JP2016072256A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板処理のスループットを低下させることなく、基板及び基板ホルダを処理液に浸漬したときに処理液の温度が低下することを抑制する。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、基板ホルダ８０を保管するためのホルダストッカ４１と、ホルダストッカ４１に設けられ、ホルダストッカ４１に保管される基板ホルダ８０を加熱するように構成される加熱装置４４と、を有する。【選択図】図７

Description

本発明は、半導体ウェハ等の基板を処理する基板処理装置及び基板処理方法に関する。

従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、無電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。

電界めっき法によりレジスト開口部に配線あるいはバンプが形成された後、基板上に形成されているレジストの剥離及びシード層（又はバリアメタル）のエッチングが行われる。

基板上に形成されているレジストは、処理槽内の有機溶剤等の処理液に基板を浸漬することにより剥離される。ここで、所望のレジスト剥離効果を発揮するためには、処理液の温度が約８０℃以上の高温に維持される必要がある。しかしながら、通常、基板及びこの基板を保持する基板ホルダは室温程度に維持されているので、基板及びこの基板を保持する基板ホルダを処理液に浸漬すると、処理液の温度が低下する。処理液の温度が８０℃未満になると、処理液に溶解したレジスト成分が基板に再付着する恐れがある。

また、シード層又はバリアメタルを除去する処理槽に収容された処理液（エッチング液）に関しても、所望のエッチング効果を発揮するためには、処理液の温度が約３０℃程度に維持される必要がある。しかしながら、同様に、室温程度に維持されている基板及びこの基板を保持する基板ホルダを処理液に浸漬すると、処理液の温度が低下し、エッチング速度が低下する恐れがある。

一方で、無電解めっき法においては、処理槽内のめっき液に基板を浸漬することにより基板にめっき膜が形成される。ここで、所望の成膜速度及び膜厚の面内均一性を達成するためには、めっき液の温度は約８０℃以上の高温に維持される必要がある。しかしながら、レジストの剥離プロセスの場合と同様に、室温程度に維持されている基板及びこの基板を保持する基板ホルダをめっき液に浸漬すると、めっき液の温度が低下し、成膜速度の低下及び膜厚の面内均一性の悪化の恐れがある。

無電解めっき方法において、基板温度が低いことによるめっき反応のバラつきを抑制するために、めっき処理の直前に基板を温水に浸漬させることで、基板の温度を昇温させ、基板の温度がめっき浴温以上になった後にめっき処理を行うことが知られている（特許文献１参照）。

特開平４−２１７８６号公報

しかしながら、上記従来の技術では、基板温度を昇温させるために、基板を温水に浸漬
させるプロセスを追加しているので、めっき装置全体としてのスループットを低下させる。

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板処理のスループットを低下させることなく、基板及び基板ホルダを処理液に浸漬したときに処理液の温度が低下することを抑制することである。

上記目的を達成するため、本発明の第１形態に係る基板処理装置は、基板を保持した基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための処理槽と、前記基板ホルダを保管するためのホルダストッカと、前記ホルダストッカに設けられ、前記ホルダストッカに保管される前記基板ホルダを加熱するように構成される第１加熱装置と、を有する。

上記目的を達成するため、本発明の第２形態に係る基板処理装置は、第１形態の基板処理装置において、前記基板ホルダは、前記基板ホルダに保持された前記基板及び前記基板ホルダを加熱するように構成される第２加熱装置と、前記第２加熱装置に通電するためのホルダ端子を有する。

上記目的を達成するため、本発明の第３形態に係る基板処理装置は、第２形態の基板処理装置において、前記第２加熱装置に電力を供給するための第１電源を有し、前記ホルダストッカは、前記第１電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるストッカ端子を有し、前記ストッカ端子は、前記基板ホルダが前記ホルダストッカに保管されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第１電源から電力が供給される。

上記目的を達成するため、本発明の第４形態に係る基板処理装置は、第２形態又は第３形態の基板処理装置において、前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送する搬送機と、前記２加熱装置に電力を供給するための第２電源と、を有し、前記搬送機は、前記第２電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される搬送機端子を有し、前記搬送機端子は、前記基板ホルダが前記搬送機に搬送されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第２電源から電力が供給される。

上記目的を達成するため、本発明の第５形態に係る基板処理装置は、第２形態ないし第４形態いずれかの基板処理装置において、前記基板を保持した前記基板ホルダを支持して、前記基板ホルダを前記処理槽に収納し、又は前記処理槽から取り出すように構成されたリフタと、前記第２加熱装置に電力を供給するための第３電源を有し、前記リフタは、前記第３電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるリフタ端子を有し、前記リフタ端子は、前記基板ホルダが前記リフタに支持されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第３電源から電力が供給される。

上記目的を達成するため、本発明の第６形態に係る基板処理装置は、第２形態ないし第５形態いずれかの基板処理装置において、前記第２加熱装置に電力を供給するための第４電源を有し、前記処理槽は、前記第４電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される処理槽端子を有し、前記処理槽端子は、前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第４電源から電力が供給される。

上記目的を達成するため、本発明の第７形態に係る基板処理装置は、第１形態ないし第
６形態いずれかの基板処理装置において、前記処理槽に出し入れされる基板ホルダの周囲を覆うように構成されたカバーを有し、前記カバーは、前記基板ホルダが前記処理槽に収納される前に前記基板及び前記基板ホルダを加熱するように構成される第３加熱装置を有する。

上記目的を達成するため、本発明の第８形態に係る基板処理方法は、基板ホルダで保持された基板を処理する基板処理方法であって、前記基板ホルダをホルダストッカに保管するステップと、前記ホルダストッカにおいて前記基板ホルダを加熱するステップと、前記基板ホルダで前記基板を保持するステップと、前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送するステップと、前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、前記処理槽において前記基板ホルダに保持された基板を処理するステップと、を有する。

上記目的を達成するため、本発明の第９形態に係る基板処理方法は、第８形態の基板処理方法において、前記基板ホルダが搬送されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する。

上記目的を達成するため、本発明の第１０形態に係る基板処理方法は、第８形態又は第９形態の基板処理方法において、搬送された前記基板ホルダをリフタで支持するステップと、前記リフタに支持された前記基板ホルダを加熱するステップと、前記リフタにより前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、有する。

上記目的を達成するため、本発明の第１１形態に係る基板処理方法は、第８形態ないし第０形態のいずれかの基板処理方法において、前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する。

