
  • the traveling motor 52 is driven in this state, the traveling base 56 travels along the guide rail 53. Accordingly, the transport mechanism 51 transports the substrate holder 80 so that the substrate holder 80 passes above the processing tank 66 in a state where the in-plane direction of the substrate W faces the horizontal direction.
  • the substrate transport apparatus 50b includes a rotation motor 55 (corresponding to an example of a drive unit) that rotates the gripping mechanism 54.
  • the rotation motor 55 moves the holding mechanism 54 that holds the substrate holder 80 in a state where the in-plane direction of the substrate W faces the horizontal direction, so that the in-plane direction of the substrate W faces the vertical direction (the normal direction of the substrate W). Rotate approximately 90 degrees so that is oriented horizontally.
  • the substrate holder 80 is transferred from the gripping mechanism 54 to the lifter 70 shown in FIG. 2 with the in-plane direction of the substrate W held by the substrate holder 80 facing the vertical direction.
  • the substrate holder 80 delivered to the lifter 70 is stored in the processing tank 66 by the lifter 70.
  • the rotation motor 55 rotates the gripping mechanism 54 that grips the substrate holder 80 in a state where the in-plane direction of the substrate W faces the vertical direction, by about 90 degrees so that the in-plane direction of the substrate W faces the horizontal direction. Can be made.
  • the substrate holder 80 is transferred from the lifter 70 shown in FIG. 2 to the gripping mechanism 54 with the substrate holder 80 facing in the vertical direction.
  • the substrate holder 80 delivered to the gripping mechanism 54 is rotated so that the substrate W faces the horizontal direction when the rotation motor 55 rotates the gripping mechanism 54.
  • FIG. 9 is a partially enlarged view of the gripping mechanism 54
  • FIG. 10 is an enlarged side view of the transport mechanism 51 and the gripping mechanism 54.
  • the gripping mechanism 54 has a rotation shaft 58 configured to be rotatable by a rotation motor 55.
  • the gripping mechanism 54 can change the direction of the gripped substrate holder 80 between the vertical direction and the horizontal direction by rotating the rotation shaft 58 in the circumferential direction by the rotation motor 55.
  • the gripping mechanism 54 includes a pair of holder clamps 60 provided on the rotation shaft 58, a substrate presser 61 that presses the substrate W against the substrate holder 80, and a holder that detects the presence or absence of the substrate holder 80. And a detection sensor 59.
  • the holder clamp 60 holds the gripped portions 85-1 and 85-2 (see FIG. 3) of the substrate holder 80.
  • the holder detection sensor 59 is, for example, an optical sensor or a magnetic sensor for detecting the presence or absence of the substrate holder 80 when the holder clamp 60 holds the substrate holder 80.
  • the substrate retainer 61 contacts the substrate W against the substrate holder 80 by contacting the substrate W with the shaft portion 62, the air cylinder 65 configured to slide the shaft portion 62 in the axial direction and rotate in the circumferential direction.
  • a holding part 63 and a substrate detection sensor 64 for detecting the presence or absence of the substrate W are provided.
  • the shaft portion 62 has one end connected to the air cylinder 65 and the other end connected to the presser portion 63.
  • the pressing portion 63 is a rod-like member having one end connected to the other end of the shaft portion 62 and the other end extending in a direction substantially perpendicular to the axial direction of the shaft portion 62.
  • the substrate detection sensor 64 is an optical sensor or a magnetic sensor, for example, fixed to the other end of the pressing portion 63 via a fixing means.
  • the pair of holder clamps 60 grip the gripped portions 85-1 and 85-2 (see FIG. 3) of the substrate holder 80.
  • the holder clamp 60 includes a transfer machine terminal 67 that comes into contact with holder terminals 86a and 86b (see FIG. 10) of the substrate holder 80 when the gripped portions 85-1 and 85-2 of the substrate holder 80 are gripped.
  • the substrate transfer device 50 b includes a power source 55 a (corresponding to an example of a second power source) inside a casing that constitutes the rotary motor 55.
  • the transport machine terminal 67 is connected to the power supply 55a and configured to be able to apply a positive voltage or a negative voltage to each of the holder terminals 86a and 86b.
  • the transport machine terminal 67 contacts the holder terminals 86a and 86b.
  • electric power is supplied to the holder terminals 86a and 86b by the power supply 55a, the sheathed heater 89 (see FIG. 5) in the substrate holder 80 generates heat, and the substrate holder 80 and the substrate W can be heated.
  • the power source 55a is provided inside the casing constituting the rotary motor 55.
  • the present invention is not limited to this, and the power source 55a is provided anywhere as long as power can be supplied to the transport machine terminal 67. It may be.
  • the gripping mechanism 54 of the substrate transport apparatus 50b receives the substrate holder 80 holding the substrate W from the fixing unit 40b with the in-plane direction of the substrate W oriented in the horizontal direction.
  • the gripping mechanism 54 grips the substrate holder 80
  • the transfer machine terminal 67 comes into contact with the holder terminals 86a and 86b, and the sheathed heater 89 (see FIG. 5) generates heat to heat the substrate holder 80 and the substrate W.
  • the transport mechanism 51 transports the substrate holder 80 through the processing tank 66 while the in-plane direction of the substrate W faces the horizontal direction.
  • the transport mechanism 51 stops the gripping mechanism 54 immediately above a predetermined processing tank 66.
  • the gripping mechanism 54 rotates the substrate holder 80 so that the in-plane direction of the substrate W faces the vertical direction.
  • the lifter 70 shown in FIG. 2 receives the substrate holder 80 from the gripping mechanism 54 while the in-plane direction of the substrate W faces the vertical direction.
  • the lifter 70 stores the received substrate holder 80 in the processing tank 66 with the in-plane direction of the substrate W oriented in the vertical direction.
  • the power is supplied to the holder terminals 86a and 86b by the power supply 55a from when the gripping mechanism 54 receives the substrate holder 80 from the fixing unit 40b to when the gripping mechanism 54 delivers the substrate holder 80 to the lifter 70.
  • the holder 80 and the substrate W are heated.
  • the lifter 70 shown in FIG. 2 takes out the substrate holder 80 from the processing tank 66.
  • the gripping mechanism 54 of the substrate transport apparatus 50b receives the substrate holder 80 from the lifter 70 in a state where the in-plane direction of the substrate W faces the vertical direction.
  • the gripping mechanism 54 rotates the substrate holder 80 so that the in-plane direction of the substrate W faces the horizontal direction.
  • the transport mechanism 51 passes the substrate holder 80 over the processing tank 66 and transports the substrate holder 80 to the processing tank 66 or the fixing unit 40b that performs the subsequent process.
  • the holder terminals 86 a and 86 b after the gripping mechanism 54 receives the substrate holder 80 from the lifter 70 and before the gripping mechanism 54 is transported to the processing tank 66 where the subsequent process is performed and the gripping of the substrate holder 80 is released.
  • the power is supplied from the power source 55a to heat the substrate holder 80 and the substrate W.
  • power supply from the power supply 55a is not required. It may be temporarily stopped.
  • FIG. 11 is a perspective view showing the lifter 70.
  • FIG. 4 also shows an etching module 120 as an example of the treatment tank.
  • the lifter 70 is provided with a pair of rail portions 71 disposed on both sides of the etching module 120, a slide portion 75 slidably provided on the rail portion 71, and the slide portion 75.
  • a support part 74 and a horizontal movement mechanism 72 capable of moving the rail part 71 in the horizontal direction are provided.
  • the horizontal movement mechanism 72 is provided on both sides of the etching module 120 along the horizontal direction.
  • the pair of rail portions 71 are provided so as to extend in the vertical direction from the horizontal movement mechanism 72, and include a rail for sliding the slide portion 75 on the side where the pair of rail portions 71 are opposed to each other.
  • the slide part 75 is configured to be slidable in the vertical direction along the rail of the rail part 71.
  • the slide part 75 is slid up and down by a driving device (not shown).
  • the support portion 74 is a member formed so as to protrude to the opposite side of the pair of rail portions 71, and supports the arm portions 82-1 and 82-2 of the substrate holder 80 from below (see FIG. 12 described later). ). That is, the substrate holder 80 is supported by the support portion 74 so as to be positioned between the pair of rail portions 71.
  • the upper surface of the support portion 74 (the surface that comes into contact with the arm portions 82-1 and 82-2 of the substrate / BR> Z rudder 80) is configured to come into contact with the holder terminals 87a and 87b (see FIGS. 3 and 5).
  • Each of the lifter terminals 76 is provided.
  • the lifter terminal is connected to a power source 77 (corresponding to an example of a third power source), and is configured to be able to apply a positive voltage or a negative voltage to each of the holder terminals 87a and 87b.
  • a power source 77 corresponding to an example of a third power source
  • the holder terminals 87a and 87b formed on the arm portions 82-1 and 82-2 come into contact with the lifter terminal 76. That is, the lifter terminal 76 is configured to contact the holder terminals 87 a and 87 b while the substrate holder 80 is supported by the lifter 70.
  • the sheathed heater 89 (see FIG. 5) generates heat, and the substrate holder 80 and the substrate W held by the substrate holder 80 can be heated.
  • the etching module 120 has a plurality of processing tank terminals 79 configured to be in contact with the holder terminals 87a and 87b of the substrate holder 80 at the upper part of the side wall of the tank.
  • the processing tank terminal 79 is connected to a power source 78 (corresponding to an example of a fourth power source), and is configured to be able to apply a positive voltage or a negative voltage to each of the holder terminals 87a and 87b.
  • a power source 78 corresponding to an example of a fourth power source
  • the processing tank terminal 79 is configured to contact the holder terminals 87a and 87b while the substrate holder 80 is stored in the processing tank.
  • the sheathed heater 89 (see FIG. 5) generates heat, and is held by the substrate holder 80 and the substrate holder 80.
  • the substrate W can be heated.
  • the resist stripping module 150 similarly includes a plurality of processing tank terminals 79 (see FIGS. 12 and 13).
  • the gripping mechanism 54 (see FIGS. 8 to 10) of the substrate transfer devices 50a and 50b moves the substrate surface of the substrate W.
  • the substrate holder 80 is gripped so that the normal direction of is oriented in the horizontal direction.
  • the support portion 74 of the lifter 70 slides upward together with the slide portion 75 to support the substrate holder 80 from below.
  • the lifter terminal 76 comes into contact with the holder terminals 87a and 87b, and heating of the substrate holder 80 and the substrate W by the power from the power source 77 is started.
  • the substrate holder 80 is delivered to the supporting portion 74.
  • the lifter 70 is lowered to a height at which the lifter 70 does not interfere with the gripping mechanism 54, and further, the rail unit 71 is moved in the horizontal direction by the horizontal moving mechanism 72 as necessary.
  • the substrate holder 80 is disposed immediately above the predetermined processing tank. In this state, the support portion 74 slides downward along the rail portion 71, so that the substrate holder 80 can be stored in the processing tank.
  • the support portion 74 has the arm portion 82- of the substrate holder 80 housed in the processing tank of the etching module 120. 1, 82-2 is supported from below.
  • the lifter terminal 76 comes into contact with the holder terminals 87a and 87b, and heating of the substrate holder 80 and the substrate W by the power from the power source 77 is started.
  • the substrate holder 80 is taken out from the processing tank.
  • the rail portion 71 is moved to the delivery position of the predetermined substrate transfer devices 50a and 50b by the horizontal movement mechanism 72 as necessary.
  • the support portion 74 of the lifter 70 descends along the rail portion 71, so that the substrate holder 80 is received by the substrate transfer devices 50a and 50b. Passed. Thereby, the contact between the lifter terminal 76 and the holder terminals 87a and 87b is canceled, and the heating of the substrate holder 80 and the substrate W by the power from the power source 77 is completed.
  • FIGS. 12 and 13 are perspective views of the lifter 70 including the cover 90.
  • FIG. 12 shows a state where the cover 90 is opened
  • FIG. 13 shows a state where the cover 90 is closed.
  • a resist stripping module 150 is also shown in FIGS.
  • front surface refers to the surface on the side where the cover 90 opens
  • rear surface refers to the surface on the opposite side.
  • the cover 90 is formed on a substantially plate-like fixed rear surface portion 91 formed between the pair of rail portions 71 of the lifter 70 and on the front side of the pair of rail portions 71. And a cover movable portion 93 that is rotatably attached to the front surface of the fixed front surface portion 92 via a hinge 96.
  • the fixed back surface portion 91 and the fixed front surface portion 92 are attached to the rail portion 71 of the lifter 70 so as to be separated from each other so that the support portion 74 of the lifter 70 and the substrate holder 80 can pass therethrough.
  • the fixed front surface portion 92 is a substantially plate-like member having an opening 92a at the center thereof.
  • the fixed back surface portion 91 has a heating device 98 (corresponding to an example of a third heating device) for heating the substrate holder 80 and the substrate W supported by the lifter 70 on the surface facing the fixed front surface portion 92.
  • the heating device 98 is configured to heat the substrate W and the substrate holder 80 before the substrate holder 80 is accommodated in the processing bath and / or after the substrate holder 80 is taken out of the processing bath.
  • the cover movable portion 93 covers the gap between the fixed back surface portion 91 and the fixed front surface portion 92 when the movable side surface portion 93a is closed, and the movable side surface portion 93a for covering the opening 92a from the front surface side of the fixed front surface portion 92. And a movable upper portion 93b.
  • the lower end of the movable side surface portion 93 a is attached to the fixed front surface portion 92 via the hinge 96.
  • the cover 90 is opened and closed as the cover movable portion 93 rotates around the hinge 96.
  • the cover 90 has a piston cylinder mechanism 97 for opening and closing the cover movable portion 93.
  • the cover movable portion 93 includes a cylinder cover 95 that covers the piston cylinder mechanism 97 when the cover movable portion 93 is closed.
  • One end of the piston cylinder mechanism 97 is attached to the fixed front surface portion 92, and the other end is attached to the cylinder cover 95.
  • the cover 90 has an exhaust mechanism 101 (corresponding to an example of an exhaust part) that exhausts the inside of the cover 90.
  • the exhaust mechanism 101 exhausts the inside of the cover 90 through an exhaust port 99 provided in the fixed back surface portion 91.
  • An opening 100 is formed by the fixed back surface portion 91 and the fixed front surface portion 92 at the bottom between the fixed back surface portion 91 and the fixed front surface portion 92.
  • the substrate holder 80 supported by the lifter 70 is taken in and out of the processing tank such as the resist stripping module 150 positioned below the cover 90 through the opening 100.
  • the cover 90 can cover the periphery of the substrate holder 80 supported by the lifter 70 by closing the cover movable portion 93. Thereby, the heat generated by the heating device 98 can be confined in the cover 90, and the substrate holder 80 and the substrate W are efficiently heated.
  • the substrate holder 80 is stored in the holder stocker 41.
  • the substrate holder 80 is heated by the heating device 44 in the holder stocker 41.
  • the sheath heater 89 provided in the substrate holder 80 is supplied with electric power from the power supply 48 in the holder stocker 41 and heats the substrate holder 80.
  • the substrate holder 80 receives and holds the substrate W from the substrate attaching / detaching portions of the fixing units 40a and 40b.
  • the substrate holder 80 is transferred from the fixing units 40a and 40b to the substrate transfer apparatuses 50a and 50b, and is transferred to each processing tank.
  • the sheathed heater 89 provided in the substrate holder 80 is supplied with electric power from a power source 55a provided inside the casing constituting the rotation motor 55 of the gripping mechanism 54. Then, the substrate holder 80 and the substrate W are heated.
  • the substrate holder 80 is transferred to and supported by the lifter 70 provided in each processing tank by the substrate transfer apparatuses 50a and 50b. While the substrate holder 80 is supported by the lifter 70, the sheathed heater 89 included in the substrate holder 80 is supplied with electric power from the power source 77 in the lifter 70 to heat the substrate holder 80 and the substrate W. The substrate holder 80 and the substrate W are heated by the heating device 98 provided on the cover 90 while being supported by the lifter 70.
  • the substrate holder is accommodated in the processing tank of the etching module 120 or the resist stripping module 150 by the lifter 70, and a predetermined process is performed on the substrate W.
  • the sheathed heater 89 provided in the substrate holder 80 is supplied with electric power from the power supply 78 of the processing tank and heats the substrate holder 80 and the substrate W.
  • the substrate holder 80 and the substrate W are heated from when they are stored in the holder stocker 41 until the substrate W is processed in the processing tank, and the temperature rises to a temperature suitable for the processing of each processing tank. Be warmed.
  • the substrate processing apparatus 250 is configured to provide the holder stocker 41 with the heating device 44 and heat the substrate holder 80 stored in the holder stocker 41.
  • the substrate holder 80 is stored in the holder stocker 41 for a relatively long time, and then transported for each process. Accordingly, the substrate processing apparatus 250 can heat the substrate holder 80 to the desired temperature because the substrate holder 80 can be heated by the heating device 44 of the holder stocker 41 for a relatively long time. For this reason, even if the substrate W and the substrate holder 80 are immersed in the processing liquid in the subsequent process, it is possible to suppress the temperature of the processing liquid from decreasing.
  • the substrate holder 80 is heated by the holder stocker 41 for storing the substrate holder 80, it is not necessary to provide a separate heating process. For this reason, the throughput of the substrate processing process is not reduced.
  • the substrate holder 80 used in the substrate processing apparatus 250 includes a substrate W held by the substrate holder 80 and a sheathed heater 89 configured to heat the substrate holder 80, and the sheathed heater 89.
  • Holder terminals 86a and 86b and holder terminals 87a and 87b for energization are provided. Thereby, in addition to the heating by the heating device 44 of the holder stocker 41, the substrate holder 80 can be further heated. Further, not only while the substrate holder 80 is stored in the holder stocker 41, but also by supplying power from the holder terminals 86a and 86b and the holder terminals 87a and 87b, the substrate holder 80 and the substrate W are heated even during other processes. can do.