本発明によれば、基板処理のスループットを低下させることなく、基板及び基板ホルダを処理液に浸漬したときに処理液の温度が下がることを抑制することができる。

一実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。 フィキシングユニット及びエッチングユニットを示す概略斜視図である。 基板ホルダの斜視図である。 ホルダ部の拡大斜視図である。 アーム部、ホルダ部、及び被把持部を示す部分正面図である。 ホルダストッカの正面図である。 ホルダストッカの斜視図である。 基板搬送装置の斜視図である。 把持機構の部分拡大図である。 把持機構が基板ホルダを把持した状態を示す搬送機構及び把持機構の拡大側面図である。 リフタの斜視図である。 カバーを備えたリフタの斜視図である。 カバーを備えたリフタの斜視図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一のまたは相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

図１は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略平面図である。図１に示すように
、この基板処理装置２５０には、半導体ウェハ等の基板を収納した４台のカセット３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄと、処理後の基板を乾燥させる２台の基板乾燥機３１ａ，３１ｂと、基板ホルダを収容するホルダストッカを備え、基板ホルダに対して基板の着脱を行うフィキシングユニット４０ａ，４０ｂと、これらのユニット間で基板を搬送する２台の基板搬送ロボット３２ａ，３２ｂが配置されている。なお、基板乾燥機３１ａ、３１ｂが配置される位置に、それぞれ２台の基板乾燥機を上下方向に配置して、基板処理装置２５０に４台の基板乾燥機を配置するようにしてもよい。

後述するレジスト剥離ユニット１４０で処理される基板は、カセット３０ａ又はカセット３０ｂから基板搬送ロボット３２ａにより取り出され、フィキシングユニット４０ａに搬送される。フィキシングユニット４０ａにて基板ホルダに装着された基板は、その後レジスト剥離ユニット１４０でレジストが剥離される。レジスト剥離ユニット１４０でレジストが剥離された基板は、フィキシングユニット４０ａにおいて基板ホルダから取り出される。基板ホルダから取り出された基板は、基板搬送ロボット３２ａによりフィキシングユニット４０ａから基板乾燥機３１ａに搬送される。基板は、基板乾燥機３１ａにより、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−Ｐｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ）およびＤＩＷ（Ｄｅ−Ｉｏｎｉｚｅｄ
Ｗａｔｅｒ）を用いて洗浄および乾燥される。乾燥した基板は、基板搬送ロボット３２ａによりカセット３０ａ又はカセット３０ｂに戻される。

同様に、後述するエッチングユニット１１０でエッチング処理される基板は、カセット３０ｃ又はカセット３０ｄから基板搬送ロボット３２ｂにより取り出され、フィキシングユニット４０ｂに搬送される。フィキシングユニット４０ｂにて基板ホルダに装着された基板は、その後エッチングユニット１１０でエッチング処理される。エッチングユニット１１０でエッチング処理がされた基板は、フィキシングユニット４０ｂにおいて基板ホルダから取り出される。基板ホルダから取り出された基板は、基板搬送ロボット３２ｂによりフィキシングユニット４０ｂから基板乾燥機３１ｂに搬送される。基板は、基板乾燥機３１ｂにより、ＩＰＡおよびＤＩＷを用いて洗浄および乾燥される。乾燥した基板は、基板搬送ロボット３２ｂによりカセット３０ｃ又はカセット３０ｄに戻される。

また、基板処理装置２５０には、基板に形成されたレジストを剥離する処理を行うレジスト剥離ユニット１４０が設けられている。レジスト剥離ユニット１４０は、基板表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１４５ａ，１４５ｂと、基板に形成されたレジストを剥離するための３つのレジスト剥離モジュール１５０とを備えている。レジスト剥離モジュール１５０は、それぞれ複数の槽から構成される。プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂは、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂに対して基板ホルダの収納又は取り出しを行う水平移動可能なリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。同様に、レジスト剥離モジュール１５０は、レジスト剥離モジュール１５０を構成する複数の槽に対して基板ホルダの収納又は取り出しを行う水平移動可能なリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。また、レジスト剥離ユニット１４０は、フィキシングユニット４０ａ、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂが備えるリフタ７０、及びレジスト剥離モジュール１５０が備えるリフタ７０との間で基板を搬送する基板搬送装置５０ａ（搬送機）を備えている。

基板のレジストを剥離するときは、基板を保持した基板ホルダが、フィキシングユニット４０ａから基板搬送装置５０ａに受け渡され、基板搬送装置５０ａによりプリウェット槽１４５ａ，１４５ｂが備えるリフタ７０に受け渡される。リフタ７０は、受け渡された基板ホルダをプリウェット槽１４５ａ及びプリウェット槽１４５ｂのうち、空いている方の槽に収納する。基板は、プリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂにおいてＤＩＷ及びＩＰＡを吹き付けられる。プリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂで基板が処理された後、基板ホルダは、リフタ７０によりプリウェット槽１４５ａ又はプリウェット槽１４５ｂから取り出され、基板搬送装置５０ａに受け渡される。基板ホル
ダは、基板搬送装置５０ａによりいずれかのレジスト剥離モジュール１５０が有するリフタ７０に受け渡され、リフタ７０によりレジスト剥離モジュール１５０の処理槽に収納される。基板がレジスト剥離モジュール１５０で処理された後、基板ホルダは、レジスト剥離モジュール１５０が有するリフタ７０により処理槽から取り出され、基板搬送装置５０ａに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ａにより、フィキシングユニット４０ａに戻される。

また、基板処理装置２５０には、基板に形成されたシード層のエッチングを行うエッチングユニット１１０が設けられている。エッチングユニット１１０は、基板表面の親水性を向上させるための２つのプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂと、基板に形成されたシード層をエッチングするための３つのエッチングモジュール１２０とを備えている。エッチングモジュール１２０は、それぞれ複数の槽から構成される。プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂは、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂに対して基板ホルダの収納又は取り出しを行うリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。同様に、エッチングモジュール１２０は、エッチングモジュール１２０を構成する複数の槽に対して基板ホルダの収納又は取り出しを行うリフタ７０を、槽の両側に沿って備えている。また、エッチングユニット１１０は、フィキシングユニット４０ｂ、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂが備えるリフタ７０、及びエッチングモジュール１２０が備えるリフタ７０との間で基板を搬送する基板搬送装置５０ｂ（搬送機）を備えている。

基板のシード層をエッチングするときは、基板を保持した基板ホルダが、フィキシングユニット４０ｂから基板搬送装置５０ｂに受け渡され、基板搬送装置５０ｂによりプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂが備えるリフタ７０に受け渡される。リフタ７０は、受け渡された基板ホルダをプリウェット槽１１５ａ及びプリウェット槽１１５ｂのうち、空いている方の槽に収納する。基板は、プリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂにおいてＤＩＷ又はＩＰＡを吹き付けられる。プリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂで基板が処理された後、基板ホルダは、リフタ７０によりプリウェット槽１１５ａ又はプリウェット槽１１５ｂから取り出され、基板搬送装置５０ｂに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ｂによりいずれかのエッチングモジュール１２０が有するリフタ７０に受け渡され、リフタ７０によりエッチングモジュール１２０の処理槽に収納される。基板がエッチングモジュール１２０で処理された後、基板ホルダは、エッチングモジュール１２０が有するリフタ７０により処理槽から取り出され、基板搬送装置５０ｂに受け渡される。基板ホルダは、基板搬送装置５０ｂにより、フィキシングユニット４０ｂに戻される。

図示のように、基板処理装置２５０では、カセット３０ａ，３０ｂ、基板乾燥機３１ａ、基板搬送ロボット３２ａ、フィキシングユニット４０ａ、及びレジスト剥離ユニット１４０に対して、カセット３０ｃ，３０ｄ、基板乾燥機３１ｂ、基板搬送ロボット３２ｂ、フィキシングユニット４０ｂ、及びエッチングユニット１１０が略対称の位置関係となるように構成されている。

次に、図１に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０の位置関係について説明する。図２は、図１に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０を示す概略斜視図である。なお、図２においては、便宜上、プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ及び２つのエッチングモジュール１２０は図示省略されている。

図示のように、フィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０は、直線状に整列して配置される。プリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ（図示省略）及び３つのエッチングモジュール１２０（図中１つのみ示される）は、槽の側方に、整列方向に沿って配置されたリフタ７０を夫々備える。各リフタ７０は、各処理槽の一端から他端まで、水平
方向に移動可能に構成される。即ち、各リフタ７０は、図中破線で示すリフタ７０の位置まで移動することができる。

基板搬送装置５０ｂは、基板ホルダ８０がフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０上を通過するように、基板ホルダ８０を搬送する。リフタ７０は、それぞれ、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うように構成されたカバー９０を備える。なお、図中エッチングモジュール１２０が有するリフタ７０においては、カバー９０が省略されている。

図１に示したフィキシングユニット４０ａ及びレジスト剥離ユニット１４０についても、基板搬送装置５０ａの位置が異なる以外は、図２に示したフィキシングユニット４０ｂ及びエッチングユニット１１０と同様の位置関係を有する。したがって、フィキシングユニット４０ａ及びレジスト剥離ユニット１４０についての位置関係の説明は省略する。

次に、図２に示した基板ホルダ８０、フィキシングユニット４０ｂ、基板搬送装置５０ｂ、リフタ７０、及びカバー９０の詳細について、順に説明する。

＜基板ホルダ＞
図３は基板ホルダの斜視図である。図示のように、基板ホルダ８０は、細長く形成された板状部材である基部８１と、基部８１の両端から延在して形成される板状部材である２つのアーム部８２−１，８２−２と、基板を保持するための２つのホルダ部８３−１，８３−２とを有する。基部８１とアーム部８２−１，８２−２とホルダ部８３−１，８３−２が交わる箇所が基板ホルダ８０の被把持部８５−１，８５−２であり、被把持部８５−１，８５−２が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに把持される。

基板ホルダ８０の被把持部８５−１，８５−２には、基板ホルダ８０の内部に設けられた後述するシーズヒータ（図５参照）に通電するための一対のホルダ端子８６ａ，８６ｂが、それぞれの表面に設けられる。また、アーム部８２−１，８２−２には、基板ホルダ８０の内部に設けられた後述するシーズヒータ（図５参照）に通電するための一対のホルダ端子８７ａ，８７ｂが、下面（リフタ７０に支持される面）に設けられる。

アーム部８２−１，８２−２は、基板ホルダ８０を処理槽に浸漬した際に処理槽の側壁に懸架される部分であり、また、リフタ７０により支持される部分である。ホルダ部８３−１，８３−２は、基部８１の両端から、基部８１の長手方向に対して略直角方向に形成された、略Ｌ字状の板状部材である。基板ホルダ８０は、ホルダ部８３−１とホルダ部８３−２との間の空間８４に、半導体ウェハなどの基板を収容し、保持することができる。

図４は図３に示すホルダ部８３−１の拡大斜視図である。図４においては、基板ホルダ８０が基板を保持している状態が示されている。ホルダ部８３−１は、ホルダ部８３−２と対向する面、即ち図３に示した空間８４に対向する面に沿って複数のスリット８４ａ，８４ｂ，８４ｃを有する。また、図示していないが、ホルダ部８３−２も、ホルダ部８３−１と対向する面に沿ってホルダ部８３−１と同様の複数のスリットを有している。基板Ｗは、その外周部がホルダ部８３−１のスリット８４ａ，８４ｂ，８４ｃとホルダ部８３−２のスリットに挿入されることで、基板ホルダ８０に保持される。これにより、基板Ｗが基板ホルダ８０から落下することを抑制することができる。

図５は、図３に示すアーム部８２−１、ホルダ部８３−１、及び被把持部８５−１を示す部分正面図である。図５では、基板ホルダ８０の内部に設けられたシーズヒータ等を説明するために部分的に断面が示される。

基板ホルダ８０は、その厚さ方向に半割り構造を形成している。図５に示すように、アーム部８２−１、被把持部８５−１、及びホルダ部８３−１の内部には、空洞が形成される。ホルダ部８３−１の空洞には、基板ホルダ８０及び基板ホルダ８０に保持される基板Ｗを加熱するためのニクロム線等から成るシーズヒータ８９（第２加熱装置）が設けられる。また、アーム部８２−１、被把持部８５−１、及びホルダ部８３−１の空洞には、ホルダ端子８７ａ及びホルダ端子８６ａ（図３参照）とシーズヒータ８９とを接続する配線８８ａと、ホルダ端子８７ｂ及びホルダ端子８６ｂ（図３参照）とシーズヒータ８９とを接続する配線８８ｂとが設けられる。したがって、ホルダ端子８６ａ，８６ｂ（図３参照）又はホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力を供給することにより、シーズヒータ８９が発熱し、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができる。図示省略しているが、アーム部８２−２、被把持部８５−２、及びホルダ部８３−２にも、同様に、配線８８ａ，８８ｂ、シーズヒータ８９が設けられる。