  • the holder stocker 41 of the substrate processing apparatus 250 has a stocker terminal 47 connected to the power supply 48 and configured to be able to contact the holder terminals 87a and 87b of the substrate holder 80.
  • the stocker terminal 47 contacts the holder terminals 87 a and 87 b while the substrate holder 80 is stored in the holder stocker 41, and power from the power supply 48 is supplied to the sheathed heater 89. Accordingly, the substrate holder 80 is heated by the sheathed heater 89 in addition to the heating by the heating device 44 while being stored in the holder stocker 41. Therefore, according to this embodiment, the substrate holder 80 can be reliably heated to a desired temperature and maintained.
  • the substrate transfer apparatuses 50a and 50b of the substrate processing apparatus 250 are connected to a power supply 55a provided inside the casing of the rotary motor 55, for example, and can contact the holder terminals 86a and 86b of the substrate holder 80 It has a conveyor terminal 67 configured.
  • the carrier terminal 67 contacts the holder terminals 86a and 86b while the substrate holder 80 is being conveyed to the substrate conveyance devices 50a and 50b, and the electric power from the power source 55a is supplied to the sheathed heater 89.
  • the substrate holder 80 is heated by the sheathed heater 89 while being transported to the substrate transport devices 50a and 50b.
  • the substrate holder 80 while the substrate holder 80 is conveyed from the holder stocker 41 to the processing tank, the substrate holder 80 can be heated to maintain the temperature. Moreover, the substrate W held by the substrate holder 80 can be indirectly heated by the sheathed heater 89.
  • the lifter 70 of the substrate processing apparatus 250 includes a lifter terminal 76 that is connected to the power source 77 and configured to be able to contact the holder terminals 87 a and 87 b of the substrate holder 80.
  • the lifter terminal 76 contacts the holder terminals 87 a and 87 b while the substrate holder 80 is supported by the lifter 70, and power from the power source 77 is supplied to the sheathed heater 89.
  • the substrate holder 80 is heated by the sheathed heater 89 while being supported by the lifter 70. Therefore, according to the present embodiment, the temperature can be maintained by heating the substrate holder 80 immediately before the substrate holder 80 is accommodated in the processing tank.
  • the substrate W held by the substrate holder 80 can be indirectly heated by the sheathed heater 89.
  • the processing tank terminals of the etching module 120 and the resist stripping module 150 of the substrate processing apparatus 250 are connected to the power supply 78 and configured to be able to contact the holder terminals 87a and 87b of the substrate holder 80. 79.
  • the processing tank terminal 79 is in contact with the holder terminals 87 a and 87 b while the substrate holder 80 is housed in the processing tank, and the power from the power supply 78 is supplied to the sheathed heater 89. Thereby, the substrate holder 80 is heated by the sheathed heater 89 while the substrate W is being processed in the processing tank.
  • the temperature of the substrate holder 80 can be maintained by heating the substrate holder 80 even while the substrate holder 80 is stored in the processing tank. Moreover, the substrate W held by the substrate holder 80 can be indirectly heated by the sheathed heater 89.
  • the cover 90 of the substrate processing apparatus 250 includes a heating device 98 configured to heat the substrate W and the substrate holder 80 before the substrate holder 80 is accommodated in the processing tank.
  • the substrate W and the substrate holder 80 can be heated and maintained at the temperature immediately before being stored in the processing tank, so that a decrease in the temperature of the processing liquid can be suppressed to a minimum.
  • the cover 90 covers the periphery of the substrate W and the substrate holder 80, the heat generated by the heating device 98 and the heat of the substrate W and the substrate holder 80 can be confined in the cover 90. Therefore, the substrate holder 80 and the substrate W can be efficiently heated, and the heated substrate W and the substrate holder 80 can be kept warm.
  • the resist stripping process and the seed layer etching process have been described.
  • other processes such as an electroless plating process may be performed.
  • the substrate holder 80 and the substrate W are heated for the resist stripping process and the seed layer etching process.
  • a cooling device may be provided instead of the heating device.
  • the substrate holder 80 has been described as having the holder terminals 86a and 86b and the holder terminals 87a and 87b, only one of the holder terminals may be provided. Further, the position of the holder terminal is not limited to the position shown in the present embodiment. Any heating device other than the sheathed heater 89 can be employed as the heating device provided in the substrate holder 80.

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Abstract

　基板処理のスループットを低下させることなく、基板及び基板ホルダを処理液に浸漬したときに処理液の温度が低下することを抑制する。　本発明に係る基板処理装置は、基板ホルダ８０を保管するためのホルダストッカ４１と、ホルダストッカ４１に設けられ、ホルダストッカ４１に保管される基板ホルダ８０を加熱するように構成される加熱装置４４と、を有する。

Description

基板処理装置及び基板処理方法
　本発明は、半導体ウェハ等の基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
　従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、無電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られている。近年の半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