＜フィキシングユニット＞
次に、フィキシングユニット４０ｂについて説明する。ここで、２つのフィキシングユニット４０ａ，４０ｂは基本的に同一であるので、フィキシングユニット４０ｂについてのみ説明する。フィキシングユニット４０ｂは、図３等に示した基板ホルダ８０を保管するホルダストッカと、このホルダストッカから取り出した基板ホルダ８０に基板を着脱する基板着脱装置とを備える。ここでは、ホルダストッカについて詳細に説明する。

図６は、フィキシングユニット４０ｂのホルダストッカの正面図であり、図７はフィキシングユニット４０ｂのホルダストッカの斜視図である。ホルダストッカ４１は、基板Ｗを保持していない複数の基板ホルダ８０を収容する（但し、図６においては１つの基板ホルダ８０が収容され、図７においては３つの基板ホルダ８０が収容されている）。ホルダストッカ４１は、水平姿勢にされた基板ホルダ８０を受け入れると共に、複数の基板ホルダ８０が鉛直方向に整列されるように構成される。

ホルダストッカ４１は、４本の柱状部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄを備えている。各柱状部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄには、水平方向に開口する複数のスリット状のホルダ受入部４３が形成されている。それぞれの柱状部材４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄにおいて、対応する４つのホルダ受入部４３の高さが相互に等しくなっている。これら４つのホルダ受入部４３によって１つのホルダ収容部が形成され、１つの基板ホルダ８０を収容する。

基板ホルダ８０がホルダストッカ４１に収容されている状態では、２つのアーム部８２−１，８２−２の端部と、ホルダ部８３−１，８３−２の先端部がホルダ受入部４３に受け入れられる。相互に対応する４つのホルダ受入部４３は高さが等しいので、基板ホルダ８０は４点で略水平姿勢で保持される。但し、基板ホルダ８０は最低３点で支持すれば水平を維持することが可能である。このため、ホルダ収容部は３つのホルダ受入部４３の組み合わせであってもよい。

ホルダストッカ４１の柱状部材４２ａ，４２ｂには、その長さ方向に沿って加熱装置４４（第１加熱装置）が設けられる。加熱装置４４は、電源４８（第１電源）から電力が供給されることで発熱し、柱状部材４２ａ，４２ｂを介して、ホルダストッカ４１に保管された基板ホルダ８０を加熱する。

また、ホルダストッカ４１は、柱状部材４２ａ，４２ｂの各ホルダ受入部４３のスリットの内部に、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂ（図３及び図５参照）と接触可
能に構成されるストッカ端子４７を有する。ストッカ端子４７は、電源４８に接続されており、ホルダ端子８７ａ，８７ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。基板ホルダ８０がホルダ受入部４３に収容されると、アーム部８２−１，８２−２に形成されたホルダ端子８７ａ，８７ｂがストッカ端子４７と接触する。これにより、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力が供給され、シーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０を加熱することができる。

ホルダストッカ４１の下部には、基板ホルダ搬送機構４５が設けられている。この基板ホルダ搬送機構４５は、ホルダ受入部４３に対して基板ホルダ８０を出し入れし、取り出した基板ホルダ８０を上下に移動させるためのものである。また、基板ホルダ搬送機構４５は昇降機構に取り付けられており、鉛直方向に昇降できるようになっている。図６において、昇降機構は、鉛直方向に直線状に延びるリニアガイド４６ａと、このリニアガイド４６ａと平行に延びるネジ軸４６ｂと、このネジ軸４６ｂに螺合するボールネジ４６ｃと、タイミングベルトを介してネジ軸４６ｂを回転させる駆動モータ４６ｄとを備えている。

基板ホルダ搬送機構４５は、ホルダ受入部４３から取り出された基板ホルダ８０を、フィキシングユニット４０ｂが備える図示しない基板着脱部に搬送する。基板着脱部は、基板ホルダ搬送機構４５から受け取った基板ホルダ８０に基板Ｗを装着する。また、基板着脱部は、処理がなされた基板Ｗを基板ホルダ８０から取り出し、基板ホルダ搬送機構４５は空になった基板ホルダ８０を基板着脱部から受け取る。基板ホルダ搬送機構４５は、受け取った基板ホルダをホルダ受入部４３に収容する。

＜基板搬送装置＞
続いて、図２に示した基板搬送装置５０ｂについて説明する。なお、基板搬送装置５０ａは基板搬送装置５０ｂと同様の構成を有するので説明を省略する。図８は図２に示した基板搬送装置５０ｂの斜視図である。図８においては、処理槽と基板搬送装置５０ｂとの位置関係を説明するために、便宜上、処理槽６６が示されている。処理槽６６は、図１に示したプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ又はエッチングモジュール１２０等を簡易的に示したものであり、その槽数は図１に示したものとは異なる。また、図８においては、図１に示したフィキシングユニット４０ｂと基板搬送装置５０ｂとの位置関係を説明するために、便宜上、フィキシングユニット４０ｂが示されている。

図８に示すように、基板搬送装置５０ｂは、基板ホルダ８０を把持するための把持機構５４（把持部）と、把持機構５４に把持された基板ホルダ８０を搬送するための搬送機構５１（搬送部）と、を有する。

搬送機構５１は、把持機構５４が取り付けられる走行台座５６と、走行台座５６をガイドするためのガイドレール５３と、走行台座５６をガイドレール５３上に走行させるための走行モータ５２とを有する。図中破線で示されるように、基板ホルダ８０を把持した把持機構５４は、搬送機構５１によって、ガイドレール５３の一端から他端まで、ガイドレール５３に沿って走行することができる。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を把持する。この状態で走行モータ５２が駆動することで、走行台座５６がガイドレール５３に沿って走行する。これにより、搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０が処理槽６６の上方を通過するように、基板ホルダ８０を搬送する。

また、基板搬送装置５０ｂは、把持機構５４を回転させる回転モータ５５（駆動部）を有する。回転モータ５５は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で基板ホルダ８０を把持する把持機構５４を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように（基板Ｗの法線方向が水平方向を向くように）、約９０度回転させる。基板ホルダ８０は、基板ホルダ８０
に保持された基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で、把持機構５４から図２に示したリフタ７０に受け渡される。リフタ７０に受け渡された基板ホルダ８０は、リフタ７０により処理槽６６に収納される。