　電界めっき法によりレジスト開口部に配線あるいはバンプが形成された後、基板上に形成されているレジストの剥離及びシード層（又はバリアメタル）のエッチングが行われる。
　基板上に形成されているレジストは、処理槽内の有機溶剤等の処理液に基板を浸漬することにより剥離される。ここで、所望のレジスト剥離効果を発揮するためには、処理液の温度が約８０℃以上の高温に維持される必要がある。しかしながら、通常、基板及びこの基板を保持する基板ホルダは室温程度に維持されているので、基板及びこの基板を保持する基板ホルダを処理液に浸漬すると、処理液の温度が低下する。処理液の温度が８０℃未満になると、処理液に溶解したレジスト成分が基板に再付着する恐れがある。
　また、シード層又はバリアメタルを除去する処理槽に収容された処理液（エッチング液）に関しても、所望のエッチング効果を発揮するためには、処理液の温度が約３０℃程度に維持される必要がある。しかしながら、同様に、室温程度に維持されている基板及びこの基板を保持する基板ホルダを処理液に浸漬すると、処理液の温度が低下し、エッチング速度が低下する恐れがある。
　一方で、無電解めっき法においては、処理槽内のめっき液に基板を浸漬することにより基板にめっき膜が形成される。ここで、所望の成膜速度及び膜厚の面内均一性を達成するためには、めっき液の温度は約８０℃以上の高温に維持される必要がある。しかしながら、レジストの剥離プロセスの場合と同様に、室温程度に維持されている基板及びこの基板を保持する基板ホルダをめっき液に浸漬すると、めっき液の温度が低下し、成膜速度の低下及び膜厚の面内均一性の悪化の恐れがある。
　無電解めっき方法において、基板温度が低いことによるめっき反応のバラつきを抑制するために、めっき処理の直前に基板を温水に浸漬させることで、基板の温度を昇温させ、基板の温度がめっき浴温以上になった後にめっき処理を行うことが知られている（特許文献１参照）。
特開平４－２１７８６号公報
　しかしながら、上記従来の技術では、基板温度を昇温させるために、基板を温水に浸漬させるプロセスを追加しているので、めっき装置全体としてのスループットを低下させる。
　本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板処理のスループットを低下させることなく、基板及び基板ホルダを処理液に浸漬したときに処理液の温度が低下することを抑制することである。
　本発明の一形態によれば、基板処理装置が提供される。この基板処理装置は、基板を保持した基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための処理槽と、前記基板ホルダを保管するためのホルダストッカと、前記ホルダストッカに設けられ、前記ホルダストッカに保管される前記基板ホルダを加熱するように構成される第１加熱装置と、を有する。
　本発明の一形態において、前記基板ホルダは、前記基板ホルダに保持された前記基板及び前記基板ホルダを加熱するように構成される第２加熱装置と、前記第２加熱装置に通電するためのホルダ端子を有する。
　本発明の一形態において、基板処理装置は、前記第２加熱装置に電力を供給するための第１電源を有する。前記ホルダストッカは、前記第１電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるストッカ端子を有する。前記ストッカ端子は、前記基板ホルダが前記ホルダストッカに保管されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第１電源から電力が供給される。
　本発明の一形態において、基板処理装置は、前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送する搬送機と、前記２加熱装置に電力を供給するための第２電源と、を有する。前記搬送機は、前記第２電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される搬送機端子を有する。前記搬送機端子は、前記基板ホルダが前記搬送機に搬送されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第２電源から電力が供給される。
　本発明の一形態において、基板処理装置は、前記基板を保持した前記基板ホルダを支持して、前記基板ホルダを前記処理槽に収納し、又は前記処理槽から取り出すように構成されたリフタと、前記第２加熱装置に電力を供給するための第３電源を有する。前記リフタは、前記第３電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるリフタ端子を有する。前記リフタ端子は、前記基板ホルダが前記リフタに支持されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第３電源から電力が供給される。
　本発明の一形態において、基板処理装置は、前記第２加熱装置に電力を供給するための第４電源を有する。前記処理槽は、前記第４電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される処理槽端子を有する。前記処理槽端子は、前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第４電源から電力が供給される。
　本発明の一形態において、基板処理装置は、前記処理槽に出し入れされる基板ホルダの周囲を覆うように構成されたカバーを有する。前記カバーは、前記基板ホルダが前記処理槽に収納される前に前記基板及び前記基板ホルダを加熱するように構成される第３加熱装置を有する。
　本発明の一形態によれば、基板ホルダで保持された基板を処理する基板処理方法が提供される。この基板処理方法は、前記基板ホルダをホルダストッカに保管するステップと、前記ホルダストッカにおいて前記基板ホルダを加熱するステップと、前記基板ホルダで前記基板を保持するステップと、前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送するステップと、前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、前記処理槽において前記基板ホルダに保持された基板を処理するステップと、を有する。
　本発明の一形態において、基板処理方法は、前記基板ホルダが搬送されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する。
　本発明の一形態において、基板処理方法は、搬送された前記基板ホルダをリフタで支持するステップと、前記リフタに支持された前記基板ホルダを加熱するステップと、前記リフタにより前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、有する。
　本発明の一形態において、基板処理方法は、前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する。
　本発明によれば、基板処理のスループットを低下させることなく、基板及び基板ホルダを処理液に浸漬したときに処理液の温度が下がることを抑制することができる。
一実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。 フィキシングユニット及びエッチングユニットを示す概略斜視図である。 基板ホルダの斜視図である。 ホルダ部の拡大斜視図である。 アーム部、ホルダ部、及び被把持部を示す部分正面図である。 ホルダストッカの正面図である。 ホルダストッカの斜視図である。 基板搬送装置の斜視図である。 把持機構の部分拡大図である。 把持機構が基板ホルダを把持した状態を示す搬送機構及び把持機構の拡大側面図である。 リフタの斜視図である。 カバーを備えたリフタの斜視図である。 カバーを備えたリフタの斜視図である。
　以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一のまたは相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。
　図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。図１に示すように、この基板処理装置２５０には、半導体ウェハ等の基板を収納した４台のカセット３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄと、処理後の基板を乾燥させる２台の基板乾燥機３１ａ，３１ｂと、基板ホルダを収容するホルダストッカを備え、基板ホルダに対して基板の着脱を行うフィキシングユニット４０ａ，４０ｂと、これらのユニット間で基板を搬送する２台の基板搬送ロボット３２ａ，３２ｂが配置されている。なお、基板乾燥機３１ａ、３１ｂが配置される位置に、それぞれ２台の基板乾燥機を上下方向に配置して、基板処理装置２５０に４台の基板乾燥機を配置するようにしてもよい。
　後述するレジスト剥離ユニット１４０で処理される基板は、カセット３０ａ又はカセット３０ｂから基板搬送ロボット３２ａにより取り出され、フィキシングユニット４０ａに搬送される。フィキシングユニット４０ａにて基板ホルダに装着された基板は、その後レジスト剥離ユニット１４０でレジストが剥離される。レジスト剥離ユニット１４０でレジストが剥離された基板は、フィキシングユニット４０ａにおいて基板ホルダから取り出される。基板ホルダから取り出された基板は、基板搬送ロボット３２ａによりフィキシングユニット４０ａから基板乾燥機３１ａに搬送される。基板は、基板乾燥機３１ａにより、ＩＰＡ（Ｉｓｏ－Ｐｒｏｐｙｌ　Ａｌｃｏｈｏｌ）およびＤＩＷ（Ｄｅ－Ｉｏｎｉｚｅｄ　Ｗａｔｅｒ）を用いて洗浄および乾燥される。乾燥した基板は、基板搬送ロボット３２ａによりカセット３０ａ又はカセット３０ｂに戻される。
　同様に、後述するエッチングユニット１１０でエッチング処理される基板は、カセット３０ｃ又はカセット３０ｄから基板搬送ロボット３２ｂにより取り出され、フィキシングユニット４０ｂに搬送される。フィキシングユニット４０ｂにて基板ホルダに装着された基板は、その後エッチングユニット１１０でエッチング処理される。エッチングユニット１１０でエッチング処理がされた基板は、フィキシングユニット４０ｂにおいて基板ホルダから取り出される。基板ホルダから取り出された基板は、基板搬送ロボット３２ｂによりフィキシングユニット４０ｂから基板乾燥機３１ｂに搬送される。基板は、基板乾燥機３１ｂにより、ＩＰＡおよびＤＩＷを用いて洗浄および乾燥される。乾燥した基板は、基板搬送ロボット３２ｂによりカセット３０ｃ又はカセット３０ｄに戻される。
　また、基板処理装置２５０には、基板に形成されたレジストを剥離する処理を行うレジスト剥離ユニット１４０が設けられている。レジスト剥離ユニット１４０は、基板表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１４５ａ，１４５ｂと、基板に形成されたレジストを剥離するための３つのレジスト剥離モジュール１５０とを備えている。レジスト剥離モジュール１５０は、それぞれ複数の槽から構成される。プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂは、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂに対して基板ホルダの収納又は取り出しを行う水平移動可能なリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。同様に、レジスト剥離モジュール１５０は、レジスト剥離モジュール１５０を構成する複数の槽に対して基板ホルダの収納又は取り出しを行う水平移動可能なリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。また、レジスト剥離ユニット１４０は、フィキシングユニット４０ａ、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂが備えるリフタ７０、及びレジスト剥離モジュール１５０が備えるリフタ７０との間で基板を搬送する基板搬送装置５０ａ（搬送機の一例に相当する）を備えている。
　基板のレジストを剥離するときは、基板を保持した基板ホルダが、フィキシングユニット４０ａから基板搬送装置５０ａに受け渡され、基板搬送装置５０ａによりプリウェット槽１４５ａ，１４５ｂが備えるリフタ７０に受け渡される。リフタ７０は、受け渡された基板ホルダをプリウェット槽１４５ａ及びプリウェット槽１４５ｂのうち、空いている方の槽に収納する。基板は、プリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂにおいてＤＩＷ及びＩＰＡを吹き付けられる。プリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂで基板が処理された後、基板ホルダは、リフタ７０によりプリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂから取り出され、基板搬送装置５０ａに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ａによりいずれかのレジスト剥離モジュール１５０が有するリフタ７０に受け渡され、リフタ７０によりレジスト剥離モジュール１５０の処理槽に収納される。基板がレジスト剥離モジュール１５０で処理された後、基板ホルダは、レジスト剥離モジュール１５０が有するリフタ７０により処理槽から取り出され、基板搬送装置５０ａに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ａにより、フィキシングユニット４０ａに戻される。
　また、基板処理装置２５０には、基板に形成されたシード層のエッチングを行うエッチングユニット１１０が設けられている。エッチングユニット１１０は、基板表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂと、基板に形成されたシード層をエッチングするための３つのエッチングモジュール１２０とを備えている。エッチングモジュール１２０は、それぞれ複数の槽から構成される。プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂは、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂに対して基板ホルダの収納又は取り出しを行うリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。同様に、エッチングモジュール１２０は、エッチングモジュール１２０を構成する複数の槽に対して基板ホルダの収納又は取り出しを行うリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。また、エッチングユニット１１０は、フィキシングユニット４０ｂ、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂが備えるリフタ７０、及びエッチングモジュール１２０が備えるリフタ７０との間で基板を搬送する基板搬送装置５０ｂ（搬送機の一例に相当する）を備えている。
　基板のシード層をエッチングするときは、基板を保持した基板ホルダが、フィキシングユニット４０ｂから基板搬送装置５０ｂに受け渡され、基板搬送装置５０ｂによりプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂが備えるリフタ７０に受け渡される。リフタ７０は、受け渡された基板ホルダをプリウェット槽１１５ａ及びプリウェット槽１１５ｂのうち、空いている方の槽に収納する。基板は、プリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂにおいてＤＩＷ又はＩＰＡを吹き付けられる。プリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂで基板が処理された後、基板ホルダは、リフタ７０によりプリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂから取り出され、基板搬送装置５０ｂに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ｂによりいずれかのエッチングモジュール１２０が有するリフタ７０に受け渡され、リフタ７０によりエッチングモジュール１２０の処理槽に収納される。基板がエッチングモジュール１２０で処理された後、基板ホルダは、エッチングモジュール１２０が有するリフタ７０により処理槽から取り出され、基板搬送装置５０ｂに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ｂにより、フィキシングユニット４０ｂに戻される。
　図示のように、基板処理装置２５０では、カセット３０ａ，３０ｂ、基板乾燥機３１ａ、基板搬送ロボット３２ａ、フィキシングユニット４０ａ、及びレジスト剥離ユニット１４０に対して、カセット３０ｃ，３０ｄ、基板乾燥機３１ｂ、基板搬送ロボット３２ｂ、フィキシングユニット４０ｂ、及びエッチングユニット１１０が略対称の位置関係となるように構成されている。
　次に、図１に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０の位置関係について説明する。図２は、図１に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０を示す概略斜視図である。なお、図２においては、便宜上、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ及び２つのエッチングモジュール１２０は図示省略されている。
　図示のように、フィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０は、直線状に整列して配置される。プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ（図示省略）及び３つのエッチングモジュール１２０（図中１つのみ示される）は、槽の側方に、整列方向に沿って配置されたリフタ７０を夫々備える。各リフタ７０は、各処理槽の一端から他端まで、水平方向に移動可能に構成される。即ち、各リフタ７０は、図中破線で示すリフタ７０の位置まで移動することができる。
　基板搬送装置５０ｂは、基板ホルダ８０がフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０上を通過するように、基板ホルダ８０を搬送する。リフタ７０は、それぞれ、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うように構成されたカバー９０を備える。なお、図中エッチングモジュール１２０が有するリフタ７０においては、カバー９０が省略されている。
　図１に示したフィキシングユニット４０ａ及びレジスト剥離ユニット１４０についても、基板搬送装置５０ａの位置が異なる以外は、図２に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０と同様の位置関係を有する。したがって、フィキシングユニット４０ａ及びレジスト剥離ユニット１４０についての位置関係の説明は省略する。
　次に、図２に示した基板ホルダ８０、フィキシングユニット４０ｂ、基板搬送装置５０ｂ、リフタ７０、及びカバー９０の詳細について、順に説明する。
　＜基板ホルダ＞
　図３は基板ホルダの斜視図である。図示のように、基板ホルダ８０は、細長く形成された板状部材である基部８１と、基部８１の両端から延在して形成される板状部材である２つのアーム部８２－１，８２－２と、基板を保持するための２つのホルダ部８３－１，８３－２とを有する。基部８１とアーム部８２－１，８２－２とホルダ部８３－１，８３－２が交わる箇所が基板ホルダ８０の被把持部８５－１，８５－２であり、被把持部８５－１，８５－２が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに把持される。
　基板ホルダ８０の被把持部８５－１，８５－２には、基板ホルダ８０の内部に設けられた後述するシーズヒータ（図５参照）に通電するための一対のホルダ端子８６ａ，８６ｂが、それぞれの表面に設けられる。また、アーム部８２－１，８２－２には、基板ホルダ８０の内部に設けられた後述するシーズヒータ（図５参照）に通電するための一対のホルダ端子８７ａ，８７ｂが、下面（リフタ７０に支持される面）に設けられる。
　アーム部８２－１，８２－２は、基板ホルダ８０を処理槽に浸漬した際に処理槽の側壁に懸架される部分であり、また、リフタ７０により支持される部分である。ホルダ部８３－１，８３－２は、基部８１の両端から、基部８１の長手方向に対して略直角方向に形成された、略Ｌ字状の板状部材である。基板ホルダ８０は、ホルダ部８３－１とホルダ部８３－２との間の空間８４に、半導体ウェハなどの基板を収容し、保持することができる。
　図４は図３に示すホルダ部８３－１の拡大斜視図である。図４においては、基板ホルダ８０が基板Ｗを保持している状態が示されている。ホルダ部８３－１は、ホルダ部８３－２と対向する面、即ち図３に示した空間８４に対向する面に沿って複数のスリット８４ａ，８４ｂ，８４ｃを有する。また、図示していないが、ホルダ部８３－２も、ホルダ部８３－１と対向する面に沿ってホルダ部８３－１と同様の複数のスリットを有している。基板Ｗは、その外周部がホルダ部８３－１のスリット８４ａ，８４ｂ，８４ｃとホルダ部８３－２のスリットに挿入されることで、基板ホルダ８０に保持される。これにより、基板Ｗが基板ホルダ８０から落下することを抑制することができる。
　図５は、図３に示すアーム部８２－１、ホルダ部８３－１、及び被把持部８５－１を示す部分正面図である。図５では、基板ホルダ８０の内部に設けられたシーズヒータ等を説明するために部分的に断面が示される。
　基板ホルダ８０は、その厚さ方向に半割り構造を形成している。図５に示すように、アーム部８２－１、被把持部８５－１、及びホルダ部８３－１の内部には、空洞が形成される。ホルダ部８３－１の空洞には、基板ホルダ８０及び基板ホルダ８０に保持される基板Ｗを加熱するためのニクロム線等から成るシーズヒータ８９（第２加熱装置の一例に相当する）が設けられる。また、アーム部８２－１、被把持部８５－１、及びホルダ部８３－１の空洞には、ホルダ端子８７ａ及びホルダ端子８６ａ（図３参照）とシーズヒータ８９とを接続する配線８８ａと、ホルダ端子８７ｂ及びホルダ端子８６ｂ（図３参照）とシーズヒータ８９とを接続する配線８８ｂとが設けられる。したがって、ホルダ端子８６ａ，８６ｂ（図３参照）又はホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力を供給することにより、シーズヒータ８９が発熱し、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができる。図示省略しているが、アーム部８２－２、被把持部８５－２、及びホルダ部８３－２にも、同様に、配線８８ａ，８８ｂ、シーズヒータ８９が設けられる。
　＜フィキシングユニット＞
　次に、フィキシングユニット４０ｂについて説明する。ここで、２つのフィキシングユニット４０ａ，４０ｂは基本的に同一であるので、フィキシングユニット４０ｂについてのみ説明する。フィキシングユニット４０ｂは、図３等に示した基板ホルダ８０を保管するホルダストッカと、このホルダストッカから取り出した基板ホルダ８０に基板を着脱する基板着脱装置とを備える。ここでは、ホルダストッカについて詳細に説明する。
　図６は、フィキシングユニット４０ｂのホルダストッカの正面図であり、図７はフィキシングユニット４０ｂのホルダストッカの斜視図である。ホルダストッカ４１は、基板Ｗを保持していない複数の基板ホルダ８０を収容する（但し、図６においては１つの基板ホルダ８０が収容され、図７においては３つの基板ホルダ８０が収容されている）。ホルダストッカ４１は、水平姿勢にされた基板ホルダ８０を受け入れると共に、複数の基板ホルダ８０が鉛直方向に整列されるように構成される。
　ホルダストッカ４１は、４本の柱状部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを備えている。各柱状部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄには、水平方向に開口する複数のスリット状のホルダ受入部４３が形成されている。それぞれの柱状部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄにおいて、対応する４つのホルダ受入部４３の高さが相互に等しくなっている。これら４つのホルダ受入部４３によって１つのホルダ収容部が形成され、１つの基板ホルダ８０を収容する。