また、回転モータ５５は、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で基板ホルダ８０を把持する把持機構５４を、基板Ｗの面内方向が水平方向を向くように、約９０度回転させることができる。基板ホルダ８０は、基板ホルダが鉛直方向を向いた状態で、図２に示したリフタ７０から把持機構５４に受け渡される。把持機構５４に受け渡された基板ホルダ８０は、回転モータ５５が把持機構５４を回転させることで、基板Ｗが水平方向を向くように回転される。

図９は把持機構５４の部分拡大図であり、図１０は搬送機構５１及び把持機構５４の拡大側面図である。図９及び図１０に示すように、把持機構５４は、回転モータ５５により回転可能に構成される回転軸５８を有する。把持機構５４は、回転軸５８が回転モータ５５によりその周方向に回転することで、把持した基板ホルダ８０の方向を鉛直方向と水平方向との間で変化させることができる。

さらに、図９に示すように、把持機構５４は、回転軸５８に設けられた一対のホルダクランプ６０と、基板Ｗを基板ホルダ８０に押さえつける基板押え６１と、基板ホルダ８０の有無を検知するホルダ検知センサ５９とを有する。ホルダクランプ６０は、基板ホルダ８０の被把持部８５−１，８５−２（図３参照）を把持する。ホルダ検知センサ５９は、ホルダクランプ６０が基板ホルダ８０を把持するときに基板ホルダ８０の有無を検知するための例えば光学センサや磁気センサである。

基板押え６１は、軸部６２と、軸部６２を軸方向に摺動させ且つ周方向に回転させるように構成されるエアシリンダ６５と、基板Ｗに接触して基板Ｗを基板ホルダ８０に押さえつける押え部６３と、基板Ｗの有無を検知する基板検知センサ６４とを有する。軸部６２は一端がエアシリンダ６５に連結され、他端が押え部６３と連結している。押え部６３は、一端が軸部６２の上記他端に連結され、他端が軸部６２の軸方向に対して略直角方向に延在する棒状の部材である。基板検知センサ６４は、押え部６３の他端に固定手段を介して固定された、例えば光学センサや磁気センサである。

一対のホルダクランプ６０は、基板ホルダ８０の被把持部８５−１，８５−２（図３参照）を把持する。ホルダクランプ６０は、基板ホルダ８０の被把持部８５−１，８５−２を把持したときに基板ホルダ８０のホルダ端子８６ａ，８６ｂ（図１０参照）と接触する搬送機端子６７を備える。基板搬送装置５０ｂは、回転モータ５５を構成する筐体の内部に電源５５ａ（第２電源）を有する。搬送機端子６７は、この電源５５ａに接続され、ホルダ端子８６ａ，８６ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。したがって、基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ｂに搬送されている間（基板ホルダ８０が把持されている間）、搬送機端子６７はホルダ端子８６ａ，８６ｂと接触する。これにより、電源５５ａによりホルダ端子８６ａ，８６ｂに電力が供給され、基板ホルダ８０内のシーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができる。なお、本実施形態では電源５５ａは回転モータ５５を構成する筐体の内部に設けられているが、これに限らず、搬送機端子６７に電力を供給可能であれば、電源５５ａはどこに設けられていてもよい。

次に、基板搬送装置５０ｂが基板Ｗを搬送するプロセスについて説明する。基板搬送装置５０ｂの把持機構５４は、フィキシングユニット４０ｂから基板Ｗを保持した基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で受け取る。把持機構５４が基板ホルダ８０を把持すると、搬送機端子６７がホルダ端子８６ａ，８６ｂと接触して、シーズ
ヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。

搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を処理槽６６の上方を通過させて搬送する。搬送機構５１は、所定の処理槽６６の直上に把持機構５４を停止させる。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向くように基板ホルダ８０を旋回させる。図２に示したリフタ７０は、把持機構５４から、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いたまま基板ホルダ８０を受け取る。リフタ７０は、受け取った基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で、処理槽６６に収納する。なお、把持機構５４がフィキシングユニット４０ｂから基板ホルダ８０を受け取ってから、把持機構５４がリフタ７０に基板ホルダ８０を受け渡すまでの間、ホルダ端子８６ａ，８６ｂに電源５５ａにより電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗが加熱される。

続いて、処理槽６６から基板ホルダ８０を搬送するときは、図２に示したリフタ７０が処理槽６６から基板ホルダ８０を取り出す。基板搬送装置５０ｂの把持機構５４は、リフタ７０から基板ホルダ８０を、基板Ｗの面内方向が鉛直方向を向いた状態で受け取る。把持機構５４は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向くように基板ホルダ８０を旋回させる。搬送機構５１は、基板Ｗの面内方向が水平方向を向いた状態で、基板ホルダ８０を処理槽６６の上方を通過させて、後続するプロセスを行う処理槽６６又はフィキシングユニット４０ｂに搬送する。なお、把持機構５４がリフタ７０から基板ホルダ８０を受け取ってから、把持機構５４が後続するプロセスを行う処理槽６６に搬送して基板ホルダ８０の把持を解除するまでの間、ホルダ端子８６ａ，８６ｂに電源５５ａから電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗが加熱される。一方で、把持機構５４がリフタ７０から基板ホルダ８０を受け取ってから、フィキシングユニット４０ｂに基板ホルダ８０を戻すまでの間は基板ホルダ８０を加熱する必要はないので、電源５５ａからの電力の供給を一時的に停止させてもよい。

＜リフタ＞
次に、図１に示したプリウェット槽１１５ａ，１１５ｂ、プリウェット槽１４５ａ，１４５ｂ、エッチングモジュール１２０、及びレジスト剥離モジュール１５０にそれぞれ設けられるリフタ７０について詳細を説明する。図１１は、リフタ７０を示す斜視図である。なお、リフタ７０と処理槽との位置関係を説明するため、図４には処理槽の例としてのエッチングモジュール１２０も示されている。

図１１に示すように、リフタ７０は、エッチングモジュール１２０の両側に配置された一対のレール部７１と、レール部７１に摺動可能に設けられたスライド部７５と、スライド部７５に設けられた支持部７４と、レール部７１を水平方向に移動可能な水平移動機構７２と、を備えている。