　基板ホルダ８０がホルダストッカ４１に収容されている状態では、２つのアーム部８２－１，８２－２の端部と、ホルダ部８３－１，８３－２の先端部がホルダ受入部４３に受け入れられる。相互に対応する４つのホルダ受入部４３は高さが等しいので、基板ホルダ８０は４点で略水平姿勢で保持される。但し、基板ホルダ８０は最低３点で支持すれば水平を維持することが可能である。このため、ホルダ収容部は３つのホルダ受入部４３の組み合わせであってもよい。
　ホルダストッカ４１の柱状部材４２ａ，４２ｂには、その長さ方向に沿って加熱装置４４（第１加熱装置の一例に相当する）が設けられる。加熱装置４４は、電源４８（第１電源の一例に相当する）から電力が供給されることで発熱し、柱状部材４２ａ，４２ｂを介して、ホルダストッカ４１に保管された基板ホルダ８０を加熱する。
　また、ホルダストッカ４１は、柱状部材４２ａ，４２ｂの各ホルダ受入部４３のスリットの内部に、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂ（図３及び図５参照）と接触可能に構成されるストッカ端子４７を有する。ストッカ端子４７は、電源４８に接続されており、ホルダ端子８７ａ，８７ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。基板ホルダ８０がホルダ受入部４３に収容されると、アーム部８２－１，８２－２に形成されたホルダ端子８７ａ，８７ｂがストッカ端子４７と接触する。これにより、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力が供給され、シーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０を加熱することができる。
　ホルダストッカ４１の下部には、基板ホルダ搬送機構４５が設けられている。この基板ホルダ搬送機構４５は、ホルダ受入部４３に対して基板ホルダ８０を出し入れし、取り出した基板ホルダ８０を上下に移動させるためのものである。また、基板ホルダ搬送機構４５は昇降機構に取り付けられており、鉛直方向に昇降できるようになっている。図６において、昇降機構は、鉛直方向に直線状に延びるリニアガイド４６ａと、このリニアガイド４６ａと平行に延びるネジ軸４６ｂと、このネジ軸４６ｂに螺合するボールネジ４６ｃと、タイミングベルトを介してネジ軸４６ｂを回転させる駆動モータ４６ｄとを備えている。
　基板ホルダ搬送機構４５は、ホルダ受入部４３から取り出された基板ホルダ８０を、フィキシングユニット４０ｂが備える図示しない基板着脱部に搬送する。基板着脱部は、基板ホルダ搬送機構４５から受け取った基板ホルダ８０に基板Ｗを装着する。また、基板着脱部は、処理がなされた基板Ｗを基板ホルダ８０から取り出し、基板ホルダ搬送機構４５は空になった基板ホルダ８０を基板着脱部から受け取る。基板ホルダ搬送機構４５は、受け取った基板ホルダをホルダ受入部４３に収容する。
＜基板搬送装置＞
　続いて、図２に示した基板搬送装置５０ｂについて説明する。なお、基板搬送装置５０ａは基板搬送装置５０ｂと同様の構成を有するので説明を省略する。図８は図２に示した基板搬送装置５０ｂの斜視図である。図８においては、処理槽と基板搬送装置５０ｂとの位置関係を説明するために、便宜上、処理槽６６が示されている。処理槽６６は、図１に示したプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ又はエッチングモジュール１２０等を簡易的に示したものであり、その槽数は図１に示したものとは異なる。また、図８においては、図１に示したフィキシングユニット４０ｂと基板搬送装置５０ｂとの位置関係を説明するために、便宜上、フィキシングユニット４０ｂが示されている。
　図８に示すように、基板搬送装置５０ｂは、基板ホルダ８０を把持するための把持機構５４（把持部の一例に相当する）と、把持機構５４に把持された基板ホルダ８０を搬送するための搬送機構５１（搬送部の一例に相当する）と、を有する。
　搬送機構５１は、把持機構５４が取り付けられる走行台座５６と、走行台座５６をガイドするためのガイドレール５３と、走行台座５６をガイドレール５３上に走行させるための走行モータ５２とを有する。図中破線で示されるように、基板ホルダ８０を把持した把持機構５４は、搬送機構５１によって、ガイドレール５３の一端から他端まで、ガイドレール５３に沿って走行することができる。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を把持する。この状態で走行モータ５２が駆動することで、走行台座５６がガイドレール５３に沿って走行する。これにより、搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０が処理槽６６の上方を通過するように、基板ホルダ８０を搬送する。
　また、基板搬送装置５０ｂは、把持機構５４を回転させる回転モータ５５（駆動部の一例に相当する）を有する。回転モータ５５は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で基板ホルダ８０を把持する把持機構５４を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように（基板Ｗの法線方向が水平方向を向くように）、約９０度回転させる。基板ホルダ８０は、基板ホルダ８０に保持された基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で、把持機構５４から図２に示したリフタ７０に受け渡される。リフタ７０に受け渡された基板ホルダ８０は、リフタ７０により処理槽６６に収納される。
　また、回転モータ５５は、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で基板ホルダ８０を把持する把持機構５４を、基板Ｗの面内方向が水平方向を向くように、約９０度回転させることができる。基板ホルダ８０は、基板ホルダ８０が鉛直方向を向いた状態で、図２に示したリフタ７０から把持機構５４に受け渡される。把持機構５４に受け渡された基板ホルダ８０は、回転モータ５５が把持機構５４を回転させることで、基板Ｗが水平方向を向くように回転される。
　図９は把持機構５４の部分拡大図であり、図１０は搬送機構５１及び把持機構５４の拡大側面図である。図９及び図１０に示すように、把持機構５４は、回転モータ５５により回転可能に構成される回転軸５８を有する。把持機構５４は、回転軸５８が回転モータ５５によりその周方向に回転することで、把持した基板ホルダ８０の方向を鉛直方向と水平方向との間で変化させることができる。
　さらに、図９に示すように、把持機構５４は、回転軸５８に設けられた一対のホルダクランプ６０と、基板Ｗを基板ホルダ８０に押さえつける基板押え６１と、基板ホルダ８０の有無を検知するホルダ検知センサ５９とを有する。ホルダクランプ６０は、基板ホルダ８０の被把持部８５－１，８５－２（図３参照）を把持する。ホルダ検知センサ５９は、ホルダクランプ６０が基板ホルダ８０を把持するときに基板ホルダ８０の有無を検知するための例えば光学センサや磁気センサである。
　基板押え６１は、軸部６２と、軸部６２を軸方向に摺動させ且つ周方向に回転させるように構成されるエアシリンダ６５と、基板Ｗに接触して基板Ｗを基板ホルダ８０に押さえつける押え部６３と、基板Ｗの有無を検知する基板検知センサ６４とを有する。軸部６２は一端がエアシリンダ６５に連結され、他端が押え部６３と連結している。押え部６３は、一端が軸部６２の上記他端に連結され、他端が軸部６２の軸方向に対して略直角方向に延在する棒状の部材である。基板検知センサ６４は、押え部６３の他端に固定手段を介して固定された、例えば光学センサや磁気センサである。
　一対のホルダクランプ６０は、基板ホルダ８０の被把持部８５－１，８５－２（図３参照）を把持する。ホルダクランプ６０は、基板ホルダ８０の被把持部８５－１，８５－２を把持したときに基板ホルダ８０のホルダ端子８６ａ，８６ｂ（図１０参照）と接触する搬送機端子６７を備える。基板搬送装置５０ｂは、回転モータ５５を構成する筐体の内部に電源５５ａ（第２電源の一例に相当する）を有する。搬送機端子６７は、この電源５５ａに接続され、ホルダ端子８６ａ，８６ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。したがって、基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ｂに搬送されている間（基板ホルダ８０が把持されている間）、搬送機端子６７はホルダ端子８６ａ，８６ｂと接触する。これにより、電源５５ａによりホルダ端子８６ａ，８６ｂに電力が供給され、基板ホルダ８０内のシーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができる。なお、本実施形態では電源５５ａは回転モータ５５を構成する筐体の内部に設けられているが、これに限らず、搬送機端子６７に電力を供給可能であれば、電源５５ａはどこに設けられていてもよい。
　次に、基板搬送装置５０ｂが基板Ｗを搬送するプロセスについて説明する。基板搬送装置５０ｂの把持機構５４は、フィキシングユニット４０ｂから基板Ｗを保持した基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で受け取る。把持機構５４が基板ホルダ８０を把持すると、搬送機端子６７がホルダ端子８６ａ，８６ｂと接触して、シーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。
　搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を処理槽６６の上方を通過させて搬送する。搬送機構５１は、所定の処理槽６６の直上に把持機構５４を停止させる。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように基板ホルダ８０を旋回させる。図２に示したリフタ７０は、把持機構５４から、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いたまま基板ホルダ８０を受け取る。リフタ７０は、受け取った基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で、処理槽６６に収納する。なお、把持機構５４がフィキシングユニット４０ｂから基板ホルダ８０を受け取ってから、把持機構５４がリフタ７０に基板ホルダ８０を受け渡すまでの間、ホルダ端子８６ａ，８６ｂに電源５５ａにより電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗが加熱される。
　続いて、処理槽６６から基板ホルダ８０を搬送するときは、図２に示したリフタ７０が処理槽６６から基板ホルダ８０を取り出す。基板搬送装置５０ｂの把持機構５４は、リフタ７０から基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で受け取る。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向くように基板ホルダ８０を旋回させる。搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を処理槽６６の上方を通過させて、後続するプロセスを行う処理槽６６又はフィキシングユニット４０ｂに搬送する。なお、把持機構５４がリフタ７０から基板ホルダ８０を受け取ってから、把持機構５４が後続するプロセスを行う処理槽６６に搬送して基板ホルダ８０の把持を解除するまでの間、ホルダ端子８６ａ，８６ｂに電源５５ａから電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗが加熱される。一方で、把持機構５４がリフタ７０から基板ホルダ８０を受け取ってから、フィキシングユニット４０ｂに基板ホルダ８０を戻すまでの間は基板ホルダ８０を加熱する必要はないので、電源５５ａからの電力の供給を一時的に停止させてもよい。
　＜リフタ＞
　次に、図１に示したプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂ、エッチングモジュール１２０、及びレジスト剥離モジュール１５０にそれぞれ設けられるリフタ７０について詳細を説明する。図１１は、リフタ７０を示す斜視図である。なお、リフタ７０と処理槽との位置関係を説明するため、図４には処理槽の例としてのエッチングモジュール１２０も示されている。