水平移動機構７２は、エッチングモジュール１２０の両側に、水平方向に沿って設けられる。一対のレール部７１は、水平移動機構７２から鉛直方向に延びるように設けられ、一対のレール部７１が対向する側に、スライド部７５が摺動するためのレールを備えている。スライド部７５は、レール部７１のレールに沿って、上下方向に摺動可能に構成される。なお、スライド部７５は、図示しない駆動装置により上下方向に摺動される。

支持部７４は、一対のレール部７１の対向する側に突出するように形成された部材であり、基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２を下方から支持する（後述する図１２参照）。即ち、基板ホルダ８０は、一対のレール部７１の間に位置するように支持部７４により支持される。支持部７４の上面（基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２と接触する面）には、ホルダ端子８７ａ，８７ｂ（図３、図５参照）と接触可能に構成されるリフタ端子７６がそれぞれ設けられる。リフタ端子は、電源７７（第３電源）に接続さ
れており、ホルダ端子８７ａ，８７ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。基板ホルダ８０がリフタ７０に支持されると、アーム部８２−１，８２−２に形成されたホルダ端子８７ａ，８７ｂがリフタ端子７６と接触する。即ち、リフタ端子７６は、基板ホルダ８０がリフタ７０に支持されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触するように構成される。これにより、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力が供給され、シーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板ホルダ８０に保持された基板Ｗを加熱することができる。

エッチングモジュール１２０は、その槽の側壁の上部に、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成される複数の処理槽端子７９を有する。処理槽端子７９は、電源７８（第４電源）と接続されており、ホルダ端子８７ａ，８７ｂのそれぞれに正電圧又は負電圧を印加可能に構成される。基板ホルダ８０がエッチングモジュール１２０の処理槽に収納されると、アーム部８２−１，８２−２に形成されたホルダ端子８７ａ，８７ｂが処理槽端子７９と接触する。即ち、処理槽端子７９は、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触するように構成される。これにより、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに電力が供給され、シーズヒータ８９（図５参照）が発熱し、基板ホルダ８０及び基板ホルダ８０に保持された基板Ｗを加熱することができる。なお、レジスト剥離モジュール１５０も同様に複数の処理槽端子７９を備える（図１２及び図１３参照）。

リフタ７０が図１に示した基板搬送装置５０ａ，５０ｂから基板ホルダ８０を受け取るときは、まず、基板搬送装置５０ａ，５０ｂの把持機構５４（図８ないし図１０参照）が、基板Ｗの基板面の法線方向が水平方向を向くように基板ホルダ８０を把持する。リフタ７０の支持部７４は、スライド部７５と共に上方向に摺動し、基板ホルダ８０を下方から支持する。これにより、リフタ端子７６がホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触し、電源７７からの電力による基板ホルダ８０及び基板Ｗの加熱が開始される。

支持部７４が基板ホルダ８０を支持した状態で把持機構５４が基板ホルダ８０の把持を解除することで、基板ホルダ８０が支持部７４に受け渡される。その後、リフタ７０は、リフタ７０が把持機構５４に干渉しない高さまで下降し、さらに必要に応じて水平移動機構７２によりレール部７１を水平方向に移動させ、レール部７１をエッチングモジュール１２０の所定の処理槽の側方に位置させる。これにより、基板ホルダ８０が所定の処理槽の直上に配置される。この状態で、支持部７４がレール部７１に沿って下方向に摺動することで、基板ホルダ８０を処理槽内に収納することができる。

リフタ７０が、図１に示した基板搬送装置５０ａ，５０ｂに基板ホルダ８０を受け渡すときは、まず、支持部７４は、エッチングモジュール１２０の処理槽に収納された基板ホルダ８０のアーム部８２−１，８２−２を下方から支持する。これにより、リフタ端子７６がホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触し、電源７７からの電力による基板ホルダ８０及び基板Ｗの加熱が開始される。

続いて、支持部７４がレール部７１に沿って上昇することで、基板ホルダ８０が処理槽から取り出される。支持部７４が基板ホルダ８０を支持した状態で、必要に応じて、水平移動機構７２によりレール部７１が所定の基板搬送装置５０ａ，５０ｂの受け渡し位置に移動される。基板搬送装置５０ａ，５０ｂの把持機構５４が、基板ホルダ８０を把持した後、リフタ７０の支持部７４がレール部７１に沿って下降することで、基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに受け渡される。これにより、リフタ端子７６とホルダ端子８７ａ，８７ｂとの接触が解消され、電源７７からの電力による基板ホルダ８０及び基板Ｗの加熱が終了する。

＜カバー＞
次に、図２に示した、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うように構成されたカバー９０について詳細を説明する。図１２及び図１３は、カバー９０を備えたリフタ７０の斜視図であり、図１２はカバー９０が開いた状態を示し、図１３はカバー９０が閉じた状態を示す。なお、カバー９０と処理槽との位置関係を説明するため、図１２及び図１３にはレジスト剥離モジュール１５０も示されている。以下の説明において「前面」とは、カバー９０が開く側の面をいい、「背面」とはその逆側の面をいう。

図１２及び図１３に示すように、カバー９０は、リフタ７０の一対のレール部７１の間に亘って形成された略板状の固定背面部９１と、一対のレール部７１の前面側に形成された固定前面部９２と、固定前面部９２の前面にヒンジ９６を介して回動可能に取り付けられたカバー可動部９３と、を備えている。固定背面部９１と固定前面部９２とは、その間にリフタ７０の支持部７４及び基板ホルダ８０が通過することができるように互いに離間して、リフタ７０のレール部７１に取り付けられる。固定前面部９２はその中央に開口９２ａを有する、略板状の部材である。

固定背面部９１は、固定前面部９２に対向する側の表面に、リフタ７０によって支持される基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱するための加熱装置９８（第３加熱装置）を備える。加熱装置９８は、基板ホルダ８０が処理槽に収納される前、及び／又は基板ホルダ８０が処理槽から取り出された後に、基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱するように構成される。

カバー可動部９３は、固定前面部９２の前面側から開口９２ａを覆うための可動側面部９３ａと、可動側面部９３ａが閉じられたときに固定背面部９１と固定前面部９２との隙間を覆うための可動上部９３ｂとを有する。可動側面部９３ａの下端が、ヒンジ９６を介して固定前面部９２に取り付けられる。カバー可動部９３がヒンジ９６を中心に回動することで、カバー９０の開閉が行われる。また、カバー９０は、カバー可動部９３を開閉するためのピストンシリンダ機構９７を有する。カバー可動部９３は、カバー可動部９３が閉じたときにピストンシリンダ機構９７を覆うシリンダカバー９５を備えている。ピストンシリンダ機構９７の一端は固定前面部９２に取り付けられ、他端はシリンダカバー９５に取り付けられる。

カバー９０は、カバー９０内部を排気する排気機構１０１（排気部）を有する。排気機構１０１は、固定背面部９１に設けられた排気口９９を介してカバー９０内部を排気する。固定背面部９１と固定前面部９２との間の底部には、固定背面部９１と固定前面部９２とによって開口部１００が形成される。リフタ７０に支持された基板ホルダ８０は、この開口部１００を介して、カバー９０の下方に位置するレジスト剥離モジュール１５０等の処理槽に対して出し入れされる。

図１３に示すように、カバー可動部９３が閉じられることで、カバー９０は、リフタ７０に支持された基板ホルダ８０の周囲を覆うことができる。これにより、加熱装置９８が発する熱をカバー９０内に閉じ込めることができ、効率よく基板ホルダ８０及び基板Ｗが加熱される。

次に、本実施形態に係る基板処理装置２５０における基板処理プロセスを説明する。まず、基板ホルダ８０は、ホルダストッカ４１に保管される。基板ホルダ８０は、ホルダストッカ４１において加熱装置４４により加熱される。また、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、ホルダストッカ４１において電源４８から電力が供給され、基板ホルダ８０を加熱する。

続いて、基板ホルダ８０は、フィキシングユニット４０ａ，４０ｂの基板着脱部から基板Ｗを受け取り、保持する。基板ホルダ８０は、フィキシングユニット４０ａ，４０ｂから基板搬送装置５０ａ，５０ｂに受け渡され、各処理槽に搬送される。基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂにより搬送されている間、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、把持機構５４の回転モータ５５を構成する筐体の内部に設けられた電源５５ａから電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。

基板ホルダ８０は、基板搬送装置５０ａ，５０ｂにより、各処理槽に設けられたリフタ７０に受け渡され、リフタ７０により支持される。基板ホルダ８０がリフタ７０により支持されている間、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、リフタ７０において電源７７から電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。また、基板ホルダ８０及び基板Ｗは、リフタ７０に支持される間、カバー９０に設けられた加熱装置９８により加熱される。

続いて、基板ホルダは、リフタ７０によりエッチングモジュール１２０又はレジスト剥離モジュール１５０の処理槽に収納され、基板Ｗに所定の処理が行われる。基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、基板ホルダ８０が備えるシーズヒータ８９は、処理槽の電源７８から電力が供給され、基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱する。このようにして、基板ホルダ８０及び基板Ｗは、ホルダストッカ４１に保管されているときから、基板Ｗが処理槽で処理されるまでの間加熱され、各処理槽の処理に適切な温度まで昇温される。

以上で説明したように、本実施形態に係る基板処理装置２５０では、ホルダストッカ４１に加熱装置４４を設け、ホルダストッカ４１に保管される基板ホルダ８０を加熱するように構成される。一般的な基板処理プロセスにおいては、基板ホルダ８０はホルダストッカ４１に比較的長時間保管され、その後各プロセスのために搬送される。したがって、本基板処理装置２５０は、基板ホルダ８０をホルダストッカ４１の加熱装置４４で比較的長時間加熱することができるので、基板ホルダ８０を所望の温度まで加熱させることができる。このため、その後のプロセスで基板Ｗ及び基板ホルダ８０を処理液に浸漬しても、処理液の温度が低下することを抑制することができる。また、基板ホルダ８０を保管しておくためのホルダストッカ４１で基板ホルダ８０を加熱するので、別途加熱用のプロセスを設ける必要がない。このため、基板処理プロセスのスループットを低下させることがない。

また、本実施形態に係る基板処理装置２５０で用いられる基板ホルダ８０は、基板ホルダ８０に保持された基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱するように構成されるシーズヒータ８９と、このシーズヒータ８９に通電するためのホルダ端子８６ａ，８６ｂ及びホルダ端子８７ａ，８７ｂを有する。これにより、ホルダストッカ４１の加熱装置４４による加熱に加えて、基板ホルダ８０をさらに加熱することができる。また、基板ホルダ８０がホルダストッカ４１に保管されている間だけでなく、ホルダ端子８６ａ，８６ｂ及びホルダ端子８７ａ，８７ｂから電力を供給することで、他のプロセス中でも基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができる。

これに加えて、本実施形態に係る基板処理装置２５０のホルダストッカ４１は、電源４８と接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成されるストッカ端子４７を有する。ストッカ端子４７は、基板ホルダ８０がホルダストッカ４１に保管されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触して、電源４８からの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、ホルダストッカ４１に保管されている間、加熱装置４４による加熱に加えて、シーズヒータ８９によっても加熱される。したがって、本実施形態によれば、確実に基板ホルダ８０を所望の温度に昇温し、維持することができる。

また、本実施形態に係る基板処理装置２５０の基板搬送装置５０ａ，５０ｂは、例えば回転モータ５５の筐体内部に設けられる電源５５ａと接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８６ａ，８６ｂと接触可能に構成される搬送機端子６７を有する。搬送機端子６７は、基板ホルダ８０が基板搬送装置５０ａ，５０ｂに搬送されている間、ホルダ端子８６ａ，８６ｂに接触して、電源５５ａからの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、基板搬送装置５０ａ，５０ｂに搬送されている間も、シーズヒータ８９によって加熱される。したがって、本実施形態によれば、基板ホルダ８０がホルダストッカ４１から処理槽まで搬送されている間、基板ホルダ８０を加熱して、温度を維持することができる。また、シーズヒータ８９により、基板ホルダ８０により保持される基板Ｗを間接的に加熱することができる。

また、本実施形態に係る基板処理装置２５０のリフタ７０は、電源７７と接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成されるリフタ端子７６を有する。リフタ端子７６は、基板ホルダ８０がリフタ７０に支持されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触して、電源７７からの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、リフタ７０に支持されている間も、シーズヒータ８９によって加熱される。したがって、本実施形態によれば、基板ホルダ８０が処理槽に収納される直前も基板ホルダ８０を加熱して、温度を維持することができる。また、シーズヒータ８９により、基板ホルダ８０により保持される基板Ｗを間接的に加熱することができる。