　図１１に示すように、リフタ７０は、エッチングモジュール１２０の両側に配置された一対のレール部７１と、レール部７１に摺動可能に設けられたスライド部７５と、スライド部７５に設けられた支持部７４と、レール部７１を水平方向に移動可能な水平移動機構７２と、を備えている。
　水平移動機構７２は、エッチングモジュール１２０の両側に、水平方向に沿って設けられる。一対のレール部７１は、水平移動機構７２から鉛直方向に延びるように設けられ、一対のレール部７１が対向する側に、スライド部７５が摺動するためのレールを備えている。スライド部７５は、レール部７１のレールに沿って、上下方向に摺動可能に構成される。なお、スライド部７５は、図示しない駆動装置により上下方向に摺動される。
　支持部７４は、一対のレール部７１の対向する側に突出するように形成された部材であり、基板ホルダ８０のアーム部８２－１，８２－２を下方から支持する（後述する図１２参照）。即ち、基板ホルダ８０は、一対のレール部７１の間に位置するように支持部７４により支持される。支持部７４の上面（基板・BR>Zルダ８０のアーム部８２－１，８２－２と接触する面）には、ホルダ端子８７ａ，８７ｂ（図３、図５参照）と接触可能に構成されるリフタ端子７６がそれぞれ設けられる。リフタ端子は、電源７７（第３電源の一例に相当する）に接続されており、ホルダ端子８７ａ，８７ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。基板ホルダ８０がリフタ７０に支持されると、アーム部８２－１，８２－２に形成されたホルダ端子８７ａ，８７ｂがリフタ端子７６と接触する。即ち、リフタ端子７６は、基板ホルダ８０がリフタ７０に支持されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触するように構成される。これにより、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力が供給され、シーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板ホルダ８０に保持された基板Ｗを加熱することができる。
　エッチングモジュール１２０は、その槽の側壁の上部に、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成される複数の処理槽端子７９を有する。処理槽端子７９は、電源７８（第４電源の一例に相当する）と接続されており、ホルダ端子８７ａ，８７ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。基板ホルダ８０がエッチングモジュール１２０の処理槽に収納されると、アーム部８２－１，８２－２に形成されたホルダ端子８７ａ，８７ｂが処理槽端子７９と接触する。即ち、処理槽端子７９は、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触するように構成される。これにより、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力が供給され、シーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板ホルダ８０に保持された基板Ｗを加熱することができる。なお、レジスト剥離モジュール１５０も同様に複数の処理槽端子７９を備える（図１２及び図１３参照）。
　リフタ７０が図１に示した基板搬送装置５０ａ，５０ｂから基板ホルダ８０を受け取るときは、まず、基板搬送装置５０ａ，５０ｂの把持機構５４（図８ないし図１０参照）が、基板Ｗの基板面の法線方向が水平方向を向くように基板ホルダ８０を把持する。リフタ７０の支持部７４は、スライド部７５と共に上方向に摺動し、基板ホルダ８０を下方から支持する。これにより、リフタ端子７６がホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触し、電源７７からの電力による基板ホルダ８０及び基板Ｗの加熱が開始される。
　支持部７４が基板ホルダ８０を支持した状態で把持機構５４が基板ホルダ８０の把持を解除することで、基板ホルダ８０が支持部７４に受け渡される。その後、リフタ７０は、リフタ７０が把持機構５４に干渉しない高さまで下降し、さらに必要に応じて水平移動機構７２によりレール部７１を水平方向に移動させ、レール部７１をエッチングモジュール１２０の所定の処理槽の側方に位置させる。これにより、基板ホルダ８０が所定の処理槽の直上に配置される。この状態で、支持部７４がレール部７１に沿って下方向に摺動することで、基板ホルダ８０を処理槽内に収納することができる。
　リフタ７０が、図１に示した基板搬送装置５０ａ，５０ｂに基板ホルダ８０を受け渡すときは、まず、支持部７４は、エッチングモジュール１２０の処理槽に収納された基板ホルダ８０のアーム部８２－１，８２－２を下方から支持する。これにより、リフタ端子７６がホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触し、電源７７からの電力による基板ホルダ８０及び基板Ｗの加熱が開始される。
　続いて、支持部７４がレール部７１に沿って上昇することで、基板ホルダ８０が処理槽から取り出される。支持部７４が基板ホルダ８０を支持した状態で、必要に応じて、水平移動機構７２によりレール部７１が所定の基板搬送装置５０ａ，５０ｂの受け渡し位置に移動される。基板搬送装置５０ａ，５０ｂの把持機構５４が、基板ホルダ８０を把持した後、リフタ７０の支持部７４がレール部７１に沿って下降することで、基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに受け渡される。これにより、リフタ端子７６とホルダ端子８７ａ，８７ｂとの接触が解消され、電源７７からの電力による基板ホルダ８０及び基板Ｗの加熱が終了する。
＜カバー＞
　次に、図２に示した、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うように構成されたカバー９０について詳細を説明する。図１２及び図１３は、カバー９０を備えたリフタ７０の斜視図であり、図１２はカバー９０が開いた状態を示し、図１３はカバー９０が閉じた状態を示す。なお、カバー９０と処理槽との位置関係を説明するため、図１２及び図１３にはレジスト剥離モジュール１５０も示されている。以下の説明において「前面」とは、カバー９０が開く側の面をいい、「背面」とはその逆側の面をいう。
　図１２及び図１３に示すように、カバー９０は、リフタ７０の一対のレール部７１の間に亘って形成された略板状の固定背面部９１と、一対のレール部７１の前面側に形成された固定前面部９２と、固定前面部９２の前面にヒンジ９６を介して回動可能に取り付けられたカバー可動部９３と、を備えている。固定背面部９１と固定前面部９２とは、その間にリフタ７０の支持部７４及び基板ホルダ８０が通過することができるように互いに離間して、リフタ７０のレール部７１に取り付けられる。固定前面部９２はその中央に開口９２ａを有する、略板状の部材である。
　固定背面部９１は、固定前面部９２に対向する側の表面に、リフタ７０によって支持される基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱するための加熱装置９８（第３加熱装置の一例に相当する）を備える。加熱装置９８は、基板ホルダ８０が処理槽に収納される前、及び／又は基板ホルダ８０が処理槽から取り出された後に、基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱するように構成される。
　カバー可動部９３は、固定前面部９２の前面側から開口９２ａを覆うための可動側面部９３ａと、可動側面部９３ａが閉じられたときに固定背面部９１と固定前面部９２との隙間を覆うための可動上部９３ｂとを有する。可動側面部９３ａの下端が、ヒンジ９６を介して固定前面部９２に取り付けられる。カバー可動部９３がヒンジ９６を中心に回動することで、カバー９０の開閉が行われる。また、カバー９０は、カバー可動部９３を開閉するためのピストンシリンダ機構９７を有する。カバー可動部９３は、カバー可動部９３が閉じたときにピストンシリンダ機構９７を覆うシリンダカバー９５を備えている。ピストンシリンダ機構９７の一端は固定前面部９２に取り付けられ、他端はシリンダカバー９５に取り付けられる。
　カバー９０は、カバー９０内部を排気する排気機構１０１（排気部の一例に相当する）を有する。排気機構１０１は、固定背面部９１に設けられた排気口９９を介してカバー９０内部を排気する。固定背面部９１と固定前面部９２との間の底部には、固定背面部９１と固定前面部９２とによって開口部１００が形成される。リフタ７０に支持された基板ホルダ８０は、この開口部１００を介して、カバー９０の下方に位置するレジスト剥離モジュール１５０等の処理槽に対して出し入れされる。
　図１３に示すように、カバー可動部９３が閉じられることで、カバー９０は、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うことができる。これにより、加熱装置９８が発する熱をカバー９０内に閉じ込めることができ、効率よく基板ホルダ８０及び基板Ｗが加熱される。
　次に、本実施形態に係る基板処理装置２５０における基板処理プロセスを説明する。まず、基板ホルダ８０は、ホルダストッカ４１に保管される。基板ホルダ８０は、ホルダストッカ４１において加熱装置４４により加熱される。また、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、ホルダストッカ４１において電源４８から電力が供給され、基板ホルダ８０を加熱する。
　続いて、基板ホルダ８０は、フィキシングユニット４０ａ，４０ｂの基板着脱部から基板Ｗを受け取り、保持する。基板ホルダ８０は、フィキシングユニット４０ａ，４０ｂから基板搬送装置５０ａ，５０ｂに受け渡され、各処理槽に搬送される。基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂにより搬送されている間、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、把持機構５４の回転モータ５５を構成する筐体の内部に設けられた電源５５ａから電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。
　基板ホルダ８０は、基板搬送装置５０ａ，５０ｂにより、各処理槽に設けられたリフタ７０に受け渡され、リフタ７０により支持される。基板ホルダ８０がリフタ７０により支持されている間、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、リフタ７０において電源７７から電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。また、基板ホルダ８０及び基板Ｗは、リフタ７０に支持される間、カバー９０に設けられた加熱装置９８により加熱される。
　続いて、基板ホルダは、リフタ７０によりエッチングモジュール１２０又はレジスト剥離モジュール１５０の処理槽に収納され、基板Ｗに所定の処理が行われる。基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、処理槽の電源７８から電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。このようにして、基板ホルダ８０及び基板Ｗは、ホルダストッカ４１に保管されているときから、基板Ｗが処理槽で処理されるまでの間加熱され、各処理槽の処理に適切な温度まで昇温される。
　以上で説明したように、本実施形態に係る基板処理装置２５０では、ホルダストッカ４１に加熱装置４４を設け、ホルダストッカ４１に保管される基板ホルダ８０を加熱するように構成される。一般的な基板処理プロセスにおいては、基板ホルダ８０はホルダストッカ４１に比較的長時間保管され、その後各プロセスのために搬送される。したがって、本基板処理装置２５０は、基板ホルダ８０をホルダストッカ４１の加熱装置４４で比較的長時間加熱することができるので、基板ホルダ８０を所望の温度まで加熱させることができる。このため、その後のプロセスで基板Ｗ及び基板ホルダ８０を処理液に浸漬しても、処理液の温度が低下することを抑制することができる。また、基板ホルダ８０を保管しておくためのホルダストッカ４１で基板ホルダ８０を加熱するので、別途加熱用のプロセスを設ける必要がない。このため、基板処理プロセスのスループットを低下させることがない。