また、本実施形態に係る基板処理装置２５０のエッチングモジュール１２０及びレジスト剥離モジュール１５０の処理槽は、電源７８と接続され、基板ホルダ８０のホルダ端子８７ａ，８７ｂと接触可能に構成される処理槽端子７９を有する。処理槽端子７９は、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間、ホルダ端子８７ａ，８７ｂに接触して、電源７８からの電力がシーズヒータ８９に供給される。これにより、基板ホルダ８０は、処理槽で基板Ｗが処理されている間も、シーズヒータ８９によって加熱される。したがって、本実施形態によれば、基板ホルダ８０が処理槽に収納されている間も、基板ホルダ８０を加熱して、温度を維持することができる。また、シーズヒータ８９により、基板ホルダ８０により保持される基板Ｗを間接的に加熱することができる。

また、本実施形態に係る基板処理装置２５０のカバー９０は、基板ホルダ８０が処理槽に収納される前に基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱するように構成される加熱装置９８を有する。これにより、処理槽に収納される直前まで、基板Ｗ及び基板ホルダ８０を加熱し、温度を維持することができるので、処理液の温度の低下を最小限に抑制することができる。また、基板Ｗ及び基板ホルダ８０の周囲をカバー９０が覆うので、加熱装置９８が発する熱、並びに基板Ｗ及び基板ホルダ８０の熱をカバー９０内に閉じ込めることができる。したがって、効率よく基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱することができるとともに、加熱された基板Ｗ及び基板ホルダ８０を保温することができる。

以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。

例えば、以上で説明した実施形態では、レジスト剥離プロセス及びシード層エッチングプロセスを行うものとして説明したが、無電解めっきプロセス等の他のプロセスを行ってもよい。また、本実施形態では、レジスト剥離プロセス及びシード層エッチングプロセス
のために基板ホルダ８０及び基板Ｗを加熱するものとして説明したが、異なるプロセスにおいて基板ホルダ８０及び基板Ｗを冷却する必要がある場合は、加熱装置に変えて冷却装置を設けてもよい。

また、基板ホルダ８０は、ホルダ端子８６ａ，８６ｂ及びホルダ端子８７ａ，８７ｂを有するものとして説明したが、ホルダ端子はいずれか一方のみであってもよい。また、ホルダ端子の位置は、本実施形態に示された位置には限られない。基板ホルダ８０に設けられる加熱装置として、シーズヒータ８９以外の任意の加熱装置を採用することができる。

４１…ホルダストッカ
４４…加熱装置
４７…ストッカ端子
４８…電源
５０ａ，５０ｂ…搬送機
５５ａ…電源
６６…処理槽
６７…搬送機端子
７０…リフタ
７６…リフタ端子
７７…電源
７８…電源
７９…処理槽端子
８０…基板ホルダ
８６ａ，８６ｂ，８７ａ，８７ｂ…ホルダ端子
８９…シーズヒータ
９０…カバー
９８…加熱装置

Claims (11)

1. 基板を保持した基板ホルダを収納し、前記基板を処理するための処理槽と、
   前記基板ホルダを保管するためのホルダストッカと、
   前記ホルダストッカに設けられ、前記ホルダストッカに保管される前記基板ホルダを加熱するように構成される第１加熱装置と、を有する基板処理装置。
2. 請求項１に記載された基板処理装置において、
   前記基板ホルダは、前記基板ホルダに保持された前記基板及び前記基板ホルダを加熱するように構成される第２加熱装置と、前記第２加熱装置に通電するためのホルダ端子を有する、基板処理装置。
3. 請求項２に記載された基板処理装置において、
   前記第２加熱装置に電力を供給するための第１電源を有し、
   前記ホルダストッカは、前記第１電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるストッカ端子を有し、
   前記ストッカ端子は、前記基板ホルダが前記ホルダストッカに保管されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第１電源から電力が供給される、基板処理装置。
4. 請求項２又は３に記載された基板処理装置において、
   前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送する搬送機と、
   前記２加熱装置に電力を供給するための第２電源と、を有し、
   前記搬送機は、前記第２電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される搬送機端子を有し、
   前記搬送機端子は、前記基板ホルダが前記搬送機に搬送されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第２電源から電力が供給される、基板処理装置。
5. 請求項２ないし４のいずれか一項に記載された基板処理装置において、
   前記基板を保持した前記基板ホルダを支持して、前記基板ホルダを前記処理槽に収納し、又は前記処理槽から取り出すように構成されたリフタと、
   前記第２加熱装置に電力を供給するための第３電源を有し、
   前記リフタは、前記第３電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成されるリフタ端子を有し、
   前記リフタ端子は、前記基板ホルダが前記リフタに支持されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第３電源から電力が供給される、基板処理装置。
6. 請求項２ないし５のいずれか一項に記載された基板処理装置において、
   前記第２加熱装置に電力を供給するための第４電源を有し、
   前記処理槽は、前記第４電源と接続され、前記基板ホルダの前記ホルダ端子と接触可能に構成される処理槽端子を有し、
   前記処理槽端子は、前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記ホルダ端子に接触するように構成され、それにより、前記第２加熱装置に前記第４電源から電力が供給される、基板処理装置。
7. 請求項１ないし６のいずれか一項に記載された基板処理装置において、
   前記処理槽に出し入れされる基板ホルダの周囲を覆うように構成されたカバーを有し、
   前記カバーは、前記基板ホルダが前記処理槽に収納される前に前記基板及び前記基板ホ
   ルダを加熱するように構成される第３加熱装置を有する、基板処理装置。
8. 基板ホルダで保持された基板を処理する基板処理方法であって、
   前記基板ホルダをホルダストッカに保管するステップと、
   前記ホルダストッカにおいて前記基板ホルダを加熱するステップと、
   前記基板ホルダで前記基板を保持するステップと、
   前記基板を保持した前記基板ホルダを搬送するステップと、
   前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、
   前記処理槽において前記基板ホルダに保持された基板を処理するステップと、を有する基板処理方法。
9. 請求項８に記載された基板処理方法において、
   前記基板ホルダが搬送されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する、基板処理方法。
10. 請求項８又は９に記載された基板処理方法において、
    搬送された前記基板ホルダをリフタで支持するステップと、
    前記リフタに支持された前記基板ホルダを加熱するステップと、
    前記リフタにより前記基板ホルダを処理槽に収納するステップと、有する基板処理方法。
11. 請求項８ないし１０のいずれか一項に記載された基板処理方法において、
    前記基板ホルダが前記処理槽に収納されている間、前記基板ホルダを加熱するステップを有する、基板処理方法。

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