　また、本実施形態に係る基板処理装置２５０で用いられる基板ホルダ８０は、基板ホルダ８０に保持された基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱するように構成されるシーズヒータ８９と、このシーズヒータ８９に通電するためのホルダ端子８６ａ，８６ｂ及びホルダ端子８７ａ，８７ｂを有する。これにより、ホルダストッカ４１の加熱装置４４による加熱に加えて、基板ホルダ８０をさらに加熱することができる。また、基板ホルダ８０がホルダストッカ４１に保管されている間だけでなく、ホルダ端子８６ａ，８６ｂ及びホルダ端子８７ａ，８７ｂから電力を供給することで、他のプロセス中でも基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができる。
　これに加えて、本実施形態に係る基板処理装置２５０のホルダストッカ４１は、電源４８と接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成されるストッカ端子４７を有する。ストッカ端子４７は、基板ホルダ８０がホルダストッカ４１に保管されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触して、電源４８からの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、ホルダストッカ４１に保管されている間、加熱装置４４による加熱に加えて、シーズヒータ８９によっても加熱される。したがって、本実施形態によれば、確実に基板ホルダ８０を所望の温度に昇温し、維持することができる。
　また、本実施形態に係る基板処理装置２５０の基板搬送装置５０ａ，５０ｂは、例えば回転モータ５５の筐体内部に設けられる電源５５ａと接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８６ａ，８６ｂと接触可能に構成される搬送機端子６７を有する。搬送機端子６７は、基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに搬送されている間、ホルダ端子８６ａ，８６ｂに接触して、電源５５ａからの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、基板搬送装置５０ａ，５０ｂに搬送されている間も、シーズヒータ８９によって加熱される。したがって、本実施形態によれば、基板ホルダ８０がホルダストッカ４１から処理槽まで搬送されている間、基板ホルダ８０を加熱して、温度を維持することができる。また、シーズヒータ８９により、基板ホルダ８０により保持される基板Ｗを間接的に加熱することができる。
　また、本実施形態に係る基板処理装置２５０のリフタ７０は、電源７７と接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成されるリフタ端子７６を有する。リフタ端子７６は、基板ホルダ８０がリフタ７０に支持されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触して、電源７７からの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、リフタ７０に支持されている間も、シーズヒータ８９によって加熱される。したがって、本実施形態によれば、基板ホルダ８０が処理槽に収納される直前も基板ホルダ８０を加熱して、温度を維持することができる。また、シーズヒータ８９により、基板ホルダ８０により保持される基板Ｗを間接的に加熱することができる。
　また、本実施形態に係る基板処理装置２５０のエッチングモジュール１２０及びレジスト剥離モジュール１５０の処理槽は、電源７８と接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成される処理槽端子７９を有する。処理槽端子７９は、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触して、電源７８からの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、処理槽で基板Ｗが処理されている間も、シーズヒータ８９によって加熱される。したがって、本実施形態によれば、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間も、基板ホルダ８０を加熱して、温度を維持することができる。また、シーズヒータ８９により、基板ホルダ８０により保持される基板Ｗを間接的に加熱することができる。
　また、本実施形態に係る基板処理装置２５０のカバー９０は、基板ホルダ８０が処理槽に収納される前に基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱するように構成される加熱装置９８を有する。これにより、処理槽に収納される直前まで、基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱し、温度を維持することができるので、処理液の温度の低下を最小限に抑制することができる。また、基板Ｗ及び基板ホルダ８０の周囲をカバー９０が覆うので、加熱装置９８が発する熱、並びに基板Ｗ及び基板ホルダ８０の熱をカバー９０内に閉じ込めることができる。したがって、効率よく基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができるとともに、加熱された基板Ｗ及び基板ホルダ８０を保温することができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
　例えば、以上で説明した実施形態では、レジスト剥離プロセス及びシード層エッチングプロセスを行うものとして説明したが、無電解めっきプロセス等の他のプロセスを行ってもよい。また、本実施形態では、レジスト剥離プロセス及びシード層エッチングプロセスのために基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱するものとして説明したが、異なるプロセスにおいて基板ホルダ８０及び基板Ｗを冷却する必要がある場合は、加熱装置に変えて冷却装置を設けてもよい。
　また、基板ホルダ８０は、ホルダ端子８６ａ，８６ｂ及びホルダ端子８７ａ，８７ｂを有するものとして説明したが、ホルダ端子はいずれか一方のみであってもよい。また、ホルダ端子の位置は、本実施形態に示された位置には限られない。基板ホルダ８０に設けられる加熱装置として、シーズヒータ８９以外の任意の加熱装置を採用することができる。
４１…ホルダストッカ
４４…加熱装置
４７…ストッカ端子
４８…電源
５０ａ，５０ｂ…搬送機
５５ａ…電源
６６…処理槽
６７…搬送機端子
７０…リフタ
７６…リフタ端子
７７…電源
７８…電源
７９…処理槽端子
８０…基板ホルダ
８６ａ，８６ｂ，８７ａ，８７ｂ…ホルダ端子
８９…シーズヒータ
９０…カバー
９８…加熱装置 

Claims (11)

  1. 　基板を保持した基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための処理槽と、
    　前記基板ホルダを保管するためのホルダストッカと、
    　前記ホルダストッカに設けられ、前記ホルダストッカに保管される前記基板ホルダを加熱するように構成される第１加熱装置と、を有する基板処理装置。
  2. 　請求項１に記載された基板処理装置において、
    　前記基板ホルダは、前記基板ホルダに保持された前記基板及び前記基板ホルダを加熱するように構成される第２加熱装置と、前記第２加熱装置に通電するためのホルダ端子を有する、基板処理装置。
  3. 　請求項２に記載された基板処理装置において、
    　前記第２加熱装置に電力を供給するための第１電源を有し、
    　前記ホルダストッカは、前記第１電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるストッカ端子を有し、
    　前記ストッカ端子は、前記基板ホルダが前記ホルダストッカに保管されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第１電源から電力が供給される、基板処理装置。
  4. 　請求項２又は３に記載された基板処理装置において、
    　前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送する搬送機と、
    　前記２加熱装置に電力を供給するための第２電源と、を有し、
    　前記搬送機は、前記第２電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される搬送機端子を有し、
    　前記搬送機端子は、前記基板ホルダが前記搬送機に搬送されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第２電源から電力が供給される、基板処理装置。
  5. 　請求項２ないし４のいずれか一項に記載された基板処理装置において、
    　前記基板を保持した前記基板ホルダを支持して、前記基板ホルダを前記処理槽に収納し、又は前記処理槽から取り出すように構成されたリフタと、
    　前記第２加熱装置に電力を供給するための第３電源を有し、
    　前記リフタは、前記第３電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるリフタ端子を有し、
    　前記リフタ端子は、前記基板ホルダが前記リフタに支持されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第３電源から電力が供給される、基板処理装置。
  6. 　請求項２ないし５のいずれか一項に記載された基板処理装置において、
    　前記第２加熱装置に電力を供給するための第４電源を有し、
    　前記処理槽は、前記第４電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される処理槽端子を有し、
    　前記処理槽端子は、前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第４電源から電力が供給される、基板処理装置。
  7. 　請求項１ないし６のいずれか一項に記載された基板処理装置において、
    　前記処理槽に出し入れされる基板ホルダの周囲を覆うように構成されたカバーを有し、
    　前記カバーは、前記基板ホルダが前記処理槽に収納される前に前記基板及び前記基板ホルダを加熱するように構成される第３加熱装置を有する、基板処理装置。
  8. 　基板ホルダで保持された基板を処理する基板処理方法であって、
    　前記基板ホルダをホルダストッカに保管するステップと、
    　前記ホルダストッカにおいて前記基板ホルダを加熱するステップと、
    　前記基板ホルダで前記基板を保持するステップと、
    　前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送するステップと、
    　前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、
    　前記処理槽において前記基板ホルダに保持された基板を処理するステップと、を有する基板処理方法。
  9. 　請求項８に記載された基板処理方法において、
    　前記基板ホルダが搬送されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する、基板処理方法。
  10. 　請求項８又は９に記載された基板処理方法において、
    　搬送された前記基板ホルダをリフタで支持するステップと、
    　前記リフタに支持された前記基板ホルダを加熱するステップと、
    　前記リフタにより前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、有する基板処理方法。
  11. 　請求項８ないし１０のいずれか一項に記載された基板処理方法において、
    　前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する、基板処理方法。 
     
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